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second layerの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 21457



例文

To provide a card having a dual pattern which has a first pattern layer constituted of an ordinary printed pattern and a second pattern layer constituted of minute indentations formed in the surface of a transparent resin layer and has an excellent design property and forgery-preventing effect produced by a combined effect of the first and second pattern layers.例文帳に追加

本発明は、通常の印刷絵柄からなる第1絵柄層と、透明樹脂層の表面に形成された微細凹凸からなる第2絵柄層とを有し、第1絵柄層と第2絵柄層の相乗効果により優れた意匠性と偽造防止効果を備えた2重絵柄を有するカードを提供することである。 - 特許庁

Next, second resin sheets 32a are put over both sides of first resin sheets 31a, and they are subjected to hot press to form second resin layers, which have a modulus of bending elasticity higher than that of the first resin layer, on both faces of the first resin layer, thus forming a sealing resin layer 30 where internal parts 3 are sealed.例文帳に追加

次に、該第1の樹脂シート31aの両側に第2の樹脂シート32aを重ね合わせて熱プレスし、弾性率の低い第1の樹脂層31の両面に、それよりも曲げ弾性率の高い第2の樹脂層32を形成して、内部部品3を封止した封止樹脂層30を形成する。 - 特許庁

On the surface of an opposite side to an active layer 3 of a second conduction type semiconductor crystal layer 4, a penetrating dislocation defective 11 is exposed, the internal surface of the penetrating dislocation defective 11 and its periphery are covered with a material (a coating portion 13) which has non-ohmic contact nature to a second conduction type semiconductor crystal layer 4.例文帳に追加

第2導電型半導体結晶層4の活性層3とは反対側の表面に貫通転位欠陥11が露出し、貫通転位欠陥11の内表面及びその周囲を、第2導電型半導体結晶層4に対して非オーミックコンタクト性の材料で被覆(被覆部13)した。 - 特許庁

The memory cell has a self-aligned two-layer gate structure which is formed on a semiconductor substrate 101 and comprises a gate insulation film 2, a first conductor 3 which becomes the floating gate layer, a second conductor 7 which becomes the control gate layer, and an insulation film 6 for electrically insulating the first conductor and the second conductor.例文帳に追加

メモリセルは、半導体基板101上に形成された、ゲート絶縁膜2と、浮遊ゲート層となる第1の導電体3と、制御ゲート層となる第2の導電体7と、第1の導電体と第2の導電体を電気的に絶縁する絶縁膜6からなる自己整合的な二層ゲート構造を有する。 - 特許庁

例文

In the brightness enhancing film where the protective film, a first adhesive layer, the cholesteric liquid crystal layer, a second adhesive layer, and the quarter-wave plate are laminated in this order, the brightness enhancing film has a difference of 0.2 MPa or higher between dynamic storage shear elasticities of the first and second adhesive layers at 25°C.例文帳に追加

保護フィルム、第1粘着剤層、コレステリック液晶層、第2粘着剤層、1/4 波長板がこの順で積層されている輝度向上フィルムにおいて、第1粘着剤層と第2粘着剤層の25℃における動的貯蔵せん断弾性率の差が0.2MPa以上であることを特徴とする輝度向上フィルム。 - 特許庁


例文

The first lamination part includes a first ferromagnetic layer having magnetization substantially fixed in a first direction having a component perpendicular to a film face, a second ferromagnetic layer having magnetization variable in a direction perpendicular to the film face, and a frist non-magnetic layer provided between the first and the second ferromagnetic layers.例文帳に追加

第1積層部は、膜面に対して垂直な成分を有する第1の方向に磁化が実質的に固着された第1の強磁性層と、磁化の方向が膜面に対して垂直な方向に可変である第2の強磁性層と、第1、第2の強磁性層の間に設けられた第1の非磁性層と、を含む。 - 特許庁

This photoelectric conversion element has a first electrode and a second electrode, has a functional layer between the first electrode and the second electrode, contains a polymer compound having an aromatic amine residue in the functional layer, and has a porous semiconductor material with a pigment adsorbed thereto between the first electrode and the functional layer.例文帳に追加

第1の電極と第2の電極とを有し、該第1の電極と該第2の電極との間に機能層を有し、該機能層中に芳香族アミン残基を有する高分子化合物を含み、該第1の電極と該機能層との間に色素が吸着した多孔質状の半導体材料を有する光電変換素子。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a first conductive layer formed on a support substrate and a second conductive layer formed on an interlayer insulating layer are electrically connected each other via a contact hole, and which can reduce contact failure between the first conductive layers and the second conductive layers inexpensively, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

支持基板上に形成された第1導電層と、層間絶縁層上に形成された第2導電層とをコンタクトホールによって電気的に接続した半導体装置において、安価に、前記第1導電層と第2導電層とのコンタクト不良を抑制した半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

An organic electroluminescent device 100 has first light emitters 18a, 18b made of a fluorescent material, a luminous layer having a second light emitter 18c made of a phosphor material, and a hole blocking layer 30 selectively formed as a part of the luminous layer located above the second light emitter 18c.例文帳に追加

本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置100は、蛍光材料からなる第1発光部18a,18bと、燐光材料からなる第2発光部18cとを有する発光層と、発光層のうち第2発光部18c上のみに選択的に形成されたホールブロック層30とを有してなることを特徴とする。 - 特許庁

例文

A two-dimensional photonic crystal laser according to the present invention has a laminated structure including an active layer 11, a first photonic crystal layer 121 having a periodic distribution of refractive index with a first period, and a second photonic crystal layer 122 having a periodic distribution of refractive index with a second period that differs from the first period.例文帳に追加

本発明に係る2次元フォトニック結晶レーザは、活性層と11、第1周期で周期的屈折率分布を有する第1フォトニック結晶層121と、前記第1周期とは異なる第2周期で周期的屈折率分布を有する第2フォトニック結晶層122と、を含む積層構造を有する。 - 特許庁

例文

Since the hexagonal closed packing structure is composed of three-layer structure, and the second layer is constituted of three atoms, in the case that the atoms are intruded into the faces of six atoms in the height direction, the cases that the atoms are directly abutted and not abutted to the magnesium atoms in the second layer, occur, and the different formations of the potential, appearer.例文帳に追加

前記六方最密構造は3層構造から成り第2層は3個の原子で構成されるから、高さ方向に形成される6個の面に前記原子が侵入する場合前記原子が直接第2層のマグネシウム原子に当接する場合と当接しない場合が生じ、ポテンシャルの異なる形態が現れる。 - 特許庁

On the upper surface of a second interlayer insulation layer 7, a second local interconnect line 8 connecting the source region 4A of an MOS transistor T with the lower electrode layer 10A of a ferroelectric capacitor C and connecting a part of the gate electrodes 3A and 3C of the MOS transistor T with the uppermost layer interconnect line 12 is formed.例文帳に追加

また、第二の層間絶縁層7の上面に、MOSトランジスタTのソース領域4Aと強誘電体キャパシタCの下部電極層10Aとを接続し、且つ、MOSトランジスタTの一部のゲート電極3A、3Cと最上層配線12とを接続する第二の局所配線8を形成する。 - 特許庁

The optical switching element is composed of an optical waveguide substrate 103 having an optical waveguide LG furnished with a plurality of second members 102 which are a core part, a transparent layer 104 which comes into contact with or approaches to the plurality of second members 102, and an actuator part 106 having a transparent layer driving section 105 which drives the transparent layer 104.例文帳に追加

コア部である複数の第2部材102を備える光導波路LGを有する光導波路基板103と、複数の第2部材102に接触又は近接させる透明層104と、透明層104を駆動させる透明層駆動部105とを有するアクチュエータ部106とからなる。 - 特許庁

In the conductive sheet, a first conductive layer made of a first metal is formed on either one of the front or rear face or on both faces of the base sheet made of liquid crystal polymer film, and a second conductive layer made of a second metal is formed on the top of it so that it becomes thicker than the first conductive layer.例文帳に追加

本発明の導電性シートは、液晶ポリマフィルムからなる基体シートの表裏いずれか一方の面または表裏両面に、第1の金属からなる第1導電層を形成し、その上に第1導電層より厚くなるように第2の金属からなる第2導電層を形成してなるものである。 - 特許庁

The second thin film portion may be formed by depositing a sacrifice area to the perpendicular wall of a first limit layer, depositing a second limit layer to the side surface where the sacrifice area is not deposited, removing thereafter the sacrifice area, forming a sublithographic aperture for etching the mold aperture in the mold layer, and then filling the mold aperture.例文帳に追加

第2の薄膜部分は、第1限界層の垂直壁に犠牲領域を付着し、犠牲領域の堆積のない側面に第2限界層を付着し、その後犠牲領域を取り除き、モールド層内のモールド開口部エッチング用のサブリソグラフィック開口部を形成し、モールド開口部を充填することにより形成する。 - 特許庁

In a suspension substrate 1 with a circuit, a second base insulating layer 3, a first metal thin film 6, a metal foil 4, a second metal thin film 7, a first base insulating layer 5, a third metal thin film 9, a conductor pattern 8, a fourth metal thin film 10, and a cover insulating layer 11 are sequentially formed on a metal supporting substrate 2.例文帳に追加

回路付サスペンション基板1において、金属支持基板2の上に、第2ベース絶縁層3、第1金属薄膜6、金属箔4、第2金属薄膜7、第1ベース絶縁層5、第3金属薄膜9、導体パターン8、第4金属薄膜10およびカバー絶縁層11を順次形成する。 - 特許庁

An upper metallic coating layer 42 is formed on the lower metallic coating layer 41 by applying a second metallic coating material 42B containing 10 to 20 wt.%, based on the entire solids content, scaly luminescent material 5 onto the coating layer 41 in such a manner that the coating weight of the solids content is 5 to 9 g/m^2 and drying the applied second coating.例文帳に追加

次いで、下側メタリック塗料層41の上に、塗料固形分中に10〜20wt%の鱗片状の光輝材5を含有してなる第2メタリック塗料40Bを、塗料固形分の塗装量が5〜9g/m^2になるよう塗装し乾燥させて、上側メタリック塗料層42を形成する。 - 特許庁

A piezoelectric actuator has a first ceramics layer 41 directly covering the openings of the pressure chambers, a first electrode 51 formed in the form of a plane over the plurality of pressure chambers, a second ceramics layer 42, second electrodes 52, a third ceramics layer 43, and a third electrode 53 in the above described order from the pressure chamber side.例文帳に追加

圧電アクチュエータは、圧力室の開口を直接覆う第1のセラミックス層41と、複数の圧力室にわたって面状に形成された第1の電極51と、第2のセラミックス層42と、第2の電極52と、第3のセラミックス層43と、第3の電極53とを、圧力室側からその順序に有する。 - 特許庁

The second substrate 20 is peeled off from the nitride based compound semiconductor layer 30, after mutually joining a surface 30a of the nitride based compound semiconductor layer 30 to a surface 40a of a support substrate 40 consisting of a material different from both of the nitride based compound semiconductor layer 30 and the second substrate 20.例文帳に追加

窒化物系化合物半導体層30の表面30aと、窒化物系化合物半導体層30及び第2の基板20の双方と異なる材料から成る支持基板40の表面40aとを互いに接合させたのち、第2の基板20を窒化物系化合物半導体層30から剥離させる。 - 特許庁

An etching stopper layer 4 made of a material having a slower dry etching speed than the second electron supply layer 3b is formed between the first and second electron supply layers 3a and 3b, and a gate electrode 5 is formed filling the gate recess portion sandwiched between two regions above the layer 4.例文帳に追加

第1と第2の電子供給層3a、3bの間には、第2の電子供給層3bよりもドライエッチング速度が小さい材料からなるエッチングストッパ層4が形成されており、この層4の上部で2つの領域に挟まれたゲートリセス部を、ゲート電極5が充填するように形成されている。 - 特許庁

A first conductor 27 to a fourth conductor 30 are spirally wound, the first, second, third and fourth conductors 27, 28, 29, 30 are disposed approximately in parallel, and the magnetic permeability of a second insulator layer 22 is set lower than those of a first insulator layer 21 and a third insulator layer 23.例文帳に追加

第1の導体27乃至第4の導体30を渦巻き状とし、第1の導体27と第2の導体28および第3の導体29と第4の導体30はほぼ並行に配置され、加えて、第2の絶縁体層22が第1の絶縁体層21、第3の絶縁体層23よりも透磁率を低くしたものである。 - 特許庁

In this case, in a step of growing a second semiconductor layer structure on a substrate in an area where the first layer structure 11 is etched and removed, the diffusion of an excessive material from a first area R1 to a second area R2 is reduced, thus suppressing the growth speed of the layer structure or the change of a crystal composition.例文帳に追加

このとき、第1層構造11がエッチング除去された領域の基板10上に第2半導体層構造を成長する工程において、第1領域R1から第2領域R2への余分な原料の拡散が低減され、層構造の成長速度の増加や結晶組成の変化の発生が抑制される。 - 特許庁

At least one out of the first electrode 102 and the second electrode 103 is of single layer (One layer), while at least one out of the first electrode 102 and the second electrode 103 includes at least one line part intersecting with the third electrode 113, and a protruding part protruding from the line part with a prescribed curvature.例文帳に追加

第1電極102および第2電極103のうち、少なくとも一方は単一層(One Layer)であり、第1電極102および第2電極103のうち、少なくとも一方は、第3電極113と交差する少なくとも1つのライン部と、所定の曲率をもってライン部から突出した突出部とを含む。 - 特許庁

This optical filter 1 has the first dielectric multilayer film 2 and the second dielectric multilayer film 4, alternately layered with a low-refractive index layer 8 and a high-refractive index layer 10 of an dielectric, and a resin layer 6 for bonding the first dielectric multilayer film 2 and the second dielectric multilayer film 4 along a layered direction A.例文帳に追加

本発明による光学フィルタ(1)は、誘電体の低屈折率層(8)と高屈折率層(10)とを交互に積層させた第1の誘電体多層膜(2)及び第2の誘電体多層膜(4)と、第1の誘電体多層膜(2)と第2の誘電体多層膜(4)とを積層方向(A)に接着する樹脂層(6)を有する。 - 特許庁

An electron beam cure type resin layer 330 having the electron beam cure type resin with additives (aggregate such as metal powder) 330a added thereto as its main component is provided in a binder second layer (or the binder second layer or after) so that the surface hardness of the wire tool is improved so as to improve the abrasion resistance.例文帳に追加

また、結合材第2層(あるいは、結合材第2層以降)に、添加物(金属粉末などの骨材)330aを添加した電子線硬化性樹脂を主成分とする電子線硬化性樹脂層330を設けることによって、ワイヤ工具の表面硬度を高め、耐摩耗性などを向上させる。 - 特許庁

The etching stop layer 15 has a quantum well structure in which a first thin film 15A of p-GaInP and a second thin film 15B of p-AlGaInP are cyclically laminated, with the composition ratio of aluminum in the second thin film 15B being smaller than the intermediate cladding layer 14 and upper side cladding layer 16.例文帳に追加

エッチングストップ層15は、p−GaInPからなる第1の薄膜15Aとp−AlGaInPからなる第2の薄膜15Bとが周期的に積層された量子井戸構造を有しており、第2の薄膜15Bのアルミニウムの組成比は中間クラッド層14及び上側クラッド層16と比べて小さい。 - 特許庁

A storage layer 3, having a resistance that varies due to the application of a voltage, is held between a first electrode 2 and a second electrode 6, and the storage element 10 with a formed insulating layer 11 having pores is constituted between either of the first electrode 2 or the second electrode 6 and the storage layer 3.例文帳に追加

第1の電極2及び第2の電極6の間に、電圧印加により抵抗が変化する記憶層3が挟まれて構成され、第1の電極2及び第2の電極6のいずれかと、記憶層3との間に、細孔を有する絶縁層11が形成されている記憶素子10を構成する。 - 特許庁

The positive electrode 10 has a first positive electrode layer 12 formed on a positive electrode core body 11 and including a first positive electrode active material made from the lithium-cobalt composite oxide, and a second positive electrode layer 13 formed on the first positive electrode layer 12 and including a second positive electrode active material made from the lithium-nickel composite oxide.例文帳に追加

正極10は正極芯体11の上に形成されたリチウム−コバルト複合酸化物からなる第1正極活物質を含む第1正極層12と、第1正極層12の上に形成されたリチウム−ニッケル複合酸化物からなる第2正極活物質を含む第2正極層13とを備える。 - 特許庁

In the EL display element, a laminated film of a luminous layer 12 and a buffer layer 9 having carrier transportation ability is pinched by a first electrode 4 and a second electrode 14, and one of the first and the second electrode is formed on a substrate 2, and the buffer layer is made of at least an organic-solvent soluble polymer and a photo-oxidation initiator.例文帳に追加

発光層12と、キャリア輸送能を有するバッファ層9との積層膜が第1の電極4および第2の電極14で挟持されかつ第1および第2の電極の内の一方が基板2上に形成され、バッファ層が少なくとも有機溶剤溶解性ポリマーと光酸発生剤からなっている。 - 特許庁

This pressure sensitive sensor 120 is equipped with: the first substrate 5 equipped with the first electrode layer 7a formed on the surface; and the second substrate 6 arranged in the laminated state on the first substrate 5, and equipped with the second electrode layer 7b provided on a facing position to the first electrode layer 7a of the first substrate 5 on the surface.例文帳に追加

感圧センサ120は、表面に形成された第1電極層7aを備えた第1基材5と、前記第1基材5に積層配置され、表面の前記第1基材5の第1電極層7aに対向する位置に設けられた第2電極層7bを備える第2基材6とを備える。 - 特許庁

The improved circuit board also includes a plurality of paths 46 between electric conductive sides that are positioned in the middle of the layer of the first side that is selected in the conductive layer on at least one first side, and that of the second side that is selected in the conductive layer on at least one second side.例文帳に追加

上記の装置は、少なくとも1つの第一の側面の伝導性の層のうちの選択された第一の側面の層と少なくとも1つの第二の側面の伝導性の層のうちの選択された第二の側面の層との中間に位置する複数の電気伝導性の側面間経路46をさらに含む。 - 特許庁

A second silicon carbide semiconductor layer 11 having a band gap larger than that of a first silicon carbide semiconductor layer 10 is formed in the first silicon carbide semiconductor layer 10 to form a channel region in a Schottky gate type field effect transistor on one side of an interface between the first and second semiconductor layers 10 and 11.例文帳に追加

第1の炭化珪素半導体層10に、それよりもバンドギャップの大きい第2の炭化珪素半導体層11を形成することにより、ショットキーゲート型電界効果トランジスタにおけるチャネル領域を第1の炭化珪素半導体層10の、第2の炭化珪素半導体層11との界面側に形成する。 - 特許庁

A first base layer 2 is provided on a surface which is the first surface of the flexible base material 1, a second base layer 3 is provided on a back surface which is the second surface opposite to the first surface of the flexible base material 1, a semiconductor circuit 4 is formed on the first base layer 2, and an image display element 5 is provided on the semiconductor circuit 4.例文帳に追加

可撓性基材1の第1の面である表面に第1の下地層2を設け、可撓性基材1の第1の面と反対の第2の面である裏面に第2の下地層3を設け、第1の下地層2上には半導体回路4を形成し、この半導体回路4上に画像表示要素5を設ける。 - 特許庁

The photosensitized solar cell comprises: first and second electrodes; a pigment layer 3 disposed on the first surface side of the first electrode; and an electrolyte layer 9 disposed between the first electrode and the second electrode, wherein the electrolyte layer has a compound expressed by a general expression as the main ingredient and contains an iodine ion.例文帳に追加

第1電極及び第2電極と、第1電極の一面側に配置された色素層3と、第1及び第2電極の間に配置された電解質層9と、を含み、電解質層が、下記一般式で表される化合物を主成分とし、かつヨウ素イオンを含有する、光増感型太陽電池。 - 特許庁

A semiconductor device comprises: a semiconductor layer of a first conductivity type; a first region of a second conductivity type that is selectively provided on a first primary surface of the semiconductor layer; and a second region of the second conductivity type that is connected to the first region and is selectively provided on the first primary surface.例文帳に追加

実施形態に係る半導体装置は、第1導電形の半導体層と、前記半導体層の第1の主面に選択的に設けられた第2導電形の第1の領域と、前記第1の領域に接続して前記第1の主面に選択的に設けられた第2導電形の第2の領域と、を備える。 - 特許庁

The liquid crystal display device includes a first substrate and a second substrate facing each other; a liquid crystal layer positioned between the first substrate and the second substrate; and a seal pattern positioned between the first substrate and the second substrate, surrounding the liquid crystal layer, and formed of frit glass or glass paste.例文帳に追加

本発明は、相互に向かい合う第1基板及び第2基板と;前記第1基板及び第2基板間に位置する液晶層と;前記第1基板及び第2基板間に位置して、前記液晶層を取り囲み、フリットガラス(frit glass)または、ガラスペースト(glass paste)で形成されたシールパターンを含む液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

A reflection prevention film 5 used when a first contact hole 6 is formed is interposed between a first insulation film 4 and a second insulation layer 80 and the reflection prevention film 5 is made an etching prevention film to the first insulation film 4 when a second contact hole 9 is formed in the second insulation layer 80.例文帳に追加

第1の絶縁膜4と第2の絶縁層80との間に第1のコンタクト孔6を形成する際に用いられる反射防止膜5を介在させ、この反射防止膜5を第2の絶縁層80に第2のコンタクト孔9を形成する際の第1の絶縁膜4に対するエッチング防止膜とする。 - 特許庁

The electronic device module comprises a first substrate having a first wiring layer and a first alignment mark exhibiting transparency in a visible region, and a second substrate provided to face a part of the first substrate and having a second wiring layer and a second alignment mark disposed to face the first alignment mark.例文帳に追加

電子デバイスモジュールは、第1の配線層と、可視域において透明性を有する第1のアライメントマークとを有する第1の基板と、この第1の基板の一部に対向して設けられると共に、第2の配線層と、第1のアライメントマークに対向配置された第2のアライメントマークとを有する第2の基板とを備えたものである。 - 特許庁

This flat belt 10 has the core body layer 20, first and second canvases 21 and 22 respectively laminated on and adhered to an upper surface and a lower surface of the core body layer 20, and first and second surface rubber layers 23 and 24 laminated on and adhered to the respective upper surface and lower surface of the first and second canvases 21 and 22.例文帳に追加

平ベルト10は、芯体層20と、芯体層20の上面及び下面それぞれに積層接着される第1及び第2の帆布21、22と、第1及び第2の帆布21、22それぞれの上面及び下面に積層接着される第1及び第2の表面ゴム層23、24とを備える。 - 特許庁

The second wiring layer 120 comprises a bridge line 30 for electrically connecting the first via 70 and the second via 72 together, and a conductor pattern 50 which is provided around the bridge line 30 and has an outer edge at the position beyond the outer edge of the first wiring pattern and second wiring pattern of the first wiring layer 110.例文帳に追加

第2配線層120は、第1ビア70および第2ビア72を電気的に接続するブリッジ線路30と、ブリッジ線路30の周囲に設けられて、第1配線層110における第1配線パターンおよび第2配線パターンの外縁を越えた位置に外縁をもつ導体パターン50とを有する。 - 特許庁

The thin film coil 116 has a first conduction part 112 and a second conduction part 111, the second conduction part 111 is disposed between the lower magnetic pole layer 10 and the first conduction part 112 and the lower magnetic pole layer 10 and the first conduction part 112 come in contact with the second conduction part 111 via an insulating film 15 for separation.例文帳に追加

薄膜コイル116は、第1導体部112と、第2導体部111とを有し、下部磁極層10と第1導体部112との間に第2導体部111が配置され、かつ下部磁極層10および第1導体部112と、第2導体部111とが分離用絶縁膜15を介して接触している。 - 特許庁

The fuel gas is fed to the first passage 38 and the first gas passage 58, the oxidation gas is fed to the second passage 46 and the second gas passage 60, thus the fuel gas and oxidation gas are uniformly diffused and fed to a first electrode catalyst layer 50 and a second electrode catalyst layer 54.例文帳に追加

第1流路38および第1ガス流路58に燃料ガスが供給される一方、第2流路46および第2ガス流路60に酸化剤ガスが供給されることにより、第1および第2電極触媒層50、54には、前記燃料ガスおよび前記酸化剤ガスが均一に拡散供給されることになる。 - 特許庁

A method for recording holographic media and/or holographic master data masks includes recording at least a first hologram or information layer with a first holographic medium (e.g., a "submaster") and recording at least a second information layer with a second holographic medium (e.g., a second "submaster").例文帳に追加

ホログラフィック媒体および/またはホログラフィックマスタデータを記録する方法は、少なくとも第一のホログラムまたは第一のホログラフィック媒体(例えば、「サブマスタ」)を用いて情報レイヤを記録することと、少なくとも第二のホログラフィック媒体(例えば、第二の「サブマスタ」)を用いて第二の情報レイヤを記録することとを含む。 - 特許庁

Further, the application of a second conductive adhesive 5 is performed from a surface on the side opposite to the surface, which is bonded to the first conductive adhesive of the cathode terminal, to the cathode layer, and the curing of the second conductive adhesive is made in a state where the cathode terminal and an outer surface of the cathode layer are connected by means of the second conductive adhesive.例文帳に追加

さらに第二の導電性接着剤5を陰極端子の第一の導電性接着剤と接着させた面とは反対側の面から陰極層にかけて塗布し、陰極端子と陰極層の外表面を第二の導電性接着剤でつなげた状態で第二の導電性接着剤を硬化させる。 - 特許庁

A second wiring layer 120 has a bridge wiring line 30, which electrically connects the first via 70 to the second via 72, and a conductor pattern 50 which is formed around a bridge wiring line 30 and has outer edges at positions beyond the outer edges of a first wiring pattern and a second wiring pattern in the first wiring layer 110.例文帳に追加

第2配線層120は、第1ビア70および第2ビア72を電気的に接続するブリッジ線路30と、ブリッジ線路30の周囲に設けられて、第1配線層110における第1配線パターンおよび第2配線パターンの外縁を越えた位置に外縁をもつ導体パターン50とを有する。 - 特許庁

The semiconductor device further comprises: a first electrode that is provided in contact with the semiconductor layer and the first region; a second electrode that is provided in contact with the second region; and a third electrode that is electrically connected to a second primary surface side of the semiconductor layer opposite to the first primary surface.例文帳に追加

そして、前記半導体層と前記第1の領域とに接して設けられた第1の電極と、前記第2の領域に接して設けられた第2の電極と、前記半導体層の前記第1の主面とは反対の第2の主面側に電気的に接続された第3の電極とを備える。 - 特許庁

The catalyst for cleaning exhaust gas includes a first catalyst powder 1 in which inter-layers of a first oxide 10 having a multi-layer structure having voids 11 in inter-layers carry a first catalyst metal 12; and a second catalyst powder 2 in which a second oxide 20 carries a second catalyst metal 21 at a larger particle diameter than an average inter-layer distance of the first oxide 10.例文帳に追加

層間に空隙11をもつ多層構造を有する第1酸化物10の層間に第1触媒金属12を担持した第1触媒粉末1と、多孔質の第2酸化物20に第2触媒金属21を第1酸化物10の平均層間距離より大きな粒径で担持した第2触媒粉末2と、を含む。 - 特許庁

The mold is equipped with a sheet-like substrate 18 including a first front surface 18a and a second front surface 18b at the opposite side to the first front surface, a first covering layer 20 overlying the first front surface of the substrate, and a second covering layer 30 overlying the second front surface of the substrate.例文帳に追加

型は、第1表面18aと、前記第1表面とは反対側の第2表面18bと、を含むシート状の基材18と、前記基材の前記第1表面上に積層された第1の被覆層20と、前記基材の前記第2表面上に積層された第2の被覆層30と、を備える。 - 特許庁

A magnetoresistive element comprises storage layer including first and second ferromagnetic layers and a non-magnetic layer disposed between the first and second ferromagnetic layers, and a strength of exchange coupling of the first and second ferromagnetic layers is set to open an asteroid curve in the direction of hard axis.例文帳に追加

本発明の例に関わる磁気抵抗効果素子は、第1及び第2強磁性層と、第1及び第2強磁性層の間に配置される非磁性層とを有する記憶層を備え、第1及び第2強磁性層の交換結合の強度は、磁化困難軸方向のアストロイド曲線が開く形となるように設定される。 - 特許庁

例文

The liquid crystal panel comprises a first substrate 3 disposed in the display screen side and a second substrate 4 disposed in a non-display screen side; wherein the second substrate 4 has a wiring layer 17 having light shielding property, and the wiring layer 17 is extended to the outer rim of the second substrate 4.例文帳に追加

本発明の液晶パネルは、表示面側に配置された第1の基板3と、非表示面側に配置された第2の基板4とを備え、第2の基板4は、遮光性を有する配線層17を備えるとともに、当該配線層17を第2の基板4の外縁部まで延ばして形成した構成となっている。 - 特許庁




  
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