「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(192ページ目) - Weblio英語例文検索

The method also comprises the steps of forming a protective layer 6 for protecting the circuit pattern at a position except a terminal part of the circuit pattern on the surface of the first tin-plating layer, and forming a second tin-plating layer 7 on a terminal part of the circuit pattern.例文帳に追加

第１のすずめっき層の表面で、回路パターンの端子部分を除いた個所に、回路パターンを保護する保護層６を形成し、回路パターンの端子部分に、第２のすずめっき層７を形成する。 - 特許庁

For example, by forming the surface of the second transparent electrode 4 in a rugged shape, the layer thickness d1 and d2 of the liquid crystal layer 7 partially differ from each other and intensity values of the electric field in the liquid crystal layer 7 partially differ from one another.例文帳に追加

例えば、第二透明電極４の表面を凹凸状とすることで、液晶層７の層厚がｄ１，ｄ２と部分的に相違され、液晶層７における電界強度が部分的に相違される。 - 特許庁

After the second process, the active layer 3 is exposed by etching the etching stopping layer 4 in the depth direction by using the mask (third process) and a gate electrode is formed on the active layer 3 by using the same mask (fourth process).例文帳に追加

しかる後、前記マスクを用いてエッチング停止層を深さ方向にエッチングして活性層を露出させ（第３の工程）、次いで前記マスクを用いて活性層上にゲート電極を形成する（第４の工程）。 - 特許庁

Each of the first layer wiring M1, the second layer wiring M2, and the third layer wiring M3 is made to be equal to each other in shape, dimension, and gap therebetween, at positions under the respective electrode pads PD1-PDn.例文帳に追加

また、第１層配線Ｍ１、第２層配線Ｍ２および第３層配線Ｍ３の各配線層毎に各電極パッドＰＤ１〜ＰＤｎ下の配線の形状、寸法および配置間隔等が等しくなるようにした。 - 特許庁

The other is connected to the lines 75a, 76a in the uppermost layer through via conductors v5, v6, and have lines 75b, 76b in a central section formed in a second conductor layer different from the first conductor layer.例文帳に追加

その他方は、最上層の線路７５ａ、７６ａとビア導体ｖ５、ｖ６を介して接続され、第１導体層とは異なる第２の導体層に形成された中央区間の線路７５ｂ、７６ｂを有する。 - 特許庁

The Al composition of the first AlGaN layer 25 is largest in the first conductive type clad region 13, and the Al composition of the second AlGaN layer 27 is smaller than the Al composition of the first AlGaN layer 25.例文帳に追加

第１のＡｌＧａＮ層２５のＡｌ組成は第１導電型クラッド領域１３において最も大きく、第２のＡｌＧａＮ層２７のＡｌ組成は第１のＡｌＧａＮ層２５のＡｌ組成よりも小さい。 - 特許庁

A deep n+-type second drain layer 3 is formed on a region under an n+-type first drain layer 11 so that N--type drain layers 2A, 2B are not formed under the n+-type first drain layer 11.例文帳に追加

Ｎ＋型の第１ドレイン層１１の下にはＮ−型ドレイン層２Ａ，２Ｂが形成されないようにし、かつＮ＋型の第１ドレイン層１１の下の領域に深いＮ＋型の第２ドレイン層３を形成した。 - 特許庁

The substrate comprises two or more layers of nonwoven fabrics in which the first nonwoven fabric layer includes thermally fusing fibers in addition to the main fibers and the ink-receiving layer is formed on the face of the first nonwoven fabric layer opposite to the second nonwoven fabric.例文帳に追加

支持体が２層以上の不織布層からなり、第１の不織布層が主体繊維以外に熱融着繊維を含有し、該第１の不織布層の第２の不織布層とは反対面にインク受理層を設ける。 - 特許庁

Since most of the low-temperature GaN buffer layer 14 is covered with the second buffers 15, so when the temperature rises, the low-temperature GaN buffer layer 14 is suppressed from being evaporated and the GaN semiconductor layer 16 is suppressed from being dislocated.例文帳に追加

第２のバッファ体１５により低温ＧａＮバッファ層１４を大部分被覆するため、昇温時に低温ＧａＮバッファ層１４の蒸発を抑え、ＧａＮ半導体層１６の転位を抑制する。 - 特許庁

An N- type first high resistance drift layer 22 is arranged on one face of a silicon substrate 21 as an N+ type drain area, and an N- type second high resistance drift layer 23 is arranged on the first high resistance drift layer 22.例文帳に追加

Ｎ＋型ドレイン領域としてのシリコン基板２１の一主面上にＮ型第１高抵抗ドリフト層２２が配置され、第１高抵抗ドリフト層２２上にＮ−型第２高抵抗ドリフト層２３が配置されている。 - 特許庁

An OLB pad 4 for external connection is formed by a part of the third wiring layer 19 of the top layer, and a drawing wire connected to the OLB pad 4 is formed by the second wiring layer 17.例文帳に追加

外部接続用のＯＬＢパッド４が最上層の第３配線層１９の一部により形成されており、ＯＬＢパッド４と接続される引き出し配線が第２配線層１７により形成されている。 - 特許庁

This GaN hetero-junction field effect transistor is provided with an Al_XGa_1-XN first graded layer 104 and an Al_XGa_1-XN second graded layer 105 which are successively formed on a channel layer 103.例文帳に追加

このＧａＮヘテロ接合電界効果トランジスタは、チャネル層１０３上に順次形成されたＡｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ第１グレーデッド層１０４とＡｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ第２グレーデッド層１０５を備えた。 - 特許庁

The intermediate member 43 has a base material layer 43b composed of a first resin and an adhesive layer 43a composed of a second resin having a melting point lower than the first resin and formed on both surfaces of the base material layer 43b.例文帳に追加

中間部材４３は、第１の樹脂からなる基材層４３ｂと、第１の樹脂よりも融点が低い第２の樹脂からなり、基材層４３ｂの両面に形成された接着層４３ａと、を備える。 - 特許庁

In the coil component, on a first magnetic substrate 2 formed by a magnetic material, an insulating layer 60, first and second coil conductors 11, 13 insulated by the insulating layer 60, and a magnetic layer 8 are formed.例文帳に追加

磁性材料で形成された第１の磁性基板２上に、絶縁層６０と絶縁層６０によって絶縁された第１のコイル導体１１と第２のコイル導体１３と磁性層８が形成されている。 - 特許庁

The stencil mask 10 is provided with a shielding layer 20 having a first layer 22 provided on the side where a substrate processed is arranged, and a second layer 24 provided on the side opposite to the side where the substrate processed is arranged.例文帳に追加

ステンシルマスク１０は、処理基板が配置される側に設けられている第１層２２と処理基板が配置される側とは反対側に設けられている第２層２４を有している遮蔽層２０を備えている。 - 特許庁

The light emitting diode is composed of a first electrode layer having a conductive effect, a substrate for developing the light emitting diode, a light emitting nanoparticle layer having a light emitting effect, and a second electrode layer having a conductive effect.例文帳に追加

導電効果を具える第１電極層と、発光ダイオードを成長させる基板と、発光効果を有する発光ナノ粒子層と、導電効果を具える第２電極層とによって構成される発光ダイオード。 - 特許庁

A black mask 12 is arranged to surround respectively front sides in a plurality of light emitting parts 19 where the first electrode layer 16 and the second electrode layer 18 are overlapped via the organic electroluminescent layer 17.例文帳に追加

ブラックマスク１２は、第１電極層１６と第２電極層１８とが有機エレクトロルミネッセンス層１７を介して重なり合ってなる複数の発光部１９の前方側をそれぞれ取り囲むようにして配置されている。 - 特許庁

In addition, another conductive polymer layer composed of polythiophene or its derivative is formed through chemical polymerization as a second layer 11, so that, an electrolytic layer can be formed uniformly into the inside of the capacitor element of the capacitor.例文帳に追加

さらに第二層目としてポリチオフェンまたはその誘導体からなる導電性高分子層を化学重合によって形成することでコンデンサ素子内部まで均一に電解質層を形成することができる。 - 特許庁

The perforate face skin includes an outer face skin layer having a first plurality of spaced openings, an inner face skin layer having a second plurality of spaced openings and a porous layer disposed between them.例文帳に追加

孔付きの表皮は、間隔を置いた第１複数の開口を有する外側表皮層と、間隔を置いた第２複数の開口を有する内側表皮層と、それらの間に配置された多孔質層とを含む。 - 特許庁

Also a titanium silicide layer is formed on a portion in contact with a relay layer 6a1 for a shield layer of a capacitor electrode 300, and on a portion in contact with a second relay electrode 6a2 of a relay electrode 719 .例文帳に追加

同様に、容量電極３００のうちシールド層用中継層６ａ１と接する部位、及び中継電極７１９のうち第２中継電極６ａ２と接する部位にも、チタンシリサイドの層が形成されている。 - 特許庁

A first insulation layer 1 is formed on outer peripheral surface of a linear conductor m having nearly square cross section by an electrodeposition painting method, further, a second insulation layer is formed on the first insulation layer by a dipping method.例文帳に追加

断面形状が略正方形である線状の導体ｍの外周表面に、電着塗装法によって第一絶縁層１を形成し、さらにその上に、ディッピング法によって第二絶縁層２を形成する。 - 特許庁

According to this semiconductor laser, a group III-V compound semiconductor layer 21 is formed between an embedded semiconductor layer 19 formed of an InP semiconductor and a second clad layer 23 formed of an n-type InP semiconductor.例文帳に追加

本発明に係る半導体レーザによれば、ＩｎＰ半導体からなる埋込半導体層１９とｎ型ＩｎＰ半導体からなる第２クラッド層２３との間にIII−Ｖ族化合物半導体層２１が設けられる。 - 特許庁

The endless belt is constituted so that a first polyimide resin layer and a second polyimide resin layer are formed from an internal perimeter side and a solid lubricant is dispersed in the first polyimide resin layer.例文帳に追加

内周面側から、第１のポリイミド樹脂層と第２のポリイミド樹脂層とが設けられてなり、前記第１のポリイミド樹脂層中に、固体潤滑剤が分散されてなることを特徴とする無端ベルトである。 - 特許庁

The surface treatment is characterized in that a first layer made of nickel or a nickel alloy is formed on at least either side of copper foil, and a second layer made of molybdenum is formed on the first layer.例文帳に追加

銅箔の少なくとも一方の面に、ニッケルまたはニッケル合金からなる第１層が形成され、該第１層上にモリブデンからなる第２層が形成されていることを特徴とする表面処理である。 - 特許庁

The method includes: providing a base metal having a feature; removing the feature to form a processed region; applying a first layer to the processed region; and applying a second layer to the first layer.例文帳に追加

この方法は、ある特徴を有する基材金属を準備し、特徴を除去して加工処理領域を形成し、第１の層を前記加工処理領域に適用し、第２の層を第１の層に適用することを含む。 - 特許庁

The porous polytetrafluoroethylene film 1 comprises: a first porous layer 1a; and a second porous layer 1b which is laminated on and integrated into the first porous layer 1a by means of the binding force acting between the polytetrafluoroethylene matrices.例文帳に追加

ポリテトラフルオロエチレン多孔質膜１は、第１多孔質層１ａと、ポリテトラフルオロエチレンのマトリクス間に働く結着力に基づいて第１多孔質層１ａに積層および一体化された第２多孔質層１ｂとを含む。 - 特許庁

The oxidation catalyst 1 comprises a first catalytic layer 11 containing no zeolite, a second catalytic layer 12 which contains zeolite but not a rare metal or contains a negligible amount of rare metal, and a third catalytic layer 13 containing a rare metal.例文帳に追加

酸化触媒１を、ゼオライトを含まない第１触媒層11と、ゼオライトを含み貴金属を含まないか貴金属量が少ない第２触媒層12と、貴金属を含む第３触媒層13とから構成した。 - 特許庁

This hollow fiber consists of a first layer containing essentially the polyimide, and a second layer containing essentially a polymer not essentially receiving the effect of a chemical modification method, and the polyimide layer is made to be in contact with a polyamine.例文帳に追加

中空繊維は、ポリイミドを実質的に含む第一の層と、実質的に化学的変性法の影響を受けないポリマーを実質的に含む第二の層とからなり、前記ポリイミド層がポリアミンと接触されている。 - 特許庁

The second hexagonal silicon carbide epitaxial layer 3 has a crystal structure similar to that of the first hexagonal silicon carbide epitaxial layer 2 and has a stacking fault density higher than that of the first hexagonal silicon carbide epitaxial layer 2.例文帳に追加

第２六方晶炭化珪素エピタキシャル層３は、第１六方晶炭化珪素エピタキシャル層２と同じ結晶構造を有し、かつ第１六方晶炭化珪素エピタキシャル層２よりも高い積層欠陥密度を有する。 - 特許庁

Alternatively, the surface treatment is characterized in that a first layer made of nickel or a nickel alloy is formed on at least either side of copper foil, and a second layer made of a molybdenum alloy is formed on the first layer.例文帳に追加

また、銅箔の少なくとも一方の面に、ニッケルまたはニッケル合金からなる第１層が形成され、該第１層上にモリブデン合金からなる第２層が形成されていることを特徴とする表面処理である。 - 特許庁

A first surface layer common electrode 11 is formed in a TFT substrate 1, and a second surface layer common electrode 23 opposite to the first surface layer common electrode 11 is formed in a counter substrate 2.例文帳に追加

ＴＦＴ基板１には第１の表層共通電極１１が、対向基板２には第１の表層共通電極１１と対向する第２の表層共通電極２３が、それぞれ形成されている。 - 特許庁

After an insulation film is partly formed on a first epitaxial layer on a collector region, a second epitaxial layer to be a base electrode is formed on the side face of the insulation film on the first epitaxial layer.例文帳に追加

コレクタ領域上に形成した第１のエピタキシャル層上の一部に絶縁膜を形成後、前記第１のエピタキシャル層を前記絶縁膜の側面にベース電極となる第２のエピタキシャル層を形成する。 - 特許庁

The first alignment layer 41 is formed from e.g. a polyimide alignment layer having rubbing density of ≤200 and the second alignment layer 42 is formed by an ion deposition method using an acrylic monomer as a deposition material.例文帳に追加

第１配向膜層４１は例えばラビング密度２００以下のポリイミド配向膜により形成され、第２配向膜層４２は、蒸着材料としてアクリルモノマーを用いたイオン蒸着法により形成される。 - 特許庁

A composite layer provided with a first insulating layer comprised of halogen-free resin and fiber dispersed therein and a second insulating layer which contains inorganic particles, the halogen-free resin and no fiber, is included.例文帳に追加

ハロゲンフリー樹脂及びその中で分散されているファイバから構成される第１の絶縁層と、ファイバは含まないが、その中に無機粒子とともにハロゲンフリー樹脂も含む第２の絶縁層とを備える複合層を含むこと。 - 特許庁

There are formed sequentially on a host material substrate 11 a first nitride semiconductor layer 12 comprising gallium nitride including an active layer, and a second nitride semiconductor layer 13 comprising aluminum gallium nitride having a thickness of about 25 nm.例文帳に追加

母材基板１１の上に、活性層を含む窒化ガリウムからなる第１の窒化物半導体層１２と、厚さが約２５ｎｍの窒化アルミニウムガリウムからなる第２の窒化物半導体層１３を順次形成する。 - 特許庁

For the layers adjacent to each other in a horizontal direction, at least one layer is formed such that the horizontal rigidity in the layer belonging to the second structure is higher than that in the layer belonging to the first structure.例文帳に追加

水平方向に隣り合う階層同士において、前記第２構造体に属する階層の水平剛性の方が、前記第１構造体に属する階層の水平剛性よりも高い階層を少なくとも一つ有する。 - 特許庁

A second free magnetic layer 51 is embedded in a space A, and the thickness t1 of a free magnetic layer 70 at an element center part D is set larger than that t2 of the magnetic layer 70 at side ends C located on the sides of the center part D.例文帳に追加

間隔Ａ内に第２フリー磁性層５１が埋められており、前記素子中央部Ｄのフリー磁性層７０の膜厚ｔ１が、素子両側端部Ｃの膜厚ｔ２よりも厚く形成されている。 - 特許庁

An enhanced layer (second magnetic layer) 6a made of Co_100-XFe_X and having an Fe composition ratio X of 30 at%-100 at% is formed on the insulating barrier layer 5 formed of Mg-O.例文帳に追加

Ｍｇ−Ｏで形成された絶縁障壁層５の上に、Ｃｏ_１００−ＸＦｅ_Ｘからなり、Ｆｅ組成比Ｘが、３０ａｔ％以上で１００ａｔ％以下とされたエンハンス層（第２磁性層）６ａが形成される。 - 特許庁

A first layer of the preserving laminate sheet for the solution containing the cationic disinfectant ingredient is composed of an aromatic polyester resin and a second layer which overlies the first layer is composed of a steam barrier resin.例文帳に追加

カチオン系殺菌成分を含有する溶液の保存用積層シートの第１層を芳香族ポリエステル樹脂にて構成し、第１層に対し積層される第２層を水蒸気バリア性樹脂にて構成する。 - 特許庁

A first reflector 11, an active layer 15, a narrow current layer 16, a second reflector 17, and a p-type contact layer 18 are laminated on a substrate 10 in order to form an element forming area.例文帳に追加

基板１０の上に第１の反射鏡１１、活性層１５、電流狭窄層１６、第２の反射鏡１７及びｐ型コンタクト層１８が順次積層されてなる素子形成領域が形成されている。 - 特許庁

The woody flooring material 100 has a woody base material 140, a first clear layer 110, a second clear layer 120 and a third clear layer 130 each laminated on the right surface 100b of the woody base material 140.例文帳に追加

本発明の木質床材１００は、木質基材１４０と、木質基材１４０の表面側１００ｂに積層された第１クリア層１１０、第２クリア層１２０、及び第３クリア層１３０を有している。 - 特許庁

A part of the first circuit pattern layer is bonded to a part of the second circuit pattern layer opposed to the part of the first circuit pattern layer through the substrate 11 at contact bonding parts 13a and 13b by welding.例文帳に追加

第１の回路パターン層の一部と、樹脂フィルム基材１１を介して第１の回路パターン層の一部に対向する第２の回路パターン層の一部とが圧着部１３ａ、１３ｂで溶接によって接合されている。 - 特許庁

This elastic stretchable composite sheet 1 is composed of an elastically stretchable first fiber assembly layer 2 and a second fiber assembly layer 3 which is nonelastically extendable and is piled on the first fiber layer 2.例文帳に追加

弾性的に伸縮可能な第１繊維集合層２と非弾性的に伸長可能であり第１繊維層２に重なる第２繊維集合層３とによって弾性伸縮性複合シート１が形成される。 - 特許庁

As the conductor layers for a flip-flop, there are provided gate electrode layers 21a, 21b of a first layer, drain-drain connection layers 31a, 31b of a second layer, and drain-gate connection layers 41a, 41b of a third layer.例文帳に追加

第１層であるゲート電極層２１ａ、２１ｂと、第２層であるドレイン−ドレイン接続層３１ａ、３１ｂと、第３層であるドレイン−ゲート接続層４１ａ、４１ｂと、がフリップフロップ用の導電層となる。 - 特許庁

In this optical recording method, recording is performed so that the recording density of a first recording layer 11 which is farthest from an incident plane becomes larger than that of a second recording layer 13 existing at a side nearer the incident plane than the first recording layer 11.例文帳に追加

入射面から最も遠い第１記録層１１の記録密度が、当該第１記録層１１より入射面側にある第２記録層１３の記録密度より大きくなるように記録する。 - 特許庁