「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(218ページ目) - Weblio英語例文検索

The light pipe (52) has a layer of transparent material and the layer of the transparent material has an upper face and a bottom face, and further, a first and a second opposed side faces crossing the upper and the bottom faces.例文帳に追加

ライトパイプ(52)は透明材料の層を有し、透明材料の層は上面及び底面を有し、更に上面及び底面に交差する第１及び第２の対向する側面を有する。 - 特許庁

Accordingly, a first skin layer 62 contacting with the molding surface 26A of the cavity mold 26 is hardened slower than a second skin layer 64 contacting with the molding surface 28A of the core mold 28.例文帳に追加

従って、キャビティ型２６の成形面２６Ａと接する第一表皮層６２の方がコア型２８の成形面２８Ａと接する第二表皮層６４よりも硬化が遅くなる。 - 特許庁

The manufacturing method includes a step of forming a second wiring layer above the adjustment film so as to intersect with the etched first wiring layer to allow memory cells to be arranged at the respective intersections.例文帳に追加

そして、製造方法は、調整膜の上方に、エッチングされた第１配線層と交差して各交差部にメモリセルが配置されるように、第２配線層を形成する工程を備える。 - 特許庁

The device body 1B includes a lower conductor layer 43 used for consisting a first passive element and an upper conductor layer 73 used for consisting a second passive element.例文帳に追加

デバイス本体１Ｂは、第１の受動素子を構成するために用いられる下部導体層４３と、第２の受動素子を構成するために用いられる上部導体層７３とを含んでいる。 - 特許庁

A plurality of superconducting wiring layers (M2, M4, and M6), a plurality of superconducting ground layers (M1, M3, and M5), and a second resistance layer (RES2) are included under the first superconducting ground layer (M7).例文帳に追加

第１の超伝導グランド層（Ｍ７）下に、複数の超伝導配線層（Ｍ２、Ｍ４、Ｍ６）と、複数の超伝導グランド層（Ｍ１、Ｍ３、Ｍ５）と、第２の抵抗層（ＲＥＳ２）とを有している。 - 特許庁

A lower dummy pattern A composed of the first metal layer and an upper dummy pattern B composed of the second metal layer are piled and formed on the periphery of input terminal pads 26 in the non-pixel region.例文帳に追加

非画素領域の入力端子パッド２６の周囲に、第１のメタル層からなる下層ダミーパターンＡと第２のメタル層からなる上層ダミーパターンＢが積み重ね形成されている。 - 特許庁

A plurality of antenna elements are formed on the surface of a first insulating material layer on the first and second sides of which a conductive material layer is formed such as a printed circuit board.例文帳に追加

プリント回路板などのように、第１面と第２面との両面に導電材料層が形成された第１絶縁材料層の表面に、複数のアンテナエレメントを形成する。 - 特許庁

The power adjustment part 143 decides the laser beam power to the recording film for a second layer 101b based on the laser beam power adjusted to the recording film for the first layer 101a.例文帳に追加

パワー調整部１４３は、第１の層１０１ａの記録膜に対して調整されたレーザ光のパワーに基づいて、第２の層１０１ｂの記録膜に対するレーザ光のパワーを決定する。 - 特許庁

An irregular and fine rugged face is formed on at least one surface on the liquid crystal layer 7 side of a first and a second transparent electrodes 3 and 4 disposed sandwiching the liquid crystal layer 7.例文帳に追加

液晶層７を挟んで配置される第一透明電極３と第二透明電極４の少なくとも片方の液晶層側の表面に不規則で微細な凹凸面を構成する。 - 特許庁

A conductor layer 4 is formed between the semiconductor element 1 and the second insulation substrate 3b, and an external connection terminal of the semiconductor element 1 and the conductor layer 4 are so connected that conduction may be permitted between them.例文帳に追加

半導体素子１と第２の絶縁基板３ｂとの間には導体層４が設けられ、半導体素子１の外部接続端子と導体層４とは導通可能に接続されている。 - 特許庁

The first body contact region 21, the source region 23, the second body contact region 24, and the drain region 26 are arranged in this order along one direction of a surface layer part of a semiconductor layer 20.例文帳に追加

第１ボディコンタクト領域２１、ソース領域２３、第２ボディコンタクト領域２４、及びドレイン領域２６は、半導体層２０の表層部を一方向に沿ってこの順で並んでいる。 - 特許庁

Then the n^+ amorphous silicon film is etched through a second opening part 12b of the resist layer 12, and a source region 5b and a drain region 5c are patterned to form a semiconductor layer 5.例文帳に追加

その後、レジスト層１２の第２開口部１２ｂを介してｎ^+アモルファスシリコン膜をエッチングして、ソース領域５ｂ及びドレイン領域５ｃをパターニングして半導体層５を形成する。 - 特許庁

To provide a sliding member particularly having excellent fatigue endurance and non-seizure performance by remarkably improving the joining power of an overlay layer to a copper alloy layer containing a second phase component.例文帳に追加

第２相成分を含む銅合金層に対するオーバレイ層の接合力を大幅に向上させて、特に非焼き付き性および耐疲労性に優れた摺動部材を提供する。 - 特許庁

A source electrode 25 is composed by joining a first electrode section 251 in ohmic contact with the p-type GaN layer 6 and a second electrode section 252 in ohmic contact with the n-type GaN layer 7.例文帳に追加

ソース電極２５は、Ｐ型ＧａＮ層６にオーミック接触する第１電極部２５１と、Ｎ型ＧａＮ層７にオーミック接触する第２電極２５２とを接合して構成されている。 - 特許庁

The through holes have a plurality of different depths respectively, and are connected to at least one of the first level conductor layer and the second level conductor layer.例文帳に追加

それらの複数のスルーホールは、それぞれ複数の異なる深さを有するとともに、第１のレベルの導体層および第２のレベルの導体層の少なくとも一方に電気的に接続されている。 - 特許庁

The light emitting element has an organic layer, a luminous layer, and a second electrode formed in order on the first electrode, and the transistor and the light emitting element are electrically connected through a wiring.例文帳に追加

発光素子は、 第１の電極の上に、有機層と、発光層と、第２の電極とが順に形成されたものであり、配線を介してトランジスタと発光素子とは電気的に接続している。 - 特許庁

Before forming the second semiconductor part 37 in the EA region 1c, the cap layer 15, which is the top layer of the first semiconductor part 19, is partially etched from an etching end surface 19a side.例文帳に追加

ＥＡエリア１ｃに第２半導体部３７を形成する前に、エッチング端面１９ａ側から第１半導体部１９の最上層であるキャップ層１５を部分的にエッチングする。 - 特許庁

Then, the insulation film between a semiconductor layer and a metal layer that the light receiving amplification circuit has or between first and second metal layers, and the insulation film of the phase compensation capacitor are formed by the same process.例文帳に追加

そして、受光アンプ回路が有する半導体層とメタル層間又は第１、第２メタル層間の絶縁膜と、位相補償キャパシタの絶縁膜を同じ工程で形成する。 - 特許庁

The mold release sheet 10 includes a substrate 12 and a first resin layer 14 and a second resin layer 16 which includes an ionizing radiation curable resin, and are disposed on both sides of the substrate respectively.例文帳に追加

離型シート１０は、基材１２と、電離放射線硬化樹脂からなり基材の両側にそれぞれ配置された第１樹脂層１４および第２樹脂層１６と、を有する。 - 特許庁

A semiconductor storage device comprises: a semiconductor film including a channel formation region; and a first insulation layer, a floating gate electrode, a second insulation layer, and a control gate electrode provided on the channel formation region of the semiconductor film.例文帳に追加

チャネル形成領域を有する半導体膜と、半導体膜のチャネル形成領域上に、第１の絶縁層、浮遊ゲート電極、第２の絶縁層、制御ゲート電極を設ける。 - 特許庁

The barrier layer of each body is exposed at its joint portion at least in part, and the first and second barrier layers are joined directly to each other to form an approximately continuous barrier layer in the fuel tank.例文帳に追加

各ボディのバリアー層は、その結合部では少なくとも部分的に露出していて、第一・第二バリアー層が直接結合して、燃料タンク内で略連続的なバリアー層を形成する。 - 特許庁

The second groove part T2, which is formed simultaneously with the first groove part, runs through the first semiconductor layer 51 in the thickness direction, being surrounded by the first semiconductor layer 51 at a plane pattern.例文帳に追加

第２溝部Ｔ２は、第１溝部と同時に形成され、厚み方向に第１半導体層５１を貫通し、平面パターンにおいて第１半導体層５１に囲まれている。 - 特許庁

Moreover, the first group III-V compound semiconductor layer and the second group III-V compound semiconductor layer may contain at least one or more among (In, Ga, Al) and (As, P, N), respectively.例文帳に追加

また、第１のIII−V族化合物半導体層と第２のIII−V族化合物半導体層は（Ｉｎ，Ｇａ，Ａｌ）と（Ａｓ，Ｐ，Ｎ）のうち少なくともそれぞれ一つ以上含んでいても良い。 - 特許庁

This construction method comprises the first step of impregnating a coating layer including asbestos with water and the second step of applying the powder of coal on the coating layer including asbestos impregnated with water by spraying.例文帳に追加

水をアスベストを含む被覆層に含浸する第１工程、水を含浸させたアスベストを含む被覆層に石灰の粉状体を吹き付けする塗布する第２工程を含む。 - 特許庁

In the first organic optical response element, the surface of an electrode base material is covered with a first layer made of an n-type organic semiconductor and a second layer made of a p-type organic semiconductor.例文帳に追加

該第１の有機光応答素子は、電極基材の表面に、ｎ型有機半導体からなる第１層及びｐ型有機半導体からなる第２層が被覆されてなる。 - 特許庁

By making the constitution of the elastic modulus of a first protective layer 3a, close to the flexible film 1, is smaller than that of the second protective layer 3b outside of it the bending characteristics can be improved.例文帳に追加

フレキシブルフィルム１に近い第１の保護層３ａの弾性率がその外側の第２の保護層３ｂの弾性率よりも小さい構成にすることで、屈曲特性を改善できる。 - 特許庁

The light emitting semiconductor layer 3 having a light emitting junction part 33 formed in a boundary between a first conductivity type clad 31 and a second conductivity type clad 32 on the layer 2.例文帳に追加

第１コンタクト層２上には、第１導電型クラッド３１と第２導電型クラッド３２の境界に発光接合部３３が形成された発光半導体層３が積層されている。 - 特許庁

A base layer 1 is partially separated along a peeling layer formed by ion implantation of material for peeling via the first planarized films 13 or the second planarized film 14.例文帳に追加

基体層１の一部は、第１平坦化膜１３又は第２平坦化膜１４を介して剥離用物質がイオン注入されることにより形成された剥離層に沿って分離されている。 - 特許庁

When an electric field is generated between the common driving electrode layer 10b and the second counter electrode layer 13b, the charge particles 14b move to display an image in the rear direction.例文帳に追加

さらに、共通駆動電極層１０ｂと第２対向電極層１３ｂとの間に電界を発生させると、帯電粒子１４ｂが移動して背面方向に画像が表示される。 - 特許庁

Each cell 10 contains a gate structure 120 formed of a first dielectric layer 122, a floating gate 124, a second dielectric layer 126, and a control gate 128 formed in a well 50.例文帳に追加

各セル（１０）は、第１の誘電層（１２２）と、浮遊ゲート（１２４）と、第２の誘電層（１２６）と、ウェル（５０）内に形成された制御ゲート（１２８）とから形成されたゲート構造（１２０）を含む。 - 特許庁

For example, the first core layer 21 includes a low thermal-expansion-coefficient alloy such as Invar or the like, and the second core layer 22 includes a low thermal-expansion-coefficient plastic such as carbon fiber reinforced plastic or the like.例文帳に追加

例えば、第１のコア層２１はインバー等の低熱膨張率合金を有し、第２のコア層２２は炭素繊維強化プラスチック等の低熱膨張率プラスチックを有する。 - 特許庁

In materials of each of the cushioning member 30, hardness of the third layer 33 is set smaller than that of 31 and that of the second layer 32 based on the JIS standard K6253 as a hardness reference value.例文帳に追加

緩衝部材３０の各々の材料は、硬度基準値として、ＪＩＳ規格のＫ６２５３に基づき、第３層３３が３１および第２層３２より硬度が小さく設定されている。 - 特許庁

The resistance change element comprises: a first electrode; a resistance change layer that is in contact with the first electrode and in which a resistance changes by application of a voltage; and a second electrode that is in contact with the resistance change layer.例文帳に追加

抵抗変化素子は、第１電極と、第１電極に接し、電圧の印加により抵抗が変化する抵抗変化層と、抵抗変化層に接する第２電極と、を備える。 - 特許庁

A first portion 53 of the contrast agent layer 52 diffuses into the sample 4 and a second portion 54 of the contrast agent layer 52 remains on the surface 56 of the sample 4 during the predetermined period of time.例文帳に追加

所定時間の間、コントラスト剤層５２の第１の部分５３は試料４内に拡散し、コントラスト剤層５２の第２の部分５４は試料４の表面５６上に残留する。 - 特許庁

The second filler layer 13b is composed of a resin having a gel fraction higher than 0% and lower than the gel fraction of the resin that forms the first filler layer 13a.例文帳に追加

第２の充填剤層１３ｂは、ゲル分率が、０％よりも高く、第１の充填剤層１３ａを形成している樹脂のゲル分率未満である樹脂により形成されている。 - 特許庁

On a substrate 1, an inter-layer insulating film 22, a plurality of first electrodes 23, an organic EL layer 24, and an edge cover 25 are formed, and a second electrode 26 is formed so as to cover these.例文帳に追加

基板１上に層間絶縁膜２２や複数の第１電極２３、有機ＥＬ層２４、エッジカバー２５が形成され、これらを覆うように第２電極２６が形成されている。 - 特許庁

The ACF sticking unit sticks a first ACF layer 3a_1 to longitudinal one side of the TAB 2 and sticks a second ACF layer 3a_2 to the longitudinal the other side of the TAB 2.例文帳に追加

ＡＣＦ貼付け部は、ＴＡＢ２の長手方向の一側に第１のＡＣＦ層３ａ_１を貼り付けるとともに、ＴＡＢ２の長手方向の他側に第２のＡＣＦ層３ａ_２を貼り付ける。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device includes a step of forming a semiconductor film 7 which has a thickness of >50 nm and ≤150 nm and has a first layer 7m and a second layer 7n.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、５０ｎｍを超え１５０ｎｍ以下の厚みを有し、第１の層７ｍと第２の層７ｎとを有する半導体膜７を形成する工程を備える。 - 特許庁

The light emitting device chip 2 comprises an electrode 25 electrically connected to a first semiconductor layer 22, and an electrode 26 electrically connected to a second semiconductor layer 24 on one surface thereof.例文帳に追加

発光素子チップ２は、第１の半導体層２２に電気的に接続された電極２５と第２の半導体層２４に電気的に接続された電極２６とを一面に備える。 - 特許庁

The insulative charge storage layer ECS is included in a second gate insulation layer GI2 and formed on the principal plane of the semiconductor substrate SUB sandwiched between the pair of source/drain regions SD.例文帳に追加

絶縁性電荷蓄積層ＥＣＳは第２のゲート絶縁層ＧＩ２に含まれ、１対のソース／ドレイン領域ＳＤに挟まれる半導体基板ＳＵＢの主表面上に形成されている。 - 特許庁

The first light absorbing layer 3 and the second light absorbing layer 5 are formed so as to have the extinction coefficient ≥0.2 with respect to the light of 450 nm-650 nm wavelengths.例文帳に追加

また、第１の光吸収層３及び第２の光吸収層５が、４５０ｎｍ〜６５０ｎｍの波長域の光に対して、消衰係数を０．２以上となるように形成する。 - 特許庁

At least an active layer 106, a p-type first semiconductor layer 109, and p-type second semiconductor layers 110, 111 are provided sequentially on an n-type semiconductor substrate 101.例文帳に追加

ｎ型の半導体基板１０１上に順に活性層１０６、ｐ型の第一半導体層１０９およびｐ型の第二半導体層１１０，１１１を少なくとも備える。 - 特許庁

It is favorable that the fiber layer includes a thermal adhesive winding shrinkable short fiber of 30 mass% or more based on 100 mass% of the fiber layer as a part of the second short fiber.例文帳に追加

繊維層は、第２の短繊維の一部として、当該繊維層１００質量％に対して３０質量％以上の熱接着性捲縮短繊維を含むことが好ましい。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for an organic EL element capable of reducing the damage on an organic substance layer when forming a second transparent electrode on an organic part layer by a sputtering method.例文帳に追加

有機部層上に透明な第２電極をスパッタリング法で形成する際に、有機物層に生じるダメージを低減できる有機ＥＬ素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

A first thin film layer 5 and a second thin film layer 7 which are different in composition are inserted in clad layers 4, 6, 8 in which steps are to be formed, and steps corresponding to difference of the amount of side etching of them are formed.例文帳に追加

段差を設けるべきクラッド層４，６，８に、組成が異なる第１及び第２の薄膜層５，７を挿入し、これらのサイドエッチ量の差に応じた段差を形成する点にある。 - 特許庁