「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(208ページ目) - Weblio英語例文検索

The multilayer tube for super pure water piping is made of fluorine resin, and comprises: a first resin layer contacting the super pure water; and a second resin layer made of a gas impermeable resin and provided on the outer peripheral surface of the first resin layer.例文帳に追加

超純水の配管用の多層管は、フッ素樹脂からなり、超純水に接触する第１の樹脂層と、ガス不透過性樹脂からなり、前記第１の樹脂層の外周面に設けられた第２の樹脂層とを備える。 - 特許庁

In the second step, the composite piezoelectric is cut together with the acoustic matching layer 40 along the polymer layer 32 from the side opposite from the side provided with the backing layer 10, thus forming a plurality of ultrasonic vibrators 33 in array.例文帳に追加

そして、第２の工程において、複合圧電体を、バッキング層１０が設けられる側とは反対側から、音響整合層４０とともに、高分子層３２に沿って切断して、超音波振動子３３をアレイ状に複数形成する。 - 特許庁

A gate electrode 19 which is electrically insulated from the embedded electrode 17 is formed in the region from the source layer 14 to the drift layer 12 by way of the well layer 13, in the trench 15, through a second insulating film 18.例文帳に追加

、また、トレンチ溝１５内のソース層１４からウエル層１３を通りドリフト層１２に至る領域に、第２の絶縁膜１８を介して埋め込み電極１７と電気的に絶縁されてゲート電極１９が形成されている。 - 特許庁

The electron emission element comprises a conductive substrate, a first conductive-type first diamond layer formed on the conductive substrate, and a first conductive-type second diamond layer formed on the first diamond layer.例文帳に追加

電子放出素子は、導電性基板と、前記導電性基板上に形成された第１導電型の第１のダイヤモンド層と、前記第１のダイヤモンド層上に形成された第１導電型の第２のダイヤモンド層とを具備する。 - 特許庁

The light emitting element 100 has a compound semiconductor layer 50 having a light emitting layer 24 composed of a group III-V compound semiconductor, and the element substrate 7 stuck to the second principal surface side of the semiconductor layer 50.例文帳に追加

発光素子１００は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる発光層部２４を有した化合物半導体層５０と、該化合物半導体層５０の第二主表面側に貼り合わされた素子基板７とを有する。 - 特許庁

A cathode 5 consisting of a first conductive layer 5a principally comprising graphite particles and a second conductive layer 5b principally comprising silver particles is formed on the intermediate layer 4 to cover the periphery thereof.例文帳に追加

中間層４上には、中間層４の周囲を覆うように、グラファイト粒子を主成分とする第１導電層５ａと、銀粒子を主成分とする第２導電層５ｂとから構成されている陰極５が形成されている。 - 特許庁

The resin tube 10 is formed of polyamide 9T and having the inner tube layer 12 formed of a first resin material and the outer tube layer 14 arranged on the outer peripheral side of the inner tube layer 12 and formed of a second resin material.例文帳に追加

樹脂チューブ１０は、ポリアミド９Ｔから形成され、第１の樹脂材料から形成された内管層１２と、内管層１２の外周側に配置され、第２の樹脂材料から形成された外管層１４とを備えている。 - 特許庁

In the surface of a support 4 on the light source 19 side, a first reflection layer 7 and a first light shielding layer are stacked in order in the first area, and a light transmitting colored layer 9 is stacked in the second area 2 and the third area 3.例文帳に追加

支持体４の光源１９側の面のうち、第１の領域には、第１の反射層７、第１の遮光層が順に積層され、第２の領域２、第３の領域３には、光透過性着色層９が積層される。 - 特許庁

The magnetic head includes: the pole layer 12; two side shields 13C1, 13C2; and an encasing layer 25 having a pole groove 25a that accommodates the pole layer and the two side shields, and first and second side shield grooves 25b1, 25b2.例文帳に追加

磁気ヘッドは、磁極層１２と、２つのサイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２と、磁極層および２つのサイドシールドを収容する磁極溝部２５ａ、第１および第２のサイドシールド溝部２５ｂ１，２５ｂ２を有する収容層２５を備えている。 - 特許庁

A covering part 8 to cover a nose and a mouth includes a nonwoven fabric sheet on a first layer, a filter paper sheet on a second and third layer, and the nonwoven fabric sheet on a fourth and fifth layer, which are layered in order from an ambient air side to a face side in its width direction.例文帳に追加

鼻と口を覆う覆い面部８は、外気側から顔面側の厚さ方向に、第１層に不織布シート、第２層及び第３層に濾紙シート、第４層及び第５層に不織布シートを順次積層している。 - 特許庁

The first and second read shields each include a thin high permeability layer closest to the reader stack and a low permeability layer and/or a geometric feature to control magnetic field flux lines in a free layer of the reader stack.例文帳に追加

第１および第２の再生シールドは各々、再生部積層体のフリー層中の磁束線を制御するように、再生部積層体の最も近くにある高透磁率薄層および低透磁率層および／または幾何学的特徴を含む。 - 特許庁

The reinforcing cord layer 4 is constituted of a first cord layer 5 extending a reinforcing cord f1 in a straight shape in the tire circumferential direction TC and a second cord layer 6 extending a reinforcing cord f2 in a curved shape in the tire circumferential direction TC.例文帳に追加

補強コード層４は、補強コードｆ１がタイヤ周方向ＴＣにストレート状に延在する第１コード層５と補強コードｆ２がタイヤ周方向ＴＣに曲線状に延在する第２コード層６とから構成されている。 - 特許庁

The RuB alloy layer 14 comprises RuB or a RuB alloy consisting essentially of RuB having an hcp structure, is epitaxially grown on the surface of the first magnetic layer 13 and epitaxially grows the second magnetic layer 15.例文帳に追加

ＲｕＢ合金層１４は、ｈｃｐ構造のＲｕＢ、またはＲｕＢを主成分とするＲｕＢ合金からなると共に、第１磁性層１３の表面にエピタキシャル成長し、第２磁性層１５をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

Further, a stress adjusting layer 25, which receives stress in the same direction as that of the stress that the piezoelectric layer 30 receives, is provided on a second surface side of the diaphragm 24 on the opposite side to the first surface where the piezoelectric layer 30 is formed.例文帳に追加

また、圧電体層30が形成されている振動板24の第１面と反対側の第２面側に、圧電体層30が受けている応力と同じ方向の応力を振動板から受けている応力調整層25が設けられている。 - 特許庁

In this case, layer image composition processing is performed wherein the moving subject layer of the inputted latest frame image data has first priority and the action subject layer of the frame image data related to the composition processing before last time has second priority.例文帳に追加

このとき入力された最新のフレーム画像データの動被写体レイヤーを第１に優先し、また前回以前の合成処理に係るフレーム画像データの動被写体レイヤーを第２に優先したレイヤー画像合成処理を行う。 - 特許庁

An anode 10 includes an anode active material layer 102 in which a first layer 1 and a second layer 2 respectively containing silicon and a metal element as anode active materials are alternately layered on an anode current collector 101.例文帳に追加

負極１０は、負極集電体１０１上に、珪素および金属元素を負極活物質として各々含有する第１および第２の層１，２が交互に積層されてなる負極活物質層１０２を有する。 - 特許庁

In the barrier film complex with at least one decoupling layer and at least one barrier layer laminated, the barrier layer contains a first part, and a second part thinner than the first part.例文帳に追加

少なくとも１つのデカップリング層と少なくとも１つのバリア層とが積層されたバリア・フィルム複合体において、前記バリア層は、第１部分、及び前記第１部分より薄い第２部分を含むことを特徴とするバリア・フィルム複合体である。 - 特許庁

An illumination wavelength setting section 173 sets a wavelength of illumination light using the wavelength selection filter 113 on the basis of a light transmissive property of a first layer when inspecting a second layer through the first layer of the inspection target.例文帳に追加

照明波長設定部１７３は、検査対象物の第１の層を通して第２の層の検査を行う場合に、第１の層の透光特性に基づいて、波長選択フィルタ１１３を用いて照明光の波長を設定する。 - 特許庁

The capacity element 100 includes a first capacitor conductive layer 114 arranged on the element separation area 300 and a side wall-like second capacitor conductive layer 116 formed along one side of the first capacitor conductive layer 114.例文帳に追加

容量素子１００は、素子分離領域３００上に配置された第１キャパシタ導電層１１４と、第１キャパシタ導電層１１４の一側面に沿って形成された、サイドウォール状の第２キャパシタ導電層１１６とを含む。 - 特許庁

When an n-type epitaxial layer 2 is formed on a surface of a semiconductor substrate 1, the n-type epitaxial layer 2 is formed outside first and second grooves 4a, 4b, while the n-type epitaxial layer 2 is not formed on a projecting part 5 located between them.例文帳に追加

半導体基板１の表面にｎ型エピ層２を成膜すると、第１、第２の溝４ａ、４ｂの外側ではｎ型エピ層２が成膜されるが、これらの間となる突出部５の上にはｎ型エピ層２が成膜されない。 - 特許庁

At the outset, a laminated substrate 10 comprising a base substrate 11 having a main surface 11a and a back surface 11b, a first layer 12 formed on the back surface 11b, and a second layer 13 formed on the first layer 12 is prepared.例文帳に追加

まず、主表面１１ａと裏面１１ｂとを有する下地基板１１と、裏面１１ｂに形成された第１の層１２と、第１の層１２に形成された第２の層１３とを備えた積層基板１０が準備される。 - 特許庁

The semiconductor device comprises an active layer substrate 7 and a support substrate 6 bonded to the active layer substrate 7 via the active layer substrate 7 and a 1st oxide film 5', and a polysilicon film 3 is formed on a bonded surface of the base substrate 6 via a second oxide film 2.例文帳に追加

活性層基板７と、この活性層基板７と第１の酸化膜５’を介して接着した支持基板６を備え、前記支持基板６の被接着面に、第２の酸化膜２を介して、ポリシリコン膜３が形成されている。 - 特許庁

A second abrasive grain layer region 24 of the peripheral side of the first abrasive grain layer region 23 is constructed by a ring-like circumferential abrasive grain layer part 26, which is formed by the ultra abrasive grains (parts) 30 fixed on ring-like rising parts by the metal plating phase 31.例文帳に追加

第一砥粒層領域２３の外周側の第二砥粒層領域２４は、リング状の円周隆起部に超砥粒（部）３０を金属めっき相３１で固着したリング状の円周砥粒層部２６で構成する。 - 特許庁

A first conductor layer 20 is formed in such a way that a magnetic substance layer 40 is interposed on the upper surface of a dielectric substrate 10, and a second conductor layer 30 in a uniform pattern is formed on the lower surface of the dielectric substrate 10.例文帳に追加

誘電体基板１０の上面に磁性体層４０を介在させるようにして第１導電体層２０を形成し、誘電体基板１０の下面には一様パターンの第２導電体層３０を形成する。 - 特許庁

Refractive indexes of the multiple first optical waveguides, the multimode interference optical waveguide, and the second optical waveguide are higher than a refractive index of the upper clad layer, and the refractive index of the upper clad layer is higher than a refractive index of the lower clad layer.例文帳に追加

そして、複数の第１の光導波路、多モード干渉光導波路、および、第２の光導波路の屈折率が、上部クラッド層の屈折率よりも高く、上部クラッド層の屈折率が、下部クラッド層の屈折率よりも高い。 - 特許庁

The dislocation density of the MQW light emitting layer 18 is reduced and absorption of light can also be suppressed by using the AINP formed under low temperature as the first buffer layer 12 and the AlNP formed under high temperature as the second buffer layer 14.例文帳に追加

第１バッファ層１２として低温形成のＡｌＮＰを用い、第２バッファ層１４として高温形成のＡｌＮＰを用いることで、ＭＱＷ発光層１８の転位密度を低減し、光の吸収を抑制する。 - 特許庁

The magnetic recording medium is provided with a first substrate layer 4 consisting essentially of Cr, a second substrate layer 5 consisting essentially of CrO and a magnetic layer 6 consisting essentially of a CoPt alloy and/or a CoPtCr alloy on a substrate 2.例文帳に追加

基板２上に、Ｃｒを主成分とする第１の下地層４と、ＣｒＯを主成分とする第２の下地層５と、ＣｏＰｔ合金及び／又はＣｏＰｔＣｒ合金を主成分とする磁性層６とを備える。 - 特許庁

It is also provided with a barrier layer made of alumina around the periphery of a bottom end part of the fine pores, and it is so structured that electrons are emitted by voltage impressed between the first conductor layer and the second conductor layer.例文帳に追加

そして、微細孔の底端部の周囲にアルミナから成るバリア層を有しており、第１の導電体層と第２の導電体層との間に印加される電圧により、電子が放出されるように構成されている。 - 特許庁

The method of the present invention includes a process of forming at least one layer of the organic electroluminascence layer 3 without separating the layer 3 between the adjacent light "Si emitting picture elements and a process of forming the second electrodes 4 using a shadow.例文帳に追加

有機エレクトロルミネッセンス層３の少なくとも１層を隣接する発光画素間で分断することなく形成する工程と、第二電極４を複数の開口部を有するシャドーマスクを用いて形成する工程とを含む。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element 10 is equipped with a substrate 1, an underlying layer 2 made of first nitride semiconductor epitaxially grown on the substrate 1, and a light emitting layer 5 made of second nitride semiconductor provided on the underlying layer 2.例文帳に追加

半導体発光素子１０は、基板１、基板１上にエピタキシャル成長した第一の窒化物半導体からなる下地層２、および下地層２上に設けられた第二の窒化物半導体からなる発光層５を備えている。 - 特許庁

A light emitting layer 12 made of a group III-V nitride semiconductor is formed between a first semiconductor layer 11 made of an n-type group III-V nitride semiconductor and a second semiconductor layer 13 made of a p-type group III-V nitride semiconductor.例文帳に追加

ｎ型のIII-Ｖ族窒化物半導体からなる第１半導体層１１と、ｐ型のIII-Ｖ族窒化物半導体からなる第２半導体層１３との間に、III-Ｖ族窒化物半導体からなる発光層１２が形成されている。 - 特許庁

A substrate for a printed wiring board includes: an insulation base material 10; a first conductive layer formed by laminating metal particles 22A on the insulation base material 10; and a second conductive layer laminated on the first conductive layer.例文帳に追加

このプリント配線板用基板は、絶縁性基材１０と、この絶縁性基材１０に金属粒子２２Ａを積層して形成された第１導電層と、この第１導電層に積層された第２導電層とを含む。 - 特許庁

A selective light transmitting film consists of a transparent film 2 and a transparent function film 3 obtained by successively sputtering a first metal oxide layer 31, a metal layer 33 and a second metal oxide layer 32 on the transparent film 2.例文帳に追加

透明フィルム２と，該透明フィルム２の上に第１金属酸化物層３１，金属層３３，第２金属酸化物層３２を順次スパッタリングすることにより得られる透明機能膜３とからなる選択光透過フィルム１。 - 特許庁

Thereby, the lifetime value from interface of the first semiconductor layer 1 and a second semiconductor layer 2 to a cathode side end of a region, in which the net doping concentration of the broad buffer structure in the first semiconductor layer becomes maximum, becomes generally uniform.例文帳に追加

これによって、第１半導体層１と第２半導体層２との界面から、第１半導体層内のブロードバッファ構造のネットドーピング濃度が極大となる領域のカソード側の端部までのライフタイム値が概ね一様となる。 - 特許庁

This flexible metal laminate 1 has a metal layer 2 and two or more thermoplastic resin layers (first thermoplastic resin layer 4a, second thermoplastic resin layer 4b), and the two or more thermoplastic resin layers are laid on each other.例文帳に追加

本発明のフレキシブル金属積層体１は、金属層３と２層以上の熱可塑性樹脂層（第１の熱可塑性樹脂層４ａ、第２の熱可塑性樹脂層４ｂ）とを有し、該２層以上の熱可塑性樹脂層が重なっている。 - 特許庁

A second under layer for improving crystal orientation is formed thereon and a vertical magnetic layer is formed further thereon to obtain a vertical magnetic recording layer having satisfactory crystallinity and uniform and fine magnetic particles.例文帳に追加

この上に結晶配向性を改善させる第二の下地層を形成し、さらにこの上に垂直磁性層を形成することにより、結晶性が良好で、均一で微細な磁性粒子を有する垂直磁気記録層を得る。 - 特許庁

A thermoplastic multilayer composite (4) comprises at least a first layer (1) of a fluorinated polymer and at least one different second layer (2) of which at least some area directly comes into contact to the first layer.例文帳に追加

少なくとも一つのフッ素重合体からなる第一層（１）と、少なくとも一つの別の第二層（２）とからなり、その少なくとも一部の領域が第一層に直接接触する熱可塑性多層複合物（４）に関する。 - 特許庁

A first InP semiconductor layer 19, a GaInAsP semiconductor layer 21, and a second InP semiconductor layer 23, are etched using a mask 29, so as to form a semiconductor area 33 having a concave 33a and a convex 33b.例文帳に追加

第１のＩｎＰ半導体層１９、ＧａＩｎＡｓＰ半導体層２１および第２のＩｎＰ半導体層２３をマスク２９を用いてエッチングして、凹部３３ａおよび凸部３３ｂを有する半導体領域３３を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a buffer layer for satisfactorily adjusting a lattice constant, and for obtaining high resistance between a first semiconductor layer made of GaAs and a second semiconductor layer made of InsAl1-SAs.例文帳に追加

ＧａＡｓからなる第１半導体層とＩｎ_ＳＡｌ_１−ＳＡｓからなる第２半導体層との間における格子定数の調整を良好に行い、且つ、高抵抗が得られるバッファ層を備えてなる半導体装置を提供する。 - 特許庁

The multi-layered laminated body contains a core held between a first stretched plastic layer and a second stretched plastic layer wherein the directions of the stretching of the plastic layer mutually crosses at an angle larger than 0° and smaller than 180°.例文帳に追加

第１の延伸されたプラスチック層と第２の延伸されたプラスチック層の間に挟まれたコアを含み、ここでプラスチック層の延伸方向は０°より大きくかつ180°より小さい角度で互いに交差している、多層積層体。 - 特許庁

A conductor; a tape 10 formed of a first and a second tape layers, coated on a peripheral face of the conductor as a fire protection layer; an insulating layer coated on a peripheral face of the tape 10; and a sheath coated on a peripheral face of the insulating layer are provided.例文帳に追加

導体と、第一、第二のテープ層により形成されて導体の周面を耐火層として被覆するテープ１０と、テープ１０の周面を被覆する絶縁層と、絶縁層の周面を被覆するシースとを備える。 - 特許庁

The antifuse includes a first conductive layer 11, a multilayer film 20 of two or more layers in which an amorphous silicon film 13 and an insulating film 14 are alternately stacked over the first conductive layer 11, and a second conductive layer 12 over the multilayer film 20.例文帳に追加

アンチヒューズは、第１導電層１１と、第１導電層１１上に非晶質シリコン膜１３と絶縁膜１４とを交互に積層した２層以上の多層膜２０と、多層膜２０上に第２導電層１２を有する。 - 特許庁

The example of such articles is a disposable protective glove that includes a first layer, with an effective amount of antimicrobial agent therein or thereon; and a second layer, to be closer to a hand than the first layer, when the glove is worn on the hand.例文帳に追加

このような物品の実施例には、内側または外側に有効量の抗菌薬を有する第１の層と；手袋を着用したとき、該第１の層よりも手に近接する第２の層とを含む使い捨て保護手袋がある。 - 特許庁

The third semiconductor layer 3 has a carrier-lifetime reducing region that is adjacent to the bottom surface of the fourth semiconductor layer 4, is spaced apart from the second semiconductor layer 2, and is processed so that the carrier lifetime becomes shorter.例文帳に追加

第３の半導体層３は、第４の半導体層４の底面と隣接し、第２の半導体層２とは離間し、キャリアライフタイムが短くなるように処理されたキャリアライフタイム低減領域を有することを特徴とする。 - 特許庁

The first magnetic layer 26a in a fixed magnetic layer 26 having an artificial ferristructure is formed of a magnetic material having β of a positive value, and the second magnetic layer 26c is formed of a magnetic material having β of a negative value.例文帳に追加

人工フェリ構造を有する固定磁性層２６の第１の磁性層２６ａを、βが正の値である磁性材料によって形成し、第２の磁性層２６ｃをβが負の値である磁性材料によって形成する。 - 特許庁