「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(211ページ目) - Weblio英語例文検索

The touch panel 12 comprises an insulating substrate 17; a touch electrode 22 provided on the insulating substrate 17 and including a first conductive layer 24; the first conductive layer 24 provided on the insulating substrate 17; and a second conductive layer 26 provided on the first conductive layer 24.例文帳に追加

タッチパネル１２は、絶縁性基板１７と、絶縁性基板１７上に設けられ、第１導電層２４で形成されたタッチ電極２２と、絶縁性基板１７上に設けられ、第１導電層２４及び第１導電層２４上に設けられた第２導電層２６を備える。 - 特許庁

By depositing an EL layer with a deposition substrate tilted from a deposition source, the second insulation layer serves as a barrier, so that a region where the EL layer is not deposited and the conductive layer is exposed is formed in a self-aligning manner in a part of the opening.例文帳に追加

また、被成膜基板を蒸発源に対して傾けた状態でＥＬ層を蒸着することにより、第２の絶縁層が障害物となり、開口部の一部にはＥＬ層が蒸着されずに導電層が剥き出しとなる領域が自己整合的に形成される方法を用いた。 - 特許庁

In a shoe 26, a first coating layer 35 made of a nickel-phosphorous plating containing silicon is provided on the surface of an aluminum-based base material 27, and a second coating layer 36 made of the diamond-like carbon layer containing silicon is provided on the surface of the first coating layer 35.例文帳に追加

シュー２６において、アルミニウム系の母材２７の表面には、シリコンを含有するニッケル−リン・メッキよりなる第１コーティング層３５が設けられるとともに、第１コーティング層３５の表面には、シリコンを含有するダイヤモンド・ライク・カーボン層よりなる第２コーティング層３６が設けられている。 - 特許庁

In manufacturing the printed wiring board, a clad composite material consisting of the lamination of the first copper layer, the different kind of metal layer, and the second copper layer is used as a starting material, and the selective etching characteristics of the different kind of metal layer and the copper layers are utilized effectively.例文帳に追加

そして、当該プリント配線板の製造は、第１銅層／異種金属層／第２銅層の３層が順次積層した状態のクラッド複合材を出発材料として、異種金属層と銅層との選択エッチング特性を有効利用した点に特徴を有する。 - 特許庁

The concrete curing method is carried out by forming a first layer by applying slurry liquid containing an inorganic hardener, to a surface layer of uncured poured concrete, and a pasty second layer obtained by mixing cement and aggregate in the inorganic hardener, onto the first layer, followed by curing the uncured poured concrete.例文帳に追加

未硬化打設コンクリートの表面層に、無機硬化剤を含んだスラリー液を塗布して第１層を形成し、該第１層上に、前記無機硬化剤にセメント、骨材を混合したペースト状の第２層を形成し、該未硬化打設コンクリートを硬化させることを特徴とする。 - 特許庁

A first insulating layer with thickness more than 5000 Å is provided in a supporting body and executed with a patterning except the supporting body, further the second insulating layer is provided therein, an electrode layer and a piezoelectric layer are sequentially laminated and a cantilever is formed by eliminating the supporting body except a supporting body part.例文帳に追加

支持体上に厚さが５０００Å以上の第１の絶縁層を設け、該絶縁層を支持体部を残してパターニングし、さらに第２の絶縁層を設け、電極層と圧電体層を順次積層し、支持体部以外の支持体を除去してカンチレバーを形成する。 - 特許庁

In order to prepare an EL substrate 10 by forming a dielectric layer 15 and a luminous layer 16 at the first and the second comb-shaped electrodes 20A, 20B formed on a surface of a printed-circuit board 13, a layer of dielectric material 31 and a layer of luminophor 41 are formed at a heat transcription ribbon 43.例文帳に追加

プリント配線基板１３の表面に形成した第１,第２クシバ電極２０Ａ,２０Ｂに、誘電層１５及び発光層１６を形成してＥＬ基板１０を作成するために、熱転写リボン４３に誘電体３１の層および発光体４１の層を形成した。 - 特許庁

The tunnel barrier layer 30 is formed by the method comprising a step of forming a metal layer or a nonmagnetic layer on the first ferromagnetic layer 24 and oxidizing to form a first thin film 32, and a step of forming a second thin film 34 on the first thin film 32.例文帳に追加

トンネルバリア層３０は、第１の強磁性層２４上に金属層もしくは非金属層を形成し、酸化処理することにより第１の薄膜３２を形成する工程と、第１の薄膜３２上に第２の薄膜３４を形成する工程とによって形成する。 - 特許庁

When illumination light L is projected from the light source 11 to the first absorption type linearly polarizing layer 12, the light L successively passes through the first absorption type linearly polarizing layer 12, a cholesteric liquid crystal layer 20 and the second absorption type linearly polarizing layer 13.例文帳に追加

照明光源１１により第１の吸収型直線偏光層１２側から照明光Ｌを投射すると、照明光Ｌは、第１の吸収型直線偏光層１２、コレステリック液晶層２０及び第２の吸収型直線偏光層１３を順次通過する。 - 特許庁

The method for manufacturing the organic EL display device comprises a step A of forming the lower electrode, a step B of forming the first organic compound layer, a step C of partially removing the first organic compound layer per a sub-pixel unit by using a laser beam, a step D of forming the first intermediate electrode layer, and a step E of forming the second organic compound layer.例文帳に追加

（Ａ）下部電極の形成工程 （Ｂ）第一有機化合物層の形成工程 （Ｃ）レーザー光を使用して第一有機化合物層を副画素単位で部分的に除去する工程 （Ｄ）第一中間電極層の形成工程 （Ｅ）第二有機化合物層の形成工程 - 特許庁

The urethane layers 1b and 2b are composed of the first urethane layer 1b and 2b formed in contact with the taffeta 3 and the second urethane layer 1b in contact with the first urethane layer 2b and the first urethane layer 1b is composed of an urethane resin synthesized by reaction of a polyester polyol with an alicyclic diisocyanate.例文帳に追加

ウレタン層１ｂ、２ｂは、タフタ３に接して形成された第１ウレタン層２ｂと、第１ウレタン層２ｂに接する第２ウレタン層１ｂとからなり、第１ウレタン層１ｂはポリエステルポリオールと脂環族系ジイソシアネートとの反応によって合成されたウレタン樹脂からなる。 - 特許庁

The substrate coated with titanium oxide in the double layer structure includes a first layer mainly comprising anatase type titanium oxide, and a second layer comprising a plurality of needle-shaped crystal structures mainly comprising rutile type titanium oxide grown from the first layer, formed on a solid substrate.例文帳に追加

上記二層構造の酸化チタンによって被覆された基板は、アナターゼ型酸化チタンを主構成成分とする第一層、および、第一層から成長させた、ルチル型酸化チタンを主構成成分とする複数の針状結晶構造物からなる第二層が固体基材上に形成されている。 - 特許庁

In this organic active element, an organic semiconductor layer 6 is formed between independently formed first and second electrode layers (source and drain electrodes) 4 and 5, and the semiconductor layer 6 and a third electrode layer (gate electrode) 2 hold an organic electrical insulating layer 3 between them.例文帳に追加

独立して形成される第一の電極層（ソース電極）４と第二の電極層（ドレイン電極）５との間に有機半導体層６が形成され、そして、前記有機半導体層６及び第三の電極層（ゲート電極）２が有機電気絶縁層３を狭持してなるものとなっている。 - 特許庁

For a nickel positive electrode active material for an alkaline battery, a first coating layer (an inner layer) formed of a cobalt compound, such as a cobalt hydroxide and a cobalt oxyhydroxide, and a second coating layer (an outer layer) formed of metal nickel or a nickel alloy are formed on the surfaces of nickel hydroxide particles.例文帳に追加

本発明のアルカリ電池用ニッケル正極活物質は、水酸化ニッケル粒子の表面に、水酸化コバルト、オキシ水酸化コバルト等のコバルト化合物からなる第１の被覆層（内層）と、金属ニッケルまたはニッケル合金からなる第２の被覆層（外層）とを形成したものである。 - 特許庁

An underlying layer 2 of the group III nitride containing at least Al is formed on a prescribed single crystal substrate 1, and a first semiconductor layer 3 of the group III nitride containing at least Al and a second semiconductor layer 12 are formed on the underlying layer 2.例文帳に追加

所定の単結晶基材１上に少なくともＡｌを含むＩＩＩ族窒化物からなる下地層２を形成するとともに、この下地層２上に形成された少なくともＡｌを含むＩＩＩ族窒化物からなる第１の半導体層３及び第２の半導体層１２を形成する。 - 特許庁

In a nitride compound semiconductor laminate 10, a middle layer 12 of a nitride compound semiconductor containing carbon as impurities is formed on a first crystal layer 11 comprising a nitride compound semiconductor, and a second crystal layer 13 comprising the nitride compound semiconductor is formed on the middle layer 12.例文帳に追加

窒素化合物半導体積層物１０において、窒素化合物半導体からなる第１の結晶層１１上には、炭素を不純物として含む窒素化合物半導体の中間層１２が形成され、その上には、窒素化合物半導体からなる第２の結晶層１３が形成される。 - 特許庁

To provide a bipolar junction transistor (BJT) comprising a silicon carbide (SiC) collector layer of first conductivity type an epitaxial silicon carbide base layer of second conductivity type on the silicon carbide collector layer, and an epitaxial silicon carbide emitter mesa of the first conductivity type on the epitaxial silicon carbide base layer.例文帳に追加

第１の導電型の炭化ケイ素（ＳｉＣ）コレクタ層、炭化ケイ素コレクタ層上の第２の導電型のエピタキシャル炭化ケイ素ベース層、およびエピタキシャル炭化ケイ素ベース層上の第１の導電型のエピタキシャル炭化ケイ素エミッタメサを含むバイポーラ接合トランジスタ（ＢＪＴ）を提供する。 - 特許庁

A metal-oxide-metal(MOM) capacitor of an integrated circuit is provided with a first electrode, a tantalum pentoxide layer formed on the first electrode, a first barrier layer formed on the tantalum pentoxide layer, and a second copper electrode formed on the first barrier layer.例文帳に追加

本発明は、第１の電極と、第１の電極上に形成した五酸化タンタル層と、五酸化タンタル層上に形成した第１の障壁層と、第１の障壁層上に形成した第２の銅電極とを具備する、集積回路の金属−酸化物−金属（ＭＯＭ）コンデンサを提供する。 - 特許庁

A first magnetic layer 4 is arranged on a substrate 2, and also there are provided a second magnetic layer 5 in which the maximum absolute magnetization is larger than the first magnetic layer 4 in a range from a room temperature to Curie temperature, and a metal layer 3 consisting of non-spontaneous magnetization metals.例文帳に追加

基板２上に第１磁性層４が設けられているとともに、室温からキュリー温度までの範囲において取り得る磁化の絶対値の最大値が、第１磁性層４よりも大きな第２磁性層５と、非自発磁化性の金属から成る金属層３とを備えている。 - 特許庁

In the organic electroluminescence element in which at least the first electrode, an organic layer and the second electrode are formed in this order on a transparent substrate, the substrate has at least a high polymer resin substrate layer, an antistatic layer and a gas barrier layer.例文帳に追加

透明な基材上に、少なくとも透明な第１電極、有機層、第２電極をこの順に形成する有機エレクトロルミネッセンス素子において、該基材が、少なくとも高分子樹脂基材層、帯電防止層、ガスバリア層を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。 - 特許庁

A laminate substrate 5 has a support substrate 10 composed of a first semiconductor layer, an insulation layer 20 formed on the support substrate, and a second semiconductor layer 30 provided on the insulation layer.例文帳に追加

第1半導体層からなる支持基板10、支持基板上に設けられた絶縁層20、及び絶縁層上に設けられた第2半導体層30を有する積層基板5の素子分離領域50aに含まれる、絶縁層及び第2半導体層をエッチングして、素子分離領域内に支持基板の露出面53を形成する。 - 特許庁

A suspension substrate 1 in the invention comprises an insulation layer 10, a spring material layer 11 installed on one face of the insulation layer 10, and a plurality of wirings 12 having a first wiring 13 and a second wiring 14 adjacent to each other, which are provided on the other face of the insulation layer 10.例文帳に追加

本発明によるサスペンション用基板１は、絶縁層１０と、絶縁層１０の一方の面に設けられたバネ性材料層１１と、絶縁層１０の他方の面に設けられ、互いに隣接する第１配線１３と第２配線１４とを有する複数の配線１２とを備えている。 - 特許庁

The connecting material 10 is produced by superposing an Al-based alloy layer 102 on at least a first Zn-based alloy layer 101 and further superposing a second Zn-based alloy layer 101 on the Al-based alloy layer 102, and then by clad-rolling them at the rolling rate of 60% or more.例文帳に追加

少なくとも第一のＺｎ系合金層１０１の上にＡｌ系合金層１０２を重ね、前記Ａｌ系合金層１０２の上に第二のＺｎ系合金層１０１を重ねて、クラッド圧延により圧延率を６０％以上で接続材料１０を製造する方法である。 - 特許庁

The electrophotographic photoreceptor has a charge generation layer, a charge transport layer and a cross-linked charge transport layer, laminated in order on a conductive support, wherein the cross-linked charge transport layer includes a structure unit derived from the following first component, second component and third component.例文帳に追加

導電性支持体上に電荷発生層、電荷輸送層、および架橋型電荷輸送層を順次積層した電子写真感光体において、該架橋型電荷輸送層が第１成分と、第２成分および第３成分由来の構造単位とを含むことを特徴とする電子写真感光体。 - 特許庁

The light emitting element has, between a pair of electrodes, a first layer 103 including a composite material of an organic compound and an inorganic compound, a second layer 104 including the organic compound and in contact with the layer including the composite material, and a layer 105 including a light emitting substance.例文帳に追加

発光素子は、一対の電極間に、有機化合物と無機化合物とを複合してなる複合材料を含む第１の層１０３と、前記複合材料を含む層に接する前記有機化合物を含む第２の層１０４と、発光物質を含む層１０５と、を有する。 - 特許庁

In the optical recording medium configured by stacking a plurality of recording layers 3 and 5 with an intermediate layer 4 inbetween, the intermediate layer 4 has a layered structure of a first intermediate layer 6 formed at least by sputtering and a second intermediate layer 7 formed by spin coating.例文帳に追加

複数の記録層３，５が中間層４を挟んで積層されてなる光記録媒体において、上記中間層４は、少なくともスパッタリング法により形成された第１の中間層６とスピンコート法により形成された第２の中間層７との積層構造を有する。 - 特許庁

The optical waveguide 320 is an AlGaN/GaN/AlGaN optical waveguide for closing light by putting the optical guiding layer 305 to be a core layer between the first clad layer 304 and the second clad layer 306 of small reflection rates, and optical phase modulation is performed by voltage applied to the optical waveguide.例文帳に追加

光導波路３２０は、コア層である光導波層３０５を、屈折率の小さい第１のクラッド層３０４及び第２のクラッド層３０６で挟んで光閉じ込めを行うＡｌＧａＮ／ＧａＮ／ＡｌＧａＮ光導波路であり、当該光導波路に印加される電圧により光の位相変調が実現される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a flexible printed circuit board with a reinforcing layer, capable of reliably reducing the occurrence of a gap of a second adhesive layer disposed on an edge of a first reinforcing layer to make a highly reliable flexible printed circuit board with a reinforcing layer.例文帳に追加

第１補強層の端面に配置される第２接着剤層における隙間の発生を確実に低減させて、信頼性に優れる補強層付フレキシブル配線回路基板を製造することのできる補強層付フレキシブル配線回路基板の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The anti-reflection sheet 1 is structured by successively laminating a first layer (Si-Sn alloy layer) 3 having >1 nm and <10 nm thickness as the anti-reflection film and a second layer (low refractive index layer) 4 comprising organopolysiloxane on one surface of a base sheet 2 comprising an ultraviolet curing type acrylic resin.例文帳に追加

紫外線硬化型アクリル樹脂からなるベースシート２の片面に、反射防止膜として、厚み１ｎｍ超１０ｎｍ未満の第一層（Ｓｉ−Ｓｎ合金層）３、オルガノポリシロキサンからなる第二層（低屈折率層）４を順次積層して反射防止シート１を構成する。 - 特許庁

When a distance from the center in a thickness direction of the light guide plate 14 to the surface on the second layer 14f side of the first layer 14e is to be D1, and a distance to the surface on the third layer 14g side of the first layer 14e is to be D2, the D1 as well as the D2 is 0.2 to 1.5 mm.例文帳に追加

導光板１４の厚さ方向の中心から第１の層１４ｅの第２の層１４ｆ側の面までの距離をＤ１とし、第１の層１４ｅの第３の層１４ｇ側の面までの距離をＤ２とすると、Ｄ１及びＤ２がそれぞれ０．２〜１．５ｍｍである。 - 特許庁

The quantum dot organic electroluminescent element includes: a substrate 100; a first electrode layer 110 on the substrate 100; a plurality of quantum dot structures 120 including an organic electroluminescent layer on the first electrode layer 110; and a second electrode layer 130 on the quantum dot structure 120.例文帳に追加

本発明の量子ドット有機電界発光素子は、基板１００と、基板１００上の第１電極層１１０と、第１電極層１１０上の有機発光層を含む複数の量子ドット構造１２０と、量子ドット構造１２０上の第２電極層１３０と、を含む。 - 特許庁

A transparent multilayer comprises a first conductive layer containing an intrinsically conducting a polymer, a film forming binder, and the spacer elements embedded in and projecting from the surface of the first conductive layer; and a second conductive layer separated from the first conductive layer by the spacer elements.例文帳に追加

固有的に導電性のポリマー、フィルム形成性結合剤及び第１導電層の表面に埋め込まれ且つその表面から突き出ているスペーサ・エレメントを含む第１導電層並びにスペーサ・エレメントによって第１導電層と隔てられた第２導電層を含む透明な多層体を開示する。 - 特許庁

With this, a phase differential is generated between light reflected at the first metal layer 7a and light reflected at the second metal layer 7c transmitting the first metal layer 7a and the transparent resin layer 7b to be visualized, and a metallic color tone having both mirror surface feeling and iris color can be obtained.例文帳に追加

そのため、第一金属層７ａで反射した光と、第一金属層７ａと透明樹脂層７ｂとを透過して第二金属層７ｃで反射した光との間で位相差が生じて視認され、鏡面感と虹彩色とを併せ持つ金属調の色調を得ることができる。 - 特許庁

A first electrode layer, which is arranged to be in contact with a collector material of a multilayer electrode structure, a battery using the same structure and an electrical double layer capacitor, and a second electrode layer arranged on the first electrode layer have different compositions of matter or different compounding ratios from each other.例文帳に追加

集電材に接して配置された第１電極層と、第１電極層上に配置された第２電極層は、異なった物質組成或は異なった配合比とする多層電極構造体、この多層電極構造体を使用した電池、及び電気二重層キャパシター。 - 特許庁

Thus, a shot key barrier electrode 13 is formed of the first metallic layer 19 made of the Pd silicide, the second metallic layer 20 made of the Ti silicide, the fourth metallic layer 22 made of the Ti, Al, and Si, and the third metallic layer 21 made of the Al.例文帳に追加

このようにして、Ｐｄシリサイドからなる第１金属層１９と、Ｔｉシリサイドからなる第２金属層２０と、ＴｉとＡｌとＳｉとからなる第４金属層２２と、Ａｌからなる第３金属層２１と、から構成されたショットキバリア電極１３を形成する。 - 特許庁

In the manufacturing process of electronic component, expansion of plating can be prevented, when a second metal electrode layer 34 and a third metal electrode layer 36 are formed, by forming a glass layer 40 at an edge of a first metal electrode layer 32 on the front surface of a ceramic raw material 10.例文帳に追加

この電子部品の製造方法では、セラミック素体１０の表面上に第１の金属電極層３２の縁にガラス層４０を形成することで、第２の金属電極層３４及び第３の金属電極層３６を形成する際のめっき伸びを防止できる。 - 特許庁

Forward ends 78a and 88a of the joint side ends extending from the first layer conductor and the second layer conductor spaced apart by a third pitch are bonded to each other, and forward ends 88b and 78b extending from the third layer conductor and the fourth layer conductor spaced apart by a fourth pitch are bonded to each other.例文帳に追加

第３ピッチ離れた第１層導体及び第２層導体から延びた接合側端部の先端同士７８ａ，８８ａが接合され、第４ピッチ離れた第３層導体及び第４層導体から延びた先端同士８８ｂ、７８ｂが接合されている。 - 特許庁

An improved layer 6 is formed having an exposed concrete pattern by providing with a first layer 4 obtained by applying and setting an under coating material comprising a polymer cement mortar on a surface of a light-weight thermally insulating base material 2 and with a second layer 5 obtained by applying and setting a top coating material comprising a polymer cement mortar on the first layer 4.例文帳に追加

軽量断熱基材２の表面に、ポリマーセメントモルタルによる下塗り材を塗布して硬化させた第１層４と、第１層４上にポリマーセメントモルタルによる上塗り材を塗布して硬化させた第２層５とを備えることにより打放しコンクリート模様の改良層６を形成する。 - 特許庁

A coil part 10 includes a non-magnetic layer 11, a magnetic layer 13 arranged to sandwich at least the non-magnetic layer 11, and first and second spiral coil conductors 15 and 17 which are arranged in the non-magnetic layer 11 to couple each other magnetically.例文帳に追加

コイル部１０は、非磁性体層１１と、非磁性体層１１を少なくとも挟むように配置された磁性体層１３と、非磁性体層１１内に配置されると共に互いに磁気的に結合する第１及び第２のスパイラル状コイル導体１５，１７と、を有している。 - 特許庁

A first resistor metal layer 14 as thick as 50Å to 2 μm is arranged on the intermediate layer 18, and furthermore a second resistor metal layer 16 as thick as 50Å to 2 μm is arranged on the first resistor metal layer 14.例文帳に追加

５０Åと２μｍの間の厚さの第一抵抗金属である第一の層１４を中間層１８上に配置して、さらに５０Åと２μｍの間の厚さの第二抵抗金属である第二の層１６を第一抵抗金属である第一の層１４上に配置する。 - 特許庁

This nonaqueous electrolyte battery has between a positive electrode and a negative electrode, a composite layer comprising a first polymer layer which contains an electronic conductive substance which does not react with lithium and a second polymer layer which contains a carbonaceous substance reacting with lithium, the composite layer having ionic conduction paths.例文帳に追加

非水電解質電池において、正極と負極間に、リチウムと反応しない電子伝導性物質を含む第１のポリマー層と、リチウムと反応する炭素質材料を含む第２のポリマー層とからなる複合層を備え、前記複合層はイオン伝導通路を有することを特徴とする。 - 特許庁

A method of manufacturing a structure having a nitride semiconductor comprises the steps of: forming a first semiconductor layer composed of a group III nitride semiconductor containing In; and forming a second semiconductor layer composed of a group III nitride semiconductor having a lower In composition than the first semiconductor layer on the first semiconductor layer.例文帳に追加

Ｉｎを含むIII族窒化物半導体からなる第１の半導体層を形成する工程と、第１の半導体層の上に、第１の半導体層よりもＩｎ組成が低いIII族窒化物半導体からなる第２の半導体層を形成する工程を有する。 - 特許庁

The p-type nitride semiconductor layer includes a layered structure wherein a layered structure comprising a first nitride semiconductor layer 8b having a three-dimensional island structure and a second nitride semiconductor layer 8a formed covering the first nitride semiconductor layer is formed repeatedly a plurality of times.例文帳に追加

ｐ型窒化物半導体層は、三次元島構造を有する第１窒化物半導体層８ｂと、第１窒化物半導体層を覆って形成された第２窒化物半導体層８ａとの積層構造が、複数周期繰り返し形成された積層体構造を有する。 - 特許庁

The semiconductor device includes a semiconductor layer laminate 13 including a first nitride semiconductor layer 13A and a second nitride semiconductor layer 13B which has a greater band gap than the first nitride semiconductor layer 13A, formed on a substrate 11 in sequence from the side of the substrate 11.例文帳に追加

半導体装置は、基板１１の上に基板１１側から順次形成された第１の窒化物半導体層１３Ａ及び第１の窒化物半導体層１３Ａと比べてバンドギャップが大きい第２の窒化物半導体層１３Ｂを含む半導体層積層体１３を備えている。 - 特許庁

By forming the above structure; holes are implanted through two paths of a first path which is directly implanted from the upper face of the InGaAsP active layer 3, and a second path which is implanted from the side face of the InGaAsP active layer 3 through the InGaAsP intermediate layer 7 from the first p-InP clad layer 4.例文帳に追加

上記構造とすることにより、正孔は、InGaAsP活性層３の上面から直接注入される第１経路と、第１ｐ−InPクラッド層４からInGaAsP中間層７を介してInGaAsP活性層３の側面から注入される第２経路との２つの経路を経由して注入される。 - 特許庁