「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(190ページ目) - Weblio英語例文検索

The display part protection panel includes a substrate and an ink layer, wherein the substrate is made of a transparent material and has a first surface where the ink layer is formed, and the ink layer is transparent and formed at least in two colors, and includes a first ink layer and a second ink layer of which a part is overlapped with the first ink layer.例文帳に追加

基板及びインク層を含み、前記基板は、透明な材料から製造され、且つ前記インク層が形成された第一表面を含み、前記インク層は、透明であり、少なくとも２つの色から形成され、第一インク層と、一部分が前記第一インク層と重なっている第二インク層と、を含む表示部保護パネルをを提供する。 - 特許庁

The solar cell is a back junction solar cell comprising semiconductor layers of first and second conduction types on the back surface of a semiconductor substrate and having an insulating layer and an electrode layer provided on the surface side of the semiconductor layer, wherein the entire surface of the semiconductor layer is covered with the insulating layer and the electrode layer.例文帳に追加

本発明に係る太陽電池は、半導体基板の裏面に第１及び第２導電型の半導体層を備える裏面接合型の太陽電池であって、前記半導体層の表面側に設けられた絶縁層及び電極層を有し、前記半導体層の表面の全面は前記絶縁層及び電極層で覆われる。 - 特許庁

The growth method of the nitride semiconductor layer comprises (a) a process for forming a first crystalline nitride semiconductor layer on the substrate, (b) a process for forming a nitride semiconductor buffer layer on the first crystalline nitride semiconductor layer and (c) a process for removing the obtained nitride semiconductor buffer layer and forming a second crystalline nitride semiconductor layer.例文帳に追加

（ａ）基板の上に、第１の結晶質窒化物半導体層を形成する工程と、（ｂ）該第１の結晶質窒化物半導体層上に、窒化物半導体バッファ層を形成する工程と、（ｃ）得られた窒化物半導体バッファ層を除去するとともに、第２の結晶質窒化物半導体層を形成する工程とを含む窒化物半導体層の成長方法。 - 特許庁

The storage device and the semiconductor device are such that has a memory device with a layer 105 containing the organic compound between a pair of electrodes configuring a first electrode layer 103 and a second electrode layer 106, a device layer having the memory device, and a sealant 111 formed on the device layer, and the layer 111 contains a moisture absorption material 108.例文帳に追加

第１の電極層及１０３び第２の電極層１０６からなる一対の電極間に有機化合物を含む層１０５を有する記憶素子と、当該記憶素子を有する素子層と、素子層上に形成される封止層１１１を有し、封止層１１１には吸湿材１０８が含まれている記憶装置及び半導体装置である。 - 特許庁

The capacitor portion includes: a first electrode layer formed on a substrate; a dielectric film 4 formed on the first electrode layer; an insulating layer 6 which is in contact with a surface on the side opposite to the first electrode layer of the dielectric film 4 and forms an opening 6a: and a second electrode layer 5 in contact with the dielectric film 4 and the insulating layer 6 in the opening 6a.例文帳に追加

キャパシタ部が、基板上に形成された第１電極層と、第１電極層上に形成された誘電体膜４と、誘電体膜４の第１電極層とは反対側の面に接し、開口６ａを形成している絶縁層６と、開口６ａ内で誘電体膜４及び絶縁層６に接する第２電極層５とを有する。 - 特許庁

The storage element 10 is configured, such that a storage layer 5 is sandwiched between a first electrode 1 and a second electrode 4, the storage layer 5 comprises an oxide layer 2 and an ionized layer 3 containing Cu which are laminated, the oxide layer 2 consists of a rare earth element oxide, and the ionized layer 3 contains one or more kinds of elements selected from among S, Se and Te.例文帳に追加

第１の電極１及び第２の電極４の間に記憶層５が挟まれて構成され、この記憶層５が酸化物層２とＣｕを含有するイオン化層３とを積層して成り、酸化物層２が希土類元素酸化物から成り、イオン化層３がＳ，Ｓｅ，Ｔｅから選ばれる１種以上の元素を含有する記憶素子１０を構成する。 - 特許庁

A bonding layer 9 becoming a part being bonded to a liquid ejection energy generating element, i.e. a piezoelectric element 10, is formed on the second coating resin layer 6 and then the piezoelectric element 10 is bonded onto the bonding layer 9 while being aligned.例文帳に追加

第２の被覆樹脂層６上に液吐出エネルギー発生素子としての圧電素子１０との接合部となる接合層９を形成して、該接合層９の上に圧電素子１０を位置合わせして接合する。 - 特許庁

Subsequently, a thermoplastic resin is poured in the molding die in a state where the thermosetting resin for the first resin layer 14 is partially hardened so that a second resin layer 15 which covers the outside of the first resin layer 14 is formed.例文帳に追加

続いて、第１樹脂層１４の熱硬化性樹脂が半硬化状態のときに、成形型内に熱可塑性樹脂を注入して、第１樹脂層１４の外側を覆う第２樹脂層１５を形成する。 - 特許庁

A semi transparent layer is formed on the light transmission layer 6 to manufacture a first laminated body and a reflection layer is formed on a substrate obtained by injection molding to form a second laminated body.例文帳に追加

そして、この光透過層６上に半透明層を形成して第１の積層体を作製するとともに、射出成形によって得られた基板上に反射層を形成し、第２の積層体を形成する。 - 特許庁

This process is achieved by printing a conductive post 205 on a first patterned conductive layer, then depositing an unpatterned dielectric layer 207, and then depositing a second patterned conductive layer.例文帳に追加

このプロセスは、第１のパターン化された導電層上に導電ポスト２０５を印刷し、次にパターン化されていない誘電層２０７を堆積させ、次に第２のパターン化された導電層を堆積させることによりなし得る。 - 特許庁

An image carrier protecting agent 21 (substance having self-lubricating property) having a high effect of preventing wear of a photoreceptor is supplied from a second protective layer forming device 2, and is formed into a thin layer by a protective layer forming mechanism 24.例文帳に追加

第２の保護層形成装置２から感光体磨耗の防止効果の高い像担持体保護剤２１（自己潤滑性を有する物質）が供給され、保護層形成機構２４により薄層化される。 - 特許庁

The transparent conductive membrane 3 is formed as a laminate of sputtered layers of three or more layers (first sputtered layer 31, second sputtered layer 32, and third sputtered layer 33) by sputtering intermittently divided in three times or more.例文帳に追加

透明導電膜３は、３回以上に分けて断続的にスパッタリングすることにより、３層以上のスパッタ層（第１スパッタ層３１、第２スパッタ層３２、第３スパッタ層３３）の積層体として形成されている。 - 特許庁

A plurality of first metal layers 34 are formed on the surface of the second N-type semiconductor layer 32 opposite to its other surface that is brought into contact with the first N-type semiconductor layer 30, coming into contact with the N-type semiconductor layer 32 at certain intervals.例文帳に追加

第２の半導体層32における第１の半導体層30と反対側の表面で、第２の半導体層32と接触するように、間隔をあけて複数の第１金属層34が形成されている。 - 特許庁

In the panel heater 1, the transparent heat generating layer 3 comprises a first transparent heat generating layer 3a formed on the front surface 2a of a transparent substrate 2 and a second transparent heat generating layer 3b formed on the rear surface 2b of the transparent substrate.例文帳に追加

パネルヒータ１は、透明発熱層３が透明基板２の前面２ａに形成された第１透明発熱層３ａと透明基板の背面２ｂに形成された第２透明発熱層３ｂとからなる。 - 特許庁

The communication apparatus 100 is provided with a first signal layer 20, a second signal layer 30, a communication device 200 which is electromagnetically connected with the layers and a dielectric layer 22 which is arranged between the layers.例文帳に追加

本発明による通信装置１００は、第１信号層２０および第２信号層３０と、これらの層に電磁的に接続する通信素子２００と、これらの層の間に配置される誘電層２２を備える。 - 特許庁

First and second gate-insulating films 3 and 10, having different capacitances, and provided on a secondconductivity-type base layer 6 formed between a firstconductivity-type emitter layer 7 and a firstconductivity-type base layer 1.例文帳に追加

第１導電型エミッタ層７と第１導電型ベース層１の間の第２導電型ベース層６上に互いにキャパシタンス容量の異なる第１のゲート絶縁膜３及び第２のゲート絶縁膜１０を設ける。 - 特許庁

Therefore, when forming a plated layer 8 on the metallized layer 7, a plating liquid can be easily allowed to follow between the first principal plane 1A and the second principal plane 1B through the hole 15, thereby forming the plated layer 8 evenly.例文帳に追加

このため、メタライズ層７上にメッキ層８を形成する際、メッキ液が有底孔１５を通じて、第１主面１Ａと第２主面１Ｂとの間を流通し易く、メッキ層８を均一に形成することができる。 - 特許庁

A second information layer 4 consists of a multi-layer thin film in which at least thin films of four layers are laminated, while recording and reproducing of the information signal can be performed using the light beam transmitted through the first information layer 2.例文帳に追加

第２の情報層４は、少なくとも４層の薄膜を積層した多層薄膜からなると共に、第１の情報層２を透過した光ビームを用いて情報信号の記録再生が可能である。 - 特許庁

For layers adjacent to each other in a horizontal direction, at least one layer is formed such that the horizontal rigidity in the layer belonging to the first structure is higher than that in the layer belonging to the second structure.例文帳に追加

水平方向に隣り合う階層同士において、前記第１構造体に属する階層の水平剛性の方が、前記第２構造体に属する階層の水平剛性よりも高い階層を少なくとも一つ有する。 - 特許庁

The wiring board is formed of group 11 metal material, and has a third conductor layer 12c formed between the first conductor layer 12a and the second conductor layer 12b in the through hole 11h.例文帳に追加

配線基板は、１１族の金属材料からなり、スルーホール１１ｈ内における第１の導体層１２ａおよび第２の導体層１２ｂの間に形成された第３の導体層１２ｃをさらに有している。 - 特許庁

An electric insulator layer is formed on the back side of the support, and a second conductor layer is formed through a process of thermally treating conductive paste applied to electrically connect electrodes exposed from the electric insulator layer together.例文帳に追加

支持体の裏面側に電気絶縁体層を形成し、電気絶縁体層から露出する電極を相互に連結するように塗布した導電性ペーストを熱処理して第２導電体層を形成する。 - 特許庁

A projection amount of the nitride film from the side wall of the silicon layer or the second silicon layer further becomes lesser than the thickness of the nitride film to structurally eliminate breakage of the end of the nitride film caused by stress when the oxide film layer is formed.例文帳に追加

さらに、シリコン層または第２のシリコン層の側壁からの窒化膜の突起量を、窒化膜の膜厚よりも小さくし、酸化膜層の形成時の応力により窒化膜端部が折れることが構造的になくす。 - 特許庁

A magnetic sensor includes a first and a second MR elements that contain a magnetization fixed layer 63, an intervention layer 62, and a magnetization free layer 61 in order respectively and show resistance changes in opposite directions with each other by a signal magnetic field.例文帳に追加

磁化固着層６３と介在層６２と磁化自由層６１とを順にそれぞれ含むと共に、信号磁場によって互いに反対向きの抵抗変化を示す第１および第２のＭＲ素子を備える。 - 特許庁

A second resin layer 7 that is made of a softer material than a first resin layer 6 is interposed between the ends 5a-5d of the wiring board 1 on the end faces of the sealing resin 5 and the first resin layer (solder resist) 6.例文帳に追加

封止樹脂５の端面の配線基板１側の端部５ａ〜５ｄと第１の樹脂層（ソルダーレジスト）６との間に、第１の樹脂層６よりも柔らかい材質の第２の樹脂層７を介在させる。 - 特許庁

The inter-resonator coupling capacitor conductor layer 33 is disposed on the dielectric layer, between the first and second strip line conductor layers 16, 17 and the dielectric layer between the third and fourth strip line conductor layers 19, 20.例文帳に追加

共振器間結合容量導体層３３は第１及び第２のストリップライン導体層１６、１７と第３及び第４のストリップライン導体層１９、２０との間の誘電体層に配置されている。 - 特許庁

A semi-transparent gate electrode 10 is formed on a substrate 12, over which a first dielectrics layer 14, semiconductor layer 16, and second dielectrics layer 19 are allowed to stick, and a photoresist is allowed to stick on it.例文帳に追加

基板１２上に半透明なゲート電極１０を形成し、その上に第１誘電体層１４、半導体層１６および第２誘電体層１９を付着し、更にその上にフォトレジストを付着する。 - 特許庁

A semiconductor device includes a substrate of a first conductivity type, an insulating layer formed on at least a portion of the substrate, and an epitaxial layer of a second conductivity type formed on at least a portion of the insulating layer.例文帳に追加

半導体デバイスが、第１導電型の基板、基板の少なくとも一部分上に形成された絶縁層、および絶縁層の少なくとも一部分上に形成された第２導電型のエピタキシャル層を備える。 - 特許庁

The insulation film 44 is provided with a first insulation layer 45 comprising many recessing parts 48 with their circumferences surrounded by projecting parts 47, isolated and irregularly arranged and a second insulation layer 49 covering the whole of the insulation layer 45.例文帳に追加

絶縁膜４４は、周囲を凸部４７によって囲まれて孤立した多数の凹部４６が不規則に配置された第一の絶縁層４５と、絶縁層４５の全体を覆う第二の絶縁層４９とを備えている。 - 特許庁

Thereafter, the copper film and the barrier metal layer 21 in the region other than the wiring grooves 20 are removed by a CMP method, and the wiring lines 22 serving as a second wiring layer whose main conductor layer is formed of the copper film are formed inside the wiring grooves 20.例文帳に追加

その後、配線溝２０以外の領域の銅膜およびバリアメタル層２１をＣＭＰ法により除去して、配線溝２０の内部に銅膜を主導体層とする第２配線層の配線２２を形成する。 - 特許庁

A first conductive layer is patterned in preparation for a subsequent patterning step which includes a step of patterning both the first conductive layer and the second conductive layer in both the NVM region and the capacitor region.例文帳に追加

第１導電体層は後のパターニングステップの準備にパターニングされ、これが、ＮＶＭ領域およびキャパシタ領域の両方に第１導電体層および第２導電体層の両方をパターニングするステップを含む。 - 特許庁

An organic EL layer is formed more on the inner side than the aperture of the outermost periphery, and the same layer as a first electrode and a second electrode are in contact at the aperture of the outer periphery of the organic EL layer.例文帳に追加

有機ＥＬ層は最外周の開口よりも内側に形成されており、前記有機ＥＬ層の外周の開口では第１電極と同一の層と、第２電極とが接していることを特徴とする。 - 特許庁

Then a second III-V nitride-based compound semiconductor layer is horizontally grown by using the stripe-like layers 3 as seed crystals and a III-V nitride-based compound semiconductor layer forming a laser structure is grown on the horizontally grown semiconductor layer.例文帳に追加

これを種結晶として第２の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を横方向成長させ、その上にレーザ構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させる。 - 特許庁

Next, after the first inter-layer insulation film is partially removed with the isotropic etching process, the second inter-layer insulation film is evaporated on the first inter-layer insulation film to perfectly embed the gap between the gates 120.例文帳に追加

次に、第１層間絶縁膜を等方性エッチング法により部分的に除去した後、ゲート１２０間のギャップを完全に埋め込むように第１層間絶縁膜上に第２層間絶縁膜を蒸着する。 - 特許庁

In the reactor vessel 14, a partition board 15c for dividing a cylindrical internal space into first-layer and second-layer spaces along a cylindrical longitudinal direction is provided in a double-layer structure.例文帳に追加

リアクタ容器１４には、筒形状の内側の空間を筒形状の長手方向に沿って第１の層の空間と第２の層の空間とに区分けするための仕切板１５ｃが設けられ、２層構造となっている。 - 特許庁

A cathode side diffusion layer 24 is formed by laminating a first layer 241 which includes carbon grains 241b whose average specific surface area is 100 to 1,000 cm2/g and a second layer 242 which includes carbon grains 242b whose average specific surface area is 100 cm2/g or less.例文帳に追加

カソード側拡散層24を、平均比表面積が100〜1000ｃｍ^2/ｇのカーボン粒子241ｂを含む第一層241と、平均比表面積が100ｃｍ^2/ｇ未満のカーボン粒子242bを含む第二層242を積層させて構成する。 - 特許庁

The nonwoven fabric laminate 1 has a first layer consisting of a polypropylene spun bonded nonwoven fabric 11, a second layer consisting of a film 12 processed for a design and a third layer consisting of a polyethylene spun bonded nonwoven fabric 13.例文帳に追加

不織布積層体１は、ポリプロピレンスパンボンド不織布１１よりなる第一層と、意匠加工が施されたフィルム１２よりなる第二層と、ポリエチレンスパンボンド不織布１３よりなる第三層とを備えている。 - 特許庁

Then, while the donor film 10 is in contact with the surface of the first luminous unit layer U1, laser beams L are applied for transferring, thus laminating the second luminous unit layer U2 on the first luminous unit layer U1.例文帳に追加

続いて、第１発光単位層Ｕ１の表面にドナーフィルム１０を接触させた状態でレーザ光Ｌを照射して転写することにより、第２発光単位層Ｕ２を第１発光単位層Ｕ１の上に積層する。 - 特許庁

To improve durability by preventing the wear of a heat generating layer caused by a flange member for preventing meandering, in a fixing device using a fixing belt where a first metallic heat generating layer and a second metallic heat generating layer are stacked.例文帳に追加

第１と第２の金属製の発熱層が積層される定着ベルトを用いる定着装置において、蛇行防止用の鍔部材による発熱層の磨耗を防止して耐久性を向上すること。 - 特許庁

A front lens 20 of the lighting fixture for vehicle 10 is a two-color molded lens wherein a first-placed first resin layer 21 and a post-placed second resin layer 23 on the surface of the first resin layer 21 are molded in layers.例文帳に追加

車両用灯具１０の前面レンズ２０は、先打ちされた第１樹脂層２１と、該第１樹脂層２１の表面上に後打ちされた第２樹脂層２３とが積層成形された二色成形レンズである。 - 特許庁

Specifically, the resistance change layer 22 has a structure where a first layer 22A formed of the transition metal oxide and a second layer 22B containing the aluminum oxide as a main constituent are laminated in an order from the side of a lower electrode 10.例文帳に追加

具体的には、抵抗変化層２２は、下部電極１０の側から順に、遷移金属酸化物よりなる第１層２２Ａと、アルミニウム酸化物を主成分とする第２層２２Ｂとが積層された構成を有している。 - 特許庁

A wiring pad 17 conducting to the slider pad of a slider 52 is disposed in the first wiring layer 14 and in a part of the second wiring layer 15, disposed on the same plane as that of the first wiring layer 14.例文帳に追加

第１配線層１４、およびこの第１配線層１４と同一平面上に配置された第２配線層１５の部分に、スライダ５２のスライダパッドに導通される配線パッド１７が設けられている。 - 特許庁

The precursor primer layer and the precursor coating layer are then heated to form a ceramic film 20 and a ceramic coating layer 14, respectively, which consist essentially of the particles and matrices of, respectively, the first and second ceramic materials.例文帳に追加

その後、前駆体プライマー層と前駆体コーティング層を加熱して、それぞれ本質的に第１及び第２のセラミック材料の粒子とマトリックスからなるセラミック膜２０とセラミック皮膜層をそれぞれ形成する。 - 特許庁

The surface electrode 25 includes a first electrode layer 24 formed on a surface of the IGBT element region 8b and a second electrode layer 26 formed on a surface of the first electrode layer 24.例文帳に追加

表面電極２５は、ＩＧＢＴ素子領域８ｂの表面に形成されている第１の電極層２４と、第１の電極層２４の表面に形成されている第２の電極層２６と、を有している。 - 特許庁

On a non-magnetic disk substrate 1 made of an Al alloy, a first NiP layer 2, an intermediate layer 3 made of either Au or Pd, and a second NiP layer 4 are formed in this order.例文帳に追加

Ａｌ合金からなるディスク状の非磁性基体１上に、ＮｉＰ第１層２、Ａｕ或いはＰｄの少なくとも一方からなる中間層３、及びＮｉＰ第２層４がこの順に形成されている。 - 特許庁

The concentration of the element in an interface region IFR containing an interface 25 between the first metallic layer and the second semiconductor layer is set to be higher than a first metallic internal region 51c separated from the interface in the first metallic layer.例文帳に追加

第１金属層と第２半導体層との界面２５を含む界面領域ＩＦＲにおける前記元素の濃度は、第１金属層のうちの界面から離れた第１金属内部領域５１ｃよりも高い。 - 特許庁