「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(195ページ目) - Weblio英語例文検索

Second electrostatic antennas 12a and 12b are formed on a card base material 10 by a thermal transfer system, a 2-color thermosensitive recording layer is provided as a recording layer 16 and an IC chip mounting label 14 is joined onto the second electrostatic antennas 12a and 12b.例文帳に追加

カード基材１０に第２静電アンテナ１２ａ，１２ｂを熱転写方式により形成し、記録層１６として２色感熱記録層を設け、第２静電アンテナ１２ａ，１２ｂ上にＩＣチップ実装ラベル１４を接合する。 - 特許庁

A drain groove 101 is formed by an inclination surface 102 and a bottom surface 103, which are formed in a second intermediate layer 65, and the inner side surface 104 of a lid body 66, so as to be formed in the most outer peripheral part of the second intermediate layer 65.例文帳に追加

排水溝１０１は、第２中間層６５に形成される傾斜面１０２及び底面１０３と、蓋体６６の内側面１０４とにより形成されるので、第２中間層６５の最も外周部に形成される。 - 特許庁

Consequently, only an influence of steps of the emitter through holes TH2 provided in an insulating film having a thick film thickness is exerted at a maximum on a surface of an emitter electrode 17 of a second layer, and flatness of the electrode surface of the second layer is improved.例文帳に追加

これにより、２層目のエミッタ電極１７表面では、最大でも、膜厚が厚い絶縁膜に設けられたエミッタスルーホールＴＨ２の段差の影響しか及ばず、２層目の電極表面の平坦性が向上する。 - 特許庁

In the vertical organic transistor in which at least a first electrode (drain electrode) 2, a first semiconductor layer 3, a comb or mesh second electrode (gate electrode) 4, a second semiconductor layer 5 and a third electrode (source electrode) 7 are sequentially provided on a substrate 1, the first semiconductor layer 3 is made of inorganic semiconductor material, and the second semiconductor layer 5 is made of an organic semiconductor material.例文帳に追加

基板１上に、少なくとも、第一の電極（ドレイン電極）２、第一の半導体層３、櫛状又はメッシュ状の第二の電極（ゲート電極）４、第二の半導体層５、及び、第三の電極（ソース電極）７を順次有する縦型有機トランジスタにおいて、前記第一の半導体層３を無機半導体材料で構成し、そして、前記第二の半導体層５を有機半導体材料で構成する。 - 特許庁

The liquid crystal device includes a pixel electrode 35, a switching element 34, a counter electrode 82, the liquid crystal layer 28, a first alignment film 71, a first dielectric layer 70 provided between the first alignment film 71 and the pixel electrode 35, a second alignment film 83, and a second dielectric layer 84 provided between the second alignment film 83 and the counter electrode 82 and made smaller in thickness than the first dielectric layer 70.例文帳に追加

本発明の液晶装置は、画素電極３５、スイッチング素子３４、対向電極８２、液晶層２８、第１配向膜７１、第１配向膜７１と画素電極３５との間に設けられた第１誘電体層７０、第２配向膜８３、および第２配向膜８３と対向電極８２との間に設けられて第１誘電体層７０よりも厚みが薄い第２誘電体層８４を備える。 - 特許庁

In addition, the radiation bed includes the metal plate on which first area and second area are formed independently on its one surface each other, an first dielectric layer which is formed only on the surface of the second area, the first conductive layer which is formed on the first area, and the second conductive layer which is formed on the first dielectric layer.例文帳に追加

また、本発明は、電子部品を搭載するための放熱台であって、その一面に、第一エリアと、第二エリアとが、互いに独立に形成されている金属板と、前記第二エリアの表面のみに形成されている第一絶縁層と、前記第一エリアに形成されている第一導電層と、前記第一絶縁層に形成されている第二導電層とからなっている放熱台をも提供する。 - 特許庁

Since the outer layer 16 is formed by injecting a second resin into a second cavity formed by arranging the inner layer 14 with an unnecessary gate part removed therefrom after molding in a second die of a size larger than that of the first die with the core kept inserted therein, disfigurement of the multilayer injection-molded product never occurs, and separation of the inner layer from the outer layer in a boundary part hardly occurs.例文帳に追加

外層１６は、成形後に不要なゲート部分を除去した内層１４を、コアを挿入した状態のまま第１金型よりも大きいサイズの第２金型内に配置して形成した第２キャビティ内に、第２樹脂を射出することによって形成されるため、多層射出成形品の美感が損なわれてしまうことがなく、しかも境界部分での内層と外層との分離が生じにくい。 - 特許庁

The light emitting device has a first insulating layer which is formed on a substrate with an opening reaching the substrate, a second insulating layer which is formed covering the opening, and a light emitting element which is formed on the second insulating layer overlapping at least a part of the opening and is constructed by holding a light emitting layer between a first electrode and a second electrode.例文帳に追加

上記課題を解決する為の本発明の発光装置は、基板上に形成され、基板に達する開口部が形成されてている第１の絶縁層と、開口部を覆って形成される第２の絶縁層と、第２の絶縁層上において開口部の少なくとも一部に重なって設けられ、第１の電極と第２の電極との間に発光層を挟んでなる発光素子とを有する。 - 特許庁

In the formation process of a nitride semiconductor laminate structure made of a group III nitride semiconductor, first an n-type GaN layer (first layer), and a p-type GaN layer (second layer) containing Mg are formed on a wafer by an MOCVD method with H_2 as a carrier gas.例文帳に追加

III族窒化物半導体からなる窒化物半導体積層構造の形成工程において、キャリヤガスをＨ_２とするＭＯＣＶＤ法によって、まず、ウエハの上にｎ型ＧａＮ層（第１層）およびＭｇを含むｐ型ＧａＮ層（第２層）が形成される。 - 特許庁

Since three layer structure having a space (an air layer) between the first and second sound absorbing materials is formed thereby, sound absorbability is enhanced compared with a single layer structure comprising only the sound absorbing material, and a size is reduced compared with the single layer structure.例文帳に追加

これにより、第１、２吸音材８１、８２間に空隙（空気層）を有する三層構造となるので、吸音材のみからなる単層構造にくらべて、吸音能力を向上させることができ、吸音材のみからなる単層構造のものに比べて小さくすることができる。 - 特許庁

The resin film 20 is composed of a first film layer 21 on which a three-dimensional design 21a is formed and a second film layer 22 which is laminated on the back of the first film layer and is softer and thicker than the first film layer.例文帳に追加

樹脂フィルム２０は、立体意匠２１ａが施され第１硬度で第１厚さの第１フィルム層２１と、第１フィルム層の裏面に積層され第１硬度よりも低い第２硬度で第１厚さよりも厚い第２厚さの第２フィルム層２２と、から成る。 - 特許庁

An ion reinforced insulating layer 230 is doped with a dopant of polarity different from that of the dopant in the layer 202, in the structure where the layer 230 is interposed between the buried layer 202 and a group of well regions 214, 218, 222, 226 formed on the first circuit 204 and the second circuit 206.例文帳に追加

絶縁層230が、埋込層202と、第一の回路204と第二の回路206のデバイスがその上部に形成されるウェル領域214，218，222，226との間に介在する構造において、イオン増強絶縁層230が、埋込層202の不純物と異なった極性の不純物でドープされる。 - 特許庁

The second source/drain region includes a third n-type impurity layer having an impurity concentration lower and a depth shallower than those of the first n-type impurity layer, and a fourth n-type impurity layer having an impurity concentration higher and a depth deeper than those of the third n-type impurity layer.例文帳に追加

さらに、第２のソース・ドレイン領域が、第１のｎ型不純物層よりも不純物濃度が低く深さの浅い第３のｎ型不純物層と、第３のｎ型不純物層よりも不純物濃度が高く深さの深い第４のｎ型不純物層を備える。 - 特許庁

Next, this method of manufacturing the wiring substrate further includes a projecting part formation process of removing the support and the first metal layer, and forming projecting parts 11 composed by including the second metal layer and the third layer, and projecting from the other surface of the insulation layer.例文帳に追加

次に、前記支持体及び前記第１金属層を除去し、前記第２金属層及び前記第３金属層を含んで構成され前記絶縁層の他方の面から突出する突出部１１を形成する突出部形成工程と、を有する。 - 特許庁

Since the first conductive layer 12, the insulating layer 13, the second conductive layer 14, and a cover layer 15 are elastic, respectively, the indicator lamp 30 can be attached to an arbitrary position of the information display panel 10, and can be easily detached by being pulled out.例文帳に追加

このとき、第一導電層１２、絶縁層１３、第二導電層１４、カバー層１５は、それぞれ弾性を有しているので、表示ランプ３０は情報表示パネル１０の任意の位置に取り付けることができ、また引き抜くことで容易に取り外すことができる。 - 特許庁

In this manufacturing method for the organic electroluminescent element, a sputter protection layer is laminated on the organic substance layer provided on a first electrode on a substrate and having a light emitting layer, and the second transparent electrode is formed on the sputter protection layer using the sputtering method.例文帳に追加

有機エレクトをルミネッセンス素子の製造方法は、基板上の第１電極の上に設けられ発光層を有する有機物層の上にスパッタ保護層を積層し、そのスパッタ保護層上にスパッタリング法を利用して透明な第２電極を形成する。 - 特許庁

At least a part of the intermediate layer opposed to the upper-stream part of the fuel flow passage includes the second cathode catalyst layer, while at least a part of the intermediate layer opposed to the middle stream part and down-stream part of the fuel flow passage includes the porous composite layer.例文帳に追加

前記中間層の少なくとも燃料流路の上流部に対向している部分は、第２のカソード触媒層を含み、中間層の少なくとも燃料流路の中流部および下流部に対向している部分は、多孔質複合層を含む。 - 特許庁

The membrane electrode assembly 20 is made by bonding a single-layer anode catalyst electrode 30 to one surface of an electrolyte film 22 and a cathode catalyst electrode 40 to the other surface of the electrolyte film 22, the cathode catalyst electrode 40 being a double-layer structure composed of a first catalyst layer 41 and a second catalyst layer 42.例文帳に追加

膜電極接合体２０は、電解質膜２２の一方の膜面に単層のアノード触媒電極３０を接合し、他方の膜面に接合したカソード触媒電極４０を第１の触媒層４１と第２の触媒層４２の２層構造とする。 - 特許庁

An external connection electrode 2 of the interposer 1 has a stack having a first metal layer 2a made of copper, a second metal layer 2b made of nickel, and a third metal layer 2c made of gold laminated in this order, the third metal layer 2c forming a top surface.例文帳に追加

インターポーザ１の外部接続電極２は、銅からなる第１金属層２ａとニッケルからなる第２金属層２ｂと金からなる第３金属層２ｃがこの順に積層された積層体を有して、表面が第３金属層２ｃとなるように形成されている。 - 特許庁

The light-emitting element array is a surface light emitting element of a thyristor structure including a p-type semiconductor substrate, a first p-type semiconductor layer 14, a second n-type semiconductor layer 16, a third p-type semiconductor layer 18, and a fourth n-type semiconductor layer 20.例文帳に追加

発光素子アレイは、ｐ型の半導体基板と、第１のｐ型の半導体層１４と、第２のｎ型の半導体層１６と、第３のｐ型の半導体層１８と、第４のｎ型の半導体層２０とを有する、サイリスタ構造の面発光素子である。 - 特許庁

A piezoelectric layer 22 laminated on recessed groove parts 19a formed in a second insulating layer 19 is formed with stepped parts 22a stepped down with a level difference deeper than the layer thickness d1 of the piezoelectric layer 22 in a flow direction A so as to be divided in stages.例文帳に追加

第２絶縁層１９に形成された凹溝部１９ａに積層された圧電体層２２には、前記流れ方向Ａにおいて圧電体層２２の層厚ｄ１より深い段差で段落ちした段差部２２ａがそれぞれ形成されて段分けされている。 - 特許庁

A thin film transistor includes a first polycrystalline semiconductor layer located over a substrate, a second polycrystalline semiconductor layer located over the first polycrystalline semiconductor layer, and metal catalysts that are adjacent to the first polycrystalline semiconductor layer and are apart from each other at a predetermined distance.例文帳に追加

薄膜トランジスタは、基板上に位置する第１多結晶半導体層と、第１多結晶半導体層上に位置する第２多結晶半導体層と、第１多結晶半導体層と隣接して互いに所定の間隔で離隔している金属触媒とを含む。 - 特許庁

The connection pad part includes a first metal wiring layer 12 formed on an insulating layer 11 and a second metal wiring layer 14 formed on the above metal wiring layer, and is used for contact of the test probe and connection to the connection electrode.例文帳に追加

絶縁層１１上に形成された第１のメタル配線層１２と、このメタル配線層の上に形成される第２のメタル配線層１４とを備え、試験用プローブとの接触及び接続電極との接続に使用される接続パッド部を構成する。 - 特許庁

A liquid passing layer 4 covering the surface of a liquid absorbing layer 3 is constituted by piling up a first passing layer 10 formed of a resin film with liquid passing holes 11 and a second passing layer 20 formed of a resin film with liquid passing holes 21.例文帳に追加

液吸収層３の表面を覆う液通過層４は、液通過孔１１を有する樹脂フィルムで形成された第１の通過層１０と、液通過孔２１を有する樹脂フィルムで形成された第２の通過層２０とが重ねられて構成されている。 - 特許庁

The p-type drain diffusion layer 11d and n-type drain diffusion layer 12d of the first CMOS inverter 10 are electrically connected and a p-type drain diffusion layer 21d and an n-type drain diffusion layer 22d of a second CMOS inverter 20 are electrically connected.例文帳に追加

第１のＣＭＯＳインバータ１０のｐ型ドレイン拡散層１１ｄとｎ型ドレイン拡散層１２ｄとは電気的に接続され、第２のＣＭＯＳインバータ２０のｐ型ドレイン拡散層２１ｄとｎ型ドレイン拡散層２２ｄとは電気的に接続されている。 - 特許庁

A substrate 1 is a laminated substrate consisting of a surface layer 2 and inner surface layers 3 and 4 and has a first portion S1 where the inner surface layer 3 is exposed at one side end, and a second portion S2 where the surface layer 2 is laminated on the remaining portion of the inner surface layer 3.例文帳に追加

基板１が表面層２と内面層３、４からなる積層基板であって、その一側端が内面層３を露出する第１の部分Ｓ１と、内面層３の残部の上に表面層２が積層されている第２の部分Ｓ２とを備える。 - 特許庁

The interposed layer 24 comprises a non-conductive oxide layer 243 distributed in first and second base material layers 242A and 242B comprising copper, as well as a metal layer 241 which is made from iridium that is harder to be oxidized than copper and contacts the fixed magnetizing layer 23.例文帳に追加

介在層２４は、銅からなる第１および第２の基材層２４２Ａ，２４２Ｂに分布した非導電性の酸化物層２４３を有すると共に、銅よりも酸化しにくいイリジウムからなり磁化固着層２３と接する金属層２４１をも有するものである。 - 特許庁

The method for manufacturing the ferroelectric layer contains the steps of forming a first ferroelectric layer 22 on a substrate by a vapor phase method, and forming a second ferroelectric layer 24 on the first ferroelectric layer 22 by a liquid phase method.例文帳に追加

強誘電体層の製造方法は、基体の上方に、気相法によって第１の強誘電体層２２を形成する工程と、第１の強誘電体層２２の上方に、液相法によって第２の強誘電体層２４を形成する工程と、を含む。 - 特許庁

The support 40 is formed in such a way that a first support layer 401 is formed on the rear surface 13 of the piezoelectric single crystal substrate and the sacrificial layer 30, and then, a second support layer 402 is formed on the surface of the first support layer 401 (surface opposite to the piezoelectric single crystal substrate).例文帳に追加

支持体４０の形成は、まず、圧電単結晶基板の裏面１３上及び犠牲層３０上に第１支持層４０１を形成した後、第１支持層４０１の表面（圧電単結晶基板の反対の面）に第２支持層４０２を形成する。 - 特許庁

In the liquid crystal display element, each liquid crystal layer of the first layer and the second layer has a plurality of spacers for keeping the interval between the two substrates constant, and the density of spacers on the periphery of the liquid crystal layer is lower than the density of spacers on the center part.例文帳に追加

また、液晶表示素子では、第一の層及び第二の層の液晶層は、二つの基板間の間隔を一定に維持する複数のスペーサを有し、液晶層の周辺部におけるスペーサの密度が中心部におけるスペーサの密度よりも低い。 - 特許庁

However, in the subsequent step, (a second) photosensitive resin layer 4A for forming an over-cladding layer is formed with a non-solvent type photosensitive resin composition and is heated prior to exposure and, thereby, the interface part between the core 3 and the photosensitive resin layer 4A is formed into a mixed layer 5.例文帳に追加

しかし、その後、オーバークラッド層形成用の（第２の）感光性樹脂層４Ａを、非溶剤系の感光性樹脂組成物で形成し、露光に先立って加熱することにより、コア３と感光性樹脂層４Ａとの界面部分を、混合層５に形成する。 - 特許庁

A first conductivity type semiconductor layer 1 has a front side which is a light-receiving surface, and a second conductivity type semiconductor layer 2 is disposed on a back side of the first conductivity type semiconductor layer 1, forming a p-n junction with the first conductivity type semiconductor layer 1.例文帳に追加

第１導電型半導体層１は、表面が受光面となっており、第２導電型半導体層２は、第１導電型半導体層１の裏面側に設けられ、第１導電型半導体層１との間でｐｎ接合を構成している。 - 特許庁

Moreover, the tool width is expanded by an amount equivalent to a half of the coil diameter at the side of the first coil S of the first layer before starting winding a coil 9 of a third layer so that the coil of the third layer is wound around the outside of the coil 8 of the second layer (Fig.3(B)).例文帳に追加

また、３層目の巻線９が前記２層目巻線８の外側に巻回されるように、該３層目巻線の巻回が開始される迄に、前記１層目最初の巻線の側に於て、線径の二分の一相当分、治具幅を拡開する（図３（Ｂ））。 - 特許庁

In the manufacturing method of the TFT LCD pixel unit, in addition to formation of a first insulating layer (gate insulating layer) and a passivation layer, a second insulating layer is adopted to cover a gate island and an opening part is formed such that a channel region, a source region and a drain region of the TFT are exposed on the gate island.例文帳に追加

第一の絶縁層（ゲート絶縁層）及びパッシベーション層を形成する事に加えて、第二の絶縁層でゲート・アイランドが覆われ、ゲート・アイランド上にＴＦＴのチャネル領域、ソース領域、ドレイン領域が露出されるように開口部を形成する。 - 特許庁

While part of external light is reflected (a broken line arrow in the figure) in a reflective layer 51, the external light which intrudes a second interlayer insulating layer 16s is repeatedly reflected as indicated in the figure (a solid line arrow in the figure) between the reflective layer 51 and a reflective layer 52.例文帳に追加

反射層５１において一部の外光は反射（図中破線矢印）するが、第２層間絶縁層１６ｓに侵入した外光は、反射層５１と反射層５２との間において、図示（図中実線矢印）するように繰返し反射される。 - 特許庁

The slip for distribution is composed of the slip formed by superposing a first base material sheet 1 having a release layer 3 and a tacky adhesive layer 4 on one surface side and a second sheet material 2 having a release layer 5 and a tacky adhesive layer 6 on one surface side on each other on the one surface side described above.例文帳に追加

配送用伝票を、剥離層３と粘着層４とを片面側に備える第一の基材シート１と、剥離層５と粘着層６とを片面側に備える第二の基材シート２とを前記片面側で互いに重ね合わせたものにより構成する。 - 特許庁

A photoelectric conversion device comprises: a first semiconductor layer having a compound semiconductor containing a group I element, a group III element, and a group VI element; and a second semiconductor layer that is disposed on the first semiconductor layer and forms a pn junction with the first semiconductor layer.例文帳に追加

Ｉ族元素、III族元素およびVI族元素を含む化合物半導体を有する第１の半導体層と、該第１の半導体層上に配置された、該第１の半導体層とともにｐｎ接合を形成する第２の半導体層とを備えている。 - 特許庁

A first molybdenum layer 72 comprising a molybdenum film, an aluminum conductive layer 76 comprising an aluminum-neodymium alloy film, a second molybdenum layer 74 comprising a molybdenum film, and an insulating film layer comprising silicon dioxide are layered in this order from a lower side on an insulating substrate 10 comprising glass.例文帳に追加

ガラスからなる絶縁性基板１０の上に、下からモリブデンの膜からなる第１モリブデン層７２、アルミニウムネオジウム合金の膜からなるアルミニウム導電層７６、モリブデンの膜からなる第２モリブデン層７４、二酸化シリコンの膜からなる絶縁膜層が積層される。 - 特許庁

The cathode catalyst layer 14 of the cathode (air electrode) 16 has a first catalyst layer 14a located so as to correspond to the air inlet 61 of the surface cover 60, and a second catalyst layer 14b forming a section excluding the first catalyst layer 14a.例文帳に追加

また、カソード（空気極）１６のカソード触媒層１４が、表面カバー６０の空気導入口６１に対応して位置する第１の触媒層１４ａと、第１の触媒層１４ａ以外の部分を構成する第２の触媒層１４ｂとを備える。 - 特許庁

The interlayer insulating layer 20 includes a first silicon oxide layer 20b, formed through a polycondensation reaction that occurs between a silicon compound and a hydrogen peroxide, and a second silicon oxide layer 20c formed on the first silicon oxide layer 20b which includes impurities.例文帳に追加

層間絶縁層３０Ａは、少なくとも、シリコン化合物と過酸化水素との重縮合反応によって形成された第１のシリコン酸化層２０ｂと、第１のシリコン酸化層の上に形成され、不純物を含有する第２のシリコン酸化層２０ｃと、を有する。 - 特許庁

This O-ring includes: a first rubber layer 11; and a second rubber layer 12 which has a friction coefficient smaller than that in the first rubber layer 11, is laminated on the first rubber layer 11 in a thickness direction and is exposed to at least one of an outer peripheral side and an inner peripheral side.例文帳に追加

第１ゴム層１１と、該第１ゴム層１１よりも摩擦係数が小さく、該第１ゴム層１１に対して厚さ方向に積層されると共に、外周側及び内周側の少なくとも一方に露出した第２ゴム層１２と、を有している。 - 特許庁

A first conductive layer 3, which is connected to a connection terminal 8, and an insulating layer 4 provided with an opening 4a penetrating through the first conductive layer 3 are formed on the inner bottom of the casing 1b, and the opening 4a is filled up with a second conductive layer 5.例文帳に追加

収容部１ｂの内部底面には、接続端子８と接続される第１導電層３と、第１導電層３まで貫通する開口部４ａを有する絶縁層４が形成されて、開口部４ａ内には第２導電層５が充填されている。 - 特許庁

This region 15 not covered with the protection film 8 is arranged on the outside, the lower side, or combined areas of the stress relief layer 5 (a second insulation layer), and the region 15 is covered with at least either of the stress relief layer 5 or the surface protection film 6 (a third insulation layer).例文帳に追加

この保護膜８を除去した領域１５は、応力緩和層５（第２の絶縁層）の外側、下側、さらに組み合わせた場所に設けられ、応力緩和層５あるいは表面保護膜６（第３の絶縁層）の少なくともいずれかによって覆われる。 - 特許庁

An n-type AlGaInP first clad layer 104, an undoped GaInP/AlGaInP multiple quantum well active layer 105, a p-type AlGaInP second clad layer 106 and a p-type GaAs cap layer 108 are arranged in this order from an n-type GaAs substrate 101 upward.例文帳に追加

ｎ型ＧａＡｓ基板１０１から上方に向かって、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層１０４、アンドープＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰ多重量子井戸活性層１０５、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層１０６およびｐ型ＧａＡｓキャップ層１０８がこの順で配置されている。 - 特許庁

It is preferable that a step of forming a second layer including the catalyst precursor or a catalyst on the surface of the first layer is put between the step of forming cracks in the first layer and the step of reducing the first layer having the cracks formed therein.例文帳に追加

前記第１の層にクラックを形成する工程と前記クラックが形成された第１の層を還元する工程との間に、前記第１の層の表面に触媒前駆体もしくは触媒からなる第２の層を形成する工程を有することが好ましい。 - 特許庁