「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(207ページ目) - Weblio英語例文検索

The thin film head includes first and second shield layers 3 and 4 facing the first MR magnetic layer 6 and the second MR magnetic layer 8, respectively, and sandwiching an MR laminate in a direction orthogonal to a film surface of the MR laminate.例文帳に追加

薄膜磁気ヘッドは、各々が第１のＭＲ磁性層６と第２のＭＲ磁性層８とに面してＭＲ積層体２の膜面直交方向にＭＲ積層体を挟んで設けられた第１及び第２のシールド層３，４を有している。 - 特許庁

A first phosphor layer 2a on the inner face side of a translucent airtight container 1, composed mainly of the first phosphor, and a second phosphor layer 2b at a discharge space side mainly composed of the second phosphor can be formed in one electrostatic coating.例文帳に追加

透光性気密容器１の内面側に第１の蛍光体を主体とする第１の蛍光体層２ａ、放電空間側に第２の蛍光体を主体とする第２の蛍光体層２ｂ、が１回の静電塗装で形成できる。 - 特許庁

Accordingly, a recording area from the layer 0 to the layer 1 is folded back in the second shifted middle area, and an area located more on an outer peripheral side than the first and second shifted middle areas where errors are liable to occur relatively, is not used any more.例文帳に追加

これにより、レイヤ０からレイヤ１に至る記録領域は第１および第２のシフト中間領域で折り返され、第１および第２のシフト中間領域より外周側の相対的にエラーの出やすい領域は使用されなくなる。 - 特許庁

Then, a second etching mask 19B is formed throughout the first semiconductor laminate 22 in the first region 3A and the optical waveguide layer 15 in the third region 3C, and the light waveguide layer 15A in the second region 3B is removed by using it.例文帳に追加

次に、第1の領域３Ａの第１半導体積層２２上及び第３の領域３Ｃの光導波層１５Ａ上にわたって第２エッチングマスク１９Ｂを形成し、これを用いて第２の領域３Ｂの光導波層１５Ａを除去する。 - 特許庁

Since no functional substance 22 is directly gotten wet or flowed in water thanks to the water repellent effect of the second coating layer side repellent agent 26 contained in the second coating layer 18, the function of the functional substance 22 can be kept for a long period.例文帳に追加

また、第２コーティング層18に含まれる第２コーティング層側撥水剤26の撥水効果により機能性物質22が直接水に濡れたり流されることがないので、機能性物質22の機能を長期間にわたり維持することができる。 - 特許庁

The semiconductor device also comprises a first electrode in contact with the third semiconductor layer, a second electrode which is in contact with the second semiconductor layer in the bottom face of the recess and which is connected to the first electrode, and a third electrode which is in contact with a lower face of the semiconductor substrate.例文帳に追加

また、第３の半導体層に接する第１の電極と、凹部の底面において、第２の半導体層と接し、第１の電極と接続される第２の電極と、半導体基板の下面に接する第３の電極と、を備えている。 - 特許庁

When separating a wiring structure 6, the monolithic wiring structure 6 and the second adhesion layer 3 are made to be separated from the first adhesion layer 2 by cutting a designated member formed in the first adhesion layer 2 of the wiring structure 6.例文帳に追加

配線構造体６の分離時には、配線構造体６の第１の密着層２の形成された所定部位を切削し、一体化された配線構造体６及び第２の密着層３を第１の密着層２と離間させる。 - 特許庁

In the plane view from the side of an object F, the light shielding layer BM and the insulation layer 28 overlap with the separation region between the second and third electrodes 24, and the light receiving surface of the light receiving element D is positioned inside the opening of the light shielding layer BM.例文帳に追加

対象物Ｆ側から平面視した場合に、遮光層ＢＭと絶縁層２８は第２，第３電極２４間の離間領域と重なり、受光素子Ｄの受光面は遮光層ＢＭの開口部内に位置する。 - 特許庁

A method for manufacturing the probe 1 includes a base layer formation step, a seed film formation step, a first resist layer formation step, a hydrophilic treatment step, a second resist layer formation step, a probe formation step, and a removal step.例文帳に追加

また、本発明のプローブ１の製造方法は、下地層形成工程、シード膜形成工程、第１レジスト層形成工程、親水処理工程、第２レジスト層形成工程、プローブ形成工程および除去工程を備える。 - 特許庁

In the surface side of a semiconductor substrate 10; there are formed an interlayer insulation film 17 which has two-layer structure including a first layer film 18 consisting of an insulation material of an organic system, and a second layer film 19 consisting of an insulation material of an inorganic system.例文帳に追加

半導体基板１０の表面側に、有機系の絶縁材料からなる第１層膜１８、無機系の絶縁材料からなる第２層膜１９の２層構造を有する層間絶縁膜１７が形成される。 - 特許庁

A stripping film 2 having such a constitution that a first stripping layer 2a having a prescribed dissolution speed and a second stripping layer 2b having a dissolution speed lower than that of the first stripping layer 2a are laminated on each other is formed on a substrate 1 (Fig.(a)).例文帳に追加

所定の溶解速度をもつ第１剥離層２ａと、この第１剥離層２ａより小さい溶解速度をもつ第２剥離層２ｂとが積層された構成を有する剥離膜２を基板１の上に成膜する（図（ａ））。 - 特許庁

To provide a transparent conductive substrate having a first conductive layer, a high transparent adhesion layer, and a second conductive layer, which has a low resistance and a superior transparence, and a manufacturing method which can manufacture the same at low costs.例文帳に追加

低抵抗で透明性に優れる、第一導電性層、透明性の高い接着層及び第二導電性層を有する透明導電性基板及び該透明導電性基板を安価に製造可能な製造方法を提供する。 - 特許庁

To suppress the drop of the open-terminal voltage of a photovoltaic element provided with a substrate, transparent conductive films, a first- conductivity type semiconductor layer, an intrinsic layer, and a second- conductivity type semiconductor layer.例文帳に追加

基板と、透明導電膜と、第１の導電型半導体と、真性層と、第１の導電型と異なる導電型の第２の導電型半導体とを具える光起電力素子において、開放端電圧の低下を抑制する。 - 特許庁

This heat resistant packing member 10 is prepared with a first layer 12 composed of an incombustible material and having flexibility and compressibility and a second layer 14 laminated on the first layer 12, composed of a thermally expansive material and having flexibility.例文帳に追加

不燃材料からなる可撓性及び圧縮性を有する第１層１２と、第１層１２に積層され、熱膨張性材料からなる可撓性を有する第２層１４とを備える耐熱性パッキング部材１０を用意する。 - 特許庁

A memory cell transistor comprises a gate electrode structure composed of a gate insulating film 2 of the cell part, a first conductive layer 3, a conductive interlayer insulating film 4, and a second conductive layer 7 insulated from the first conductive layer 3 by the conductive interlayer insulating film 4.例文帳に追加

メモリセルトランジスタが、セル部ゲート絶縁膜２、第一導電層３、導電層間絶縁膜４、この導電層間絶縁膜４で第一導電層３から絶縁された第二導電層７からなるゲート電極構造を備える。 - 特許庁

The cross-sectional structure of the heater wiring 50 has a level difference arranged such that the pattern width of the first conductive wiring layer 51b is wider than that of the second conductive wiring layer 52b and the third conductive wiring layer 53b.例文帳に追加

また、第１の導電性配線層５１ｂのパターン幅が、第２の導電性配線層５２ｂ及び第３の導電性配線層５３ｂのパターン幅よりも広く構成された段差を備えた断面構造を有している。 - 特許庁

An angle A1 of a cord 35 comprising a first layer 31 in crossing belt layers 30 is 10°≥A1>0° and an angle An of a cord 36 comprising respectively from a second layer 32 to a fourth layer 34 is 30°>An≥15°.例文帳に追加

交錯ベルト層３０の第１層３１を構成するコード３６の角度Ａ１が、１０°≧Ａ１＞０°とされ、第２層３２から第４層３４までをそれぞれ構成するコード３６の角度Ａｎが３０°＞Ａｎ≧１５°とされる。 - 特許庁

A separator 3 is formed by laminating a first layer 3a not chemically reacting with lithium and a second layer 3b made of glass fiber unwoven cloth with an excellent liquid holding property, and the first layer 3a is arranged so as to contact with a negative electrode plate 1.例文帳に追加

セパレータ３を、リチウムと化学反応しない第一層３ａと、保液性に優れるガラス繊維不織布からなる第二層３ｂとを積層して構成し、その第一層３ａを負極板１と当接するように配する。 - 特許庁

Subsequently, an insulation film 9 is formed on the second diffusion layer 3 and the third diffusion layer 4, and word lines 10 are arranged on the insulation film 9 formed on the diffusion layer and connected with the gate electrode 8.例文帳に追加

そして、第１拡散層２、第２拡散層３、第３拡散層４上に拡散層上絶縁膜９が形成され、拡散層上絶縁膜９上にワード線１０が配設され、ワード線１０は上記ゲート電極８に接続される。 - 特許庁

The solid electrolyte 21 has the first electrolyte layer 211 contained in the insulating ceramic, in the nearest position of the ceramic heater 3, and the second electrolyte layer 212 having an insulating ceramic content lower than that of the first electrolyte layer 211.例文帳に追加

固体電解質体２１は、セラミックヒータ３に最も近い位置に、絶縁性セラミックの含有する第１電解質層２１１を有し、第１電解質層２１１より絶縁性セラミック含有率が低い第２電解質層２１２を有する。 - 特許庁

In the rack and pinion type steering device provided with an electric power steering device, a first curing layer 3 is formed on the surfaces of the pinion 1 and the rack 2 and a second curing layer 4 is formed on an outer surface of the first curing layer 3.例文帳に追加

電動式パワーステアリング装置を備えたラックアンドピニオン式ステアリング装置において、ピニオン１とラック２との表面に、第１硬化層３が形成してあり、この第１硬化層３の外表面に、第２硬化層４が形成してある。 - 特許庁

Thereby, a first layer protection membrane 21 covering the EL element 2 and a second layer protection membrane 22 covering more widely the first protection membrane on it are formed, and further, a third layer or more of the protection membranes can be formed in the same manner.例文帳に追加

これにより、ＥＬ素子２を覆う第１層の保護膜２１と、この第１層の保護膜上にこれをより幅広くカバーする第２層の保護膜２２とが形成され、さらに第３層以上の保護膜も同様に形成される。 - 特許庁

Fine gold particles 3115 having a diameter of 2 nm, an SiO_2 film 3116 serving as an insulation layer, and an n-type polysilicon electrode 3117 serving as an electrode layer are provided on the second SiO_2 layer 3114.例文帳に追加

第２のＳｉＯ_2 層３１１４の上に、微粒子体である直径２ｎｍの金微粒子３１１５と、絶縁層であるＳｉＯ_2 膜３１１６と、電極層であるｎ型多結晶シリコン電極３１１７とが設けられている。 - 特許庁

A second N base layer 3 and a first N^- base layer 22 are epitaxially grown on a N^+ drain layer 21 successively, a P base region 23 is selectively formed on its surface, and a N^+ source region 24 is selectively formed on a surface in it.例文帳に追加

N^+ドレイン層21上に第２のNベース層3及び第１のN^-ベース層22を順次エピタキシャル成長し、その表面部分にPベース領域23を選択的に形成し、その中の表面部分にN^+ソース領域24を選択的に形成する。 - 特許庁

In the organic FET, an insulation layer 4 and a first organic molecular layer 6 are inserted into the upper surfaces of a source electrode 3 and a drain electrode 5, and a second organic molecular layer 7 is inserted into the side surfaces of the source electrode 3 and the drain electrode 5.例文帳に追加

本発明の有機FETでは、ソース電極３およびドレイン電極５の上面に絶縁層４と第一の有機分子層６を、ソース電極３およびドレイン電極５の側面に第二の有機分子層７を挿入する。 - 特許庁

The thin film transistor 10n of the semiconductor device 1 has a back gate electrode 2n, a first gate insulating layer 3, a semiconductor layer 4n, a second gate insulating film 5, and a front gate electrode 6n above a ground insulating layer 16.例文帳に追加

半導体装置１において、薄膜トランジスタ１０ｎは、下地絶縁層１６の上層にバックゲート電極２ｎ、第１ゲート絶縁層３、半導体層４ｎ、第２ゲート絶縁層５、およびフロントゲート電極６ｎを備えている。 - 特許庁

The liquid crystal device 1 is formed with the first light-shielding layer 51 overlapping between pixels 2a and the second light-shielding layer 52 overlapping over the upper layer side, with respect to a thin-film transistor 1c on an element substrate 10.例文帳に追加

液晶装置１において、素子基板１０には、画素電極２ａの間に重なる第１の遮光層５１と、薄膜トランジスタ１ｃに対してその上層側で重なる第２の遮光層５２とを同層位置に形成する。 - 特許庁

(1) The unexposed original disk for the optical recording medium wherein a first photoresist layer, an intermediate layer consisting of an oxide film and a second photoresist layer are sequentially laminated on a substrate has a pre-development treatment region at a part in its surface.例文帳に追加

（１）基盤上に第一のフォトレジスト層、酸化膜からなる中間層及び第二のフォトレジスト層が順次積層された原盤であって、その面内の一部にプリ現像処理領域を有する光記録媒体用未露光原盤。 - 特許庁

The red laser element 1 has a double hetero structure wherein an InGaP system or AlGaInP system active layer 13 is sandwiched between a first conductive type cladding layer 12 and a second conductive type cladding layer 14 containing a ridge 14a.例文帳に追加

赤色レーザ素子１は、第１導電型クラッド層１２と、リッジ１４ａを有する第２導電型クラッド層１４とによりＩｎＧａＰ系又はＡｌＧａＩｎＰ系活性層１３が挟まれたダブルへテロ構造を備える。 - 特許庁

The first magnetic layer 23a in a free magnetic layer 23 having an artificial ferristructure is formed of a magnetic material having β of a positive value, and the second magnetic layer 23c is formed of a magnetic material having β of a negative value.例文帳に追加

人工フェリ構造を有するフリー磁性層２３の第１の磁性層２３ａを、βが正の値である磁性材料によって形成し、第２の磁性層２３ｃをβが負の値である磁性材料によって形成する。 - 特許庁

The labels of paper, synthetic paper or transparent resins, etc., to be affixed to medicine containers or package of medical supplies have the first layer label 4 existing on a front surface side and the second layer label 6 laminated under the first layer label 4.例文帳に追加

医薬品の薬剤容器あるいは包装に貼着する紙、合成紙、または透明樹脂等のラベルであって、表面側に位置した第一層ラベル４と、この第一層ラベル４の下に積層された第二層ラベル６とを備える。 - 特許庁

A conductor is formed in the hole, and a second insulating layer is formed on the first insulating layer while covering the conductor, and a mask layer that has an opening in a region containing the semiconductor memory element and covers the peripheral circuit element is formed thereon.例文帳に追加

孔内に導電体を形成し、導電体を覆い、第１の絶縁層上に第２の絶縁層、その上に半導体メモリ素子を含む領域に開口を有し、周辺回路素子上を覆うマスク層を形成する。 - 特許庁

The vibration damping sheet 14 is desirably disposed so that the restraining layer 14b is positioned on the upper side and that a second fiber-reinforced plastic layer 16 or a wooden layer 15 is disposed on the upper side of the vibration damping sheet 14.例文帳に追加

制振シート材１４は、その拘束層１４ｂを上層として配置されるとともに、制振シート材１４の上層側において、第２の繊維強化プラスチック層１６又は木質層１５が配置されていることが好ましい。 - 特許庁

Although antimony impurity in the InP layer 23 operates to generate a hole, silicon added into the InP layer 23 compensates a generated carrier and a second part 23d of the InP layer 23 shows sufficient n-conductivity.例文帳に追加

ＩｎＰ層２３中のアンチモン不純物は正孔を生成するように作用するけれども、この生成キャリアをＩｎＰ層２３中に添加されたシリコンが補償して、ＩｎＰ層２３の第２の部分２３ｄは十分なｎ導電性を示す。 - 特許庁

In a second sealing material for the solar battery of the present invention, one face of an adhesive resin layer containing an ethylene-based copolymer is laminated with a charging prevention layer containing a non-ionic surfactant, forming an integrated layer.例文帳に追加

本発明の第二の太陽電池用封止材は、エチレン系共重合体を含有する接着樹脂層の一方の面に、非イオン性界面活性剤を含む帯電防止層が積層一体化されてなることを特徴とする。 - 特許庁

The epitaxial substrate includes a substrate 1, a base layer 2 comprising a first nitride semiconductor epitaxially grown on the substrate 1, and a semi-insulating layer 3 comprising a second nitride semiconductor epitaxially grown on the base layer 2.例文帳に追加

エピタキシャル基板は、基板１と、基板１上にエピタキシャル成長された第一の窒化物半導体からなる下地層２と、下地層２上にエピタキシャル成長された第二の窒化物半導体からなる半絶縁層３とを備えている。 - 特許庁

The gate electrode 18 includes a first gate layer 19 made of p-type AlGaInP mixed crystal, a second gate layer 20 formed thereupon and made of p-type GaAs, and a metal layer (AuGe/Au electrode) 21 formed thereupon.例文帳に追加

ゲート電極１８は、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ混晶からなる第１のゲート層１９と、この上に形成されたｐ型ＧａＡｓからなる第２のゲート層２０と、この上に形成された金属層（ＡｕＧｅ／Ａｕ電極）２１とを有する。 - 特許庁

In addition to activating the oxidized surface layer, the step of exposing the oxidized surface layer to the flow of the first process gas facilitates reduction of the activated oxidized surface layer by the second process gas containing the hydrogen gas.例文帳に追加

前記の第1処理気体流へ酸化表面層を曝露する工程は、前記酸化表面層を活性化させるのに加えて、水素気体を含む前記第2処理気体による、前記活性化した酸化表面層の還元を助ける。 - 特許庁

Since the metal coating as a first layer and the diamond-like carbon coating as a second layer, i.e. the outermost layer, are formed on the surface of a ring-like bond magnet, scratch resistance, chemical resistance, corrosion resistance, and the like, can be enhanced.例文帳に追加

これによれば、リング状ボンド磁石の表面に、第１層として金属被膜が、最外層である第２層としてダイヤモンド・ライク・カーボン被膜が形成されているので、耐スクラッチ性、耐薬品性、耐食性などを向上させることができる。 - 特許庁

The first insulating layer 3 is provided with two parts, each located in spaces between the first wiring layers 2, and the total sum of the widths of the two parts of the insulating layer 3 is set shorter than the distance between them, and the second wiring layer 5 is formed between the two parts.例文帳に追加

第１絶縁層３は、第１配線層２のその間のスペースに位置する２部分を備え、その２部分の合計幅はその間の幅よりも短く、第２配線層５はその２部分の間に形成されている。 - 特許庁

The semiconductor device S has an upper surface 12A provided with a connection terminal 3, a first insulating material layer 13 provided on the upper surface 12A, and a second insulating material layer 14 provided on the first insulating material layer 13.例文帳に追加

半導体装置Ｓは、接続端子３が設けられた上面１２Ａと、上面１２Ａに設けられた第１絶縁材料層１３と、第１絶縁材料層１３上に設けられた第２絶縁材料層１４とを有している。 - 特許庁

Furthermore, the semiconductor layer 30 is provided with first and second Si body areas 22 and 23 including high-density p-type impurity, an SiGe layer 24 including low-density p-type impurity, and an Si channel layer 25 including the low-density p-type impurity.例文帳に追加

また、高濃度のｐ型不純物を含む第１，第２Ｓｉボディ領域２２，２３と、低濃度のｐ型不純物を含むＳｉＧｅ層２４と、低濃度のｐ型不純物を含むＳｉチャネル層２５とが設けられている。 - 特許庁

The external packaging film for a battery comprises: a base material layer composed of heat shrinkable resin film; first and second printing units formed on one surface of the base metal layer; and an abrasion resistance protective layer to cover the first printing unit.例文帳に追加

電池用外装フィルムは、熱収縮性樹脂フィルムからなる基材層、基材層の一方の面に形成された第１の印刷部および第２の印刷部、および第１の印刷部を覆う耐摩耗性の保護層を含む。 - 特許庁

The heating member 23 comprises a first heating layer 23a which is formed so that the Curie point becomes lower than or equal to 300°C, and a second heating layer 23b of which volume resistivity is lower than that of the first heating layer 23a.例文帳に追加

そして、発熱部材２３は、キューリー点が３００℃以下になるように形成された第１発熱層２３ａと、第１発熱層２３ａの体積抵抗率よりも低い体積抵抗率を有する第２発熱層２３ｂと、を具備する。 - 特許庁

This jointing member 1 for power transmission is formed by covering the surface of the fitting section 11 to another member with the first resin layer 21, consisting of polyamide-imide resin and the second resin layer 22 for covering the first resin layer 21, in this order.例文帳に追加

他部材への嵌合部１１の表面を、ポリアミドイミド樹脂からなる第１の樹脂層２１、およびこの第１の樹脂層２１を覆う第２の樹脂層２２でこの順に被覆した動力伝達用の結合部材１である。 - 特許庁