「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(210ページ目) - Weblio英語例文検索

The multilayer structure is formed by coextruding a multilayer laminate into a flexible non-oriented film, wherein the multilayer laminate has at least a first layer 11 of the polyester, a second layer 12 of an adhesive and a third layer 13 containing the nylon or a nylon blend.例文帳に追加

ポリエステルの第一層１１、接着剤の第二層１２とナイロンまたはナイロンブレンドを含む第三層１３を少なくとも有する多層積層体を同時押出し成形により軟質の未延伸フィルムに積層した多層構造体。 - 特許庁

A first metal layer of non-ferromagnetic heat-resistant alloy composed of ferromagnetic metal and non-ferromagnetic metal is formed on the surface of a polymer base material, and furthermore a second metal layer is formed on the surface of the first metal layer.例文帳に追加

ポリマー基材の表面に強磁性の金属と非強磁性の金属からなる非強磁性の耐熱性の合金からなる第一の金属層を形成し、さらに第一の金属層の表面に第二の金属層を形成する。 - 特許庁

When light is scattered by the liquid crystal layer 30, a part of a forward scattered component is returned to a second substrate 20 side, or an observer side by the reflection factor adjusting layer 11B and the metal layer 11A, and the reflection factor improves.例文帳に追加

液晶層３０により光が散乱される場合には、前方散乱成分の一部が反射率調整層１１Ｂおよび金属層１１Ａにより第２基板２０側すなわち観察者側へと戻され、反射率が向上する。 - 特許庁

A positive-hole transport layer 14b includes a laminated structure made up of different materials and a second positive-hole transport layer 14b-2 adjoining a light-emitting layer 14c is formed, by using organic materials represented by the following general formula 1.例文帳に追加

正孔輸送層１４ｂが、異なる材料からなる積層構造からなると共に、発光層１４ｃに隣接する第２正孔輸送層１４ｂ-2が下記一般式（１）で示される有機材料を用いて構成されている。 - 特許庁

The water repellent layer 130 has a first water repellent layer 141 which is formed along the arrangement direction of a plurality of nozzles 109, and a plurality of second water repellent layers 142 which are arranged so as to sandwich the first water repellent layer 141.例文帳に追加

撥水層１３０は、複数のノズル１０９の配列方向に沿って形成された第１撥水層１４１と、第１撥水層１４１を挟むように配列された複数の第２撥水層１４２とを有している。 - 特許庁

The hologram molding laminated with a first substrate 5, a hologram photosensitive material layer 6 and a second substrate 3 in this order is formed with a layer 9 for correcting the warpage on the surface of the first substrate 5 on the side opposite to the hologram photosensitive material layer 6.例文帳に追加

第１の基板５、ホログラム感材層６、第２の基板３をこの順で積層するホログラム形成体において、第１の基板５のホログラム感材層６の反対側の面に反りを矯正するための層９を形成する。 - 特許庁

Then, an in-plane conductor 2, an uncured first layer 3 made of an anisotropic conductive material, and a second layer 4 are laminated in order from below, and integrated by the curing of the first layer 3 to manufacture the component built-in substrate 1.例文帳に追加

そして、下から順の面内導体２、異方性導電材料からなる未硬化の第一層３、第二層４を順に積層し、第一層３の硬化により、それらを一体化して部品内蔵基板１を製造する。 - 特許庁

In the second step, the solder layer 53 constituted of tape-like solder is piled up on upper/lower surfaces 52b of the collective conductor 52, and heated from the outside of the solder layer 53, and thus, the collective conductor 52 and the solder layer 53 are integrated.例文帳に追加

第２の工程では、テープ状はんだからなるはんだ層５３を、集合導体５２の上下面５２ｂに積層させて、はんだ層５３の外側から加熱することで、集合導体５２とはんだ層５３とを一体化する。 - 特許庁

An EMI filter 29a formed on a surface 21a of the first layer 21 is connected to the chassis GND pattern 31 in the second layer 22 with the shortest distance therebetween via a conductor within a through-hole 301 formed in the first layer 21.例文帳に追加

第１の層２１の表面２１ａに形成されるＥＭＩフィルター２９ａを、第１の層２１に形成されたスルーホール３０１内の導体を介して第２の層２２のシャーシ用ＧＮＤパターン３１に最短距離で接続する。 - 特許庁

Here, the film thickness of the current block layer 105 formed on the second clad layer 104 is made different on right and left slopes of the mesa-shaped stripes to make a light distribution and a carrier distribution in the active layer nearly symmetrical between right and left parts.例文帳に追加

ここで、第二クラッド層１０４上に形成された電流ブロック層１０５の膜厚を、メサ状ストライプの左右の斜面上で異ならせて活性層内の光分布及びキャリア分布をほぼ左右対称としている。 - 特許庁

A first GaN crystal layer 1 is grown until it covers the masking layer 3 using the unmasked region 4 as a start point of crystal growth, and a second GaN group crystal layer 2 is grown thereon to provide a GaN group crystal material.例文帳に追加

非マスク領域４を結晶成長の出発点としてマスク層３上を覆うまで第一のＧａＮ系結晶層１を成長させ、その上に第二のＧａＮ系結晶層２を成長させてＧａＮ系結晶基材とする。 - 特許庁

Two or more pairs of a first layer 31 having a slow growing speed and a second layer 32 having a fast growing speed are stacked to form a buffer layer 3 which has upper-surface unevenness greatly reduced while maintaining high crystallinity.例文帳に追加

遅い成長速度の第１の層３１と速い成長速度の第２の層３２とを２組以上積層することにより、高い結晶性を維持しながら、上面の凹凸を大幅に低減したバッファ層３を形成することができる。 - 特許庁

The carrier is a coated carrier comprising a core particle, a first resin layer covering the core particle and containing a charge generating material, and a second resin layer covering the first resin layer and containing a hole transporting material.例文帳に追加

コア粒子と、該コア粒子を被覆し電荷発生材料を含む第１樹脂層と、該第１樹脂層を被覆しホール輸送材料を含む第２樹脂層とを有することを特徴とする被覆キャリアにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

In the polishing pad formed of at least the polishing layer and the cushion layer as the second means, micro rubber A hardness of the cushion layer is 50 to 95, and tanδ of 100 Hz is 0.03 to 0.25.例文帳に追加

第２の手段としては、研磨パッドは、少なくとも研磨層とクッション層からなる研磨パッドにおいて、クッション層がマイクロゴムＡ硬度が５０以上９５以下で、かつ、１００Ｈｚのｔａｎδが０．０３以上０．２５以下である。 - 特許庁

The semiconductor device 1 includes a semiconductor element layer 2 on which a plurality of semiconductor elements (not shown) are formed, an interconnection layer 3, first nitride films 4, copper interconnections 5, barrier layers 6, adhesive layers 7, a second nitride layer 8, and a wire 9.例文帳に追加

半導体装置１は、複数の半導体素子（図示略）が形成された半導体素子層２と、配線層３と、第１窒化膜４と、銅配線５と、バリア層６と、接着層７と、第２窒化膜８と、ワイヤ９とを備えている。 - 特許庁

This exhaust gas purifying catalyst is manufactured by coating the carrier with a slurry containing zeolite to dry/bake the coated carrier to form the first layer and coating the first layer with a slurry containing a powder wherein alkali metal or the like and the noble metal are supported on alumina to dry/bake the slurry layer to form the second layer.例文帳に追加

ゼオライトを含むスラリを担体上に被覆し、乾燥・焼成して第１層を形成し、アルミナにアルカリ金属等と貴金属を担持させた粉末を含むスラリを第１層上に被覆し、乾燥・焼成して第２層を形成して排ガス浄化触媒を製造する。 - 特許庁

This printed circuit board is provided with a first surface layer comprising an analog circuit, an analog ground, a digital circuit and an external connection connected with the outside, a second surface layer, an intermediate layer including a digital ground plane layer, and a first capacitor connected between the analog ground and the digital ground.例文帳に追加

アナログ回路と、アナロググランドと、デジタル回路と、外部に接続される外部接続部とを有する第１の表面層と、第２の表面層と、デジタルグランドプレーン層を含む中間層と、アナロググランドとデジタルグランドとの間に接続された第１のコンデンサとを備えるプリント基板が提供される。 - 特許庁

This pneumatic tire 1 has a belt cover layer 8 that includes a center cover layer 81 arranged at a center region of a tread part, a first shoulder cover layer 82 arranged in one shoulder region of the tread and a second shoulder cover layer 83 arranged at the other shoulder region of the tread.例文帳に追加

この空気入りタイヤ１では、ベルトカバー層８が、トレッド部センター領域に配置されるセンターカバー層８１と、一方のトレッド部ショルダー領域に配置される第一ショルダーカバー層８２と、他方のトレッド部ショルダー領域に配置される第二ショルダーカバー層８３とを有する。 - 特許庁

A plurality of stacked layers constituting the heater 15 are arranged in the shape of a band, and they have the first layer 17 of pyrolytic boron nitride boron, the second layer 18 of pyrolytic graphite covering the one side, at least, of the pyrolytic boron nitride layer, and the outer layer 19 of pyrolytic boron nitride.例文帳に追加

ヒータ１５を構成する複数の重ねられた層は、バンドの形状に配置され、熱分解窒化ボロンの第１層１７と、熱分解窒化ボロン層の少なくとも１つの面を覆う熱分解黒鉛の第２層１８と、熱分解窒化ボロンの外側層１９とを有している。 - 特許庁

The thin-film solar battery is equipped with: a first solar battery layer 320 consisting of a series connection of a plurality of unit cells that include a photoelectric conversion layer; and a second solar battery layer 330 consisting of a series connection of a plurality of unit cells that include a photoelectric conversion layer.例文帳に追加

本発明に係る薄膜型太陽電池は、光電変換層を含む複数個の単位セルを直列接続した第１太陽電池層３２０と、光電変換層を含む複数個の単位セルを直列接続した第２太陽電池層３３０とを備えている。 - 特許庁

The conductive pile comprises a pile for electrostatic flocking as a core material, a Ni layer by an electroless plating method as a first layer on the surface of the core material and a second layer composed of Au, Ag or Cu by an electroless plating method on the surface of the Ni layer.例文帳に追加

静電植毛用パイルを芯材とし、該芯材表面上に無電解めっき法によるＮｉ層が第１層として形成され、該Ｎｉ層表面に無電解めっき法によるＡｕ、ＡｇまたはＣｕからなる第２層が形成されていることを特徴とする導電性パイル。 - 特許庁

For solving the problem that a nitride layer directly grown on the diamond substrate is made to be a polycrystal, the semiconductor laminated structure includes: the diamond substrate; a first layer containing Si provided on the diamond substrate; and a second layer composed of a single crystal nitride provided on the first layer.例文帳に追加

ダイヤモンド基板上に直接成長した窒化物層が多結晶となる上記課題を解決するため、本発明に係る半導体積層構造は、ダイヤモンド基板と、ダイヤモンド基板上の、Ｓｉを含む第１の層と、第１の層上の、単結晶窒化物で構成される第２の層とを備える。 - 特許庁

A transistor comprises: an active layer composed of an oxide semiconductor; a first electrode layer composed of a Ti-based material or a Mo-based material; and a second electrode layer composed of a material having a lower specific resistance than that of the first electrode layer.例文帳に追加

本発明の一実施形態に係るトランジスタは、酸化物半導体からなる活性層と、Ｔｉ系材料またはＭｏ系材料からなる第１の電極層と、第１の電極層の材料よりも比抵抗の小さい材料からなる第２の電極層とを具備する。 - 特許庁

In a bank layer 60 including a bank layer 60A having a plurality of protrusions 63 each of which is composed of a gentle curved surface, each protrusion 63 includes a first layer 61 and a second layer 62 and these protrusions 63 exist discretely on a substrate to form a color conversion filter 1000.例文帳に追加

なだらかな曲面で構成される複数の隆起６３を有するバンク層６０Ａを含むバンク層６０であって、隆起６３は第１層６１と第２層６２を含み、隆起６３は基板上に離散的に存在する色変換フィルタ１０００を形成する。 - 特許庁

The hologram original plate 10 for duplication is provided with the first layer 3 which consists of material removable by water or a solvent on the surface of a hologram layer 2 with interference fringes 5 formed and furthermore provided with the second layer 4 which consists of curing type resin curable by light or heat on the layer 3.例文帳に追加

干渉縞５が形成されているホログラム層２の表面に、水又は溶剤にて除去可能な材料からなる第１層３を設け、さらにその上に光又は熱により硬化可能な硬化型樹脂からなる第２層４を設けてなる複製用ホログラム原版１０。 - 特許庁

The organic EL device 1 is provided with a first electrode 11, a hole transportation layer 13 formed on the first electrode 11, an organic EL light-emitting layer formed on the hole transportation layer 13, and a second electrode 15 formed on the organic EL light-emitting layer 14.例文帳に追加

有機ＥＬ素子１は、第１の電極１１と、第１の電極１１の上に形成されたホール輸送層１３と、ホール輸送層１３の上に形成された有機ＥＬ発光層１４と、有機ＥＬ発光層１４の上に形成された第２の電極１５とを備えている。 - 特許庁

The pit 1 is formed of a layered body 2 having at least one first layer 3 formed by using a physical state variable material and a second layer 4 formed by using the material which is the same as the first layer 3 and is in a physical state different from that of the first layer 3.例文帳に追加

物理的状態が可変の材料から形成される少なくとも１つの第１の層３及び前記第１の層３を形成する材料と同じ材料だが違う物理的状態でできている第２の層４を有する積層体２からピット１が形成される。 - 特許庁

The manufacturing process of the encapsuled part 1 includes the steps of depositing layer of polymer material on the upper wall 7 of the first cavity 3, annealing the same to form a projecting sacrifical layer, depositing a thin film on the sacrifical layer, and removing the sacrifical layer to form a projecting second cover 10.例文帳に追加

前記カプセル封じ部品１の製造プロセスは、まず第１の空洞３の上壁７上にポリマー材料の層を堆積しそれをアニールして凸状の犠牲層を作り、その犠牲層上に薄膜を堆積し、犠牲層を除去すると凸状の第２のカバー１０ができる。 - 特許庁

The semiconductor device is a CMOS comprising a DTMOS having a common substrate structure wherein the substrate part includes an Si substrate 41, a seed layer 44, a single crystal oxide film 45, a first SiGe layer 54, a second SiGe layer 55, and a strained Si layer 56 sequentially from below.例文帳に追加

半導体装置は、共通の基板構造を有するＤＴＭＯＳから構成されたＣＭＯＳであって、その基板部分は、下から順にＳｉ基板４１と、シード層４４と、単結晶酸化膜４５と、第１のＳｉＧｅ層５４と、第２のＳｉＧｅ層５５と、歪みＳｉ層５６とを有している。 - 特許庁

A first hard bias layer 26 of which residual magnetization Mr is large and a second hard bias layer 27 of which the coercive force Hc is large are laminated in this order from the bottom at both sides of an element part A, a tip part 26a of the first hard bias layer 26 is arranged near both sides of a free magnetic layer 5.例文帳に追加

素子部Ａの両側に下から残留磁化Ｍｒが大きい第１ハードバイアス層２６及び保磁力Ｈｃが大きい第２ハードバイアス層２７の順に積層され、第１ハードバイアス層２６の先端部２６ａはフリー磁性層５の両側に近接配置されている。 - 特許庁

The outer circumference of a second linkage tool 36 is fitted into a double-layer structure tube 5 comprising an inner layer 50 made of a material with low vapor permeability and gas permeability, and an outer layer 51 covering the inner layer 50, made of a flexible material, for linking the members for providing an ink channel.例文帳に追加

第２連結具３６の外周に、内層５０を蒸気透過性およびガス透過性の低い材料で構成し、内層５０を被包する外層５１を柔軟材で構成した２層構造のチューブ５を嵌合させ、両部材を連結してインク流路を構成する。 - 特許庁

The conductor layer 3 is composed of a first sputtered layer 31 formed by sputtering copper on the upper surface of the film 2 at a temperature of 150-280°C and a second sputtered layer 32 formed by sputtering copper on the upper surface of the first sputtered layer 31 at a temperature of -20°C to 150°C.例文帳に追加

導体層３は，ポリイミドフィルム２の上面に，１５０〜２８０℃の温度下で銅をスパッタリングすることにより形成した第１スパッタ層３１と，第１スパッタ層３１の上面に，−２０〜１５０℃の温度下で銅をスパッタリングすることにより形成した第２スパッタ層３２とからなる。 - 特許庁

Since a signal line 12 of a first signal layer 9 is guided to a lower multilayered part via a through hole 15 selected on fixed conditions, even when a second signal layer 9 and the first signal layer 9 are overlapped without interposing a plane layer, a crosstalk noise does not become a problem.例文帳に追加

第１の信号層９の信号線１２は、一定条件下で選択されるスルーホール１５を経由して下多層部に導かれるため、第２信号層９と第１の信号層９とがプレーン層を介在せずに重なり合っていても、クロストークノイズは問題とならない。 - 特許庁

The magnetoresistance effect element includes at least two first magnetization fixed layers 1a, 1b whose direction of magnetization is fixed, a magnetization free layer 2 whose direction of magnetization formed on a XY plane is variable, and a second magnetization fixed layer 4 which is connected to the magnetization free layer 2 through a non-magnetic layer 3.例文帳に追加

本発明に係る磁気抵抗効果素子は、磁化の向きが固定された少なくとも２つの第１磁化固定層１ａ，１ｂと、ＸＹ面上に形成され磁化の向きが可変な磁化自由層２と、非磁性層３を介して磁化自由層２に接続された第２磁化固定層４とを備える。 - 特許庁

A sealing structure 20 is made by coating a lid 13 with a first resin layer 21 with good adhesive property with an aluminum, coating the first resin layer 21 with a second resin layer 22 having good adhesive property with the first resin layer 21, and being brought into contact with the above terminal.例文帳に追加

封止構造２０は、アルミニウムとの接着性が良好な第１樹脂層２１を蓋体１３に被せ、この第１樹脂層２１との接着性が良好な第２樹脂層２２を前記第１樹脂層２１に被せ、この第２樹脂層２２を前記端子に接触させてなる。 - 特許庁

A network is configured by disposing a television A that is a display apparatus on a first layer, disposing an external device directly connected to the television A on a second layer, and disposing on a next layer an external device connected to the external device of the layer for subsequent layers as well.例文帳に追加

表示装置であるテレビＡを１階層目に配置し、テレビＡに直接接続されている外部機器を２階層目に配置し、３階層目以降についても同様に当該階層の外部機器に直接接続されている外部機器を次階層に配置してなるネットワークを構成する。 - 特許庁

This light-emitting device is provided with: a plurality of organic EL elements P1 arranged on a main substrate 10; a first organic buffer layer 191 covering them; a second organic buffer layer 192 arranged on the first organic buffer layer 191 and superposed on the plurality of organic EL elements P1; and the gas barrier layer 20.例文帳に追加

主基板１０上に配列された複数の有機ＥＬ素子Ｐ１、これらを覆う第１の有機緩衝層１９１、第１の有機緩衝層１９１上に配置されて複数の有機ＥＬ素子Ｐ１に重なる第２の有機緩衝層１９２、およびガスバリア層２０を備える。 - 特許庁

The agent sustained release member 1 includes a first layer 10 consisting of a mixture of a biocompatibility substrate 2 and an agent 3, and a second layer 20 consisting of the same mixture as in the first layer, but the density of the agent 3 is lower than in the first layer 10.例文帳に追加

薬剤徐放部材１は、生体適合性基材２と、薬剤３とが混合されて形成された第一層１０と、生体適合性基材２と薬剤３とが混合されて形成され、薬剤３の密度が第一層１０よりも低い第二層２０とを、備える構成とする。 - 特許庁

The anti-slip sheet consists of a plastic film 21, the first pressure-sensitive adhesive resin layer 22 bonded to the surface thereof, a large number of anti-slip mineral particles 23 bonded to the surface thereof, a second pressure-sensitive adhesive resin layer 24 bonded to the surface of the layer comprising the mineral particles and the pattern layer 251 thermally transferred to the surface thereof.例文帳に追加

プラスチックフィルム２１と、その表面に付着した第１粘着樹脂層２２と、その表面に付着した滑り止め用の多数の鉱物粒子２３と、その表面に付着した第２粘着樹脂層２４と、その表面に熱転写によって転写された模様層２５１とを備える。 - 特許庁

In the semiconductor laser element of AlGaInP constitution, the Al composition ratio x of a p-type etching stop layer 5 is specified so as to be a<x, b<x and c<x with respect to respective Al composition ratios a, b, c of an n-type clad layer 2, a first p-type clad layer 4 and a second p-type clad layer 6.例文帳に追加

ＡｌＧａＩｎＰ系の半導体レーザ素子において、ｐ型エッチングストップ層５のＡｌ組成比ｘを、ｎ型クラッド層２，第１のｐ型クラッド層４，及び第２のｐ型クラッド層６それぞれのＡｌ組成比ａ，ｂ，ｃに対して、ａ＜ｘ，ｂ＜ｘ，及びｃ＜ｘとする。 - 特許庁

The multilayer circuit board comprises: a ground layer 2 having a first signal layer 1 for packaging a microcomputer 5, and a pattern 20 for ground terminals; a power supply layer 3 having a pattern 31 for external power supplies and a pattern 32 for power terminals; and a second signal layer 4 having the three-terminal capacitor 6 and a two-terminal capacitor 7.例文帳に追加

マイクロコンピュータ５実装の第１信号層１とグランド端子用パターン２０を有するグランド層２と外部電源用パターン３１及び電源端子用パターン３２を有する電源層３と三端子コンデンサ６及び二端子コンデンサ７を有する第２信号層４とを備える。 - 特許庁

The surface layer 5 where the printed pattern layer 3 and the embossed paint layer 4 synchronize with each other is peeled off from the first base material sheet 2, and a second base material sheet 6 having suitable forming processability is stuck to the rear side of the peeled surface layer 5 with an adhesive agent by dry-laminating, accordingly, the synthetic resin decorative sheet is produced.例文帳に追加

そして、第１基材シート２から印刷絵柄層３とエンボス加工された塗料層４とが同調した表面層５を剥がし、剥がした表面層５の裏面に、成形加工性に適した第２基材シート６を接着剤を用いてドライラミにて貼り合わせて作製する。 - 特許庁

The electrode may be the gate electrode of a transistor and may be formed on a high-k gate dielectric by depositing a first layer of conductive material, exposing that first layer to a hydrogen-containing gas, and depositing a second layer of conductive material over the first layer.例文帳に追加

この電極は、トランジスタのゲート電極であってもよく、導電材料の第１の層を堆積し、第１の層を水素含有ガスに露出し、第１の層に導電材料の第２の層を堆積することにより、ｈｉｇｈ−ｋゲート誘電体に形成されてもよい。 - 特許庁

This organic electroluminescent element has a substrate, a first electrode structure installed on the substrate and provided with at least one metal layer and an opaque metal oxide layer, an organic layer installed on the electrode structure, and a second electrode structure installed on the organic layer.例文帳に追加

基板と、該基板上に設置され、そして少なくとも一つの金属層及び不透明金属酸化層を備えてなる第１の電極構造と、該電極構造上に設置された有機層と、該有機層上に設置された第２の電極構造とを備えてなる有機発光素子。 - 特許庁

Each of the first and second lead frames includes a base material, a silver plated layer formed on at least an upper surface of the base material and having a thickness of at least 2 μm, and a rhodium plated layer formed on the silver plated layer and thinner than the silver plated layer.例文帳に追加

そして、前記第１及び第２のリードフレームには、それぞれ、基材と、前記基材の少なくとも上面上に形成され、厚さが２μｍ以上である銀めっき層と、前記銀めっき層上に形成され、前記銀めっき層よりも薄いロジウムめっき層と、を設ける。 - 特許庁