「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(197ページ目) - Weblio英語例文検索

A threshold of formation of a population inversion layer between the first part of the gate insulating film and the bottom-end part of the p-type base layer is equal to or larger than a threshold of formation of a population inversion layer between the second part of the gate insulating film and the upper-end part of the p-type base layer.例文帳に追加

ゲート絶縁膜の第１の部分とｐ形ベース層の底端部との間に反転分布層が形成される閾値は、ゲート絶縁膜の第２の部分とｐ形ベース層の上端部との間に反転分布層が形成される閾値以上である。 - 特許庁

The semi-transmission liquid crystal display device which is excellent in optical characteristics and is subjected to high definition, is provided because the liquid crystal display device having a plurality of pixels has: a first color filter layer formed on a first substrate having a first electrode; a second color filter layer formed on a second substrate having a second electrode; and a liquid crystal layer enclosed between the first substrate and the second substrate.例文帳に追加

複数の画素を有する液晶表示装置において、第１電極を有する第１基板上に形成された第１カラーフィルタ層と、第２電極を有する第２基板上に形成された第２カラーフィルタ層と、第１基板と第２基板との間に封入された液晶層と、を備えることにより、光学特性に優れ、高精細化が可能な半透過型の液晶表示装置を提供することができる。 - 特許庁

The semiconductor device includes a second transistor and a capacitive element provided on a first transistor, the capacitive element includes: a source electrode or the drain electrode and a gate insulating layer of the second transistor; and a capacitive element electrode provided on an insulating layer covering the second transistor, and a gate electrode of the second transistor and the capacitive element electrode are provided at least partially overlapping each other via the insulating layer.例文帳に追加

第１のトランジスタ上に設けられた第２のトランジスタと容量素子とを有し、容量素子は、第２のトランジスタのソース電極またはドレイン電極と、ゲート絶縁層と、第２のトランジスタを覆う絶縁層上に設けられた容量素子用電極を含み、第２のトランジスタのゲート電極と、容量素子用電極とは、絶縁層を介して少なくとも一部が重畳して設けられる半導体装置を提供する。 - 特許庁

The method includes the steps of: applying to the surface of the substrate a first liquid comprising a curable composition and an activator for the second layer-forming chemical reaction; curing the curable composition, thereby forming a first solid layer adhered to the surface of the substrate, capable of increasing the degree of adhesion on the surface of the substrate; and activating the second layer-forming chemical reaction by bringing into contact with a second fluid.例文帳に追加

この方法は基板の表面と、硬化性組成物及び第二層形成の化学反応のための活性化剤を含む第一液を接触させ、そして硬化性組成物を硬化させて基板の表面へのその材料の付着度を増し、それにより基板の表面に第一固体層を形成して付着させ、第二流体(second fluid)と接触させた後に第二層の形成の化学反応を活性化させうることを含む。 - 特許庁

This method includes steps of: forming first and second field-effect transistors of an integrated circuit; forming a stress layer over the first and second field-effect transistors, the stress layer inducing strain in channel regions of the first and second field-effect transistors; and selectively thinning the stress layer over at least a portion of the second field-effect transistor.例文帳に追加

この方法は、集積回路の第１及び第２の電界効果トランジスタを形成するステップと、第１及び第２の電界効果トランジスタの上に応力層を形成するステップであって、応力層は第１及び第２の電界効果トランジスタのチャネル領域内に歪みを誘起する、ステップと、第２の電界効果トランジスタの少なくとも一部の上の応力層を選択的に薄層化するステップとを含む。 - 特許庁

The index guide type heterostructure nitride laser structure 100 has a first waveguide layer, a second waveguide layer, a multiple quantum well structure 145 interposed between the first and second waveguide layers, a ridge structure 111 having first, second and third faces, and a buried layer 155 existing on the first, second and third faces of the ridge structure 111.例文帳に追加

インデックスガイド型埋め込みヘテロ構造窒化物レーザ構造１００は、第１導波層及び第２導波層並びに前記第１導波層と前記第２導波層との間に配置される多重量子井戸構造１４５を有し、第１、第２及び第３の面を有するリッジ構造１１１と、前記リッジ構造１１１の前記第１、第２及び第３の面の上に存在する埋め込み層１５５とを有する。 - 特許庁

Meanwhile, the second insulating film 6 of a wiring forming region B has a second wiring W2 provided in the upper part, a second plug P2 provided in the lower part are integrated, and second layer wiring 10b integrally formed of a barrier film 8b, and a conductive film 9b.例文帳に追加

一方、配線形成領域Ｂの第２の絶縁膜６には、上部に設けられた第２配線部Ｗ２と下部に設けられた第２プラグ部Ｐ２が一体化形成されたバリア膜８ｂと導電膜９ｂからなる第２層配線１０ｂが形成されている。 - 特許庁

A first semiconductor chip 10 is provided with a first trench 13 penetrating a first pad portion 12 to reach a first insulating layer 11c, and a second semiconductor chip 20 is provided with a second trench 23 penetrating a second pad portion 22 to reach a second semiconductor substrate 21.例文帳に追加

第１半導体チップ１０において第１パッド部１２を貫通して第１絶縁層１１ｃに達する第１トレンチ１３を設け、第２半導体チップ２０において第２パッド部２２を貫通して第２半導体基板２１に達する第２トレンチ２３を設ける。 - 特許庁

Furthermore, a second interconnection 15 is formed to intersect the first interconnection 13 substantially perpendicularly and a second ferromagnetic layer 41 is formed to cover the second interconnection 15 partially or entirely under a state where a magnetic field is applied in the same direction as the second interconnection 15.例文帳に追加

更に、第１配線１３と略直交するように第２配線１５を形成すると共に、第２配線１５と同方向の磁場を印加した状態で、この第２配線１５の一部又は全部を覆うように第２強磁性層４１を形成した。 - 特許庁

A second electrode layer 10 is embedded in the second trench T2, and is electrically connected to the sidewall P-conductivity-type region 4b at the sidewall of the second trench T2 and to the P-conductivity-type region 2a at the bottom of the second trench T2.例文帳に追加

また、第２電極層１０が、第２トレンチＴ２に埋め込まれており、第２トレンチＴ２の側壁において側壁Ｐ導電型領域４ｂに電気的に接続され、第２トレンチＴ２の底面においてＰ導電型領域２ａと電気的に接続されている。 - 特許庁

The second metal film 24 is etched anisotropically, by using the second resist 33 as a mask to form the bonding pad having the first metal film 20 and second metal film 24, and the upper-layer wire 22 which has the second metal film 24 but does not have the first metal film 20.例文帳に追加

第２レジスト３３をマスクとして第２金属膜２４を異方性エッチングして、第１金属膜２０と第２金属膜２４とを有するボンディングパッドと、第２金属膜２４を有するが第１金属膜２０を有しない上層配線２２とを形成する。 - 特許庁

An auxiliary electrode 202 composed of a transparent conductive film is formed on the second electrode side of the second substrate so as to cover over a light emitting surface where light from the organic light emitting layer is transmitted through the second electrode and radiated to the second substrate side.例文帳に追加

前記第２基板の前記第２電極側には、前記有機発光層からの光が前記第２電極を透過して前記第２基板側に放射される発光面を覆うように、透明導電膜からなる補助電極２０２が形成されている。 - 特許庁

The decorative display part includes: a first printed layer which can transmit light and to which a first decoration is applied by material having bright property; a second printing layer which is disposed on the light source side of the first printed layer formed of a translucent material which lowers the transmissivity of light; and a light transmission layer capable of transmitting the light and adapted to separate the first printed layer from the second printed layer.例文帳に追加

光を透過可能で、かつ光輝性を有する材料によって第１の装飾が施された第１の印刷層と、前記第１の印刷層の光源側に配置され、かつ前記光の透過性を低下させる半透明の材料からなる第２の印刷層と、前記光を透過可能で、かつ前記第１の印刷層と前記第２の印刷層とを離間させるための光透過層と、を有して構成されている装飾表示部を備えた。 - 特許庁

The decorative sheet having at least a transparent or semitransparent thermoplastic resin layer overlying a base material sheet, the transparent thermoplastic resin layer being composed of two layers of a first thermoplastic resin layer on the base material side and a second thermoplastic resin layer on the surface side keeps the first thermoplastic resin layer constituted by a noncrystalline polyester resin, and the second thermoplastic resin layer by a polybutylene terephthalate resin.例文帳に追加

基材シート上に少なくとも透明あるいは半透明熱可塑性樹脂層が積層されており、前記透明熱可塑性樹脂層が、前記基材シート側の第一熱可塑性樹脂層と表面側の第二熱可塑性樹脂層との二層から構成されてなる化粧シートであって、前記第一熱可塑性樹脂層が非晶性ポリエステル系樹脂、前記第二熱可塑性樹脂層がポリブチレンテレフタレート系樹脂からなることを特徴とする化粧シートとする。 - 特許庁

The volume hologram for a thread hologram comprise a first protective layer made of a resin material, a volume hologram layer formed on the first protective layer, and a second protective layer made of a resin material, wherein the resin material used for the first protective layer is identical with the resin material used for the second protective layer.例文帳に追加

本発明は、樹脂材料からなる第１保護層と、上記第１保護層上に形成された体積ホログラム層と、上記ホログラム層上に形成され、樹脂材料からなる第２保護層と、からなるスレッド用体積ホログラムであって、上記第１保護層に用いられる樹脂材料および上記第２保護層に用いられる樹脂材料が同一であることを特徴とするスレッド用体積ホログラムを提供することにより上記課題を解決するものである。 - 特許庁

On a supporting body, a binder, a first photosensitive layer including a polymerizable compound and a photopolymerization initiator, a binder and a second photosensitive layer including a polymerizable compound and a photopolymerization initiator and having a photosensitivity relatively higher than that of the first photosensitive layer, are laminated in this order, and in the second photosensitive layer, aromatic amine is added.例文帳に追加

支持体上に、バインダー、重合性化合物および光重合開始剤を含む第一感光層、バインダー、重合性化合物および光重合開始剤を含み第一感光層の光感度よりも相対的に高い光感度を有する第二感光層をこの順序で積層し、第二感光層に、さらに芳香族アミンを添加する。 - 特許庁

The recovery treatment performs a switching operation so that fuel gas being supplied to a first catalyst layer may be supplied to a second catalyst layer, while performs a switching operation so that oxygen gas being supplied to the second catalyst layer may be supplied to the first catalyst layer, and switches the direction of a load to be connected with the fuel cell to the positive/negative inverse direction.例文帳に追加

前記回復処理は、前記第１の触媒層に供給されていた燃料ガスを前記第２の触媒層に供給するように切り替え、前記第２の触媒層に供給されていた酸化ガスを前記第１の触媒層に供給するように切り替え、燃料電池に接続される負荷の向きを正負逆向きに切り替える。 - 特許庁

A manufacturing method of DLC film composed of a first layer and a second layer, including steps of forming the first layer, on the film-deposited substrate, by radical particles generated by the thermal decomposition of hydrocarbon raw gas and forming the second layer by ion particles generated in the plasma of the hydrocarbon raw gas.例文帳に追加

炭化水素系原料ガスの熱分解により発生させたラジカル粒子により被成膜基板上に第１層を形成する工程と、該炭化水素系原料ガスのプラズマ中で発生させたイオン粒子により第２層を形成する工程とを含むことを特徴とする第１層および第２層から構成されるＤＬＣ膜の製造方法。 - 特許庁

The semiconductor device 10 comprises a conductive substrate 1, an insulating layer 3, a first conductive section 63 provided on the insulating layer 3, a resin protrusion member 4 protruding on the insulating layer 3, a second conductive section 61 provided on the upper surface 43 of the protrusion member 4, and a conductive layer 6 connected with the first and second conductive sections 63 and 61.例文帳に追加

導電性基板１と、絶縁層３と、絶縁層３上に設けられた第１導電部６３と、絶縁層３上に隆起した樹脂製の突起状部材４と、突起状部材４の上面４３に設けられた第２導電部６１と、第１および第２導電部６３、６１に接続された導電層６とを備えた半導体装置１０。 - 特許庁

The wiring portion includes at least one layer of a first conductive layer LIA, LIB disposed in the base substrate, at least one layer of a second conductive layer LIC, LID disposed in the spacer member, third conductive layers 214, 238 supported by the support member, and a plurality of plugs HLA-HLD connecting the first, second, and third conductive layers to the respective adjacent layers.例文帳に追加

配線部は、基体内に配置された少なくとも一層の第１導電層ＬＩＡ，ＬＩＢと、スペーサー部材内に配置された少なくとも一層の第２導電層ＬＩＣ，ＬＩＤと、支持部材に支持された第３導電層２１４，２３８と、第１，第２及び第３導電層の隣接層同士を接続する複数のプラグＨＬＡ〜ＨＬＤとを含む。 - 特許庁

A first adhesion layer 26 for bonding a sensor substrate 42 and a scintillator 34 and a second adhesion layer 27 for bonding a support substrate 33 and a reinforcement plate 25 are arranged so that an outer edge of the second adhesion layer 27 is located inside of an outer edge of the first adhesion layer 26, when viewed from a direction orthogonal to a surface direction of the reinforcement plate 25.例文帳に追加

センサ基板４２とシンチレータ３４とを貼り合わせる第１の接着層２６と、支持基板３３と補強板２５とを貼り合わせる第２の接着層２７とは、補強板２５の面方向に直交する方向から見たときに、第２の接着層２７の外縁が、第１の接着層２６の外縁の内側になるように配置されている。 - 特許庁

The optical absorbing layer 19 is provided on a side opposite to the side of the second electrode 22, on which the photoconductive layer 20 is provided, in a region outside between the first electrode 15 and the second electrode 22, wherein the optical absorbing layer transmits the light in the near-infrared region which is an absorption wavelength region of the photoconductive layer 20, and absorbs light in a visible region.例文帳に追加

この光吸収層１９は、第１の電極１５及び第２の電極２２の電極間の外側の領域の、第２の電極２２の光導電層２０の設けられている側とは反対側に設けられており、光導電層２０の吸収波長領域である近赤外領域の光を透過し、可視領域の光を吸収する。 - 特許庁

The capacitor device is provided with: a pair of conductive layers 214 and 224 which face each other; a first dielectric layer 226 which is formed on a surface of the first conductive layer 224 and has a first dielectric constant; and a second dielectric layer 230 which has a second dielectric constant and is sandwiched between the first conductive layers 214 and 224 through the first dielectric layer 226.例文帳に追加

互いに向かい合う一対の第１の導電層２１４，２２４と、第１の導電層２２４の表面上に形成され、第１の誘電率を有する、第１の誘電層２２６と、第２の誘電率を有し、第１の誘電層２２６を介して第１の導電層２１４，２２４の間に挟まれた第２の誘電層２３０と、を備える。 - 特許庁

The level difference between the color filter and the black matrix can be reduced in a color filter process to obtain flatness characteristics by forming a second protective layer protecting the black matrix, heightening process stability and connecting a transparent conductive layer and a metal wiring to each other through a contact hole while an insulating layer within a pixel region and the like are maintained as it is by the structure including the second protective layer.例文帳に追加

ブラックマトリックスを保護する第２保護層を形成して、工程安定性を高めて、第２保護層を含めた構造で画素領域内絶縁層などをそのまま維持してコンタクトホールを通じて透明導電層と金属配線を連結させて、カラーフィルター工程でブラックマトリックスとの段差を縮めて、平坦化特徴を持つことが長所である。 - 特許庁

The semiconductor device 100 includes: a first interlayer insulating film 3; the lower-layer wiring 7 formed on the first interlayer insulating film 3; a second interlayer insulating film 8 formed on the lower-layer wiring 7; and the upper-layer wiring 13 that is formed on the second interlayer insulating film 8 and crosses a prescribed portion 71 in the lower-layer wiring 7 in a plan view.例文帳に追加

半導体装置１００は、第１層間絶縁膜３と、第１層間絶縁膜３上に形成された下層配線７、下層配線７上に形成された第２層間絶縁膜８と、第２層間絶縁膜８上に形成され、平面視で下層配線７の所定部分７１と交差する上層配線１３とを含む。 - 特許庁

The nitride semiconductor light-emitting element, including a first-conductivity-type nitride semiconductor layer, an active layer, and a second-conductivity-type nitride semiconductor layer successively stacked on a substrate, in which a light extraction surface located above the second-conductivity-type nitride semiconductor layer has a conical or pyramidal projecting portion, as well as a method for manufacturing the nitride semiconductor light-emitting element are provided.例文帳に追加

基板上に順次積層された、第１導電型窒化物半導体層と、活性層と、第２導電型窒化物半導体層と、を含み、第２導電型窒化物半導体層の上方に位置する光取り出し面が錐体状の凸部を有している窒化物半導体発光素子とその窒化物半導体発光素子の製造方法である。 - 特許庁

The ferroelectric emitter is composed of a ferroelectric layer 11, a first electrode 32a and a second electrode 32b each formed on either end region on the ferroelectric layer 11, and a mask layer 33 formed with a given pattern between the first electrode 32a and the second electrode 32b arranged near the center part of the ferroelectric layer 11.例文帳に追加

強誘電層１１と、強誘電層１１上の両端部領域に各々形成された第１電極３２ａ及び第２電極３２ｂと、強誘電層１１上の中央部の近傍部に配置された第１電極３２ａ及び第２電極３２ｂ間に所定のパターンを有して形成されたマスク層３３とから構成する。 - 特許庁

The microwave oscillation element is constituted by layering a first electrode, a magnetization fixed layer where a magnetization direction is fixed, an intermediate layer, a magnetization free layer where the magnetization direction can be changed and a second electrode in the order, wherein one of the magnetization free layer and the second electrode is composed of nanoparticles.例文帳に追加

本発明のマイクロ波発振素子は、第１の電極と、磁化方向が固定された磁化固定層と、中間層と、磁化方向を変化させることのできる磁化自由層と、第２の電極とが、この順に積層されて構成されるマイクロ波発振素子において、前記磁化自由層もしくは前記第２の電極のどちらか一方がナノ粒子からなっている。 - 特許庁

The non-volatile memory device containing a resistance-varying material comprises a lower electrode, a first oxide layer formed of an oxide having a variable oxidation state on the lower electrode, a second oxide layer formed on the first oxide layer, and an upper electrode formed on the second oxide layer.例文帳に追加

可変抵抗物質を含む不揮発性メモリ素子において、下部電極と、下部電極上に酸化状態の変化可能な酸化物から形成された形成された第１酸化層と、第１酸化層上に形成された第２酸化層と、第２酸化層上に形成された上部電極と、を備える二つの酸化層を利用した不揮発性メモリ素子である。 - 特許庁

In the film-deposition method, a first layer having a surface containing the first organic compound is formed on the film-deposited substrate, a second layer having a surface containing the first organic compound is formed on the film-depositing substrate, and the surface containing the first organic compound of the first layer and the surface containing the first organic compound of the second layer are crimped to each other.例文帳に追加

上記目的を達成するために、第１の有機化合物を含む表面を有する第１の層を被成膜基板に形成し、第１の有機化合物を含む表面を有する第２の層を成膜用基板に形成し、第１の層の第１の有機化合物を含む表面と、第２の層の第１の有機化合物を含む表面と、を圧着する。 - 特許庁

Further the phase-difference plate is distinguished by that a first layer made of the material having positive proper double refraction value and a second layer made of the material having negative proper double refraction value are incorporated therein and the first layer and the second layer have double refraction and are laminated by making lagging axes thereof orthogonally cross each other.例文帳に追加

また、固有複屈折値が正の材料からなる第一の層と、固有複屈折値が負の材料からなる第二の層とを有し、前記第一の層および前記第二の層は複屈折を有し、且つ前記第一の層および前記第二の層の遅相軸を互いに直交させて積層してなることを特徴とする位相差板である。 - 特許庁

The structure is formed between a first substrate and a second substrate, and is configured by a buffer layer having an opening formed on the first substrate, a conductive layer formed on the buffer layer, and a non-conductive film formed between the conductive layer and the second substrate as bonding means for the bonding structure.例文帳に追加

第一のサブストレートと第二のサブストレートとの間に形成されており、その構造は、第一のサブストレート上に形成され開口部を有する緩衝層と、緩衝層上に形成される伝導性層と、ボンディング構造のためのボンディング手段として、伝導性層と第二のサブストレートとの間に形成される非伝導性フィルムから成る。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting device includes a substrate, a semiconductor light-emitting layer, having an outer surface situated on the upper side of the substrate and apart from the substrate, a first transparent electroconductive layer situated on the upper side of the outer surface having a first surface, and a second transparent electroconductive layer situated on the upper side of the first transparent electroconductive layer having a second surface.例文帳に追加

本発明による半導体発光装置は、基板と、基板の上方に位置し基板から離れる外表面を有する半導体発光層と、外表面の上方に位置し第一の表面を有する第一の透光性導電層と、第一の透光性導電層の上方に位置し第二の表面を有する第二の透光性導電層と、を含む。 - 特許庁

The thin film transistor includes a gate electrode, a gate insulating film formed over the gate electrode, a first semiconductor layer formed of a microcrystalline semiconductor formed on the gate insulating film, a second semiconductor layer provided on the first semiconductor layer and having an amorphous semiconductor, and a source region and a drain region which are formed on the second semiconductor layer.例文帳に追加

ゲート電極と、ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられ微結晶半導体でなる第１の半導体層と、第１の半導体層上に設けられ非晶質半導体を有する第２の半導体層と、第２の半導体層上に設けられたソース領域およびドレイン領域とを薄膜トランジスタに設ける。 - 特許庁

A method of manufacturing a layer pattern includes a step (a) for, by forming a first layer located on a substrate and a second layer located on the first layer, forming a sectioned area on the substrate by the first and second layers and step (b) for discharging liquid material onto the area from a discharging part of a discharging device.例文帳に追加

層パターン製造方法は、基板上に位置する第１の層と前記第１の層上に位置する第２の層とを形成することで、前記第１の層と前記第２の層とによって区画された領域を前記基板上に形成するステップ（ａ）と、吐出装置の吐出部から前記領域に液状の材料を吐出するステップ（ｂ）と、を含む。 - 特許庁

In this information transfer method through data connection by protocol stacks 206 and 210 equipped with a certain fixed first protocol layer and a certain fixed second protocol layer, a protocol identifier is generated, and the value of the protocol identifier is decided according to the first protocol layer in the protocol stack, and the protocol identifier is transferred to the second protocol layer in the protocol stack.例文帳に追加

ある一定の第１のプロトコル・レイヤとある一定の第２のプロトコル・レイヤとを備えるプロトコル・スタック(206、210)によるデータ接続を介した情報転送方法は、プロトコル識別子を生成し、プロトコル・スタック中の第１のプロトコル・レイヤに従ってプロトコル識別子の値を決定し、プロトコル・スタック中の第２のプロトコル・レイヤへプロトコル識別子を転送する。 - 特許庁

A recording layer 13, in which information is written or read by a light beam having a second wavelength causing large spherical aberration due to thickness error of a protective layer, is disposed between a recording layer 11 and a recording layer 15, in which information is written or read by a light beam having a first wavelength (being longer than the second wavelength).例文帳に追加

保護層の厚み誤差に対し球面収差の発生量の大きい、第２の波長の光ビームにより情報の書き込み、あるいは、読み出しが行われる記録層１３を、（第２の波長に長い波長である）第１の波長の光ビームにより情報の書き込み、あるいは、読み出しが行われる記録層１１と記録層１５との間に配置する。 - 特許庁

A capacitor and a DRAM having this capacitor include a first layer 2 of a conductive doped perovskite material, a second layer 3 of an anti- conductive doped perovskite material, and a depletion layer 1 formed in the interface between the first and second layers made of the conductive perovskite material and constituting the insulating layer of the capacitor.例文帳に追加

キャパシタとこのようなキャパシタを有するＤＲＡＭは、導電性のドープされたペロブスカイト物質の第１の層２と、第１の層に接触する、反対導電型のドープされたペロブスカイト物質の第２の層３と、導電性ペロブスカイト物質の第１および第２の層の間の界面に形成され、キャパシタの絶縁体層である空乏層１とを有する。 - 特許庁

The sensor substrate 1 and the through-hole wiring substrate 2 are connected with a first connecting metal layer 18 and a second connecting metal layer 28 for shielding formed on each facing surface, and also the first connecting metal layer 19 and the second connecting metal layer 29 formed on each facing surface are connected.例文帳に追加

センサ基板１と貫通孔配線形成基板２とは、互いの対向面に形成された第１の封止用接合金属層１８と第２の封止用接合金属層２８とが接合されるとともに、互いの対向面に形成された第１の接続用接合金属層１９と第２の接続用接合金属層２９とが接合されている。 - 特許庁

An anode portion 1a and a cathode portion 1b of a capacitor element 1 are electrically connected to the first anode portion 31 and first cathode portion 41 respectively, the second anode portion 32 and second cathode portion 42 are exposed from an external-layer resin 2, and the anode conductive layer 33 and cathode conductive layer 43 are exposed from the external-layer resin 2.例文帳に追加

そして、第１陽極部３１と第１陰極部４１にはそれぞれ、コンデンサ素子１の陽極部１ａと陰極部１ｂが電気的に接続され、第２陽極部３２と第２陰極部４２が外層樹脂２から露出すると共に、陽極導電層３３と陰極導電層４３が外層樹脂２から露出している。 - 特許庁

The first adsorbent layer 12-1 comprising a hydrophobic porous polymer, and the second adsorbent layer 12-2 comprising a carbon molecular sieve are arranged in series along a passing direction of sample air in a collection tube 11, and the first adsorbent layer 12-1 is arranged in an upstream of the second adsorbent layer 12-2 as to a flow of the sample air.例文帳に追加

捕集管１１内に、疎水性ポーラスポリマーからなる第１の吸着剤層１２-1とカーボンモレキュラーシーブからなる第２の吸着剤層１２-2とを試料空気の通過方向に沿って直列に配置し且つ第１の吸着剤層１２-1を試料空気の流れに関して第２の吸着剤層１２-2よりも上流に配置した。 - 特許庁

A device is provided with a first irradiation means 1 irradiating an insulation layer formed on a metallic layer of a substrate 7 with a first laser beam and a second irradiation means 2 irradiating a residual layer left on the metallic layer by the first laser beam emitted by the first irradiation means 1 with a second laser beam whose optical axis is matched with the first laser beam.例文帳に追加

基板７の金属層上に形成された絶縁層に第１レーザ光を照射する第１照射手段１と、第１照射手段１によって照射した第１レーザ光によって金属層上に残った残渣層に第１レーザ光と光軸が一致する第２レーザ光を照射する第２照射手段２とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

The array substrate 200 has a laminate 105 comprising a first color filter layer CF1 in a specified pattern, a second color filter layer CF2 layered on at least a part of the first color filter layer CF1, and a columnar spacer 104 layered on the second color filter layer CF2, in an outside region 103 of a sealing material 106.例文帳に追加

アレイ基板２００は、シール材１０６の外側領域１０３において、所定パターンの第１カラーフィルタ層ＣＦ１と、第１カラーフィルタ層ＣＦ１上の少なくとも一部に積層された第２カラーフィルタ層ＣＦ２と、第２カラーフィルタ層ＣＦ２上に積層された柱状スペーサ１０４とからなる積層体１０５を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

A cavity plate 15 forming an ink jet head 30 comprises a clad material 16 integrating a first layer 15a and a second layer 15b of different material, and a manifold plate 15c stacked vertically wherein a pressure chamber 18 is formed in the first layer 15a and interconnecting holes 34 and 35 are formed in the second layer 15b, respectively, by etching.例文帳に追加

インクジェットヘッド３０を形成するキャビティプレート１５は、異なる材料の第１の層１５ａと第２の層１５ｂとが一体となったクラッド材１６と、マニホールドプレート１５ｃとが上下に積層されて構成されており、第１の層１５ａには圧力室１８が、第２の層１５ｂには連通孔３４，３５がそれぞれエッチングによって形成されている。 - 特許庁

A plurality of phenomena is classified to first to third three layers mutually having causal associations so that all relations between phenomena belonging to the first layer and phenomena belonging to the second layer and between phenomena belonging to the second layer and phenomena belonging to the third layer have causal associations of cause-result.例文帳に追加

複数の現象は、互いに因果関係を持つ第１から第３の３つの階層に分類され、複数の現象を分類するときに、第１階層に属する現象と第２階層に属する現象、および、第２階層に属する現象と第３階層に属する現象のそれぞれの間の関係がすべて原因−結果の因果関係をもつようにされる。 - 特許庁