「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(196ページ目) - Weblio英語例文検索

The optical cable spacer is constituted to extrude and cover an adhesive layer 2 on the periphery of the center tensile strength body 1 and to successively extrude and cover a first intermediate layer 3a, a second intermediate layer 3b, and the outermost layer 4 having a slot s on the periphery.例文帳に追加

光ケーブルスペーサは、中心抗張力体１の周囲に接着層２を押出被覆成形し、その周囲に第１の中間層３ａ、第２の中間層３ｂ、及びスロットｓを有する最外層４を順に押出被覆成形して構成している。 - 特許庁

The laminate (1) has a laminated structure of a first layer (11) made of a resin layer blended with the conductive powder having a mean particle size of 0.3 μm or less and a second layer (12) made of a resin layer blended with the conductive powder having a mean particle size of 1 μm or more.例文帳に追加

この樹脂積層体(1) は、平均粒子径 0.3μm 以下の導電性粉体が配合された樹脂の層からなる第１層(11)と、平均粒子径１μm 以上の導電性粉体が配合された樹脂の層からなる第２層(12)との積層構造を有する。 - 特許庁

When the die 10 for forging is used, the graphite passes through the pores of the third layer 20 having a relative density higher than that of the second layer 18 and also set to the value equal to or lower than that of the first layer 16, and is drawn out to the surface of the third layer 20.例文帳に追加

この黒鉛は、鍛造用金型１０が使用される際、相対密度が第２層１８に比して大きく、且つ第１層１６の相対密度以下に設定された第３層２０の気孔を経由して該第３層２０の表面に導出される。 - 特許庁

A storage part M of a DB server 1 includes a first layer DB3, a second layer DB 5, a third layer DB 7, a fourth layer DB 9, a status point master DB 10, a flow point master DB 11, a warehouse master DB 12, an assets source master DB 13 and an exchange rate DB 14.例文帳に追加

ＤＢサーバ１の記憶部Ｍは、１層ＤＢ３、２層ＤＢ５、３層ＤＢ７、４層ＤＢ９、ステータスポイントマスタＤＢ１０、フローポイントマスタＤＢ１１、倉庫マスタＤＢ１２、資産元マスタＤＢ１３および為替レートＤＢ１４を含んで構成される。 - 特許庁

A cylindrical part 4 of the expansion joint 1 used for a high temperature exhaust gas passage is constituted by laminating a first metallic layer 9, a mesh layer 10, a heat resistant layer 11 and a second metallic layer 12 in order from the outer peripheral side so as to be expandable by bending deformation.例文帳に追加

高温排ガス通路に使用する伸縮継手１の筒状部４を、曲げ変形により伸縮可能になるように、外周側から順番に第１金属層９、メッシュ層１０、耐熱層１１、第２金属層１２を積層することにより構成した。 - 特許庁

The spin wave element comprises: a first magnetic layer composed of an insulating magnetic material; an input part disposed on the first magnetic layer; a nonmagnetic conductor closed circuit touching the first magnetic layer; and a second magnetic layer, composed of an insulating magnetic material, touching the conductor closed circuit.例文帳に追加

絶縁性磁性体から成る第一の磁性層と、前記第一の磁性層上に設けられた入力部と、前記第一の磁性層と接する非磁性の導体閉路と、前記導体閉路と接し、絶縁性磁性体から成る第二の磁性層とを有する。 - 特許庁

Collapse of the parent material powder layer is suppressed by providing a second core applied in confronting to the inside circumferential surface of the parent material powder layer without retract motion in the axial direction relative to the parent material powder layer when the place is to be filled with friction material powder to generate a friction material powder layer.例文帳に追加

摩擦材粉末層となる摩擦材粉末を装填する際に、母材粉末層に対して軸長方向に退避移動せずに、母材粉末層の内周面に対面してあてがわれている第２コアを設け、母材粉末層の崩れを抑える。 - 特許庁

First layer wiring 11s, 11d (M1) are each connected to the conductor plugs 13 (p1); and further second layer wiring 12s, 12d (M2) for backing the first layer wiring are connected to the first layer wiring 11s, 11d (M1), respectively, on the conductor plugs 13 (p1).例文帳に追加

その導体プラグ１３（ｐ１）にそれぞれ第１層配線１１ｓ、１１ｄ（Ｍ１）が接続され、さらにそれら第１層配線１１ｓ、１１ｄ（Ｍ１）に対して、導体プラグ１３（ｐ１）上で裏打ち用の第２層配線１２ｓ、１２ｄが接続されている。 - 特許庁

The optical information storage medium 60 includes at least a light transmitting layer 10, a first information recording layer 20, an intermediate layer 30 mainly made of resin, a second information recording layer 40, and a substrate 50 which are laminated in this order from a reproduction light incident surface side.例文帳に追加

光情報記録媒体６０は、再生光入射面側から、透光層１０と、第１情報記録層２０と、主に樹脂からなる中間層３０と、第２情報記録層４０と、基板５０とが少なくともこの順に積層されている。 - 特許庁

The adhesive material layer 22 is formed on one face of a tape base material 21 of a first coating means 200 and furthermore, the peeling material layer 41 is partially fixed on the adhesive material layer 22 by dropping the peeling material 41 on the adhesive material layer 21 by a second coating means 300.例文帳に追加

テープ基材２１の一方の面に粘着材層２２を第１塗工手段２００で形成し、さらに粘着材層２２の上に部分的に剥離材層４１を第２塗工手段３００で剥離材４１を粘着材層２１の上に落下して定着する。 - 特許庁

This planing film is composed of a double layer comprising a first layer prepared by dispersing a planing component containing a dimethylsilicone derivative as an essential component into a silica matrix and a second layer of a fluoroalkylsilane applied onto the planing layer.例文帳に追加

滑水被膜を、シリカマトリックス中にジメチルシリコーン誘導体を必須成分とする滑水成分を分散させてなる第１層と、滑水層上にフルオロアルキルシランからなる第２層の２つの層とする水滴滑落性に優れた高耐久性滑水被膜。 - 特許庁

The first semiconductor layer (120) contains a gettering element and a catalyst element accelerating the crystallization of the second semiconductor layer, and the active layer (132) overlaps with the first semiconductor layer (120) when viewed from the normal direction of the back surface (112b) of the transparent substrate (112).例文帳に追加

第１半導体層（１２０）は、ゲッタリング元素と、第２半導体層の結晶化を促進した触媒元素とを含有しており、透明基板（１１２）の背面（１１２ｂ）の法線方向からみたときに活性層（１３２）は第１半導体層（１２０）と重なる。 - 特許庁

A method includes forming an oxidation cavity partially through the VCSEL structure, oxidizing a layer in the VCSEL structure, forming a first passivation layer 80 over a surface of the oxidation cavity, and forming a second passivation layer 120 over the first passivation layer 80.例文帳に追加

ＶＣＳＥＬ構造を部分的に貫通する酸化空洞を形成し、ＶＣＳＥＬ構造内の層を酸化し、酸化空洞の表面上に第１のパッシベーション層８０を形成し、第１のパッシベーション層８０の上に第２のパッシベーション層１２０を形成する。 - 特許庁

A base metal 12 is formed in a substrate 1, a first soldering layer 15 of which one is Ni or Ni alloy and the other is Co or Co alloy is formed on the base metal 12, a second soldering layer 16 thinner than the first soldering layer 15 is formed on the first soldering layer 15.例文帳に追加

基板１に下地金属１２が形成され、その上に、一方はＮｉ又はＮｉ合金、他方はＣｏ又はＣｏ合金である第１のはんだ付け層１５、更にその上の第１のはんだ付け層１５より薄い第２のはんだ付け層１６を形成する。 - 特許庁

The manufacturing of a channel layer comprises following steps of forming a first amorphous silicon layer by using a low deposing rate(LDR)(chemistry vapor deposition(CVD)), and forming a second amorphous silicon layer by using a high deposing rate(HDR) to form an N + mixed amorphous silicon layer.例文帳に追加

チャンネル層の製作は次のステップを含む：低蒸着率（ＬＤＲ）を用いて第一のアモルファス・シリコン層を形成し（化学蒸着、ＣＶＤ）；高蒸着率（ＨＤＲ）を用いて第二のアモルファス・シリコン層を形成し；Ｎ＋ミクスト・アモルファス・シリコン層を形成する。 - 特許庁

The laminate structure is constituted in such a manner that a laminate portion including an oxide-confinement layer 107 on an active layer 105 is formed in a first mesa post M1 and a laminate portion including a part of the active layer 105 and an n-type contact layer 104 is formed in a second mesa post M2.例文帳に追加

積層構造は、活性層１０５の上側の酸化狭窄層１０７を含む積層部分が第１のメサポストＭ１に形成され、活性層１０５及びｎ型コンタクト層１０４の一部を含む積層部分が第２のメサポストＭ２に形成される。 - 特許庁

Then, after a p-type InP block layer 7 and an n-type InP block layer 8 are formed on both the sides of a ridge 6, the n-type InP block layer 8 formed on the (111) B surface of the p-type InP block layer 7 is removed by a second dry etching process.例文帳に追加

次に、リッジ部６の両側に、ｐ型ＩｎＰブロック層７およびｎ型ＩｎＰブロック層８を形成した後、ｐ型ＩｎＰブロック層７の（１１１）Ｂ面の上に形成されたｎ型ＩｎＰブロック層８を第２のドライエッチングによって除去する。 - 特許庁

This heat sensitive recording body is produced by forming a first protective layer, which includes water-soluble polymer solution and/or synthetic resin emulsion and ultrafine titanium oxide having an average primary particle diameter of 0.01 to 0.05 μm, on a heat sensitive recording layer and then a second protective layer on the first protective layer.例文帳に追加

感熱記録層上に、水溶性高分子液及び／又は合成樹脂エマルションと、平均一次粒径が０．０１μｍ〜０．０５μｍの範囲にある超微粒酸化チタンを含有する第1の保護層を形成し、その上に第２の保護層を設けた感熱記録体。 - 特許庁

This light-emitting device includes: a plurality of organic EL elements P1 arranged on a main substrate 10; an organic buffer layer 19 that covers the plurality of organic EL elements P1; and a first gas barrier layer 20 and a second gas barrier layer 21 that are disposed on the organic buffer layer 19.例文帳に追加

主基板１０上に配列された複数の有機ＥＬ素子Ｐ１と、複数の有機ＥＬ素子Ｐ１を覆う有機緩衝層１９と、有機緩衝層１９上に配置された第１のガスバリア層２０および第２のガスバリア層２１を備える。 - 特許庁

First layer wires 11s, 11d (M1) are respectively connected to the conductor plugs 13 (p1), and second layer wires 12s, 12d for backing the first layer wires 11s, 11d (M1) are connected to the first layer wires 11s, 11d (M1), respectively, on the conductor plugs 13 (p1).例文帳に追加

その導体プラグ１３（ｐ１）にそれぞれ第１層配線１１ｓ、１１ｄ（Ｍ１）が接続され、さらにそれら第１層配線１１ｓ、１１ｄ（Ｍ１）に対して、導体プラグ１３（ｐ１）上で裏打ち用の第２層配線１２ｓ、１２ｄが接続されている。 - 特許庁

A surface layer 4 made of silicon oxide is formed as a bonding layer on a first substrate 2 or chip including an electronic component 6, and a surface layer 14 made of silicon oxide is formed as a bonding layer on a second substrate 12 including an electronic component 16.例文帳に追加

電子的コンポーネント６を含む第１の基板２またはチップ上に結合層として酸化ケイ素からなる表面層４を形成し、電子的コンポーネント１６を含む第２の基板１２上に結合層として酸化ケイ素からなる表面層１４を形成する。 - 特許庁

The refractive index of the second dielectric layer 13 is made lower than that of the first dielectric layer 12 and the third dielectric layer 14, and the optical absorptance in an amorphous state of the recording layer 16 is made lower than that in a crystal state.例文帳に追加

第２誘電体層１３の屈折率を、第１誘電体層１２及び第３誘電体層１４の屈折率よりも低くし、記録層１６の非晶質状態における光吸収率を、結晶状態における光吸収率よりも低くする。 - 特許庁

A main metal layer 10c forming a reflecting surface is formed on a second principal surface of a compound semiconductor layer 50, and further a first brazing material layer 10s1 comprising an AuSn brazing material whose melting point is 364°C or below is so arranged as to coat the main metal layer 10c.例文帳に追加

化合物半導体層５０の第二主表面に反射面を形成する主金属層１０ｃを形成し、さらに該主金属層１０ｃを覆う形で融点３６４℃未満のＡｕＳｎ系ろう材からなる第一ろう材層１０ｓ１を配置する。 - 特許庁

A pn junction is formed in the gate electrode region generated by two dimensional electron gas generated in the interface between the undope AlGaN layer 604 and the undope GaN layer 603, and by the first p-type AlGaN layer 605 and the second p-type AlGaN layer 607.例文帳に追加

アンドープＡｌＧａＮ層６０４とアンドープＧａＮ層６０３との界面で発生する２次元電子ガスと第１のｐ型ＡｌＧａＮ層６０５および第２のｐ型ＡｌＧａＮ層６０７とによって生じるｐｎ接合がゲート領域に形成される。 - 特許庁

The organic EL element 3 is provided with a transparent first electrode layer 7 to become a positive electrode, an organic compound layer 10 containing at least an organic blue luminous layer to emit blue light, and a second electrode layer 8 to become a negative electrode in the order from the substrate 2 side.例文帳に追加

有機ＥＬ素子３は、基板２側から順に、陽極となる透明な第１の電極層７と、青色光を放射する有機青色発光層を少なくとも含む有機化合物層１０と、陰極となる第２の電極層８と、を備えている。 - 特許庁

The light-emitting element includes a conductive layer having a function as the first electrode, an electroluminescent layer, and a conductive layer having a function as the second electrode and further includes an insulating material which fills a defective portion present in the electroluminescent layer so as to close the defective portion.例文帳に追加

第１の電極としての機能を有する導電層と、電界発光層と、第２の電極としての機能を有する導電層と、を含み、該電界発光層に存在する欠陥部を閉塞するように、該欠陥部に充填された絶縁材をさらに含む。 - 特許庁

A buried current block layer 10 in which a first buried layer 7 made of p-type InP, a second buried layer 8 made of n-type InP and a third buried layer 9 made of semi-insulated Fe-doped InP are sequentially laminated is formed on both sides of the ridge 6.例文帳に追加

リッジ部６の両側には、ｐ型ＩｎＰからなる第１埋め込み層７、ｎ型ＩｎＰからなる第２埋め込み層８、半絶縁性ＦｅドープＩｎＰからなる第３埋め込み層９が順に積層された埋め込み電流ブロック層１０が形成されている。 - 特許庁

The infrared-transparent structure is characterized in that the first Y_2O_3 layer has a thickness of 10 to 200 nm, the YF_3 layer has a thickness of 400 to 800 nm, the second Y_2O_3 layer has a thickness of 10 to 200 nm and the diamond-like carbon layer has a thickness of 100 to 500 nm.例文帳に追加

前記各層は、第１のＹ_２Ｏ_３層が１０〜２００ｎｍ、ＹＦ_３層が４００〜８００ｎｍ、第２のＹ_２Ｏ_３層が１０〜２００ｎｍ、ダイヤモンド状炭素層が１００〜５００ｎｍの厚さであることを特徴とする赤外線透過構造体。 - 特許庁

The multilayered optical recording medium 10 has a first recording layer L1 and a second recording layer Li provided nearer than the first recording layer L1 when viewed from a light incident surface and having a heat capacity per bit higher than that of the first recording layer L1.例文帳に追加

多層光記録媒体１０は、第１の記録層Ｌ１と、光入射面から見て第１の記録層Ｌ１よりも近くに設けられ、ビットあたりの熱容量が第１の記録層Ｌ１より大きく形成された第２の記録層Ｌｉとを有している。 - 特許庁

This GaN-based semiconductor light-emitting device (10) has a laminate L where a plurality of GaN-based semiconductor layers are laminated, and the laminate L includes a first n-type layer (2), a light-emitting layer (3), a p-type layer (4) and a second n-type layer (5), in this order.例文帳に追加

ＧａＮ系半導体発光素子（１０）は、複数のＧａＮ系半導体層が積層されてなる積層体Ｌを有し、積層体Ｌには、第１のｎ型層（２）と、発光層（３）と、ｐ型層（４）と、第２のｎ型層（５）とがこの順に含まれている。 - 特許庁

This laminate is structured of a core (A) and a fibrous layer (B) which is arranged on both sides of the core (A) and impregnated with a polyurethane resin (P), an outer layer (C) of a Class A surface quality, and a decorative layer (D) arranged on a second fibrous layer as desired.例文帳に追加

コアA）、このコアA）の両面に配置しかつポリウレタン樹脂（P）を含浸させた繊維層B）、これら繊維層B）の１つの層に配置した、クラスＡの表面品質の外層C）、および所望により第２の繊維層に配置した装飾層D）を含んでなる積層品。 - 特許庁

An alignment layer 9A formed on a transparent substrate 1A comprises a first alignment layer 9Aa formed on right above common electrodes 3 and pixel electrodes 4 and a second alignment layer 9Ab formed on the parts except the first alignment layer 9Aa parts.例文帳に追加

透明基板１Ａに形成する配向膜９Ａは、共通電極３及び画素電極４の直上に形成された第１配向層９Ａａと、第１配向層９Ａａ以外の部分に形成された第２配向層９Ａｂとからなる構成とする。 - 特許庁

The coating layer 14 is disposed in position closest to the support 11 and consists of the first layer 12 comprising a polyester binder, a compound having a carbodiimide structure and a compound having an oxazoline group and the second layer 13 formed on the first layer 12 and containing a polyurethane resin.例文帳に追加

塗布層１４は、支持体１１に一番近い位置に設けられ、ポリエステルバインダー、カルボジイミド構造を有する化合物、及びオキサゾリン基を有する化合物を含有する第１層１２と、第１層１２の上に設けられ、ポリウレタン樹脂を含む第２層１３からなる。 - 特許庁

Moreover, the flexible metal laminate 1 has preferably a three-dimensional crosslinked type thermosetting resin layer 3 between the metal layer 2 and the two or more thermoplastic resin layers (the first thermoplastic resin layer 4a, the second thermoplastic resin layer 4b).例文帳に追加

さらには、本発明のフレキシブル金属積層体１においては、金属層２と２層以上の熱可塑性樹脂層（第１の熱可塑性樹脂層４ａ、第２の熱可塑性樹脂層４ｂ）との間に、三次元架橋型熱硬化性樹脂層３を有することが好ましい。 - 特許庁

An operating amplifier IC1 is configured by using polysilicon wiring P in the lowermost layer as digital signal wiring, first layer aluminum wiring AL1 at the upper part as shield wiring and second layer aluminum wiring AL2 in the uppermost layer as analog signal wiring.例文帳に追加

本発明に係るオペアンプＩＣ１は、最下層のポリシリコン配線Ｐをディジタル信号配線とし、その上部の１層目アルミニウム配線ＡＬ１をシールド配線とし、最上層の２層目アルミニウム配線ＡＬ２をアナログ信号配線として有する構成としている。 - 特許庁

To reduce the combustion speed difference of an organic binder by uniformizing the deposition of the organic binder of a first electrode layer to glass frit in a method of manufacturing a plasma display by baking a dielectric layer simultaneously with an electrode having the first electrode layer and a second electrode layer.例文帳に追加

第一の電極層と第二の電極層を有する電極と誘電体層を同時に焼成するプラズマディスプレイの製造方法において、第一の電極層の有機バインダーのガラスフリットへの付着を均一にして、有機バインダーの燃焼速度差を少なくする。 - 特許庁

The catalyst for exhaust gas purification comprises catalyst layers deposited on a honeycomb type monolithic support and is produced by successively depositing a first catalyst layer (an inner layer) containing the above hydrocarbon reforming materials on the honeycomb support and a second catalyst layer (a surface layer) containing a rhodium component.例文帳に追加

ハニカム状モノリス型担体に触媒層を被覆して成る排気ガス浄化用触媒であって、ハニカム担体上に、上述の炭化水素改質材を含む第１触媒層（内層）と、ロジウム成分を含む第２触媒層（表層）とを順次積層して成る。 - 特許庁

An n-type semiconductor layer 2 is provided on the surface of a p^+-type semiconductor substrate 1 by, for example, epitaxial growth, and a first diffused layer 3 and a second diffused layer 4 of p-type are provided at a specified interval at the surface of the n-type semiconductor layer 2.例文帳に追加

ｐ^＋形半導体基板１の表面にｎ^−形半導体層２が、たとえばエピタキシャル成長により設けられ、そのｎ形半導体層２表面に所定間隔でｐ形の第１拡散領域３および第２拡散領域４が設けられている。 - 特許庁

The bump structure 70 includes: an insulating projection 10; a first conductive layer 30 which covers the projection 10; and a second conductive layer 32 which is integrally provided with the first conductive layer 30 and provided from the first conductive layer 30 to the top of the electrode connection part 42.例文帳に追加

バンプ構造体７０は、絶縁性の凸状部１０と、凸状部１０を覆う第１導電層３０と、第１導電層３０と一体化して設けられ、第１導電層３０から電極接続部４２上まで設けられた第２導電層３２と、を含む。 - 特許庁

After this, a metal film is formed over the entire surface by a sputtering method, and the mask is removed to cause the metal film to remain only over the first conductive layer, thereby forming an embedded wiring layer formed with a stack of the first conductive layer containing Ag and the second conductive layer (metal film).例文帳に追加

その後、スパッタ法により全面に金属膜を成膜した後、マスクを除去して第１導電層上にのみ金属膜を残存させて、Ａｇを含む第１導電層と第２導電層（金属膜）の積層からなる埋め込み配線層を形成する。 - 特許庁

This material comprises a living body implant base body composed of ceramic material, a first coating layer formed on the surface of the base body in a low thermal impact performance coating method, and a second coating layer formed on the first coating layer through a metal layer formed in a flame coating method.例文帳に追加

セラミック材で構成された生体インプラントの基体と、この基体表面に低熱衝撃性のコーティング法により形成された第１のコーティング層、第１のコーティング層上に溶射法によって形成された金属層を介して第２のコーティング層を形成した。 - 特許庁

A micro clearance is produced between the plate material 2 of the uppermost layer (a first layer) and the plate material 2 (a second layer) just below it by the ultrasonic vibration and the plate material 2 of the uppermost layer can be separated from the plate material 2 just below it by blowing the gas into the clearance.例文帳に追加

超音波振動によって最上層（一枚目）の板材２とその直下（二枚目）の板材２の間に微小隙間が生じ、その隙間に気体を吹き込むことによって、最上層の板材２をその直下の板材２から分離することができる。 - 特許庁

The bump structure 70 contains an insulating protrusion 10, a first conductive layer 30 which covers the protrusion 10, and a second conductive layer 32 which is collectively arranged with the first conductive layer 30 and arranged from the first conductive layer 30 onto an electrode connection part 42.例文帳に追加

バンプ構造体７０は、絶縁性の凸状部１０と、凸状部１０を覆う第１導電層３０と、第１導電層３０と一体化して設けられ、第１導電層３０から電極接続部４２上まで設けられた第２導電層３２と、を含む。 - 特許庁

The adhesive layer 3 includes at least a first layer 3a through which higher fatty acids or (and) raw fat materials can penetrate and a second layer 3b including higher fatty acids or (and) raw fat materials at the decorating layer side.例文帳に追加

前記付着層３は、高級脂肪酸または（および）油脂素材が浸透することが可能な第１の層３ａと、その第１の層３ａよりも前記装飾層２側に高級脂肪酸または（および）油脂素材を含有する第２の層３ｂとを少なくとも有する。 - 特許庁

A filler material is formed on the second liner layer 34 and a cap layer 50 is deposited on these layer 34 and the filler material, the filler material is heated so as to evaporate by reacting with a plasma and the air gap 60 is formed by diffusing through the cap layer 50.例文帳に追加

第二のライナー層３４上にフィラー材料を形成し、これらの層３４、材料上にキャップ層５０を堆積させ、フィラー材料にプラズマを作用させて蒸発するように加熱し、キャップ層５０を通じて拡散させてエアギャップ６０を形成する。 - 特許庁