「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(205ページ目) - Weblio英語例文検索

A second wiring layer 7 is provided from the inside of the through hole 3 to the principal plane 2b of the semiconductor substrate 2.例文帳に追加

第２の配線層７は貫通孔３内から半導体基板２の第２の主面２ｂに亘って設けられている。 - 特許庁

The semiconductor device has a semiconductor substrate SB and a second wiring layer L2 provided on the semiconductor substrate SB.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板ＳＢと、半導体基板ＳＢ上に設けられた第２の配線層Ｌ２とを備えている。 - 特許庁

Recessed parts 9 are formed on the second adhesive layer side surfaces of the extension parts 8A, 8B by scanning of laser light.例文帳に追加

延在部８Ａ、８Ｂの第二の接着層側の表面に、レーザー光の走査によって凹部９が形成されている。 - 特許庁

A second sheet 13 is joined to the inside surface of the first sheet 12 with an intermediate adhesive layer 14 between them to make a card.例文帳に追加

第１シート１２の内面側に、中間接着層１４を挟んで第２シート１３を接合してカード化する。 - 特許庁

When the insulating layer is provided, it covers the second part 13 of the circuit pattern 11 but the first part 12 is exposed.例文帳に追加

絶縁層を設けることによって回路パターン１１の第二部分１３を被覆するが、第一部分１２を露出する。 - 特許庁

The chip body 2 has a structure where the second coil block 6 is laminated on the first coil block 4 via a static protection layer 5.例文帳に追加

チップ体２は、第２コイルブロック６を第１コイルブロック４上に静電保護層５を介して積層した構造をなす。 - 特許庁

The barrier metal layer 20 has a first portion deposited on the sidewall and a second portion deposited on the bottom.例文帳に追加

バリアメタル層２０は側壁部上に堆積された第１の部分と底部上に堆積された第２の部分とを有する。 - 特許庁

A nonmagnetic layer 8 is provided on the second head core 5 between the side of the recording/reproducing and the side of the erasing.例文帳に追加

そして、第２のヘッドコア５には、記録再生側と消去側との間に非磁性層８が介在して設けられる。 - 特許庁

The three spheres 51, 52 and 53 are surrounded by an outer layer 54 formed of a second material different from the first material.例文帳に追加

３つの球体５１，５２，５３は、その材質とは異なる第２の材質で形成された外層５４で取り囲まれている。 - 特許庁

A first conductive film 23A and a second conductive film 23B are laminated interposing an interlayer insulating layer 22 between them.例文帳に追加

層間絶縁層２２を介して積層された第１の導電膜２３Ａおよび第２の導電膜２３Ｂを設ける。 - 特許庁

The liquid crystal layer 13 is disposed between the first transparent substrate 11 and the second transparent substrate 12 which are the flat plates.例文帳に追加

平板である第１の透明基板１１と第２の透明基板１２との間に液晶層１３を配置する。 - 特許庁

This vacuum sensor has a three-layer structure consisting of a first glass substrate 13, a second glass substrate 14 and a silicon substrate 12 arranged between the both.例文帳に追加

シリコン基板１２を第１ガラス基板１３と第２ガラス基板１４の間に配置して三層構造を有する。 - 特許庁

The second conductive layer having the shape of the cap is created during the immersion process on the end face of the component region thus divided.例文帳に追加

キャップの形状をした第２の導電層は、分割された部品領域の端面上に、浸漬過程で生成される。 - 特許庁

In particular, the upper face of the functional transparent substrate has first facets and second facets including a cholesteric liquid crystal layer.例文帳に追加

特に、機能性透明基板の上面が、第１面と、好ましくはコレステリック液晶層を含む第２面とを有する。 - 特許庁

The noise damping layer comprises a first side face 24 connected to a second side face 26 through an adhesive strip 30.例文帳に追加

騒音減衰層は、接着ストリップ（３０）によって第２の側面（２６）に接続された第１の側面（２４）を含む。 - 特許庁

The second layer 17 has relief features 18 thereon, and a groove 19 is formed between the relief features to provide a retaining feature.例文帳に追加

第２の層（１７）は、その上にレリーフ機構（１８）を有し、レリーフ機構間に溝（１９）を形成し保持機構とする。 - 特許庁

The semiconductor light emitting device comprises a first GaAs layer, a second InAs thin film layer having many InAs quantum dots formed on the first GaAs layer, a third InGaAs layer formed on the second InAs thin film layer having many InAs quantum dots, and a fourth GaAs layer formed on the third InGaAs layer, wherein the As_2 is used as the As material.例文帳に追加

半導体発光素子は、第１層のＧａＡｓ層と、前記第１層のＧａＡｓ層上に形成される第２層である複数のＩｎＡｓ量子ドットを有するＩｎＡｓ薄膜層と、前記第２層である複数のＩｎＡｓ量子ドットを有するＩｎＡｓ薄膜層上に形成される第３層のＩｎＧａＡｓ層と、前記第３層のＩｎＧａＡｓ層上に形成される第４層のＧａＡｓ層からなる半導体発光素子であって、前記Ａｓ原料をＡｓ_２としたことを特徴とする。 - 特許庁

The photosensitive transfer sheet is obtained by sequentially stacking on a support a first photosensitive layer containing a binder, a polymerizable compound and a photopolymerization initiator and a second photosensitive layer containing a binder, a polymerizable compound and a photopolymerization initiator and having relatively higher light sensitivity than the first photosensitive layer, wherein a polymer having a sensitizing functional group is used as a binder in at least one of the first photosensitive layer and the second photosensitive layer.例文帳に追加

支持体上に、バインダー、重合性化合物および光重合開始剤を含む第一感光層、バインダー、重合性化合物および光重合開始剤を含み第一感光層の光感度よりも相対的に高い光感度を有する第二感光層を、この順序で積層し、第一感光層と第二感光層との少なくとも一方のバインダーとして、増感官能基を有するポリマーを用いる。 - 特許庁

The optical compensation film has a first optically anisotropic layer and a second optically anisotropic layer formed from a composition containing a liquid crystalline compound, wherein the first optically anisotropic layer satisfies a mathematical formula: 2<Re(40)/Re(-40)<7 and an intersection angle of a lag phase axis of the first optically anisotropic layer to a lag phase axis of the second anisotropic layer is not orthogonal and parallel.例文帳に追加

液晶性化合物を含む組成物から形成された第１の光学異方性層、及び第２の光学異方性層を有し、前記第１の光学異方性層が、数式：２＜Ｒｅ（４０）／Ｒｅ（−４０）＜７を満たし、前記第１の光学異方性層の遅相軸と、前記第２の光学異方性層の遅相軸との交差角が直交及び平行ではないことを特徴とする光学補償フィルム等である。 - 特許庁

In the method of manufacturing a photoelectric conversion device 100 where a first transparent electrode layer 2, a photoelectric conversion layer 3, a second transparent electrode layer 5, and a back electrode layer 4 consisting of a metal film are laminated sequentially on a substrate 1, the second transparent electrode layer 5 is formed by sputtering in a film deposition chamber where the partial water vapor pressure is controlled below 0.6%.例文帳に追加

基板１上に、第１透明電極層２と、光電変換層３と、第２透明電極層５と、金属膜からなる裏面電極層４と、が順に積層される光電変換装置１００の製造方法であって、水蒸気分圧を０．６％以下に制御した製膜室内で、スパッタリング法により第２透明電極層５を形成する光電変換装置１００の製造方法である。 - 特許庁

Even when the first back air layer 14 is not large enough to obtain the desired sound absorption performance, the first back air layer 14 communicates with the second back air layer 18 through through holes 20 of the porous base 16, so the desired sound absorption performance can be obtained because of the presence of the second back air layer 18 without increasing the size of the first back air layer 14.例文帳に追加

第１の背後空気層１４が、所望の吸音性能を得るために必要とされる大きさを有さない場合であっても、第１の背後空気層１４が有孔基材１６の貫通孔２０を通して第２の背後空気層１８に連通しているから、第１の背後空気層１４の寸法を増加させること無く、第２の背後空気層１８の存在により、所望の吸音性能を得ることができる。 - 特許庁

The catalyst layer is used for removing carbon monoxide contained in a treated gas by oxidation and is composed of a first catalyst layer comprising a first noble metal catalyst having a low adsorptivity for carbon monoxide and a second noble metal catalyst layer connected to the first catalyst layer and comprising a second noble metal catalyst having a higher adsorptivity for carbon monoxide than that of the first catalyst layer.例文帳に追加

被処理ガス中に含まれる一酸化炭素を酸化除去するための触媒層であって、一酸化炭素吸着能の低い第１貴金属触媒からなる第１触媒層と、該第１触媒層に連結する該第１貴金属触媒よりも高い一酸化炭素吸着能を有する第２貴金属触媒からなる第２触媒層からなることを特徴とする一酸化炭素酸化用触媒層。 - 特許庁

In the optical information recording medium, of which the substrate is overlaid with at least two layers including coloring matter, at least one kind of the coloring matters included in the first recording layer and in the second recording layer between at least the two recording layers is an oxonol coloring matter with an intermediate layer interposed between the first recording layer and the second recording layer.例文帳に追加

基板上に、色素を含有する記録層が少なくとも２層形成されている光情報記録媒体であって、 少なくとも２層ある前記記録層のうち、第１の記録層および第２の記録層に含有される前記色素の少なくとも１種がオキソノール色素であり、 前記第１の記録層と前記第２の記録層との間に中間層が形成されていることを特徴とする光情報記録媒体である。 - 特許庁

A conductive layer is formed by obliquely depositing third conductive material on the second electrode layer so that the first electrode layer or auxiliary electrode layer formed on one region, out of the regions, in which electricity is generated by light, and the second electrode layer formed in other one region, in which the electricity is generated by light, are electrically connected inside the trenches.例文帳に追加

さらに前記領域のうち光によって電気が生成される一つの領域に形成された前記第１電極層または、前記補助電極層と、光によって電気が生成される他の一つの領域に形成された前記第２電極層が前記トレンチ内部で電気的に連結されるように第３導電性物質を前記第２電極層上に斜めに蒸着して導電層を形成する。 - 特許庁

The method of manufacturing the organic thin film has a step of forming a first organic molecular layer having a regular molecule arrangement consisting of first organic molecules on the substrate; a step of forming a second organic molecule layer epitaxially growing on the first organic molecule layer; and a step of sublimating, evaporating or dissolving the first organic molecule layer to remove it from the second organic molecule layer.例文帳に追加

基板上に第１の有機分子からなる規則的な分子配列を有する第１の有機分子層を形成する工程と、前記第１の有機分子層の上にエピタキシャル成長する第２の有機分子層を形成する工程と、前記第１の有機分子層を昇華、蒸発あるいは溶解して前記第２の有機分子層から除去する工程を有する有機薄膜の製造方法。 - 特許庁

Columnar spacers 8 are arranged above the first conductive layer 11; and columna spacers 8 arranged in the display area 10 are arranged where the second conductive layer 13 is not laminated on the first conductive layer 11 and columnar spacers 8 arranged outside the display area 10 are arranged above the first conductive layer 11 via holes 14a bored in the second conductive layer 13.例文帳に追加

柱状スペーサ８が、第１の導電層１１の上方に配置しており、表示領域１０内に配置する柱状スペーサ８は、第２の導電層１３が第１の導電層１１上に積層しない部分に配置し、表示領域１０外に配置する柱状スペーサ８は、第２の導電層１３に設けられた穴１４ａを介して、第１の導電層１１の上方に配置するものである。 - 特許庁

The solar cell includes a silicon substrate 1 having a light receiving surface, a first electrode layer 7 containing aluminum formed on a surface opposite to the light receiving surface of the silicon substrate 1, a second electrode layer 6 containing aluminum and silicon formed between the first electrode layer 7 and the silicon substrate 1, and a BSF layer 9 formed between the second electrode layer 6 and the silicon substrate 1.例文帳に追加

本発明に係る太陽電池は、受光面を有するシリコン基板１、シリコン基板１の受光面に対して反対面側に形成されアルミニウムを含有する第１の電極層７、第１の電極層７とシリコン基板１との間に形成されアルミニウムとシリコンを含有する第２の電極層６、第２の電極層６とシリコン基板１との間に形成されたＢＳＦ層９を備えて構成される。 - 特許庁

The semiconductor device at least includes a first semiconductor layer 101 of a first conductivity type made of a group III-V nitride semiconductor, a second semiconductor layer 102 formed on the first semiconductor layer 101 and made of an undoped group III-V nitride semiconductor, and a third semiconductor layer 103 formed on the second semiconductor layer 102 and made of the group III-V nitride semiconductor.例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体から成る第１導電型の第１半導体層１０１と、第１半導体層１０１の上に形成されたアンドープのＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体から成る第２半導体層１０２と、第２半導体層１０２の上に形成されたＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体から成る第２導電型の第３半導体層１０３とを少なくとも備える。 - 特許庁

Liquid containing sulfonic acid type perfluorocarbon polymer is applied on a base material and is dried to form a first film layer, while, separately, a second film layer consisting of sulfonic acid type perfluorocarbon polymer and a fibrilliform fluorocarbon polymer is prepared, and a laminated film obtained by laminating more than one layer each of the first film layer and the second film layer is to be the electrolyte film for the solid polymer fuel cell.例文帳に追加

スルホン酸型パーフルオロカーボン重合体を含む液を基材に塗布し乾燥して第１の膜層を形成し、別途スルホン酸型パーフルオロカーボン重合体とフィブリル状のフルオロカーボン重合体とからなる第２の膜層を用意し、前記第１の膜層と前記第２の膜層とをそれぞれ１層以上ずつ積層することにより得られる積層膜を固体高分子型燃料電池用電解質膜とする。 - 特許庁

The retroreflective sheet 1 is composed of a cloth material 11, first silicone layer 12 formed on the cloth material 11 and containing a pearl pigment 13 which reflects light, and second silicone layer 14 which is colorless and transparent and formed on the first silicone layer 12, and spheric glass beads 2 having spheric transparent color layers 15 and embedded between the first silicone layer 12 and the second silicone layer 14.例文帳に追加

再帰反射性シート１は、布材１１と、布材１１上に形成され、光を反射するパール顔料１３を含有する第一シリコーン層１２と、第一シリコーン層１２上に形成され、無色透明を呈する第二シリコーン層１４と、第一シリコーン層１２及び第二シリコーン層１４の間に埋込まれ、球面状に透明着色層１５を有する真球状のガラスビーズ２とを具備する。 - 特許庁

In the electrophotographic photoreceptor provided with a conductive support 3 and a photosensitive layer 6 disposed on the conductive support 3, the photosensitive layer 6 includes a first layer made by thermosetting a first resin composition containing the phenol resin and a second layer disposed adjacent to the first layer and consisting of a second resin composition containing an alcohol-soluble thermoplastic resin.例文帳に追加

導電性支持体３及び該導電性支持体３上に配置された感光層６を備える電子写真感光体であって、前記感光層６は、フェノール樹脂を含有する第１の樹脂組成物を熱硬化させてなる第１の層と、該第１の層に隣接して配置された、アルコール可溶性の熱可塑性樹脂を含有する第２の樹脂組成物からなる第２の層と、を有することを特徴とする電子写真感光体。 - 特許庁

This photoelectric conversion device includes: the amorphous silicon photoelectric converter 31 having an amorphous silicon photoelectric conversion layer 30 and a translucent conductive layer (second translucent conductive layer) 16 formed on the amorphous silicon photoelectric conversion layer 30; and the dye-sensitized photoelectric converter 20 stacked on the second translucent conductive layer 16 side of the amorphous silicon photoelectric converter 31.例文帳に追加

光電変換装置は、非晶質シリコン光電変換層３０及び非晶質シリコン光電変換層３０上に形成された透光性導電層（第２の透光性導電層）１６を有する非晶質シリコン光電変換体３１と、非晶質シリコン光電変換体３１の第２の透光性導電層１６側に積層された色素増感型光電変換体２０と、を有している。 - 特許庁

This semiconductor device includes: a first electrode 41 formed on a glass substrate 40; a heat-transfer metal layer 61 formed on the first electrode 41 through a first insulation film 51; a semiconductor layer 50 formed through a second insulation layer 52 formed on the heat-transfer metal layer 61; and a second electrode 42 and a third electrode 43 formed on the semiconductor layer 50.例文帳に追加

本発明は、ガラス基板４０上に形成される第１電極４１と、第１電極４１上に第１絶縁膜５１を介して形成される伝熱金属層６１と、伝熱金属層６１上に形成される第２絶縁膜５２を介して形成される半導体層５０と、半導体層５０上に形成される第２電極４２および第３電極４３とを有する半導体装置である。 - 特許庁

This magnetoresistive effect element is constituted of at least a first magnetic layer, nonmagnetic layer, and second magnetic layer: the first magnetic layer is a ferromagnetic material having a low coercive force and parpendicular magnetic anisotropy, and the second magnetic layer is a ferromagnetic material having a high coercive force and parpendicular magnetic anisotropy and constituted of an amorphous alloy film made of rare-earth- transition metal having small saturation magnetism.例文帳に追加

少なくとも第１の磁性層、非磁性層、第２の磁性層から構成され、第１の磁性層は低い保磁力および垂直磁気異方性を有する強磁性体であり、第２の磁性層は高い保磁力および垂直磁気異方性を有する強磁性体であって、第２の磁性層は、小さな飽和磁化を有する、希土類−遷移金属からなる非晶質合金膜から構成される。 - 特許庁

In the manufacturing method of the organic electroluminescent panel with an airtight sealing structure for sealing an organic electroluminescent element by sealing members at least equipped with a first electrode layer, an organic compound layer including a light-emitting layer, and a second electrode layer on a substrate, at least a top face of the second electrode layer is put under a smoothing treatment, and after that, the sealing members are laminated.例文帳に追加

基板上に、少なくとも第１電極層と、発光層を含む有機化合物層と、第２電極層とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子を封止部材により密着封止構造を有する有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法において、少なくとも前記第２電極層の上面を平滑化処理した後、前記封止部材を積層することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。 - 特許庁

A magnetoresistive effect element which is improved in output characteristic and shows thermally stable characteristics is obtained by reducing the influence of a magnetic material constituting the foundation layer of an antiferromagnetic layer constituting the element on the directions of magnetization of the free and fixed magnetic layers by constituting the foundation layer in a three-layer structure of a first ferromagnetic foundation layer, a first nonmagnetic foundation layer, and a second ferromagnetic foundation layer.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子を構成する反強磁性層の下地層に第１下地強磁性層／第１下地非磁性層／第２下地強磁性層といった構造とすることで、自由磁性層及び固定磁性層の磁化方向に対して下地層を構成する磁性体が影響を及ぼすことを低減して、出力特性の向上と熱的に安定した特性を示す磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

This electrode for a nitride semiconductor is an electrode formed on a nitride semiconductor and comprising a metal nitride layer formed on the nitride semiconductor, a first metal layer formed on the metal nitride layer and a second metal layer formed on the first metal layer in which the first metal layer contains an element of the same metal as a metal contained in the metal nitride layer; and this nitride semiconductor device contains this electrode for a nitride semiconductor.例文帳に追加

窒化物半導体上に形成される電極であって、窒化物半導体上に形成される金属窒化物層と、金属窒化物層上に形成される第１金属層と、第１金属層上に形成される第２金属層とを備え、第１金属層は、金属窒化物層に含まれる金属と同一の金属元素を含む窒化物半導体用電極とおよびそれを含む窒化物半導体装置である。 - 特許庁

The light emitting element 100 comprises a light emitting layer 24 having a double heterostructure composed of AlGaInP, a first GaP light extraction layer 20 thicker than the light emitting layer 24 grown epitaxially on one major surface side of the light emitting layer 24, and a second GaP light extraction layer 90 thicker than the light emitting layer 24 grown epitaxially on the other major surface side of the light emitting layer 24.例文帳に追加

発光素子１００は、ＡｌＧａＩｎＰからなるダブルへテロ構造を有する発光層部２４と、発光層部２４の一方の主表面側にエピタキシャル成長された発光層部２４よりも厚い第一のＧａＰ光取出層２０と、発光層部２４の他方の主表面側にエピタキシャル成長された発光層部２４よりも厚い第二のＧａＰ光取出層９０とを備える。 - 特許庁

The magnetic recording medium 10 is provided with a nonmagnetic base material 1, a nonmagnetic substrate layer 3 formed on the nonmagnetic base material 1, a first recording layer 4 formed on the nonmagnetic substrate layer 3 and having perpendicular magnetic anisotropy, an intermediate layer 5 made of an antiferromagnetic material and formed on the first recording layer 4, and a second recording layer 6 formed on the intermediate layer and having vertical magnetic anisotropy.例文帳に追加

非磁性基材１と、非磁性基材１の上に形成された非磁性下地層３と、非磁性下地層３の上に形成された垂直磁気異方性を有する第１記録層４と、第１記録層４の上に形成され、反強磁性材料からなる中間層５と、中間層の上に形成された垂直磁気異方性を有する第２記録層６とを有する磁気記録媒体１０による。 - 特許庁

Described herein is: the method for manufacturing the nitride semiconductor layer by stacking, on a silicon nitride layer, a first nitride semiconductor layer having a surface inclined with respect to the surface of the silicon nitride layer and then stacking a second nitride semiconductor layer on the first nitride semiconductor layer; the nitride semiconductor element and nitride semiconductor light-emitting element each including the nitride semiconductor layer; and the method for manufacturing the nitride semiconductor element.例文帳に追加

窒化珪素層上に窒化珪素層の表面に対して傾いた表面を有する第１の窒化物半導体層を積層した後に、第１の窒化物半導体層上に第２の窒化物半導体層を積層する窒化物半導体層の製造方法、その窒化物半導体層を含む窒化物半導体素子および窒化物半導体発光素子ならびにその窒化物半導体素子の製造方法である。 - 特許庁

The organic photoelectric conversion element 10 is formed, by laminating at least a photoelectric conversion layer 14 and a hole transport layer or electron transport layer between a first electrode 12 and a second electrode 15, and has the hole transport layer or electron transport layer made of a thermal conversion material, and the thermal conversion material is converted into a composition of the hole transport layer or electron transport layer by heat.例文帳に追加

第１の電極１２と第２の電極１５との間に少なくとも光電変換層１４と正孔輸送層または電子輸送層とを積層してなる有機光電変換素子１０であって、当該正孔輸送層または電子輸送層が熱変換材料からなり、当該熱変換材料が熱により正孔輸送層または電子輸送層の組成物に変換されたことを特徴とする有機光電変換素子。 - 特許庁

This long periodic grating optical fiber 2 is composed of a core layer 10, a first clad layer 12 for clad mode propagation covering the core layer 10, and a second clad layer 13 that covers the first clad layer 12 and that keeps, inside the first clad layer 12, the optical signal of the clad mode propagated through the first clad layer 12.例文帳に追加

下記の構成要素を備えたことを特徴とする長周期グレーティング用光ファイバ２であって、この長周期グレーティング用光ファイバ２は、コア層１０と、このコア層１０を被覆するクラッドモード伝播用の第１のクラッド層１２と、第１のクラッド層１２を被覆し、第１のクラッド層１２を介して伝播されるクラッドモードの光信号を第１のクラッド層１２内に閉じ込める第２のクラッド層１３とを備えている。 - 特許庁

A plurality of semiconductor layers (a first semiconductor layer 1, a second semiconductor layer 3, a third semiconductor layer 5) where each semiconductor layer of different forbidden band with a pn junction have an activatable semiconductor layer (the third semiconductor layer 5) which is a semiconductor layer of wide forbidden band width outputting a photovoltaic voltage that can activate the boost circuit in a boost type power supply device at the output destination.例文帳に追加

ｐｎ接合を有する禁制帯の異なる各半導体層が絶縁膜を介して積層される複数の半導体層（第一の半導体層１、第二の半導体層３、第三の半導体層５）は、出力先の昇圧型電源装置の昇圧回路を起動可能な光起電圧を出力する広禁制帯幅の半導体層である起動可能半導体層（第三の半導体層５）を有する。 - 特許庁

Current-driven type light emitting elements arrayed in matrix on an electric insulating substrate 1 each has a first electrode layer 33 arranged on a surface of a protection layer 54 formed on the electric insulating substrate, an organic EL layer 35 laminated on the first electrode layer, and a second electrode layer 37 formed on the organic EL layer and a power supply line 17 is buried in the protection layer.例文帳に追加

電気絶縁性基板１上にマトリクス状に配列された電流駆動型発光素子は電気絶縁性基板上に形成された保護層５４の表面に配置された第１電極層３３と、該第１電極層上に積層された有機ＥＬ層３５と、該有機ＥＬ層上に形成された第２電極層３７とを有し、電源供給線１７は、前記保護層内に埋め込まれている。 - 特許庁

The double-sided luminescence display panel includes a first transmissive substrate, a second transmissive substrate installed below the first transmissive substrate, a first organic luminescence layer formed on a lower surface of the first transmissive substrate and displaying a first window through the first transmissive substrate and a second organic luminescence layer formed in an upper surface of the second transmissive substrate and displaying a second window through the second transmissive substrate.例文帳に追加

本発明の両面発光パネルは、第１透過基板と、該第１透過基板の下方に設けられる第２透過基板と、該第１透過基板の下表面に形成され、かつ該第１透過基板を介して第１画面を表示する第１有機発光層と、該第２透過基板の上表面に形成され、かつ該第２透過基板を介して第２画面を表示する第２有機発光層とを含む。 - 特許庁