「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(202ページ目) - Weblio英語例文検索

A second sequence number is further added to each link-layer packet to be transmitted for the first sequence number.例文帳に追加

第二の系列番号はさらに第一の系列番号に関して伝送されるべき各回線層パケットに付加される。 - 特許庁

A second region 20B other than the channel region 20A in the semiconductor layer 20 has a non-crystalline phase.例文帳に追加

また、半導体層２０における、このチャネル領域２０Ａ以外の第２の領域２０Ｂは、非結晶相とされている。 - 特許庁

Then, light exposure alignment to the GaN-based epitaxial layer is carried out referring to the second alignment mark 120.例文帳に追加

続いて、第２のアライメントマーク１２０を参照しながら、ＧａＮ系エピタキシャル層に対する露光の位置合わせを行う。 - 特許庁

A hologram recording raw material 27 is disposed between the second substrate 9 and the first substrate 3 on which the reflection layer 5 is formed.例文帳に追加

第２基板９と反射層５が形成された第１基板３との間にホログラム記録原料２７を配置する。 - 特許庁

The inner circumference of the tube 1 including the new second electrode layer 12g formed is sealed airtight by the sealing part 110.例文帳に追加

成膜された新たな第２電極層１２ｇを含む管１の内周を封止部１１０で気密に封止する。 - 特許庁

In the embodiment shown in Fig., the etching stopper film 210 is formed over the second insulating layer 200 and the interconnect 162.例文帳に追加

本図に示す例では、エッチングストッパー膜２１０は、第２絶縁層２００上及び配線１６２上に形成されている。 - 特許庁

The second ESD layer 111 is non-dope GaN, where the thickness is 50-200 nm and the pit density is ≥2×10^8/cm^2.例文帳に追加

第２ＥＳＤ層１１１は、厚さ５０〜２００ｎｍ、ピット密度２×１０^8 ／ｃｍ^2 以上のノンドープのＧａＮである。 - 特許庁

In the background resin layer, a recess is formed or a projection is formed in a portion where the second resin 12 is supplied.例文帳に追加

下地樹脂層に第２の樹脂１２が供給された部分に陥没部が形成され、または隆起部が形成される。 - 特許庁

The luminous layer 28 has an adhesive material, and a second scintillator material for the detection of α rays added to the adhesive material.例文帳に追加

発光層２８は、接着材料と、それに添加されたα線検出用の第２シンチレータ材料と、を有する。 - 特許庁

The first DBR 13, the active layer 15, and the second DBR 17 are arranged in the predetermined axis Ax direction.例文帳に追加

第１のＤＢＲ１３、活性層１５および第２のＤＢＲ１７は、所定の軸Ａｘの方向に配置されている。 - 特許庁

The metal layer 4 has a first electroformed surface 18 which is electrically insulated from a second electroformed surface 19.例文帳に追加

金属層４は第２の鋳造表面１９からは電気的に絶縁された第１の鋳造表面１８をもつ。 - 特許庁

After that, further, the second metal layer 106c made of gold (Au) is laminated by about 100 nm thickness by depositing.例文帳に追加

その後更に、金（Ａｕ）から成る第２金属層１０６ｃを蒸着によって約１００ｎｍの膜厚で積層する。 - 特許庁

In this way, the second wiring layer is disposed approximately in the form of a ring and has shield effects against EMI noise.例文帳に追加

第２の配線層Ｌ２がほぼ環状に配設されることとなり、ＥＭＩノイズに対するシールド効果を有するものとなる。 - 特許庁

The optical function film 13 includes a first multilayer film 13a, a second multilayer film 13b and an adhesive layer 13c.例文帳に追加

光学的機能膜１３は、第１の多層膜１３ａと、第２の多層膜１３ｂと、接着剤層１３ｃとを有する。 - 特許庁

The element part subjected to the water cleaning process is impregnated with an electrolytic polymerization solution to electrolytically polymerize a second conductive polymer layer.例文帳に追加

水洗工程を経た素子部を電解重合溶液に含浸し、第２の導電性高分子層を電解重合する。 - 特許庁

Thermally discoloring paint 18 is applied to the surface of the second layer 1b before cutting the wiring 11.例文帳に追加

その際、前記配線１１の切断前に第２層１ｂの表面に熱を受けて変色する塗料１８を塗布しておく。 - 特許庁

The surface of the second clad layer is ground so as to make the epitaxial wafer uniform in thickness in the grounding step S103.例文帳に追加

研削工程Ｓ１０３では，第２クラッド層の表面を研削してエピタキシャルウェハの層厚バラツキを小さくする。 - 特許庁

A hollow linear part is formed with the first and third layers 41, 43 by removing the core material 3 and the second layer 42.例文帳に追加

その後、芯材3及び第2の層42を除去して、第1の層41及び第3の層43により中空線状部を形成する。 - 特許庁

The second deposit source 64 uniformly forms the electronic transport layer also by moving in the same manner as the first deposit source 62.例文帳に追加

第二蒸着源６４も第一蒸着源６２と同様に移動することで電子輸送層を均等に形成する。 - 特許庁

At least in either of the first and the second multilayer reflection films 102 and 104, a current narrowing layer 105 is formed.例文帳に追加

第１および第２多層反射膜１０２，１０４の少なくとも一方に、電流狭窄層１０５が形成される。 - 特許庁

The second substrate is formed from a metallic substrate 50 coated with an insulating layer 52 over a mounting surface with the electron sources.例文帳に追加

第２基板は、電子源が設けられた設置面を絶縁層５２で被覆した金属基板５０により形成されている - 特許庁

When data are written, a write current flows between the first current terminal and the second current terminal through the wiring layer.例文帳に追加

データ書き込み時、配線層を通って第１電流端子と第２電流端子との間に書き込み電流が流れる。 - 特許庁

This invention relates to a manufacturing method of the holographic recording medium having at least a first substrate, the recording layer and a second substrate in this order.例文帳に追加

少なくとも、第一基板、記録層、および第二基板をこの順に有するホログラフィック記録媒体の製造方法。 - 特許庁

In a second step, etching is performed with a mask of the gate electrode 13 so that a surface layer of the silicon substrate 11 is dug more.例文帳に追加

次に、第２工程では、ゲート電極１３をマスクにしたエッチングにより、シリコン基板１１の表面層を掘り下げる。 - 特許庁

The silicon thin film 6 has a two layer structure of a first silicon thin film 2 and a second silicon thin film 5 laid in layers.例文帳に追加

シリコン薄膜６は第１のシリコン薄膜２と第２のシリコン薄膜５が重なり合った２層構造になっている。 - 特許庁

The liquid crystal layer includes a chiral material for twisting the liquid crystal molecule in a second direction that is opposite to the first direction.例文帳に追加

液晶層は、液晶分子を第１方向とは逆の第２方向に捻れさせる性質のカイラル材を含有する。 - 特許庁

Then, a first and a second protective films 4, 5 are formed above the semiconductor wafer 1 to cover the upper wiring layer 30.例文帳に追加

そして、最上の配線層３０を覆うように、半導体ウェーハ１上に、第１、第２の保護膜４、５を形成する。 - 特許庁

A second gate insulating film 16 is formed on the first gate electrode 15 and the element isolation layer 13 conformally.例文帳に追加

第２ゲート絶縁膜１６が、第１ゲート電極１５および素子分離層１３上にコンフォーマルに形成されている。 - 特許庁

A channel region is formed over the first layer, and a second source/drain region 235 is formed over the channel region.例文帳に追加

チャネル領域は、第１の層上に形成され、第２のソース／ドレイン領域２３５はチャネル領域上に形成される。 - 特許庁

And a p^+-type diffusion layer 6 having a high p-type impurity concentration is formed on the second n-well 3.例文帳に追加

そして、第２Ｎウエル３の表面には高いＰ型不純物濃度を有したＰ＋型拡散層６が形成されている。 - 特許庁

The magnetic memory device (10) further comprises a structure (20) for forming a closed flux passage in conjunction with the second ferromagnetic layer (14).例文帳に追加

磁気メモリデバイス(10)は更に、第2の強磁性層(14)とともに閉じた磁束通路を形成するための構造体(20)も含む。 - 特許庁

A ridge stripe 13 is formed on the GaN-base semiconductor layer 12 in the upper part of the second plane region 11b.例文帳に追加

第２の平面領域１１ｂの上方の部分のＧａＮ系半導体層１２にリッジストライプ１３を形成する。 - 特許庁

A metallic wiring layer 13 is provided on the organic film 21 through a second insulating film 22 of silicon nitride.例文帳に追加

有機膜２１上に、シリコン窒化膜からなる第２の絶縁膜２２を介して、金属からなる配線層１３を設ける。 - 特許庁

However, this temple has a special style; there are three areas between the pillars in the first and second layers, while there are two areas between the pillars in the third layer. 例文帳に追加

しかしこの塔は初層・二層の柱間が3間、三層の柱間が2間という特殊な形式になる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

On the second semiconductor layer 4, a Schottky electrode 6 and an ohmic electrode 7 are formed, with a space separating them.例文帳に追加

第２の半導体層４の上には、ショットキー電極６とオーミック電極７とが間隔をおいて形成されている。 - 特許庁

The whole circumference of the outer periphery of the joining part of the second layer 32 and the cap member 21 is welded by the fiber laser.例文帳に追加

第２層３２とキャップ部材２１との接合部分の外周の全周においてファイバーレーザーにより溶接する。 - 特許庁

The first optical resonance layer 14 is thicker than those individual semiconductor layers which constitute the first and second multilayer reflection layers 12 and 16.例文帳に追加

第１の光共振層１４は、第１，第２の多層反射層１２，１６を構成する各半導体層よりも厚い。 - 特許庁

The first semiconductor layer has a first conductivity type and includes a first portion and a second portion thicker than the first portion.例文帳に追加

第１半導体層は、第１導電形であって、第１部分と、第１部分よりも厚い第２部分と、を含む。 - 特許庁

Subsequently, a semiconductor lamination 20 including a gallium nitride based semiconductor layer and having a second marker 27 is formed.例文帳に追加

この後に、窒化ガリウム系半導体層を含むと共に第２のマーカー２７を有する半導体積層２０を形成する。 - 特許庁

A first auxiliary electrode is connected to the drain electrode and arranged on the same layer as the first and the second sub pixel electrodes.例文帳に追加

第１補助電極は第１及び第２サブ画素電極と同一層に形成され、ドレイン電極に接続される。 - 特許庁

The emitter layer 26 includes a second semiconductor having a larger forbidden band width than that of the first semiconductor.例文帳に追加

エミッタ層２６は、第１の半導体材料の禁制帯幅より大きな禁制帯幅を有する第２の半導体を含む。 - 特許庁

To reduce a dark current of a semiconductor light receiving device wherein a second MESA including an embedded layer is provided around a first MESA.例文帳に追加

第１メサの周囲に埋込み層を含む第２メサを設けた半導体受光装置の暗電流を低減する。 - 特許庁

Electrodes 14, 15 are formed on the first semiconductor region 12n and the second semiconductor layer 13p, respectively.例文帳に追加

第１の半導体領域１２ｎと第２の半導体層１３ｐとのそれぞれの上に電極１４，１５を形成する。 - 特許庁

The second electrode is formed on the compound semiconductor layer exposed on the side opposite to the first electrode.例文帳に追加

第２の電極は第１の電極と対向する側に露出させた化合物半導体層上に形成されている。 - 特許庁

Thereby, the unintended doping(memory effects), caused by the magnesium, can be prevented in the second semiconductor layer 12.例文帳に追加

これにより、第２の半導体層１２はマグネシウムにより生じる意図しないドーピング（メモリ効果）を防止することができる。 - 特許庁