「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(200ページ目) - Weblio英語例文検索

The oxygen absorbing packaging body characterized by having a laminating constitution of an olefin resin inner layer/the first layer of an oxygen barrier resin/a cyclic olefin copolymer layer/the second layer of the oxygen barrier resin/an olefin resin outer layer form the inside of the package to the outside of the package is provided.例文帳に追加

包装内部から包装外部に向けて、オレフィン系樹脂内面層／酸素バリアー性樹脂の第一の層／酸素吸収性樹脂層／環状オレフィン系共重合体層／酸素バリアー性樹脂の第二の層／オレフィン系樹脂外面層の積層構成を有することを特徴とする酸素吸収性包装体。 - 特許庁

A first conductivity-type drain drift layer 101 is formed on a surface of a first conductivity-type semiconductor substrate 100, a second conductivity-type well layer 102 is formed on a surface of the drift layer 101 sequentially, and a trench 106 including an insulating film 107 on an inner wall is formed from a surface of the well layer 102 to the drift layer 101.例文帳に追加

第一導電型の半導体基板１００表面に第一導電型のドレインドリフト層１０１、ドリフト層１０１表面に第二導電型のウェル層１０２を順次形成し、ウェル層１０２表面からドリフト層１０１に至るまで内壁に絶縁膜１０７を有するトレンチ１０６を形成する。 - 特許庁

The element body part 2 includes an element protection layer 4 consisting of a first protective layer 41 covering two diffusion side corner parts 221 formed with a gas introduction port 361 of the diffusion resistance layer 36 and a second protective layer 42 covering the whole outer periphery of the element body part 2 including the first protective layer 41.例文帳に追加

素子本体部２には、拡散抵抗層３６のガス導入口３６１が形成された２つの拡散側角部２２１をそれぞれ覆う第１保護層４１と、第１保護層４１を含む素子本体部２の外周全体を覆う第２保護層４２とからなる素子保護層４が設けられている。 - 特許庁

An SV type GMR element 10B, operating in a CPP mode, comprises a laminated ferri-fixed-magnetic layer 14A fitted unidirectionally by a first antiferromagnetic layer 13, and a free magnetic layer 16 which is long-distance exchange-coupled by a second antiferromagnetic layer 18 with a non-magnetic spacer layer 17 in between.例文帳に追加

本発明のＣＰＰモードで作動するＳＶ型ＧＭＲ素子１０Ｂは、第１反強磁性層１３によって一方向に固着された積層フェリ固定磁性層１４Ａと、第２反強磁性層１８により非磁性スペーサ層１７を介して長距離交換結合した自由磁性層１６より構成されている。 - 特許庁

The upper layer 3 has an upper-layer body 30 retaining exothermic agent 21, a second adhesive layer 22 peelably sticking the upper-layer body 30 to the upper face of the lower layer 2, and a thermal deformation member 6 whose end edge is deformable to roll back to the upper side when being heated with the heat generation of the exothermic agent 21.例文帳に追加

上層３は、発熱剤２１を保持した上層本体３０と、上層本体３０を下層２の上面に引き剥がし可能に接着した第２粘着層２２と、発熱剤２１の発熱に伴い加熱されると、その端縁部が上方側に反り返るように変形し得る熱変形部材６とを備えている。 - 特許庁

Of a first metal oxide layer 91 and a second metal oxide layer 92 used for a pixel electrode 9a in a liquid crystal display device 100, the first metal oxide layer 91 on the lower layer side includes an ITO film with a low content of oxygen; therefore, the connection resistance between the first metal oxide layer 91 and a drain electrode 6b is low.例文帳に追加

液晶装置１００においては、画素電極９ａに用いた第１金属酸化物層９１および第２金属酸化物層９２のうち、下層側の第１金属酸化物層９１は酸素含有量が少ないＩＴＯ膜からなるため、ドレイン電極６ｂとの接続抵抗が低い。 - 特許庁

The nitride layer 11 is equipped with a first layer 111 composed of a nitride of stainless steel containing at least Fe and Cr, and a second layer 112 which is formed on this first layer 111, which is composed of the nitride of which the content of the composition is different from that of the first layer 111, and which has an exposed surface.例文帳に追加

窒化層１１は、少なくともＦｅ及びＣｒを含むステンレス鋼の窒化物よりなる第１の層１１１と、この第１の層１１１上に形成され、この第１の層１１１とは成分の含有量が異なる窒化物よりなり、露出した表面を有する第２の層１１２とを備えている。 - 特許庁

A normal conductor layer 12 and an insulator layer 13 are laminated between a first superconductor layer 11 and a second superconductor layer 14, and a region (a local conducting region 19) having no locally insulating property by an irradiation of a focused ion beam to a side of the insulator layer 13.例文帳に追加

第１超伝導体層１１と第２超伝導体層１４の間に常伝導体層１２及び絶縁体層１３を積層し、絶縁体層１３の側面に集束イオンビームを照射することにより局所的に絶縁性を持たない領域（局所伝導領域１９）を形成する。 - 特許庁

On a substrate 1, an n-type semiconductor layer 2 comprising an n-type GaN layer is laminated, then first, second, and third active layers 3a, 3b, and 3c of InGa1-xN are sequentially laminated, and a p-type semiconductor layer 4 comprising a p-type GaN layer is laminated on the third active layer 3c.例文帳に追加

基板１上にｎ形ＧａＮ層よりなるｎ形半導体層２が積層され、続いてＩｎＧａ_1-XＮよりなる第１の活性層３ａ、第２の活性層３ｂ，第３の活性層３ｃが順次積層され、第３の活性層３ｃ上にｐ形ＧａＮ層よりなるｐ形半導体層４が積層されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor photodetector for which a surface current flowing to the boundary with a passivation film of the side wall of a depletion layer is reduced and long-term reliability is improved by making the outer periphery of the layer of the second conductivity and the layer of the first conductivity holding the depletion layer of the semiconductor photodetector there between narrower than the depletion layer.例文帳に追加

半導体受光素子の空乏層を挟む第二の導電型の層および第一の導電型の層を空乏層より外周を狭めることにより、空乏層の側壁のパッシベーション膜との界面に流れる表面電流を減らし、長期信頼性を改善した半導体受光素子を提供する。 - 特許庁

The probe of the scanning heat microscope comprises a cantilever, a first conductive layer formed in the cantilever, an insulating layer formed on the first conductive layer and having a hole, a second conductive layer formed on the surface of the insulating layer, a thermocouple, and a carbon nanotube installed at an end of the thermocouple.例文帳に追加

本発明に係る走査型顕微鏡のプローブは、カンチレバーと、該カンチレバーに形成される第一導電層と、該第一導電層に形成され、穴が設けられる絶縁層と、該絶縁層の表面に形成される第二導電層と、熱電対と、該熱電対の端部に設置されるカーボンナノチューブと、を含む。 - 特許庁

The electrochromic element has at least a first electrode layer, an electrochromic layer, an ion conductive layer, and a second electrode layer, and the thickness of at least one layer of these constituent layers has a prescribed uneven distribution.例文帳に追加

表示装置用光学フィルターは、透明基板上の主要部分にエレクトロクロミック素子が形成されており、このエレクトロクロミック素子は少なくとも第一電極層、エレクトロクロミック層、イオン導電層、および第二電極層を有してなり、これらの構成層のうち少なくとも１つの層の厚みが所定の不均一分布を有している。 - 特許庁

The compound semiconductor device having the AlInAs buffer layer as the first compound semiconductor layer on the substrate and the second compound semiconductor layer on the first compound semiconductor layer is constituted by adjusting the film thickness of the AlInAs buffer layer to ≥1 μm.例文帳に追加

基板上に、第１の化合物半導体層としてＡｌＩｎＡｓバッファ層を有し、前記第１の化合物半導体層上に第２の化合物半導体層を有する化合物半導体素子において、前記のＡｌＩｎＡｓバッファ層の膜厚を１μｍ以上として化合物半導体素子を構成する。 - 特許庁

The surface layer of the decorative plywood includes a first layer made of a base material having extendibility and a curable resin, and a second layer formed of decorative paper provided on one side surface of the first layer, and is characterized in that A tensile elongation percentage of the surface layer is 0.5-5.0%.例文帳に追加

本発明の表面層は、伸縮性を有する基材と硬化性樹脂とで構成される第１の層と、前記第１の層の片面に設けられた化粧紙で構成される第２の層とを有する化粧板の表面層であって、前記表面層の引張り伸び率が０．５〜５．０％であることを特徴とするものである。 - 特許庁

Subsequent to this, a second semiconductor layer 30, with a non-absorption region having a larger bandgap than that of the active layer 23, is formed so as to contact at least the inclined side surfaces of the active layer 23 in the first semiconductor layer 20, on the upper surface and the side surfaces 20F, 20R of the first semiconductor layer 20.例文帳に追加

これに続けて、第１半導体層２０の上面および傾斜した側面２０Ｆ，２０Ｒに、第１半導体層２０のうち少なくとも活性層２３の傾斜した側面に接して活性層２３よりもバンドギャップの大きな非吸収領域を有する第２半導体層３０を形成する。 - 特許庁

A first primer layer 8, a heat curing synthetic resin layer 9 and a second primer layer 10 are coated in order in a solution state of a on the outer periphery face of a innermost layer 5 made of politetrafluoroethilene (PTFE) to form a laminate, after then, the laminate is covered by an outermost layer 7 made of porous PTFE for heat shrinkage.例文帳に追加

多孔質ポリテトラフルオロエチレン樹脂（略称ＰＴＦＥ）製最内層５の外周面上に、第１プライマ層８と熱硬化性合成樹脂層９と第２プライマ層１０とをこの順序で溶液の状態で塗布して形成し、その後、多孔質ＰＴＦＥ製最外層７をかぶせて熱収縮させる。 - 特許庁

The elastic layer is formed by mixing an adhesive and granular rubber members formed by pulverizing waste tires, and the elastic layer is formed between a plurality of plate materials by applying the elastic layer like a layer on a surface of the first plate material, laminating the second plate material on a surface of the elastic layer, and carrying out integral pressurized drying.例文帳に追加

接着剤と、廃タイヤを粉砕して形成した粒状ゴム部材とを混合して弾性層を形成し、弾性層を第１の板材の表面に層状に塗布し、弾性層の表面に第２の板材を重ねて一体に加圧乾燥させ、弾性層を複数の板材の間に形成させる。 - 特許庁

The semiconductor laser device has a first current constriction layer 17 formed between a p-side electrode 19 and an active layer 14 on a substrate 11 through an oxidation process, and a second current constriction layer 22 formed between the active layer 14 and the first current constriction layer 17 not through the oxidation process.例文帳に追加

基板１１上のｐ側電極１９と活性層１４との間に酸化工程を経て形成される第１の電流狭窄層１７を有し、かつ、活性層１４と第１の電流狭窄層１７との間に酸化工程を経ることなく形成された第２の電流狭窄層２２を有する。 - 特許庁

A common anode lead electrode 9 and cathode lead electrodes 6, 7, 8 are formed in the third layer of the multilayered substrate, and the anode and respective cathodes of the first layer are electrically connected to the anode lead electrode and cathode lead electrodes of the third layer through the wiring part 5 of the second layer and through holes formed in each layer.例文帳に追加

多層基板の第3層に共通陽極取り出し電極９、陰極取り出し電極６，７，８を形成し、第１層の陽極および各陰極と第3層の陽極取り出し電極および陰極取り出し電極とを第2層の配線部５および各層に設けた貫通孔を介して電気的に接続する。 - 特許庁

The dye-sensitized solar cell 100 includes a glass substrate 1, a transparent conductive layer 1, a porous semiconductor layer 2, a porous insulating layer 3, a plurality of photoelectric conversion elements 10 comprising counter electrode layers 4, a cover glass substrate 22, and a first glass frit layer 23 and a second glass frit layer 24 as the sealing material.例文帳に追加

色素増感太陽電池１００は、ガラス基板１と、透明導電性層１、多孔質半導体層２、多孔質絶縁層３、対極層４からなる複数の光電変換素子１０と、カバーガラス基板２２と、封止材としての第１のガラスフリット層２３及び第２のガラスフリット層２４を有する。 - 特許庁

Then, the semiconductor layer 13, and a part directly below the semiconductor layer 13 in the semiconductor substrate 1 are made porous by anodization treatment, thus performing a process for making a film porous in which the electrical heating element 3 made of a second porous semiconductor layer and a heat-insulating layer 2 made of a first porous semiconductor layer are formed successively.例文帳に追加

次に、半導体層１３および半導体基板１における半導体層１３直下の部位を陽極酸化処理にて多孔質化することで第２の多孔質半導体層からなる発熱体３、第１の多孔質半導体層からなる断熱層２を順次形成する多孔質化工程を行う。 - 特許庁

A first p-type clad layer 96a in a p-type clad layer 96 provided on the active layer 15 comprises a p-type nitride semiconductor containing aluminum and gallium and a second p-type clad layer 96b comprises a similar p-type nitride semiconductor having a band gap larger than that of the first p-type clad layer 96a.例文帳に追加

活性層（１５）上に設けられるｐ型クラッド層９６のうち、第１のｐ型クラッド層（９６ａ）をアルミニウムとガリウムを含むｐ型窒化物半導体で形成し、第２のｐ型クラッド層（９６ｂ）を同様のｐ型窒化物半導体であるが、第１のｐ型クラッド層（９６ｂ）よりもバンドギャップの大きいもので形成する。 - 特許庁

The grinding tool for grinding consists of a base 10 and an abrasive grain layer 20 formed by plating on the surface 10a of the base, wherein the abrasive grain layer 20 is composed of a first abrasive grain layer 21 formed on the surface 10a of the base 10 and a second abrasive grain layer 22 formed on the oversurface of the first abrasive grain layer 21.例文帳に追加

基体１０と、この基体１０の表面１０ａにめっきで形成された砥粒層２０とからなる研削用砥石において、砥粒層２０を、基体１０の表面１０ａに形成された第１の砥粒層２１と第１の砥粒層２１の上面に形成された第２の砥粒層２２とで構成した。 - 特許庁

A laminated body area with coil conductors 16 formed is made of a nonmagnetic material layer 12, an inner area with coil conductors 16 formed is made of a first magnetic material layer 13, and a second magnetic material layer 14 is made at the lower side of the nonmagnetic material layer 12 and the first magnetic material layer 13.例文帳に追加

コイル導体１６が形成されている積層体領域は非磁性体層１２からなり、コイル導体１６が形成されている領域の内側領域は第１磁性体層１３からなり、非磁性体層１２及び第１磁性体層１３の下側には第２磁性体層１４が積層されている。 - 特許庁

For an FED panel, a plurality of emitter stacks, respectively comprising a dielectric layer, a first conduction layer 84 as a cathode, made of conductive paste, of which, the surface of surrounding sidewall is covered by a nano-tube emitter layer 86, and a second conduction layer 88 made of conductive paste, arranged at the peak part of the nano-tube emitter layer 86, are formed.例文帳に追加

ＦＥＤパネルでは、複数のエミッタスタックが、それぞれ、誘電体層と、カソード８２として周囲の側壁表面上をナノチューブエミッタ層８６で覆われる導電ペーストの第１導電層８４と、ナノチューブエミッタ層８６の頂部に配置される導電ペーストの第２導電層８８とを有して形成される。 - 特許庁

In this compression conductor 1, both of a first compression conductor layer 4 that becomes the outermost layer and a second compression conductor layer 5 immediately under the first compression layer 4 are twisted in S twisting having the same twisting direction, and moreover, a target value of outer diameter reducing rate is set at 2% when the first compression conductor layer 4 is formed, and this is produced.例文帳に追加

この圧縮導体１は、最外層となる第一圧縮導体層４、及び第一圧縮導体層４の直下の第二圧縮導体層５の撚り方向を共に同方向となるＳ撚りにし、尚かつ、第一圧縮導体層４を形成する際の外径減少率のねらい値を２％に設定して製造する。 - 特許庁

A second layer is formed by a non-magnetic metallic film or a metal oxide film being a barrier layer 4, a third layer is constituted of a non-magnetic glass film being a joining layer 5, the gap is formed by being joined by the glass film of the third layer by heat treatment, and the magnetic head having high quality and high gap width precision can be manufactured.例文帳に追加

第２層がバリア層４となる非磁性の金属膜または金属酸化物膜で形成され、第３層が接合層５である非磁性ガラス膜より構成され、熱処理により第３層のガラス膜により接合されることでギャップが形成され、高品質且つ、ギャップ幅精度の高い磁気ヘッドが作成できる。 - 特許庁

The fixing device is a fixing member used in an electrophotographic device and is composed by laminating successively, from the cross sectional center of the fixing member, a core bar member 1. a first electric insulating layer 2, a heat insulating layer 3, a resistance heater 4, a second electric insulating layer 5, a releasing layer substrate 6, and a releasing layer 7.例文帳に追加

本発明の定着装置は、電子写真装置で用いられる定着装置に使われる定着部材で、定着部材断面中心側から、芯金部材１、第１電気絶縁層２、断熱層３、抵抗発熱体４、第２電気絶縁層５、離型層基体６及び離型層７を順次積層して構成されている。 - 特許庁

Further, information is recorded in a second rotational direction opposite to the first rotational direction when viewed from a second surface 30A side by irradiating a second recording/reproducing layer 34 with a second recording/reproducing beam 170B while performing tracking control using the serve layers 18 and 20 common to the first recording operation (a second recording operation).例文帳に追加

また、この第１記録動作と共通のサーボ層１８、２０を用いてトラッキング制御を行いながら、第２記録再生層３４に対して第２記録再生用ビーム１７０Ｂを照射して、第２表面３０Ａ側から視て、第１回転方向と反対の第２回転方向に情報の記録を行う（第２記録動作）。 - 特許庁

The system includes: a package base 16 including a plurality of layers including a first layer and a second layer; a plurality of electrical contacts which include a first electrical contact on the first layer and a second electrical contact on the second layer; and a plurality of integrated circuits which include a first integrated circuit electrically coupled to the first electrical contact and a second integrated circuit electrically coupled to the second electrical contact.例文帳に追加

複数の層を有するパッケージ・ベース１６であって、前記複数の層が第１の層および第２の層を有することを特徴とするパッケージ・ベース１６と、複数の電気的接点であって、前記第１の層に第１の電気的接点を備え、前記第２の層に第２の電気的接点を備えることを特徴とし、複数の集積回路であって、第１の電気的接触に電気的に結合された第１の集積回路と、第２の電気的接触に電気的に結合された第２の集積回路とを有することを特徴とするシステム。 - 特許庁

When a metal wiring layer connected with a gate layer is formed above the gate layer in order to transmit an electric signal to the gate layer of a MOS transistor formed in a functional circuit region adjacent to the cell formation region of an SRAM memory cell, the metal wiring layer is arranged in a layer different from a wordline layer formed above the gate layer at a metal damascene process using a second metal damascene process.例文帳に追加

ＳＲＡＭメモリセルのセル形成領域に隣接した機能回路領域に形成されるＭＯＳトランジスタのゲート層に電気的信号を伝達するために前記ゲート層と接続される金属配線層を前記ゲート層の上方に形成する場合に、前記ゲート層の上方に金属ダマシン工程で形成されるワードライン層とは互いに異なる層で第２の金属ダマシン工程を用いて前記金属配線層を配置する。 - 特許庁

This construction method for constructing a weed preventing layer includes forming a first chip layer 4 by laying dried bamboo chips 3 on the ground surface G, forming a shading layer 6 by scattering charcoal 5 on the first chip layer 4, forming a foaming layer 9 by pouring polyurethane foam 8 while mixing if necessary, dried bamboo chips 7 onto the shading layer 6, and forming a second chip layer 12 by scattering dried bamboo chips 11 on the foaming layer 9.例文帳に追加

地表面Ｇに乾燥した竹チップ３を敷設して第一チップ層４を形成し、次に第一チップ層４上に炭５を撒いて遮光層６を形成し、遮光層６上に必要に応じて乾燥した竹チップ７を混入しつつ発泡ポリウレタン剤８を注入して発泡層９を形成し、更に発泡層９上に乾燥した竹チップ１１を撒いて第二チップ層１２を形成することで雑草防除層を構築する。 - 特許庁

A stacked capacitor comprises a cylindrical conductive layer 118 having an opening 120 as a lower electrode thereof, a second barrier layer 116 provided in the opening 120 of the layer 118 to fill a part of the opening 120, a capacitor dielectric layer 122 provided on the layer 118 and the layer 116, and an upper electrode layer 124 provided on the layer 122.例文帳に追加

本発明のスタックキャパシタは、スタックキャパシタの下部電極であって、開口部１２０を有する円筒形導電層１１８と、円筒形導電層１１８の開口部１２０中に設けて開口部１２０の一部分を充填する第２バリア層１１６と、円筒形導電層１１８と第２バリア層１１６との上に設けられたキャパシタ誘電体層１２２と、キャパシタ誘電体層１２２上に設けられた上部電極層１２４とを含む。 - 特許庁

The structure of this light emitting device has the first electrode formed on the insulated surface, a first insulating layer covering the end of the first electrode and having a taper rim, a second insulating layer of one or more kinds selected from silicon oxide, silicon nitride, oxidized and oxynitride silicon, an organic compound layer formed on the second insulating layer, and a second electrode formed on the organic compound layer.例文帳に追加

本発明の発光装置の構成は、絶縁表面上に形成された第１の電極と、第１の電極の端部を覆いテーパー状の縁を有する第１の絶縁層と、第１の電極及び前記第１の絶縁層上に形成され、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコンから選ばれた一種又は複数種から成る第２の絶縁層と、第２の絶縁層上に形成された有機化合物層と、有機化合物層上に形成された第２の電極とを有している。 - 特許庁

The field effect transistor includes: a first nitride semiconductor layer 13 formed on a substrate 11; a second nitride semiconductor layer 14 formed on the first nitride semiconductor layer 13 with a larger band gap compared to the first nitride semiconductor layer 13; a first insulating film 15 composed of a crystalline silicon nitride and formed on the second nitride semiconductor layer 14; and a second insulating film 16 formed on the first insulating film 15.例文帳に追加

電界効果トランジスタは、基板１１の上に形成された第１の窒化物半導体層１３と、第１の窒化物半導体層１３の上に形成され、第１の窒化物半導体層１３と比べてバンドギャップが大きい第２の窒化物半導体層１４と、第２の窒化物半導体層１４の上に形成された結晶性の窒化シリコンからなる第１の絶縁膜１５と、第１の絶縁膜１５の上に形成された第２の絶縁膜１６とを備えている。 - 特許庁

The communication terminal device is formed of a freely deforming layer (4) bending flexibly, a first display base (3), and a second display base (5).例文帳に追加

柔軟に屈曲する変形自由層（４）と、第１表示基体（３）と、第２表示基体（５）とから形成されている。 - 特許庁

The second low-melting glass layer 38 is formed by applying low-melting glass to side portions of the package base body 31, followed by solidification.例文帳に追加

第２低融点ガラス層３８は、パッケージベース本体３１の辺部に低融点ガラスを塗付し、固化して形成してある。 - 特許庁

This forms the second layer polymethylsilsesquioxane (MSQ) film 11b, including hardly little dangling bond or Si-OH base.例文帳に追加

これにより、ダングリングボンドやＳｉ−ＯＨ基が殆ど無い、第２層ポリメチルシルセスキオキサン（ＭＳＱ）膜１１ｂを成膜する。 - 特許庁

The constitution in which the second rigid film is applied under the anchor layer is included in this invention.例文帳に追加

また、更なる耐久性を発揮すべく、アンカー層の下に第二硬質膜を有する構成も本発明に含有される。 - 特許庁

The electrocast layer 3 is peeled off together with the second flat plate 5 from the front surface of the first flat plate 4, to obtain a mother die 6.例文帳に追加

第一の平板４の表面から第二の平板５とともに電鋳層３を引き剥がし、母型６を得る。 - 特許庁

The content of the fluorine type polymeric compound in the second release layer is 15-40 vol.%.例文帳に追加

第二離型層におけるフッ素系高分子化合物の含有率は、１５体積％以上４０体積％以下である。 - 特許庁

A reflecting layer 21 to reflect the incident light from the first substrate side is formed on the surface of the second substrate 20.例文帳に追加

第２基板２０の面上には、第１基板側からの入射光を反射させる反射層２１が設けられている。 - 特許庁

The second and third clad layers 108 and 109 and contact layer 110 are formed in the form of a stripe-like ridge and become a current injecting region.例文帳に追加

第２、第３クラッド層、及びコンタクト層はストライプ状リッジとして形成され、電流注入領域となる。 - 特許庁

A pinned layer 140 contains a first ferromagnetic film 141, a second ferromagnetic film 143, and a non-magnetic metallic film 142.例文帳に追加

ピンド層１４０は、第１の強磁性膜１４１と、第２の強磁性膜１４３と、非磁性金属膜１４２とを含む。 - 特許庁

The humidifying unit for a fuel cell comprises a first air guide board, a second air guide board and a middle layer.例文帳に追加

本発明は、第一導気板、第二導気板、及び中間層からなる燃料電池用の加湿ユニットを提供する。 - 特許庁