「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(198ページ目) - Weblio英語例文検索

A bilaminar structured electromagnetic shielding film comprising a first layer and a second layer is obtained by forming the first layer with a Cu-Ni gradient alloy with a current for evaporating a monel alloy varied from a low current value to a high current value in a vacuum evaporation method, and after that, by forming the monel alloy with the second layer by evaporating the monel alloy in the alloy composition.例文帳に追加

真空蒸着法を用いて、モネル合金を蒸発させるための電流を低電流値より高電流値として第１層をＣｕ−Ｎｉ傾斜合金で形成し、その後、モネル合金をその合金組成で蒸発させて第２層をモネル合金で形成することで、第１層と第２層からなる二層構造である電磁波シールド膜を得る。 - 特許庁

The first adhesive layer 502 present on the end portion of the stacking direction of the fuel cell and the second adhesive layer 500 present on the center portion in the stacking direction of the fuel cell are formed such that the strain of the first adhesive layer 502 is larger than the strain of the second adhesive layer 500 when an equal force is applied to the each adhesive.例文帳に追加

各接着層に等しい応力を加えたときに、前記燃料電池の積層方向端部に存在する第１の接着層５０２の歪みが、前記燃料電池の積層方向中央部に存在する第２の接着層５００の歪みよりも大きくなるように前記第１と第２の接着層５００、５０２が形成されている。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device includes steps of: forming a first layer made of a material containing silicon on a substrate; forming a second layer containing metal and nitrogen on the first layer; and exposing the second layer to active species that is obtained from atmospheric plasma containing a reducing gas.例文帳に追加

基体の上に、シリコンを含有する材料からなる第１の層を形成する工程と、前記第１の層の上に、金属と窒素とを含有する第２の層を形成する工程と、前記第２の層を、還元性ガスを含有する雰囲気のプラズマから得られる活性種に晒す工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the membrane-electrode assembly includes the steps of: forming the oxidation electrode having the first main catalyst layer, the second main catalyst layer, and the auxiliary catalyst layer positioned between the main catalyst layers; forming the reduction electrode; and forming the polymer electrolyte membrane between the second main catalyst layer of the oxidation electrode and the reduction electrode.例文帳に追加

また、膜-電極接合体の製造方法は、第１の主触媒層、第２の主触媒層、及び主触媒層らの間に位置する助触媒層を備える酸化電極を形成する段階、還元電極を形成する段階、及び、酸化電極の第２の主触媒層と還元電極との間に高分子電解質膜を形成する段階を含む。 - 特許庁

Preferably, the quarter-wave plate (λ/4) is provided with a first layer containing the material with the positive intrinsic birefringence value and a second layer containing the material with the negative intrinsic birefringence value and average orientation directions of molecular chains in the first layer and in the second layer are equal to each other in the backlight device for the liquid crystal display.例文帳に追加

好ましくは、前記１／４波長板（λ／４）が、前記固有複屈折値が正である材料を含有する第一の層と、前記固有複屈折値が負である材料を含有する第二の層とを有し、前記第一の層及び前記第二の層における分子鎖の平均配向方向が等しい前記液晶ディスプレイ用バックライト装置である。 - 特許庁

In the organic EL device in which at least a first electrode, the functional layer including a light-emitting layer and a second electrode are laminated in order on a substrate, the sealing substrate 109 is joined with the adhesive layer 108 formed on the upper part of the second electrode 103, and the adhesive layer 108 includes an ion trapping material which traps an ion.例文帳に追加

基板上に、少なくとも、第１電極と、発光層を含む機能層と、および第２電極とが順次積層されてなる有機ＥＬ装置において、第２電極１０３の上部に形成した接着層１０８で封止基板１０９を接合し、接着層１０８は、イオンをトラップするイオントラップ材料を含有している。 - 特許庁

The surface height of the liquid crystal layer side of the second substrate in the reflection region is higher than that of the liquid crystal layer side of the second substrate in the transmission region, and also the surface height of the liquid crystal layer side of the first substrate in the reflection region is substantially equal to that of the liquid crystal layer side of the first substrate in the transmission region.例文帳に追加

反射領域における第２基板の液晶層側の表面の高さが、透過領域における第２基板の液晶層側の表面の高さよりも高くなっており、かつ、反射領域における第１基板の液晶層側の表面の高さと、透過領域における第１基板の液晶層側の表面の高さとが実質的に等しい。 - 特許庁

A method for manufacturing the semiconductor device includes the steps of: forming a first layer 16a on the impurity diffusion region 22 in a semiconductor substrate by a selective epitaxial growth method; forming a second layer 18 on the first layer 16a by the selective epitaxial growth method; and filling a conductive material on the second layer 18 to form the contact plug 21.例文帳に追加

半導体基板内の不純物拡散領域２２上に選択エピタキシャル成長法により、第１の層１６ａを形成する工程と、第１の層１６ａ上に、選択エピタキシャル成長法により第２の層１８を形成する工程と、第２の層１８上に導電材料を充填することにより、コンタクトプラグ２１を形成する工程と、を有する。 - 特許庁

The reinforcing material layer 3 is constituted by laminating the first fiber layer 3a faced to the reinforcing material layer 3 and comprising a plurality of the first fibers arrayed unidirectionally each other, and the second fiber layer 3b faced to the porous film 2 and comprising a plurality of the second fibers arrayed unidirectionally each other along a direction different from that of the first fibers.例文帳に追加

強化材層３は、強化材層３に面し、互いに同一方向に配列した複数の第１の繊維からなる第１の繊維層３ａと、有孔フィルム２に面し、第１の繊維とは異なる方向にかつ互いに同一の方向に配列した複数の第２の繊維からなる第２の繊維層３ｂとが積層して構成されている。 - 特許庁

The retardation plate preferably has the first optical anisotropic layer substantially having a phase difference of π; the second optical anisotropic layer substantially having a phase difference of π/2; an angle between the lagging phase axis of the in-plane of the first optical anisotropic layer and the lagging phase axis of the in-plane of the second optical anisotropic layer of substantially 60°.例文帳に追加

好ましくは、前記第１の光学異方性層の位相差が実質的にπであり、前記第２の光学異方性層の位相差が実質的にπ／２であり、且つ前記第１の光学異方性層の面内の遅相軸と前記第２の光学異方性層の面内の遅相軸との角度が、実質的に６０°である前記位相差板である。 - 特許庁

The wiring substrate 18 includes a first conductive layer 18g for mounting an electric part 19 provided on the part mounting surface 18a, a second conductive layer 18e provided on the facing surface 18b, and a conductive part 18f for connecting the first conductive layer 18g and the second conductive layer 18c provided through the wiring substrate.例文帳に追加

配線基板１８は、部品搭載面１８ａ上に設けられた電子部品１９が搭載される第１の導電層１８ｇ、対向面１８ｂ上に設けられた第２の導電層１８ｅ、及び配線基板１８を貫通するように設けられた第１の導電層１８ｇと第２の導電層１８ｅとを接続する導電部１８ｆを有する。 - 特許庁

A driving layer 102, the first transparent electrode 103, a light- emitting layer 104, and the second transparent electrode 105 are formed on a substrate 101, and the light emitted at an organic light-emitting layer 110 and delivered to the first transparent electrode 103 side is reflected at a reflecting film 106 formed in the driving layer 102, and delivered from the second transparent electrode 105.例文帳に追加

基板１０１上に駆動層１０２、第１透明電極１０３、発光層１０４及び第２透明電極１０５を形成し、有機発光層１１０で発光し第１透明電極１０３側に出射した光を、駆動層１０２内に形成した反射膜１０６で反射し、第２透明電極１０５から出射する。 - 特許庁

In an optoelectronic integrated circuit device 102 including a vertical structure of integrated circuit layers, an optical signal is projected between a first integrated circuit layer 104 and second integrated circuit layer 106 via a super lens element 110 arranged between the first integrated circuit layer 104 and second integrated circuit layer 106.例文帳に追加

集積回路層における垂直方向の構成を含む光電子集積回路装置１０２内において、光信号が、第１の集積回路層１０４と、第２の集積回路層１０６との間において、前記第１の集積回路層１０４と前記第２の集積回路層１０６との間に配置されたスーパーレンズ素子１１０を介して投射される。 - 特許庁

The multilayer substrate comprises at least two kinds of insulation layer of crystallized glass ceramics laid in layer wherein the crystallization point of crystallized glass contained in a first insulation layer is lower than the softening point of crystallized glass contained in a second insulation layer and difference of thermal expansion coefficient between the first and second insulation layers is preferably 2×10^-6/°C or less.例文帳に追加

結晶化ガラスセラミックスからなる少なくとも２種の絶縁層の積層体からなり、第１絶縁層に含まれる結晶化ガラスの結晶化温度が、第２絶縁層に含まれる結晶化ガラスの軟化点よりも低いことを特徴とし、前記第１及び第２絶縁層の熱膨張係数の差が、２×１０^−６／℃以下であることが好ましい。 - 特許庁

An electrolyte membrane 10 of the present invention is an electrolyte membrane containing a solid polymer compound having an imidazole group, in which a first layer 1 contains a solid acid and a binder and a second layer 2 contains a solid polymer compound having an imidazole group and a liquid electrolyte, the first layer 1 being disposed on both principal surfaces of the second layer 2.例文帳に追加

本発明の電解質膜１０は、イミダゾール基を有する固体高分子化合物を含む電解質膜であって、第１の層１は固体酸とバインダーを含み、第２の層２は、イミダゾール基を有する固体高分子化合物と液状電解質を含み、第１の層１は第２の層２の両方の主面上に配置されている。 - 特許庁

The filter material including the first layer which is at least one being impossible to carry out the heat seal, and the second layer which is at least one being possible to carry out the heat seal consisting of a fiber of a synthetic material and including maleic anhydride functional group and polyolefin in which graft polymerization has been carried out as an adhesion promoter is manufactured by permeating the first layer and the second layer partially mutually.例文帳に追加

少なくとも１つのヒートシール不可能な第１層、及び合成材料の繊維からなり、かつ接着促進剤として無水マレイン酸官能基とグラフト重合したポリオレフィンを含む少なくとも１つのヒートシール可能な第２層を含むフィルター材料において、第１層と第２層とを互いに部分的に浸透することにより製造する。 - 特許庁

Thus, when the block-like electrode 11a is bonded to the power-feeding first and second wiring conductors 7a via an electrode bonding layer 13, the molten bonding layer material which is going to flow from the power-feeding first and second wiring conductors 7a to the wiring conductors 9a for connection can be blocked by the bonding layer material flowout preventing layer 21a.例文帳に追加

これにより、ブロック状電極１１ａを給電用第１、第２配線導体７ａに電極接合層１３を介して接合する際に、給電用第１、第２配線導体７ａから接続用配線導体９ａに流れ出そうとする溶融した接合層材料を、接合層材料流出抑制層２１ａにより堰き止めることができる。 - 特許庁

The above method comprises a first step to form a diffusion layer on a crystalline silicon substrate whose conductivity type is opposite to that of the diffusion layer, a second step to remove a part of the diffusion layer by etching using sodium silicate (Na_2SiO_3), and a third step to form a first electrode electrically connected to the diffusion layer and a second electrode electrically connected to the substrate.例文帳に追加

結晶系シリコン基板に逆導電型層となる拡散層を形成するステップと、この拡散層の一部を珪酸ナトリウム（Ｎａ_２ＳｉＯ_３）でエッチング除去するステップと、この拡散層と電気的に接続する第１の電極及び前記基板と電気的に接続する第２の電極を形成するステップとを備える。 - 特許庁

This is the EL element which is at least composed of the first electrode, an EL layer formed on the first electrode and the second electrode formed on the EL layer, and this is the EL element wherein at least one of the first electrode and the second electrode is transparent or semi-transparent, and at the EL element, at least one layer of photo-degrating dye containing layer is installed.例文帳に追加

第１電極と、前記第１電極上に形成されたＥＬ層と、前記ＥＬ層上に形成された第２電極から少なくともなり、前記第１電極と前記第２電極の少なくとも一方が透明または半透明であるＥＬ素子であって、前記ＥＬ素子に、光分解性染料含有層を少なくとも１層設ける。 - 特許庁

The photodiode 10 includes a silicon film 11 provided with a first conductivity type first semiconductor region (a p-layer 6), an intrinsic semiconductor region (an i-layer 7), a first conductivity type second semiconductor region (a p-layer 8), and a second conductivity type third semiconductor region (an n-layer 9) in which the conductivity type is a reverse of the first conductivity type.例文帳に追加

フォトダイオード１０は、第１導電型の第１の半導体領域（ｐ層６）と、真性半導体領域（ｉ層７）と、第１導電型の第２の半導体領域（ｐ層８）と、導電型が第１導電型の逆となった第２導電型の第３の半導体領域（ｎ層９）とが設けられたシリコン膜１１を備えている。 - 特許庁

The circuit board comprises a base member 21; a first metal layer 22 located on one surface side of the base member 21; a second metal layer 27 located on the other side of the base member 21; and a hole 23 from which the second metal layer 27 and the base member 21 are selectively removed, and which reaches the first metal layer 22 and is filled with metal.例文帳に追加

基材２１と、基材２１の一方の面側に第一の金属層２２と、基材２１の他方の面側に第二の金属層２７と、第二の金属層２７と基材２１が選択的に除去され、第一の金属層２２に達し金属で埋められた孔２３とが配置された構成を有することを特徴とする回路基板である。 - 特許庁

As a circuit layer 7, a clad material obtained by laminating two or more layers including a first layer 11 composing an electronic component mounting surface 7a where the purity of aluminum is 99.0-99.95 mass%, and a second layer 12 where the purity of aluminum is 99.99 mass% or higher is used, and the second layer 12 is bonded to a ceramic substrate by brazing.例文帳に追加

回路層７として、電子部品搭載面７ａを構成するアルミニウム純度が質量％で９９．０％以上９９．９５％以下の第１層１１と、アルミニウム純度９９．９９％以上の第２層１２とを含む２以上の層を積層してなるクラッド材を用い、その第２層１２をセラミックス基板３にろう付けにより接合する。 - 特許庁

A second integrated circuit is formed on the surface layer of the second semiconductor substrate 30, the integrated circuit surface side of the second semiconductor substrate 30 is bonded to the integrated circuit surface side of the first semiconductor substrate 20, and the first integrated circuit that is formed on the surface layer of the first semiconductor substrate 20 is electrically connected to the second integrated circuit.例文帳に追加

第２の半導体基板３０には表層に第２の集積回路が形成され、第２の半導体基板３０の集積回路面側が第１の半導体基板２０の集積回路面側に接着されて、第１の半導体基板２０の表層に形成された第１の集積回路と第２の集積回路とが電気的に接続されている。 - 特許庁

When viewed from a laminated direction of the first layer α and second layer β, a first region A in which only the first metal thin film pattern 21 is formed in the first metal thin film pattern 21 and the second metal thin film pattern 22 and a second region B in which both the first metal thin film pattern 21 and the second metal thin film 22 are formed are formed.例文帳に追加

第１層αと第２層βとの積層方向から見たときに、第１金属薄膜パターン２１および第２金属薄膜パターン２２のうち、第１金属薄膜パターン２１のみが形成された第１領域Ａと、第１金属薄膜パターン２１と第２金属薄膜パターン２２の両方が形成された第２領域Ｂとが形成されている。 - 特許庁

The lighting device includes an organic light-emitting section 30 containing an organic light-emitting layer and having a first principal plane 30a and a second principal plane 30b, a first electrode 10 arranged on the first principal plane, a second electrode 20 arranged on the second principal plane, and an optical layer 40 arranged on a side opposite to the organic light-emitting section of the second electrode 20.例文帳に追加

有機発光層を含み、第１主面３０ａと第２主面３０ｂとを有する有機発光部３０と、第１主面に設けられた第１電極１０と、第２主面に設けられた第２電極２０と、第２電極の有機発光部とは反対の側に設けられた光学層４０と、を備えた照明装置が提供される。 - 特許庁

The semiconductor device includes a P-type semiconductor substrate; an N-type well, a first P^+ diffusion region, a second P^+ diffusion region, a Schottky diode, a first N^+ diffusion region, a second N^+ diffusion region, a third P^+ diffusion region, a fourth P^+ diffusion region, a first insulating layer, a second insulating layer, a first parasitic bipolar transistor, and a second parasitic bipolar transistor.例文帳に追加

本発明の半導体デバイスは：Ｐ型半導体基板、Ｎ型ウェル、第１Ｐ＋拡散領域、第２Ｐ＋拡散領域、ショットキー・ダイオード、第１Ｎ＋拡散領域、第２Ｎ＋拡散領域、第３Ｐ＋拡散領域、第４Ｐ＋拡散領域、第１絶縁層、第２絶縁層、第１寄生バイポーラトランジスタ、及び第２寄生バイポーラトランジスタ、を含む。 - 特許庁

The first gate electrode and the second gate electrode have tapered portions at their ends, and the first semiconductor layer has a first channel formation region, a pair of first impurity regions, and a pair of second impurity regions, and then the second semiconductor layer has a second channel formation region and a pair of third impurity regions.例文帳に追加

前記第１のゲート電極及び前記第２のゲート電極は、それぞれ端部にテーパー部を有し、前記第１の半導体層は、第１のチャネル形成領域、一対の第１の不純物領域、及び一対の第２の不純物領域を有し、前記第２の半導体層は、第２のチャネル形成領域、及び一対の第３の不純物領域を有する。 - 特許庁

The chip varistor comprises a varistor substrate; first and second external electrodes; a signalling conductive layer formed on a first surface of the varistor substrate, connected to the first and second external electrodes, and having a wider width than the widths of the first and second external electrodes; and a conductive layer for ground formed on a second surface facing the first surface of the varistor substrate.例文帳に追加

バリスタ基板と、第１及び第２の外部電極と、バリスタ基板の第１の面上に形成され、第１及び第２の外部電極に接続され、当該第１及び第２の外部電極の幅より広い幅を有する信号用の導体層と、バリスタ基板の第１の面に対向する第２の面上に形成されるグランド用の導体層とを有する。 - 特許庁

An opposing electrode is provided between a first electrode and a second electrode, and, between the first electrode and the opposing electrode, a first luminous element having a compound layer including a first organic matter is formed, and, between the opposing electrode and the second electrode, a second luminous element having a compound layer including a second organic matter.例文帳に追加

本発明では、第１の電極と、第２の電極との間に対向電極を設け、第１の電極と対向電極との間に第１の有機物を含む化合物層を有する第１の発光素子と、対向電極と第２の電極との間に第２の有機物を含む化合物層を有する第２の発光素子とを形成する。 - 特許庁

The wiring is made into three-layer structure composed of: a first layer consisting of oxidation resistant metal; a second layer consisting of aluminum or mainly consisting of aluminum thereon; and a third layer consisting of the oxidation resistant metal formed thereon, and the wiring has a layer having metal oxide, which is electrically connected to the wiring.例文帳に追加

配線は、耐酸化性金属からなる第１の層と、その上に形成されたアルミニウムもしくはアルミニウムを主成分とする第２の層と、その上に形成された耐酸化性金属からなる第３の層からなる３層構造とし、前記配線と電気的に接続する金属酸化物を有する層を有する。 - 特許庁

A first conductive layer formed of a high melting point metal such as Cr, a second conductor layer with a layer formed of conductive oxide or noble metal, a dielectric layer and a third electrode layer are laminated one by one on a base substrate consisting of an Fe-base conductive member, and a capacitor is formed.例文帳に追加

Ｆｅを主成分とする導電性部材からなるベース基板上に、Ｃｒ等の高融点金属からなる第１の導電体層、導電性酸化物あるいは貴金属からなる層を有する第２の導電体層、誘電体層、第３の電極層を順次積層してキャパシタを形成する。 - 特許庁

The production method is characterized in that it includes a process to form a first protection layer 104 on the surface of a fluorescent layer 103 having a surface formed of projections 105, a process to form a second protection layer 108 on the first protection layer after crushing the projections 105 from above the first protection layer 104 or removing them.例文帳に追加

凸部１０５が形成された面を有する蛍光体層１０３の面に第１の保護層１０４を形成する工程と、第１の保護層１０４の上から凸部１０５を押しつぶした後、または除去した後に、第１の保護層上に第２の保護層１０８を形成する工程と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

A water non-absorbable barrier layer, which comprises an ultraviolet curable resin coating film containing a polyfunctional acrylate monomer, is formed at least on one side of a polycarbonate resin base material as a first layer and a water absorbable anti-fogging layer comprising the ultraviolet curable resin coating film is further formed on the first layer as a second layer.例文帳に追加

ポリカーボネート樹脂基材上に、少なくとも片面に、第１層として多官能アクリレートモノマーを含有する紫外線硬化型樹脂塗膜よりなる、非吸水性のバリア層を形成し、さらに第１層のうえに第２層として紫外線硬化型樹脂塗膜よりなる、吸水型の防曇層を形成する。 - 特許庁

This seal has a base material 1 which has a release resin layer 3 at least partially on its one surface, an electric circuit 2 which is disposed to cross this release resin layer 3 on its surface, a first adhesive layer 4 and core material layer 5 which are successively formed on the front surface on this electric circuit side and a second adhesive layer 6 which is stuck sufficiently to an adherend.例文帳に追加

一方の表面に部分的に剥離樹脂層を有する基材、その表面に前記剥離樹脂層を横断する如く設けられた電気回路、該電気回路側表面に順次設けられた第１接着剤層、芯材層、及び、被着体と十分に接着する第２接着剤層とを有する封印シール。 - 特許庁

The pressure-sensitive adhesive tape 10 at least contains fine particles and/or bubbles, and includes a pressure-sensitive adhesive layer 12 having pressure-sensitive adhesive surfaces on both sides and a release liner 14 provided on one surface of the pressure-sensitive adhesive layer and having a first release layer in contact with the one surface and a second release layer on the side opposite to the first release layer.例文帳に追加

粘着テープ１０は、微粒子及び／又は気泡を少なくとも含有し、両面が粘着面となる粘着剤層１２と、粘着剤層の一方の面上に設けられ、一方の面と接する第１のはく離層と、第１のはく離層と反対側の第２のはく離層とを有するはく離ライナー１４と、を有する。 - 特許庁

The semiconductor optical amplifier includes a substrate 210, a first clad layer 220 deposited on the substrate 210, an active layer 230 deposited on the first clad layer 220 having a plurality of sections S_1, S_2 and S_3 with different band gaps arranged in a longitudinal direction thereof, and a second clad layer 240 deposited on the active layer 230.例文帳に追加

基板２１０と、基板２１０上に積層された第１のクラッド層２２０と、長さ方向に沿ってバンドギャップが相異なる複数のセクションＳ_１、Ｓ_２、Ｓ_３を有し、第１のクラッド層２２０の上に積層された活性層２３０と、活性層２３０の上に積層された第２のクラッド層２４０と、を備える。 - 特許庁

For the luminous element 100, the first main surface of a compound semiconductor layer 50 having a luminous layer 24 is set as a light-extracting surface, and the metal layer 10, having a reflecting surface which reflects the light from the luminous layer 24 to the light-extracting surface PF side is formed on a second main surface side of the compound semiconductor layer 50.例文帳に追加

発光素子１００は、発光層部２４を有した化合物半導体層５０の第一主表面を光取出面とし、該化合物半導体層５０の第二主表面側に、発光層部２４からの光を光取出面ＰＦ側に反射させる反射面を有した金属層１０が形成される。 - 特許庁

In the second electrode 46, a stage difference-covering layer 47 which continuously covers a stage difference part between the barrier rib 7 and the carrier transport layer 42 and which consists of a conductive material, and a resistance reducing layer 48 which is laminated on the stage difference-covering layer 47 and capable of reducing a contact resistance with the stage difference-covering layer 47 are laminated.例文帳に追加

第二電極４６は、隔壁７と担体輸送層４２との段差部分を連続して被覆する導電性材料からなる段差被覆層４７と、段差被覆層４７に積層され、段差被覆層４７との接触抵抗を軽減することができる抵抗軽減層４８とを積層してなる。 - 特許庁

The writing sheet 13 includes a biaxially stretched polyester film layer 6, a writing anchor layer 5 and a writing layer 4, wherein the writing anchor layer 5 comprises a polyester resin and a first porous silica filler, wherein the writing layer 4 has a curable material that comprises acrylic polyol, isocyanate prepolymer and a second porous silica filler.例文帳に追加

筆記シート１３は、２軸延伸ポリエステルフィルム層６と筆記アンカー層５と筆記層４とを含み、筆記アンカー層５は、ポリエステル樹脂と、第1の多孔質シリカフィラーとを有し、筆記層４は、アクリルポリオールと、イソシアネートプレポリマーと、第２の多孔質シリカフィラーとを含む硬化物を有することを特徴とする。 - 特許庁

The light absorption layer of the photodiode comprises a first semiconductor light absorption layer where a layer thickness WD is depleted, and a p-type neutral second semiconductor light absorption layer having a layer thickness of WA.例文帳に追加

フォトダイオードの光吸収層を、層厚Ｗ_Ｄの空乏化した第１の半導体光吸収層と、層厚Ｗ_Ａのｐ型中性の第２の半導体光吸収層とで構成し、Ｗ_ＡとＷ_Ｄの比率を、光吸収層内での全体のキャリア走行時間τ_ｔｏｔが最小となるように設定した。 - 特許庁

This gas barrier film for the electronic display medium has a substrate, a first barrier layer formed on the substrate, an intermediate layer formed on the first barrier layer while having a lens shape, and a second barrier layer formed on the intermediate layer.例文帳に追加

上記目的を達成するために、本発明は、基材と、上記基材上に形成された第１バリア層と、上記第１バリア層上に形成され、レンズ形状を有する中間層と、上記中間層上に形成された第２バリア層とを有することを特徴とする電子表示媒体用ガスバリア膜を提供する。 - 特許庁

There are formed on a sapphire substrate 11 a first semiconductor layer 12 comprising n type gallium nitride, a multiple quantum well active layer 13 where 3 pairs of laminates of a GaN barrier layer and an InGaN well layer are laminated, and a p-type gallium nitride second semiconductor layer 14, sequentially.例文帳に追加

サファイアよりなる基板１１の上には、ｎ型の窒化ガリウムよりなる第１の半導体層１２と、ＧａＮよりなる障壁層とＩｎＧａＮよりなる井戸層とが３対積層されてなる多重量子井戸活性層１３と、ｐ型の窒化ガリウムよりなる第２の半導体層１４とが順次形成されている。 - 特許庁

This laminated sheet is formed of a surface layer composed of a polyurethane thermoplastic elastomer, a polyamide resin or a polyester resin, a first adhesive layer composed of an adhesive resin, a base material layer composed of a polyolefin thermoplastic elastomer, a second adhesive layer composed of an adhesive resin and an adherend layer, laminated in that order.例文帳に追加

ポリウレタン系熱可塑性エラストマー、ポリアミド系樹脂又はポリエステル系樹脂からなる表面層、接着性樹脂からなる第１接着層、ポリオレフィン系熱可塑性エラストマーからなる基材層、接着性樹脂からなる第２接着層、及び、被着体層がこの順に積層された積層シートを使用する。 - 特許庁

A skin material 1 is constituted by integrally laminating a surface resin layer 2 composed mainly of a polypropylene resin upon the upper surface of a first nonwoven fabric layer 3 and, at the same time, a second nonwoven fabric layer 5 upon the lower surface of the first nonwoven fabric layer 3 through an intermediate resin layer 4 composed mainly of a polyethylene resin.例文帳に追加

表皮材１は、第１不織布層３の上面側に、ポリプロピレン樹脂を主成分とする表面樹脂層２が積層一体化されると共に、前記第１不織布層３の下面に、第２不織布層５がポリエチレン樹脂を主成分とする中間樹脂層４を介して積層一体化された構成とする。 - 特許庁

A meshed conductor layer is provided on one side of a transparent substrate, a first meshed light absorption layer is provided on at least one outer surface of the meshed conductor layer, and a second meshed light absorption layer is provided on the surface opposite to the meshed conductor layer in the electromagnetic wave shielding filter for the display.例文帳に追加

透明基材の一方の面にメッシュ状導電体層、及び、当該メッシュ状導電体層の少なくとも１つの外面に第１のメッシュ状光吸収層が設けられ、且つ、当該メッシュ状導電体層とは反対側の面に第２のメッシュ状光吸収層が設けられている、ディスプレイ用電磁波遮蔽フィルタ。 - 特許庁