「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(214ページ目) - Weblio英語例文検索

The second semiconductor layer has a third region 4 including second conduction type impurities, whose impurity concentration is equivalent to or higher than that of the second region 3, and a fourth region 6 of a second conduction type formed inside the third region 4 and having the impurity concentration higher than that of the third region 4.例文帳に追加

第２半導体層は、不純物濃度が第２領域３と同等かそれよりも高い第２導電型の不純物を含む第３領域４と、該第３領域４の内部に形成され第３領域４よりも不純物濃度が高い第２導電型の第４領域６とを有している。 - 特許庁

The second information recording layer is formed so as to have a distance to the laser beam entrance surface of 0.05 to 1.2 mm and is configured so that information can be recorded thereupon and/or reproduced therefrom using a second objective lens having a second numerical aperture NA2 and a laser beam of a second wavelength λ2.例文帳に追加

第２の情報記録層は、同レーザ光入射面までの距離が０．０５ｍｍ〜１．２ｍｍとなるように形成され、第２の開口数ＮＡ２を有する第２の対物レンズと第２の波長λ２のレーザ光とを用いて情報の記録又は再生が可能な構成を有する。 - 特許庁

The conductive layer 30 includes a first overlapping section 36 overlapping the first wiring 24, a second overlapping section 38 overlapping the second wiring 26, and a connection section 40 for connecting the first overlapping section 36 to the second overlapping section 38 between the first overlapping section 36 and the second overlapping section 38.例文帳に追加

導電層３０は、第１配線２４と重なる第１重複部３６と、第２配線２６と重なる第２重複部３８と、第１重複部３６と第２重複部３８の間で第１重複部３６及び第２重複部３８を接続する接続部４０と、を含む。 - 特許庁

The liquid crystal display device includes: a first substrate 1 having a first electrode 11 on one side thereof; a second substrate 2 having a second electrode 12 on one side thereof, and placed opposite to the first substrate; and a liquid crystal layer 3 disposed between the first electrode of the first substrate and the second electrode of the second substrate.例文帳に追加

液晶表示装置は、一面側に第１電極１１を有する第１基板１と、一面側に第２電極１２を有し、第１基板と対向配置された第２基板２と、第１基板の第１電極と第２基板の第２電極との間に配置された液晶層３と、を含む。 - 特許庁

The liquid crystal display panel having a first substrate 1, a second substrate 5 placed opposite to the first substrate 1, a liquid crystal layer 15 provided between the first and the second substrate 1, 5, a first color filter 9 provided either on the first substrate 1 or on the second substrate 5, a semitransmission and reflection plate 24 and a second color filter 28 is adopted.例文帳に追加

第１の基板と、第１の基板と対向して設ける第２の基板と前記基板の間に設ける液晶層を有し、第１の基板、あるいは第２の基板上に設ける第１のカラーフィルターと半透過反射板と第２のカラーフィルターとを有する液晶表示パネルを採用する。 - 特許庁

First and second flexible boards 30, 40 are mutually glued with an adhesion layer 50 in the vicinity of interconnection portions of first and second rigid boards 10, 20 in such a way that the spacing between the first and second flexible boards 30, 40 is narrower than the thickness of the first and second rigid boards.例文帳に追加

第１および第２フレキシブル基板３０，４０同士が第１および第２リジッド基板１０，２０の接続部の近傍で、第１および第２フレキシブル基板３０，４０間の間隔が第１および第２リジッド基板１０，２０の厚さよりも狭くなるように接着層５０で貼り合わされている。 - 特許庁

The second emission layer EML2 contains a second dopant material EM2 having an emission center in a green color wavelength, and a second host material HM2 having an absorbance bottom on the short wavelength side beyond an absorbance peak in the absorbance spectrum characteristics of the first dopant material and the second dopant material.例文帳に追加

第２発光層ＥＭＬ２は、緑色波長に発光中心を有する第２ドーパント材料ＥＭ２と、第１ドーパント材料及び第２ドーパント材料の吸光度スペクトル特性における吸光度ピークよりも短波長側に吸光度ボトムを有する第２ホスト材料ＨＭ２と、を含んでいる。 - 特許庁

A spacer film 112 is formed on the side wall of the gate electrode, and impurities of a second conductivity-type are implanted into the surface layer parts of the first and second regions, with the use of the gate electrodes and spacer film as masks for second activation treatment and to form a second impurity diffusion region 110.例文帳に追加

ゲート電極の側壁上にスペーサ膜１１２を形成し、次いでゲート電極とスペーサ膜とをマスクとして第１領域と第２領域の表層部とに第２導電型の不純物を注入し第２の活性化処理を行い第２の不純物拡散領域１１０を形成する。 - 特許庁

The suspension assembly 100 is provided with a first conductor 102 connected to the first end part of the MR sensor 30, a second conductor 104 connected to the second end part of the MR sensor 30, and an insulating layer 110 for supporting the first and second parts of the first and second conductors 102 and 104.例文帳に追加

サスペンションアセンブリ１００は、ＭＲセンサ３０の第１端部と結合される第１導線１０２と、ＭＲセンサ３０の第２端部と結合される第２導線１０４と、第１および第２導線１０２，１０４の第１および第２部分を支持する絶縁層１１０とを備える。 - 特許庁

A solid-state imaging apparatus 1 includes: a semiconductor layer 13 having a first region and a second region; a pixel part provided in the first region; a plurality of electrodes 22 which are provided in the second region and penetrate the semiconductor layer 13; and a guard ring 20 which is provided in the second region, penetrates the semiconductor layer 13, and electrically isolates the pixel part from the plurality of electrodes 22.例文帳に追加

固体撮像装置１は、第１及び第２の領域を有する半導体層１３と、第１の領域に設けられた画素部と、第２の領域に設けられ、かつ半導体層１３を貫通する複数の電極２２と、第２の領域に設けられ、かつ半導体層１３を貫通し、かつ画素部と複数の電極２２とを電気的に分離するガードリング２０とを含む。 - 特許庁

A plug 114 composed of a copper film is buried through a barrier layer composed of a second β-tantalum film 111 into a via hole formed in the first interlayer dielectric film 106, and an upper-layer wiring 115 composed of a copper film is buried through the barrier layer composed of the second β-tantalum film 111 into the a wiring groove formed on the second interlayer dielectric film 108.例文帳に追加

第１の層間絶縁膜１０６に形成されたヴィアホールには第２のβ−タンタル膜１１１よりなるバリア層を介して銅膜よりなるプラグ１１４が埋め込まれ、第２の層間絶縁膜１０８に形成された配線溝には第２のβ−タンタル膜１１１よりなるバリア層を介して銅膜よりなる上層配線１１５が埋め込まれている。 - 特許庁

By this setup, the electronic part element 1 can be dipped into the second conductive paste layer 12 before the second conductive paste layer 12 gets dry, in a state that the conductive paste film 13 formed on the electronic part element 1 is not dried out yet, and excessive conductive paste is transferred from the conductive paste film 13 to the second conductive paste layer 12 and then removed.例文帳に追加

これにより、電子部品素子１に形成された導電性ペースト膜１３が乾燥していない状態で、第２の導電性ペースト層１２が乾燥するまでに、電子部品素子１を第２の導電性ペースト層１２に浸漬することを可能ならしめ、導電性ペースト膜１３から余剰の導電性ペーストを第２の導電性ペースト層１２側に移行させて除去する。 - 特許庁

The cotton-like pulp layer is formed by feeding crushed pulp on a first wrapper sheet, charcoal powder and then water are sprayed on the cotton-like pulp layer, a second wrapper sheet is stacked on the cotton-like pulp layer, the first wrapper sheet and the second wrapper sheet are embossed, and the embossed first wrapper sheet and second wrapper sheet are dried to form the crust.例文帳に追加

第１包合紙上に粉砕パルプを供給することによりパルプ綿層を形成し、このパルプ綿層には炭粉を散布するとともに水を噴霧し、パルプ綿層上に第２包合紙を積層し、第１包合紙とパルプ綿層と第２包合紙とにエンボス加工を施し、このエンボス加工が施された第１包合紙とパルプ綿層と第２包合紙とを乾燥してクラストを製造している。 - 特許庁

A first overlapping error measurement mark 100 having a recessed lower mark 11A and a first upper layer mark 13A, and a second overlapping error measurement mark 200 having a projecting lower layer mark 11B and a second upper layer mark 13B are arranged on the same substrate 10, and first and second overlapping error measurement marks 100 and 200 measure the overlapping error.例文帳に追加

同一の基板１０上に、凹型下層マーク１１Ａと第１の上層マーク１３Ａとを有する第１の重ね合わせ誤差測定マーク１００と、凸型下層マーク１１Ｂと第２の上層マーク１３Ｂとを有する第２の重ね合わせ誤差測定マーク２００とを設け、第１および第２の重ね合わせ誤差測定マーク１００，２００により重ね合わせ誤差を測定する。 - 特許庁

The temperature sensor comprises: a first electrode sensor; a second electrode sensor; a dielectric layer sandwiched between the first and the second electrode layer and is provided with a first dielectric with a volume that is changed by temperature change; and a temperature-calculating section for calculating a temperature corresponding to the potential difference between the first and the second electrode layer.例文帳に追加

第１の電極層と、第２の電極層と、前記第１の電極層と前記第２の電極層との間に挟まれ、温度変化によって体積が変化する第１の誘電体が設けられた誘電体層と、前記第１の電極層と前記第２の電極層との間の電位差に対応する温度を算出する温度算出部と、を備えることを特徴とする温度センサー。 - 特許庁

A second conductivity type impurity region 13 functioning as a drain is formed on a semiconductor substrate 10, a first conductivity type semiconductor layer 30 having impurity concentration higher than that of the semiconductor substrate 10 is formed on the semiconductor substrate 10 and the second conductivity type impurity region 13, and a second conductivity type semiconductor layer 20 is formed on the first conductivity type semiconductor layer 30.例文帳に追加

半導体基板１０に、ドレインとして機能する第２導電型不純物領域１３を形成し、半導体基板１０上及び第２導電型不純物領域１３上に、半導体基板１０より不純物濃度が高い第１導電型半導体層３０を形成し、第１導電型半導体層３０上に第２導電型半導体層２０を形成する。 - 特許庁

The ESD protection circuit 110 includes a bipolar transistor 121 comprising a first diffusion layer 115 of a first conductive type connected to a high potential power supply VDD, a second diffusion layer 114B of a second conductive type connected to a low potential power supply VSS, and a third diffusion layer 14A of the second conductive type connected to an input/output pad 101.例文帳に追加

本発明によるＥＳＤ保護回路１１０は、高電位電源ＶＤＤに接続される第１導電型の第１拡散層１１５と、低電位電源ＶＳＳに接続される第２導電型の第２拡散層１１４Ｂと、入出力パッド１０１に接続される第２導電型の第３拡散層１４Ａとによって形成されるバイポーラトランジスタ１２１を具備する。 - 特許庁

The organic semiconductor device comprises first and second electrodes facing each other, and an organic semiconductor layer provided between the first and second electrodes wherein a charge injection accelerating layer is formed between the organic semiconductor layer and at least one of the first and second electrodes.例文帳に追加

対向する第１の電極及び第２の電極と、第１の電極及び第２の電極の間に設けられた有機半導体層とを有する有機半導体装置であって、第１の電極及び第２の電極のうち少なくとも一方の電極と有機半導体層との間に、電荷注入促進層が形成されている有機半導体装置により、上記課題を解決した。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device includes the steps of: forming a first mask pattern on a layer to be etched; forming a second mask pattern on the layer to be etched; forming a spacer on the sidewalls of the first mask pattern and the second mask pattern; and etching the layer to be etched on the basis of an etching mask in which the second mask pattern was removed.例文帳に追加

本発明の一実施形態に係る半導体素子の製造方法は、被エッチング層上に第1マスクパターンを形成する段階、被エッチング層上に第2マスクパターンを形成する段階、第1マスクパターン及び第2マスクパターンの側壁にスペーサを形成する段階、及び第2マスクパターンが除去されたエッチングマスクを基準に前記被エッチング層をエッチングする段階を含む。 - 特許庁

The SiC semiconductor device has an n^+ type SiC substrate 11 having a first main face and a second main face confronted with the first main face, an epitaxial layer 13 formed on the second main face and an electrode 14 which is formed on the epitaxial layer 13 and is brought into ohmic-contact with the epitaxial layer 13.例文帳に追加

第１の主面と該第１の主面に背向する第２の主面とを有するｎ^＋型ＳｉＣ基板１１と、第２の主面上に形成されたエピタキシャル層１３と、エピタキシャル層１３上に形成されると共に、エピタキシャル層１３とオーミック接触した電極１４とを有することを特徴とする。 - 特許庁

The board includes a capacitor element 9 in which a plurality of conductor layers 7a, 7b, 7c, and a plurality of dielectric layers 8a, 8b, 8c are alternately laminated between the second wiring layer 4 and the insulating material layer 3, and the conductor layers 7a, 7b, 7c are bundled in homopolar and connected to the second wiring layer 4.例文帳に追加

第２の配線層４と絶縁体層３との間に、複数の導電体層７ａ，７ｂ，７ｃと、複数の誘電体層８ａ，８ｂ，８ｃとが交互に積層され、導電体層７ａ，７ｂ，７ｃが同極ごとにまとめられて第２の配線層４に接続されたコンデンサ素子９を備える。 - 特許庁

This coating method comprises: a process for applying a first coating liquid F1 on the surface of a continuously travelling belt like flexible supporting body W in a first coater and drying the first coating liquid to form a primary layer; and a process for applying a second coating liquid F2 on the surface of the primary layer in a second coater 10 to form an upper layer.例文帳に追加

連続走行する帯状の可撓性支持体Ｗの表面に第１の塗布装置で第１の塗布液Ｆ１を塗布し、この第１の塗布液を乾燥させて下層を形成する工程と、下層の表面に第２の塗布装置１０で第２の塗布液Ｆ２を塗布し上層を形成する工程と、を有する塗布方法。 - 特許庁

After a trench 14 is formed, the insulating layer on the bottom of the trench 14 is charged by dry etching, and a second silicon layer 12 positioned in the lateral direction of the bottom of the trench is removed, by implanting the etching ions of dry etching to the second silicon layer 12 positioned in the relevant lateral direction, so that the movable part can be formed.例文帳に追加

トレンチ１４を形成した後、ドライエッチングを行い、トレンチ１４の底部の絶縁層を帯電させ、ドライエッチングのエッチングイオンをトレンチの底部の横方向に位置する第２のシリコン層１２へ当てて当該横方向に位置する第２のシリコン層１２を除去することにより、可動部を形成する。 - 特許庁

A surface facing an electric discharge space of a second dielectric layer 3 which covers address electrodes 2 formed on a non-display substrate 1, is covered with a third dielectric layer 5, and electric discharge suppressors which are formed on positions facing the second dielectric layer 3 and between respective adjacent electric discharge cells 7 along the address electrodes 2.例文帳に追加

非表示面基板１に形成されるアドレス電極２を被覆する第二誘電体層３の放電空間と対向する面を第三誘電体層５で被覆し、アドレス電極２に沿った方向に隣り合う放電セル７の間で、かつ、第二誘電体層３と対向する位置に形成される放電抑止体を形成する。 - 特許庁

In the apparatus 1, a skin layer 61 is formed by filling up in a cavity 41 with a molten resin 60 using a first mold 2 provided with a cavity forming recessed part 21 and a second mold 3 provided with a cavity-forming projection part 31, and a foamed layer 62 is formed in an inner side to the skin layer 61 by moving the second mold 3.例文帳に追加

製造装置１は、キャビティ形成凹部２１を設けた第１型部２とキャビティ形成凸部３１を設けた第２型部３とを用い、キャビティ４１内に溶融樹脂６０を充填してスキン層６１を形成し、第２型部３を可動させて、スキン層６１に対する内側部分に発泡層６２を形成する。 - 特許庁

The second metal layer 14 has a plurality of openings 40, 42, and 44 that are arranged at the vias 15 spaced along the surface of the metal layer 14, and a plurality of solder balls 17, 18, 19 placed across the openings of the second metal layer 14, with each solder ball being mounted to the soldering paste 13 which forms electrical interconnection between the metal layers 12 and 14.例文帳に追加

第２の金属層14は、その表面に沿って間隔のあいたビア15に整列された複数の開口40、42、44を有し、第２の金属層14の開口を横切って配置された複数のはんだボール17、18、19を有し、各々のはんだボールは金属層12、14間に電気的相互接続を形成するはんだペースト13に取付けられる。 - 特許庁

A substrate and a first and a second electrode layers formed at one side of the substrate are provided, and an organic layer containing vinyl polymer obtained by polymerizing vinyl monomers containing compounds expressed in formula (1) is provided between the first electrode layer and the second electrode layer.例文帳に追加

基板と前記基板の一側に形成された第１の電極層と第２の電極層とを備え、前記第１の電極層と前記第２の電極層との間に式（１）で表される化合物を含むビニルモノマーを重合させて得られるビニルポリマーを含有する有機層を備えることを特徴とする有機ＥＬ素子。 - 特許庁

A transparent second ITO film is attachedly formed on the first insulating layer, and it is patterned in a shape of a plurality of striped electrode parts orthogonal to the plurality of electrodes of the first electrode layer in a planar view and a plurality of wiring parts that are lead wiring lines thereof to form a second electrode layer.例文帳に追加

第１絶縁層上に透明な第２ＩＴＯ膜を着膜し、これを第１電極層の複数の電極部に対し平面的に見て直交するストライプ状の複数の電極部とそれらそれぞれの引出配線である複数の配線部の形状にパターニングして第２電極層を形成する。 - 特許庁

Each semiconductor nanorod 130 comprises a central nanorod 131 formed of a semiconductor of a first conductivity type, a first cover layer 132 formed of an intrinsic semiconductor and covering the central nanorod 131, and a second covering layer 138 formed of a semiconductor of a second conductivity type and covering the first cover layer 132.例文帳に追加

半導体ナノロッド１３０は、第１の導電型の半導体からなる中心ナノロッド１３１と、真性半導体からなり中心ナノロッド１３１を被覆する第１の被覆層１３２と、第２の導電型の半導体からなり第１の被覆層１３２を被覆する第２の被覆層１３８とを有する。 - 特許庁

After a first layer packed object is formed by applying mold clamping force to both molds, both molds are relatively separated to be held to preset second mold opening quantity and, in this state, a second layer core material molten resin is injected in the space formed by the fixed mold and the first layer packed object to fill the space.例文帳に追加

両金型に型締力を負荷させて第一層充填物を形成したのち、両金型を相対的に離間させ予め設定した第二型開量に保持した状態で、固定金型と第一層充填物とで形成される空間内に第二層コアー材溶融樹脂を射出充填する。 - 特許庁

This organic EL element 11 is so structured that a visible light-transmitting first electrode 13, the organic EL layer 14, and a metallic second electrode 15 are sequentially stacked on a glass substrate 12; and a protective layer 16 for protecting the EL layer 14 from oxygen and moisture is stacked and formed so as to cover the second electrode 15.例文帳に追加

有機ＥＬ素子１１は、ガラス基板１２上に可視光透過性の第１電極１３と、有機ＥＬ層１４と、金属製の第２電極１５とが順に積層され、かつ有機ＥＬ層１４を酸素及び水分から保護する保護膜１６が第２電極１５を覆うように積層形成されている。 - 特許庁

After a first layer 22d is formed through the application of chemical primer treatment onto a surface of a wire 11, an electronic ray curing resin (adhesive) is applied thereonto to form a second layer 22e, and a mixture solution of the resin, abrasive grains 22c and an additive 22b is applied thereonto as a coating to form a second layer 3.例文帳に追加

ワイヤ１１表面に化学的プライマ処理を施して第１層２２ｄを形成した後、電子線硬化性樹脂（接着剤）を塗布して第２層２２ｅを形成し、さらに電子線硬化性樹脂と砥粒２２ｃおよび添加物２２ｂとの混合溶液を塗布することによって第３層２２ａ以降を形成する。 - 特許庁

This method of manufacturing the plastic material includes a first step of pretreating the surface of the plastic molded article, a second step of forming the first layer film of copper on the surface of the pretreated molded article by a vacuum film forming method, and a third step of forming the second layer film on the surface of the first layer film by the vacuum film forming method.例文帳に追加

また、本発明の製造方法は、プラスチック成形品の表面を前処理する第１工程、前処理済みの該成形品の表面に銅の第１層被膜を真空成膜法で形成する第２工程、および該第１層被膜の表面に上記第２層被膜を真空成膜法で形成する第３工程からなる。 - 特許庁

The electrode structure comprises a first electrode, an insulating film laid in layer on a first electrode, a second electrode laid in layer on the insulating film and not touching the first electrode directly, and a semiconductor layer touching both the first and second electrodes.例文帳に追加

具体的な構造としては、第１の電極と、前記第１の電極に積層された絶縁層と、前記絶縁層に積層され、かつ、前記第１の電極と直接接していない第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極の両方に接している半導体層からなることを特徴とする。 - 特許庁

The method includes a first process for injecting N-type impurities in a dicing portion in a P-type semiconductor region, at the rear face of the semiconductor wafer; a second process for forming the first layer over the entire rear face of the semiconductor wafer; and a third process for forming the second layer, on the rear face of the first layer by a wet plating method.例文帳に追加

この方法は、半導体ウェハの裏面のＰ型の半導体領域のダイシング部に、Ｎ型の不純物を注入する第１工程と、半導体ウェハの裏面全体に第１層を形成する第２工程と、湿式めっき法によって第１層の裏面に第２層を形成する第３工程とを含んでいる。 - 特許庁

The photoelectric conversion device includes a support 21 electrically connected to the first semiconductor or second semiconductor layer while supporting the element, a metallic sheet electrically connected to the second semiconductor layer or first semiconductor of the element of the element, and an electric insulating layer which insulates the support from the metallic sheet.例文帳に追加

光電変換装置は、前記各素子を支持し、かつ第１半導体または第２半導体層と電気的に接続された支持体２１、前記素子の第２半導体層または第１半導体と電気的に接続された金属シート、および支持体と金属シートとを絶縁する電気絶縁層を備える。 - 特許庁

The substrate 11 includes a first conductivity-type first semiconductor layer 12, having a resistance value of 100 to 10,000 Ωcm; and a second conductivity-type second semiconductor layer 13, that has a resistance value of 100 to 10,000 Ωcm and a different conductivity from the first conductivity-type on a first semiconductor layer.例文帳に追加

基板11は、抵抗値が１００Ω・ｃｍ〜１００００Ω・ｃｍの第１導電型の第１の半導体層12と、抵抗値が１００Ω・ｃｍ〜１００００Ω・ｃｍであり、第１の半導体層上の第１導電型と異なる第２導電型の第２の半導体層13を有している。 - 特許庁

Vias are opened on a second clad layer 23 formed by covering a core layer 22 and the first clad layer 21 along with the first conductor parts 24, the opened vias are filled with a conductive material to form second conductor parts 25 (residual parts of the conduction vias) connected to the first conductor parts 24.例文帳に追加

さらに、この第１の導体部分２４と共にコア層２２及び第１クラッド層２１を被覆して形成された第２クラッド層２３にビア開口を行い、その開口されたビアを導電性材料で充填して、第１の導体部分２４と接続される第２の導体部分２５（導通ビアの残りの部分）を形成する。 - 特許庁

The electrophotographic photoreceptor 1 has the first surface protective layer 6 formed by applying the first pulse bias voltage, and the second surface protective layer 7 formed on the first surface protective layer 6 by applying the second pulse bias voltage higher than the first pulse bias voltage in terms of absolute value.例文帳に追加

本発明の電子写真用感光体１は、第１のパルスバイアス電圧を印加して形成された第１の表面保護層６と、絶対値で第１のパルスバイアス電圧以上の第２のパルスバイアス電圧を印加して第１の表面保護層６上に形成された第２の表面保護層７と、を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

An optical adhesive is applied to first optical elements 11, 21 to form an adhesive layer 13, second optical elements are stuck together on the adhesive layer 13 to press mutual principal planes, and the adhesives of the adhesive layer 13 between the first optical elements 11, 21 and the second optical elements which are pressed are hardened.例文帳に追加

第１の光学素子１１，２１に光学接着剤を塗布して接着層１３を形成し、この接着層１３の上に第２の光学素子を貼り合わせて互いの主面同士を押し当て、押し合わされた第１の光学素子１１，２１と第２の光学素子との間の接着層１３の接着剤を硬化させる。 - 特許庁

The slide material is equipped with a first member 1 comprising a first material, the porous intermediate layer 2 formed on the first member and the second member 3 laminated and molded on the porous intermediate layer by flame spraying and comprising a second material partially infiltrated into the gap parts of the porous intermediate layer.例文帳に追加

この摺動材料は、第１の材料からなる第１の部材１と、前記第１の部材上に形成された多孔質中間層２と、前記多孔質中間層上に溶射により積層、成形されその一部が該多孔質中間層の空隙部内に含浸された第２の材料からなる第２の部材３とを具備する。 - 特許庁

In a laminate wherein a first resin layer based on a water insoluble resin and a second resin layer based on a water soluble resin are successively provided on a support, a curl preventing layer based on a modified polyester resin is provided on the surface on the side opposite to the first and second resin layers of the support.例文帳に追加

支持体上に、非水溶性樹脂を主成分とする第一樹脂層、水溶性樹脂を主成分とする第二樹脂層を順次有する積層体において、前記支持体の第一樹脂層および第二樹脂層とは反対側の面に、親水基を含む変性ポリエステル樹脂を主成分とするカール防止層を設ける。 - 特許庁

A method for manufacturing the image sensor comprises a step for forming the first conductive semiconductor substrate, a step for forming the trench, a step for growing the second conductive type first epitaxial layer in the trench to be embedded, and a step for forming the second epitaxial layer on the first epitaxial layer.例文帳に追加

また、第１導電型の半導体基板を形成するステップと、トレンチを形成するステップと、前記トレンチに第２導電型の第１のエピタキシャル層を成長させて埋め込むステップと、前記第１のエピタキシャル層上に第２のエピタキシャル層を形成するステップとを含むことを特徴とするイメージセンサの製造方法が提供される。 - 特許庁

The electrode 15 consists of a first conductor layer 12' formed of a first electrode material containing silver powder, zinc powder, aluminum powder and glass frit, and a second conductor layer 14 formed of a second electrode material which is disposed on the first conductor layer and contains silver powder and glass frit.例文帳に追加

電極１５は、銀粉末と亜鉛粉末とアルミニウム粉末とガラスフリットとを含有する第１電極材料で形成された第１導電体層１２’と、第１導電体層の上に配置され且つ銀粉末とガラスフリットとを含有する第２電極材料で形成された第２導電体層１４とから成る。 - 特許庁

A nitride semiconductor solar cell includes: a first semiconductor layer 102 comprising a III-V nitride semiconductor and including a first pn junction; and a second semiconductor layer 104 comprising a III-V nitride semiconductor and including a second pn junction different in bandgap from the first semiconductor layer 102.例文帳に追加

窒化物半導体太陽電池は、III-Ｖ族窒化物半導体からなり、第１のｐｎ接合を含む第１の半導体層１０２と、III-Ｖ族窒化物半導体からなり、第１の半導体層１０２とは禁制帯幅が異なる第２のｐｎ接合を含む第２の半導体層１０４とを有している。 - 特許庁