「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(212ページ目) - Weblio英語例文検索

This spacer 10 is provided with a tensile strength body 15 arranged in its central part, a first precoat layer 16, a second precoat layer 17 and a third precoat layer 18 provided respectively in an outer circumference of the tensile strength body 15, and a spacer main body coating 20 provided in an outer circumference of the third layer 18.例文帳に追加

スペーサ１０は、中央に配置された抗張力体１５と、抗張力体１５の外周に設けられた第一予備被覆層１６，第二予備被覆層１７，第三予備被覆層１８および第三予備被覆層１８の外周に設けられたスペーサ本体被覆２０とを備えている。 - 特許庁

The second clad layer 3 is provided with a cylindrical inner tube 3a made of the same material as that of the first clad layer 2 and brought into line contact with the first clad layer 2 and a cylindrical resin layer 3b arranged concentrically on the outer circumference of the cylindrical inner tube 3a and brought into area contact with the cylindrical inner tube 3a.例文帳に追加

第２クラッド層３は、第１クラッド層２と同等材料からなり第１クラッド層２に線接触する円筒内管３ａと、円筒内管３ａの外周に同心配置されて円筒内管３ａに面接触する円筒状樹脂層３ｂとを備えている。 - 特許庁

A laminated sheet, wherein a conductive inorganic thin layer (3) such as silver is provided between a first film layer (1) and a second film layer (2), is scanned with laser beam so that such a conductive inorganic thin layer (3) at a part where the laser beam is projected is removed, forming a slit channel (g).例文帳に追加

第１フィルム層(1) と第２フィルム層(2) との層間に銀などの導電性無機質薄層(3) が設置されている積層シートに対し、レーザビームを走査してビームが照射された部分の導電性無機質薄層(3) を除去することによりスリット溝(g) を形成させる。 - 特許庁

A SiC substrate 10 is provided with a first active area 12 comprising alternate lamination of a high concentration n-type doped layer 12a and an undoped layer 12b, and with a second active area 13 comprising alternate lamination of a high concentration p-type doped layer 13a and an undoped layer 13b in this order from below.例文帳に追加

ＳｉＣ基板１０には、高濃度のｎ型ドープ層１２ａと、アンドープ１２ｂとを交互に積層してなる第１の活性領域１２と、高濃度のｐ型ドープ層１３ａとアンドープ層１３ｂとを交互に積層してなる第２の活性領域１３とが下方から順に設けられている。 - 特許庁

By laminating the thermal conduction layer 2 made of the first constituent material and the distortion relaxing layer 3 made of the second constituent material that relaxes the distortion of the thermal conduction layer 2, the crystallinity of the first constituent material is improved and the thermal conductivity within the film of the thermal conduction layer is improved.例文帳に追加

第１の構成材料からなる熱伝導層２と熱伝導層２のひずみを緩和する第２の構成材料からなるひずみ緩和層３とを積層することで、第１の構成材料の結晶性が向上し、熱伝導層の膜内熱伝導率が向上する。 - 特許庁

A second insulating layer 24 includes: a primary part 26 located on the primary region 18 of the first metal layer 16; an aperture 30 located on the secondary region 20 of the first metal layer 16; and a secondary part 28 located on a first insulating layer 14.例文帳に追加

第２の絶縁層２４は、第１の金属層１６の第１の領域１８の上に位置する第１の部分２６と、第１の金属層１６の第２の領域２０の上に位置する開口３０と、第１の絶縁層１４の上に位置する第２の部分２８と、を有する。 - 特許庁

The polarizing plate obtained by laminating a transparent protective layer on one surface of a polarizer comprising a polyvinyl alcohol based resin film, laminating a first adhesive layer directly laminated on the other surface and laminating a transparent polymer film and a second adhesive layer on the first adhesive layer in this order, is provided.例文帳に追加

ポリビニルアルコール系樹脂フィルムからなる偏光子の一方の面に透明保護層を積層し、もう一方の面に直接、第一粘着剤層を積層し、この第一粘着剤層の上に透明高分子フィルム及び第二粘着剤層をこの順に積層する。 - 特許庁

The soundproofing panel 50 is formed by laminating a first sound-absorbing layer 42 of glass wool, a sound insulating layer 43 of fiber-reinforcing cement board and a second sound-absorbing layer 44 of glass wool in this order and is installed for an inner surface of an outer plate 120 of the hood with a surface of the first sound-absorbing layer 42 confronting to the engine side.例文帳に追加

防音パネル５０は、グラスウール製の第１吸音層４２と、繊維強化セメント板製の遮音層４３と、グラスウール製の第２吸音層４４をこの順に積層して形成され、第１吸音層４２の面を機関側に向けてボンネットの外板１２０の内面に設置される。 - 特許庁

To give a concrete example, the first coating layer 12 is at least one kind of layer selected from among a compound with resin including a conductive material, conductive resin, metal, conductive ceramics, and carbon, and the second coating layer 13 is at least one kind of layer selected from an organic matter and resin.例文帳に追加

具体例を示せば、第１の被覆層１２は導電材を含む樹脂との複合物、導電性樹脂、金属、導電性セラミクス、炭素の中から選ばれる少なくとも１種類の層であり、第２の被覆層１３は無機物及び樹脂から選ばれる少なくとも１種類の層である。 - 特許庁

The light-emitting device to be disclosed includes: a light-emitting structure having a first conductivity type semiconductor layer, an active layer, and a second conductivity type semiconductor layer; a first electrode formed on the light-emitting structure; and a photon escape layer formed on the light-emitting structure.例文帳に追加

本発明による発光素子は、第１導電型半導体層、活性層、第２導電型半導体層を含む発光構造物と、前記発光構造物上に形成された第１電極と、前記発光構造物上に形成された光脱出層とを含むことができる。 - 特許庁

A cathode 5 is formed on the electrolytic layer 3 covering the periphery of the electrolytic layer 3, as constructed of a first electrically conductive layer 5a containing graphite grains having a diameter of about 1 μm to 10 μm and APTES, and a second electrically conductive layer 5b having main component of silver grains.例文帳に追加

電解質層３上には、電解質層３の周囲を覆うように、約１μｍ〜約１０μｍの粒径を有するグラファイト粒子とＡＰＴＥＳとを含む第１導電層５ａと、銀粒子を主成分とする第２導電層５ｂとから構成されている陰極５が形成されている。 - 特許庁

In the application of a glass resin serving as a material of the dielectric layer 105 and the insulator layer 113, a first dielectric layer 105a and a second dielectric layer 105b are formed by applying the glass resin twice while scanning at a predetermined angle to the scanning direction of an applicator.例文帳に追加

誘電体層１０５、絶縁体層１１３の材料であるガラス樹脂を塗布するに際し、塗布機の走査方向に所定の角度をもたせて走査してガラス樹脂を２回に分けて塗布し、第１の誘電層１０５ａ及び第２の誘電体層１０５ｂを形成する。 - 特許庁

The metal layer 2 has at least a first metal layer 21 which is brought into ohmic contact with the laminated semiconductor section 10, a second metal layer 22 composed of Ag, and a third metal layer 23 composed of a metal that can be bonded to the substrate 1 at low temperatures.例文帳に追加

本発明では、金属層２が、半導体積層部１０とオーミック接触させる第１金属層２１と、Ａｇからなる第２金属層２２と、導電性基板１と低温接着可能とする金属からなる第３金属層２３とを少なくとも有していることに特徴がある。 - 特許庁

The semiconductor device includes a lamination structure wherein an active layer 20, a first embedded insulation layer 18, a conductive layer 16, a second mbedded insulation layer 14 and a supporting substrate 12 are stacked in order from the surface side when viewing the cross section crossing orthogonally the surface of a semiconductor substrate.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、半導体基板を表面に直交する断面で観察すると、表面側から順に、２０活性層と、第１埋め込み絶縁層１８と、導電層１６と、第２埋め込み絶縁層１４と、支持基板１２が積層された積層構造が観察される。 - 特許庁

In the method of manufacturing a multilayer substrate, a first wiring layer 18A and a second wiring layer 18B are formed on both main surfaces of a first insulating film 12A in internal layers, and a third wiring layer 18C and a fourth wiring layer 18D in external layers are formed to cover the wiring layers in the internal layers.例文帳に追加

本形態の多層基板の製造方法では、内層の第１絶縁膜１２Ａの両主面に第１配線層１８Ａおよび第２配線層１８Ｂを形成し、更に、内層の配線層を被う外層の第３配線層１８Ｃおよび第４配線層１８Ｄを形成している。 - 特許庁

The decorating sheet S comprises a first transparent colored ink layer 2, a lustrous ink layer 3 containing a lustrous pigment, and a second transparent colored ink layer 4 having the same color tone as that of the first transparent colored ink layer, sequentially laminated on a rear surface of a base sheet 1 made of a thermoplastic resin.例文帳に追加

熱可塑性樹脂から成る基材シート１の裏面に、第１透明着色インキ層２、光輝性顔料を含有する光輝性インキ層３、第１透明着色インキ層と同色調の第２透明着色インキ層４を積層した加飾シートＳを用いる。 - 特許庁

The flat rectangular electric wire is constituted of a conductor 1 of which the cross-sectional shape is composed of a flat rectangular copper wire, and an insulating layer 2 consisting of a first insulating layer 2a covering the outer periphery of the conductor 1, and a second insulating layer 2b covering the outer periphery of the first insulating layer 2a.例文帳に追加

平角電線は、断面形状が矩形の銅線よりなる導体１と、導体１の外周に被覆された第１絶縁層２ａと該第１絶縁層２ａの外周に被覆された第２絶縁層２ｂとからなる絶縁皮膜２とにより構成されている。 - 特許庁

In this organic light emitting device wherein an organic layer using an organic material is formed between a transparent positive electrode 1 and a negative electrode 3, the organic layer 2a is formed so that a first layer comprising a part with a thick film and a second layer comprising a part with a thin film appear by turns.例文帳に追加

透明陽極１と陰極３との間に有機材料を用いた有機層が形成された有機発光素子において、有機層２ａが、膜厚の厚い部分からなる第１の層と、膜厚の薄い部分からなる第２の層とが交互に出現するように形成される。 - 特許庁

The second layer 103 is a layer in which a scoop-shaped conductor pattern along the width center of conductor patterns in the first layer 102 and the third layer 104 and an L-shaped conductor pattern 111 used to form a loop 117 so as to face the bent part of the J-shaped conductor pattern 106 are arranged.例文帳に追加

第２層１０３は、第１層１０２及び第３層１０４の導体パターンの幅中心に沿って柄杓型導体パターンと、Ｊ字状導体パターン１０６の屈曲部と向かい合ってループ１１７を形成するようなＬ字状導体パターン１１１とを配した層である。 - 特許庁

The outer wall of a kiln for a multistage ceramic industry according to this invention comprises a first layer 39 where fire-bricks 13 are stacked; a second layer 41 of high temperature fire resisting fibers 15 to surround the periphery of the first layer 39; and a third layer 43 formed of a decorative outer wall material 17 to improve appearance.例文帳に追加

本発明の多段窯業用窯の外壁は、耐火煉瓦１３を積み上げた第１層３９と、この第１層３９の周囲を取り巻く高温耐火繊維１５の第２層４１と、外観の美観を高める装飾外壁材１７からなる第３層４３とで構成される。 - 特許庁

To provide a fabrication method for a top emission type organic EL device, which endows the top emission type organic EL device with high heat dissipation from a substrate, does not cause deterioration of an organic EL layer, can form an ITO layer as a second electrode and continuously a passivation layer on it, and can form an insulator layer on a substrate surface.例文帳に追加

トップエミッション型有機ＥＬ素子の、基板からの放熱性が高く、有機ＥＬ層の変質を招かないで第２電極であるＩＴＯ膜とその上の保護膜を連続して形成でき、基板表面の絶縁層を経済的に形成できる製法を提供する。 - 特許庁

An n-type light confinement layer 41a, the first light confinement layer 43a, the quantum well structure section 45a, the second light confinement layer 47a and a p-type light confinement layer 49a appear on at least any one of the one end face 13a and the other end face 13b of a semiconductor region 13.例文帳に追加

ｎ型光閉じ込め層４１ａ、第１の光閉じ込め層４３ａ、量子井戸構造部４５ａ、第２の光閉じ込め層４７ａおよびｐ型光閉じ込め層４９ａは、半導体領域１３の一端面１３ａおよび他端面１３ｂの少なくともいずれか一方に現れている。 - 特許庁

The potting material 25 is formed into a two-layer structure, and a first layer 25a in contact with a lid body 17 is formed of a material (soft material) having an elasticity modulus larger than that of the material of a second layer 25b stacked on the side of the first layer 25a opposite to the side of the lid body 17.例文帳に追加

ポッティング材２５を２層構造とし、蓋体１７と接する第１層２５ａを、第１層２５ａに対して蓋体１７と反対側に積層される第２層２５ｂの材料に比較して弾性率が大きい材料（柔らかい材料）で形成している。 - 特許庁

The conducting line terminal structure comprises a conducting member, an insulating layer covering a first region of the conductive member, a flattening layer which is on a second region of a conductive material and covers the first region of the insulating layer, and a conducting layer which is electrically connected to a third region of the conductive member.例文帳に追加

導電部材、前記導電部材の第一の領域を覆う絶縁層、前記導電材料の第二の領域の上にあり、前記絶縁層の第一の領域を覆う平坦化層、および前記導電部材の第三の領域に導電接続した導電層を含む導線端子構造。 - 特許庁

The push-button switch member 2 has a keytop base body 10 made of resin and a coating layer laminating a first resin thin-film layer 21, an inorganic substance coating layer 22, and a transparent second resin thin-film layer 23 in order from the surface side of the keytop base body 10 on the top face of the keytop base body 10.例文帳に追加

樹脂製のキートップ基体１０と、該キートップ基体１０の天面に、そのキートップ基体１０の表面側から順に、第一の樹脂薄膜層２１、無機物質被膜層２２、透明な第二の樹脂薄膜層２３を積層した被覆層２０とを有する押釦スイッチ部材２とする。 - 特許庁

A recording layer 17 being the object from/to which information is read and written is arranged between a first reproducing layer 15 and a second reproducing layer 19 consisting of a material whose index of refraction is changed by light or heat to constitute a reproducing/recording layer part 28, which is almost orthogonally irradiated by a light beam.例文帳に追加

情報の読み取り・書き込みの対象である記録層１７を、光あるいは熱により屈折率が変化する材料よりなる第１の再生層１５と第２の再生層１９との間に配して再生記録層部２８を構成し、ここに略垂直に光ビーム１１を照射する。 - 特許庁

The hole 116h has a first part A1 reaching the end surface of the diffusion layer 120 from the end surface of the catalyst layer 112 and a second part A2 reaching the end surface of the diffusion layer 120 from the end surface of the catalyst layer 112 and having hydrophilic nature higher than that of the fist part A1, on the inner surface A0.例文帳に追加

孔１１６ｈは、触媒層１１２側の端面から拡散層１２０側の端面に至る第１の部分Ａ１と、触媒層１１２側の端面から拡散層１２０側の端面に至り第１の部分Ａ１よりも親水性が高い第２の部分Ａ２と、を内面Ａ０に有する。 - 特許庁

In this case, the third insulating layer 128 for gap-fill is formed on the upper part of the semiconductor substrate 100 including the second insulating layer 126, and preferably the third insulating layer 128 is formed by an HDP (high density plasma) oxide layer with high gap-fill characteristic by using an HDP procedure.例文帳に追加

その場合に、第２絶縁膜１２６を含む半導体基板１００の上部には、ギャップフィルのための第３絶縁膜１２８が形成され、好ましくは第３絶縁膜１２８は高密度プラズマ方式(ＨＤＰ)を用いて埋め込み特性のよいＨＤＰ酸化膜で形成する。 - 特許庁

The direction of magnetization of the ferromagnetic layer 23 is fixed by the switched connection with the anti-ferromagnetic layer 22 and the directions of magnetization of the first soft magnetic layer 25 and the second soft magnetic layer 26 are changed by an external magnetic field and the electric resistance of the layered product 20 is changed in accordance with their relative angle.例文帳に追加

強磁性層２３の磁化の向きは反強磁性層２２との交換結合により固定され、第１軟磁性層２４および第２軟磁性層２５の磁化の向きは外部磁場により変化し、その相対角度に応じて積層体２０の電気抵抗が変化する。 - 特許庁

This lead material has a plated layer 2 formed on a copper wire 1 of a lead substrate, wherein the plated layer 2 comprises the first plated layer 3 consisting of a tin - copper alloy containing 3-5 wt.% copper, and the second plated layer 4 formed thereon containing the tin - copper alloy containing 0.2-4 wt.% copper.例文帳に追加

リード基材としての銅線１上に形成されるめっき層２を、３〜５重量％の銅を含むスズ−銅合金による第１のめっき層３と、この上に形成された０．２〜４重量％の銅を含むスズ−銅合金による第２のめっき層４により構成する。 - 特許庁

The first layer laminating material 1, the second layer laminating material 21 and the third layer laminating material, all of which are thinner than the substrate material 3 comprising a synthetic resin, are laminated on the back surface of the substrate material 3 and, if necessary, at least one printing layer 4 is provided to the opposite surface of the substrate material 3.例文帳に追加

合成樹脂よりなる基材３の片面にこの基材３よりも薄い合成樹脂よりなる第１層目の積層材１、第２層目の積層材２１、第３層目の積層材を積層し、基材３の反対面に必要に応じ一層以上の印刷層４を有する。 - 特許庁

A surface layer part of the internal layer pattern is subjected to etching by making incident the pulse laser beam in the ultraviolet range on the internal layer pattern so as to make the pulse energy density on the surface of the internal layer pattern exposed on a bottom face of the hole to become second pulse energy density which is larger than the first pulse energy density.例文帳に追加

穴の底面に露出した内層パターンの表面におけるパルスエネルギ密度が、第１のパルスエネルギ密度よりも大きな第２のパルスエネルギ密度になるように、該内層パターンに紫外域のパルスレーザビームを入射させて、該内層パターンの表層部をエッチングする。 - 特許庁

A fluorescent substance layer comprised of fluorescent substance particles and a binder resin is constituted of a first fluorescent substance layer 102 of the shape of the flat plate and a second fluorescent substance layer 101 approximately of the shape of a column provided in such a way as to be in contact with the first fluorescent substance layer 102 correspondingly to each pixel 105.例文帳に追加

蛍光体粒子とバインダー樹脂からなる蛍光体層を、平板状の第１蛍光体層１０２と、第１蛍光体層１０２に接するように設けられ、且つ、各画素１０５に対応して設けられた概略柱状の第２蛍光体層１０１とから構成する。 - 特許庁

The transparent conductor has a substrate, a conductive particle layer containing conductive particles and a first binder, and a conductive film layer containing beads and a second binder laminated in this order, and the surface of the conductive film layer on the opposite side of the conductive particle layer has concavo-convex shape.例文帳に追加

本発明は、基体と、導電性粒子及び第１のバインダを含有する導電粒子層と、ビーズ及び第２のバインダを含有する導電膜層と、がこの順序で積層されており、導電膜層の導電粒子層と反対側の表面が凹凸を有する透明導電体である。 - 特許庁

It is preferable if the conductive coated film has a two layer structure, a carbon material is dispersed as the conductive material on a first layer making direct contact with the collector body, and tin dioxide is dispersed as the conductive material on a second layer formed on the first layer.例文帳に追加

望ましくは、前記導電性被膜を２層構造とし、前記集電体本体に直接接する第１層には導電性材料として炭素材料を分散し、前記第１層上に形成されている第２層には導電性材料として二酸化錫を分散する。 - 特許庁

A first conductive layer having a gate electrode 103, a wiring layer 104, and a PAD section 105 is formed on a semiconductor substrate 101, and a second conductive layer which becomes the source, drain, and channel sections of a TFT is formed on the first conductive layer via a silicon oxide film 106.例文帳に追加

半導体基板１０１の上方にゲート電極１０３、配線層１０４、ＰＡＤ部１０５を有する第一導電層を形成し、第一導電層上にシリコン酸化膜１０６を介して、ＴＦＴのソース・ドレイン・チャンネル部分となる第二導電層を形成する。 - 特許庁

This optical thin film deposition method comprises a step of forming a first layer formed of material containing silicon on a substrate formed of fluoride, and a step of forming a second layer for preventing fluorine contained in the substrate from being reacted with silicon contained in the first layer between the substrate and the first layer.例文帳に追加

フッ化物からなる基板上に珪素を含む材料からなる第１層を形成する工程と、前記基板に含まれるフッ素と前記第１層に含まれる珪素とを反応させないための第２層を前記基板と前記第１層との間に形成する工程とを含む成膜方法。 - 特許庁

The first removing layer 4, an inorganic material pattern 6, the second removing layer 8, an electrode pattern 10, a protecting layer 12 and an adhesive layer 14 are sequentially formed on a supporting substrate 2 to obtain a transcript 20 on the substrate 2.例文帳に追加

支持基板２上に第１剥離層４を形成し、その上に無機材料パターン６を形成し、その上に第２剥離層８を形成し、その上に電極パターン１０を形成し、その上に保護層１２を形成し、その上に接着剤層１４を形成することで、支持基板２上に転写体２０を得る。 - 特許庁

At least one of the spacers, which are located between a first winding layer including an input-side line end 160 on a side where electricity is input to the cylindrical windings and a second winding layer adjacent to the first winding layer among the cylindrical winding layer, includes a portion made of polypropylene.例文帳に追加

円筒巻線層のうち、円筒巻線に電気が入力される側の入力側線路端１６０を含む第１巻線層とこの第１巻線層に隣接する第２巻線層との間に位置する複数のスペーサのうちの少なくとも１つがポリプロピレンで形成されている部分を含む。 - 特許庁

The device includes a first crystalline substance layer, a second crystalline substance layer disposed in the vicinity of the first crystalline substance layer and forming electron gas at a first interface, and a first ferroelectric layer having a ferroelectric domain to impart an electric field to a part of the first interface.例文帳に追加

装置は、第一の結晶性物質層、第一の結晶性物質層の近傍に配置され、第一の界面で電子ガスを形成させる第二の結晶性物質層、及び第一の界面の部分に電場を付与する強誘電性ドメインを有する第一の強誘電性層を包含する。 - 特許庁

The above problem is solved by making a transparent resin film 1 overlaid with a first inorganic transparent conductive layer 3, an organic-inorganic composite transparent conductive layer 5, a second inorganic transparent conductive layer 7 and the porous oxide semiconductor layer 9 in this order to provide the conductive substrate 10.例文帳に追加

透明樹脂フィルム１上に、第１無機透明導電層３、有機−無機複合透明導電層５、第２無機透明導電層７、及び多孔質酸化物半導体層９をこの順番で積層して導電性基板１０とすることにより、上記課題を解決した。 - 特許庁

In the intermediate conductor layer, first conductor layers 162, 164 formed by the same process as that of the pixel electrode layer 160 and a second conductor layer 181 formed by the same process as that of the common electrode layer 180 are alternately arranged between the adjacent connection wiring.例文帳に追加

中間導電体層は、画素電極層１６０と同じ工程で形成される第１導電体層１６２，１６４と、共通電極層１８０と同じ工程で形成される第２導電体層１８１とが、隣接する接続配線の間で交互に配置される。 - 特許庁

In the method of manufacturing a thin film transistor, a thin film having a three-layer (first metal layer 38/ITO layer 40/second metal layer 42) structure is used simultaneously as a source electrode, a drain electrode and a pixel electrode to thereby omit the via forming step and the patterning for forming the pixel electrodes.例文帳に追加

薄膜トランジスターの製造方法において、３層（第１金属層３８/ＩＴＯ層４０/第２金属層４２）構造の薄膜を、ソース電極とドレイン電極、および画素電極として同時に使用することにより、ビアホール形成工程と、画素電極形成のためのパターンニングを省略する。 - 特許庁

A semiconductor device includes the first insulating film 2, an amorphous silicon layer 4a which is formed on the first insulating film and to which nitrogen is added, a first silicon nitride layer 4b formed on the amorphous silicon layer, and the second insulating film 10 formed on the first silicon nitride layer.例文帳に追加

第１絶縁膜２と、第１絶縁膜上に形成され、窒素が添加されたアモルファスシリコン層４ａと、アモルファスシリコン層上に形成された第１窒化シリコン層４ｂと、第１窒化シリコン層上に形成された第２絶縁膜１０と、を備えていることを特徴とする。 - 特許庁

A first underlayer 12a, a Cr-Mn layer 15, a second underlayer 12b, a magnetic recording layer 13 of a Co alloy and a carbon protective layer 14 are successively deposited by DC magnetron sputtering on a nonmagnetic substrate 11 of an aluminum alloy having an Ni-P plating layer in a circumferential direction.例文帳に追加

円周方向にＮｉ−Ｐメッキ層を有するアルミ合金の非磁性基体１１上に、第１下地層１２ａと、Ｃｒ−Ｍｎ層１５と、第２下地層１２ｂと、Ｃｏ合金の磁性記録層１３と、カーボン保護層１４とが順次ＤＣマグネトロンスパッタ成膜されている。 - 特許庁