「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(209ページ目) - Weblio英語例文検索

As the excretion liquid absorbed in the liquid capturing layer 18 is attracted to a second compressed recess 24, in which the liquid capturing layer 18 is compressed, and diffused, the liquid capturing layer 18 located under the liquid penetration holes 23 is hardly saturated with the liquid.例文帳に追加

また液獲得層１８に吸収された排泄液は、液獲得層１８を圧縮した第２の圧着凹部２４に引き付けられて拡散するため、液透過孔２３の下に位置する液獲得層１８が液で飽和し難くなる。 - 特許庁

The connection part has a first connection layer 51c1 and a second connection layer 51c2 where the insulating layers 103' and 104 are formed on both sides of a single conductor layer 101' respectively and which are separate from each other in a laminating direction.例文帳に追加

接続部は、それぞれ単一の導体層１０１′の両面に絶縁層１０３′，１０４が形成され、積層方向において互いに分離した第１の接続層５１ｃ１および第２の接続層５１ｃ２を有する。 - 特許庁

The laminated film is patterned to form a laminate LB including a floating gate FG comprising the first silicon layer S1p, a gate insulating film GI comprising the insulating layer IL and a control gate CG comprising the second silicon layer S2a.例文帳に追加

この積層膜がパターニングされて、第１シリコン層Ｓ１ｐを有するフローティングゲートＦＧと、絶縁層ＩＬを有するゲート間絶縁膜ＧＩと、第２シリコン層Ｓ２ａを有するコントロールゲートＣＧとを含む積層体ＬＢが形成される。 - 特許庁

To provide a transparent conductive substrate which is excellent on transparency at low resistance and has a first conductive layer, a highly transparent adhesive layer, and a second conductive layer, and a manufacturing method capable of inexpensively manufacturing the transparent conductive substrate.例文帳に追加

低抵抗で透明性に優れる、第一導電性層、透明性の高い粘着層及び第二導電性層を有する透明導電性基板及び該透明導電性基板を安価に製造可能な製造方法を提供する。 - 特許庁

The priming enamel layer 14 is constituted of a first priming enamel layer 12 consisting of inorganic oxide particles having an average grain size of 10-15 μm, and a second priming enamel layer 13 constituted of inorganic oxide particles having an average grain size of 20-25 μm.例文帳に追加

下塗りホウロウ層１４は、平均粒径１０〜１５μｍの無機酸化物粒子からなる第１の下塗りホウロウ層１２と、平均粒径２０〜２５μｍの無機酸化物粒子からなる第２の下塗りホウロウ層１３とからなる。 - 特許庁

The crossing portion 160 is formed as a stacking structure of a first layer 161, made of low resistance metal, such as, Al and a second layer 162 made of high melting point metal, such as Mo, which is material having a melting point higher than the first layer 161.例文帳に追加

交差部分１６０を、Ａｌなどの低抵抗金属よりなる第１層１６１と、この第１層１６１よりも融点の高い材料、例えばＭｏ等の高融点金属よりなる第２層１６２との積層構造とする。 - 特許庁

At least a portion of the active layer constitutes a plurality of gain regions 160 and 162, and each of them is provided at an angle from a first side face 105 of the active layer to the second side-surface of the active layer which is parallel to it.例文帳に追加

活性層のうちの少なくとも一部は、複数の利得領域１６０，１６２を構成し、各々は、活性層の第１側面１０５から、それと平行な活性層の第２側面に向かって、傾いて設けられる。 - 特許庁

That is, the first layer is a polishing member 2A having polishing particles mixed therein, and the second layer 2B carrying the first layer is bonded onto a lower side of the polishing member to form the polishing cloth 2.例文帳に追加

研磨布（２）を少なくとも２層構造とし、研磨部材（２Ａ）に研磨粒子を混入させた第１の層と、この研磨部材の下部に、第１の層を保持する第２の層（２Ｂ）を接着したものを研磨布（２）として用いる。 - 特許庁

The first substrate 1 provided with the element 5 via a separation layer 3 is arranged opposite to the second substrate 7 provided with an adhesive layer 9, under the condition where the element 5 comes into tight-contact with the adhesive layer 9, to be held in decompressed atmosphere.例文帳に追加

剥離層３を介して素子５が設けられた第１の基板１と、接着層９が設けられた第２の基板７とを、素子５と接着層９とを密着させる状態で対向配置して減圧雰囲気内に保つ。 - 特許庁

The laminate is obtained by laminating a first color clear layer containing structural color developing chips with a specific particle size to a second color clear layer containing structural color developing chips of which the particle size is different from that of the structural color developing chips of the first color clear layer.例文帳に追加

本発明の積層体は、特定粒子径の構造発色チップを含む第１カラークリヤー層と、該構造発色チップと異なる粒子径の構造発色チップを含む第２カラークリヤー層とを積層することを特徴とする。 - 特許庁

Therefore, in comparison with a case where the three-layer film 82 is directly connected with the high-concentration source area 1d without forming the second low-resistance layer 111, the connection resistance of the three-layer film 82 and the high-concentration source area 1d can be reduced.例文帳に追加

したがって、第２低抵抗層１１１を形成することなく、直接高濃度ソース領域１ｄに三層膜８２を接続する場合に比べて、三層膜８２及び高濃度ソース領域１ｄの接続抵抗を低減できる。 - 特許庁

To solve the problem that decrease of strength of a molded product is generated when interlaminar adhension is bad in the case a thick-walled resin product is manufactured by a multi-layer injection molding method by injection molding a second layer at a high temperature on a first layer once cooled.例文帳に追加

多層射出成形法による厚肉樹脂製品の製造は、１度冷却された第１層の上に、高温の第２層を射出成形するが、層間の密着力が悪いと、成形品の強度低下が生じる。 - 特許庁

The side of the transparent substrate has a first side nearly vertical to the luminous surface of the luminous layer at a side close to the luminous layer, and a second side inclined to the luminous surface at a side distant from the luminous layer.例文帳に追加

透明基板の側面は、発光層に近い側では発光層の発光面に対して略垂直である第１の側面と、発光層に遠い側では発光面に対して傾斜している第２の側面を有している。 - 特許庁

Each of the matching layer sections (222, 230) comprises a spring layer (234, 236, 238, 240, 242) comprising a first material and a mass layer (244, 246, 248, 250, 252) comprising a second material that is different from the first material.例文帳に追加

整合層部分（２２２、２３０）のそれぞれが、第１の材料を含むばね層（２３４、２３６、２３８、２４０、２４２）および第１の材料と異なる第２の材料を含む質量層（２４４、２４６、２４８、２５０、２５２）を備える。 - 特許庁

The fluorescent material layer can be made with a laminated structure of the lower layer of a first fluorescent material having particle diameters of 3 to 15 μm and of the upper layer of a second fluorescent material having particle diameters smaller than those of the first fluorescent material (preferably 1/2 or less).例文帳に追加

蛍光体層を、３〜１５μｍの粒径を有する第１の蛍光体の下層と、第１の蛍光体より粒径の小さい（好ましくは１／２以下）第２の蛍光体の上層との積層構造とすることができる。 - 特許庁

This denture having a multilayered structure of two or more layers is formed to have an inner layer 6 having a higher wear resistance and/or hardness than the first layer 4 on the occlusal side has, at some position inside the second layer on the occlusal side.例文帳に追加

２以上の層を備える複層構造の人工歯２であって、咬合面側第２層以上内側のいずれかの層において、咬合面側第１の層４よりも耐磨耗性及び／又は硬度が高い内層６を備えるようにする。 - 特許庁

In forming vias 113 in a dielectric layer 106, posts based on a patterned conductive material are printed at each via location, the unpatterned dielectric layer 106 is deposited, and a second patterned conductive layer is deposited.例文帳に追加

誘電層１０６内にビア１１３を形成する際、まず各ビア位置にパターン化された導電材よりなるポストを印刷し、次にパターン化されていない誘電層１０６を堆積させ、次に第２のパターン化された導電層を堆積させる。 - 特許庁

To suppress the decline of the open-terminal voltage of a photovoltaic element provided with a substrate, transparent conductive films, a first- conductivity type semiconductor layer, an intrinsic layer, and a second- conductivity type semiconductor layer.例文帳に追加

基板と、透明導電膜と、第１の導電型半導体と、真性層と、第１の導電型と異なる導電型の第２の導電型半導体とを具える光起電力素子において、開放端電圧の低下を抑制する。 - 特許庁

To prevent the occurrence of an Al spike in a second metal layer (switch TFT source drain wiring) and an ohmic contact layer (n^+ layer), and to achieve the low-resistance contact between an MIS type PD lower electrode and the drain electrode of a switch TFT.例文帳に追加

第２の金属層（スイッチＴＦＴソースドレイン配線）とオーミックコンタクト層（ｎ^+層）でのＡｌスパイクの発生を防止し、ＭＩＳ型ＰＤ下部電極とスイッチＴＦＴのドレイン電極との低抵抗のコンタクトを実現する。 - 特許庁

Edges of the first photoelectric converting layer 3 and the second photoelectric converting layer 5 exposed in the separating grooves H1 to H3 are removed by conducting a plasma etching and the upper surface of the side end part of the intermediate reflecting layer 4 are exposed.例文帳に追加

プラズマエッチングを行うことにより分離溝Ｈ１〜Ｈ３内に露出した第１の光電変換層３および第２の光電変換層５の角部を除去し、中間反射層４の側端部の上面を露出させる。 - 特許庁

A stem 30A comprises an eyelet body 31 having a clad material on which a first iron layer 38, a copper layer 37 and a second iron layer 36 are laminated in this order, and an open hole 35 penetrating the eyelet body 31 in a thickness direction.例文帳に追加

ステム３０Ａは、第１鉄層３８−銅層３７−第２鉄層３６の順に積層されたクラッド材を有するアイレット本体３１と、アイレット本体３１の厚さ方向に貫通する貫通孔３５とを備えている。 - 特許庁

Among those, the black matrix pattern layer has a low reflection factor, and the black matrix pattern layer is equipped with a first matrix pattern mutually corresponding to the insulating region, or is also equipped with a second matrix pattern corresponding to the positive electrode pattern layer.例文帳に追加

そのうち、該ブラックマトリクスパターン層は低反射率を有し、且つ該ブラックマトリクスパターン層は該絶縁領域と相互に対応する第１マトリクスパターンを具えるか、或いは更に陽極パターン層と対応する第２マトリクスパターンを具えている。 - 特許庁

The display includes a substrate laminated sequentially with the light shielding layer (40) for restraining a light from get incident into a semiconductor layer, a first insulating film (31), the gate electrode (22) of the thin film transistor, a second insulating film (32), and the semiconductor layer (21).例文帳に追加

表示装置は、半導体層への光の入射を抑制するための遮光層（４０）と、第１絶縁膜（３１）と、薄膜トランジスタのゲート電極（２２）と、第２絶縁膜（３２）と、半導体層（２１）と、が順次積層された基板を含む。 - 特許庁

In this case, sputtering film deposition is performed first under a pressure of 5 to 15 Pa to deposit a first layer, and sputtering film deposition is then performed under a pressure of 0.5 to 5 Pa to deposit a second layer on the first layer.例文帳に追加

この際、まず初めに、５乃至１５Ｐａの圧力下でスパッタ成膜を行うことにより第１の層を形成し、次いで、０．５乃至５Ｐａの圧力下でスパッタ成膜を行うことにより第１の層上に第２の層を形成する。 - 特許庁

Each of electrodes 2 and 2 has a first conductor layer 21, which is in close contact only with the end face of the laminate 3 and a second conductor layer 22, which covers a part of the lateral surface of the laminate 3 lying closer to the end face of the laminate 3 from the layer 21.例文帳に追加

前記外部電極２、２が積層体３の端面のみに密着した第一の導体層２１と、この第一の導体層２から積層体３の端面寄りの側面の一部を覆う第二の導体層２２とを有する。 - 特許庁

In addition to a first magnetic domain control layer 107 for aligning a magnetizing direction in a designated direction for a free layer 101 of a magnetic resistance effect film 2, the magnetic head is equipped with a second magnetic domain control layer 109 for generating a magnetic field in its opposite direction.例文帳に追加

磁気抵抗効果膜２の自由層１０１の磁化方向を所定の方向に揃える第１の磁区制御層１０７に加えて、その逆方向の磁界を発生する第２の磁区制御層１０９を備える。 - 特許庁

The photosensor has a structure of three layers consisting of a first layer silicon oxide film (SiO2) 21 having a thickness of 1.12 μm, a second layer polysilicon oxide film (Poly-Si) 22 having a thickness of 0.5 μm, and a third layer silicon oxide film 23 having a thickness of 1.12 μm.例文帳に追加

厚さが１．１２μｍである第１層目のシリコン酸化膜(SiO2)２１と、厚さが０．５μｍである第２層目のポリシリコン膜(Poly-Si)２２と、厚さが１．１２μｍである第３層目のシリコン酸化膜２３とよりなる３層の構成である。 - 特許庁

The first layer 5 is formed in such a thickness that a laser beam propagating the core 2 does not reach so that the field distribution k of the laser beam propagating the core 2 is substantially zero in the boundary between the first layer 5 and the second layer 6.例文帳に追加

コア２を伝搬するレーザ光の界分布ｋが、第一の層５と第二の層６との界面において実質的に０であるように、第一の層５は、コア２を伝搬するレーザ光が到達しない厚さに形成されている。 - 特許庁

The spacer layer is a laminated structure that includes a first semiconductor layer having a composition of Al_XGa_1-XAs (1≥x>0) and a second semiconductor layer having a composition of Al_yGa_1-yAs (1>y>0 and x>y).例文帳に追加

このスペーサ層は、Ａｌ_ＸＧａ_１−ＸＡｓを有する第１の半導体層（１≧ｘ＞０）と、Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙＡｓ（１＞ｙ＞０、かつ、ｘ＞ｙ）を有する第２の半導体層とが積層されることにより構成されている。 - 特許庁

To provide a papermaking device for producing an insertion body-embedded paper, capable of surely maintaining the posture of the inserted body in dropping for loading the inserted body to be nipped between a first wet paper layer and a second wet paper layer, on the first wet paper layer.例文帳に追加

第１湿紙層と第２湿紙層とに挟持させるインサート体を、第１湿紙層に載置させるために落下させる際に、インサート体の姿勢を確実に維持できるようにしたインサート体抄込紙の抄造装置の提供。 - 特許庁

An operating layer 2 having a heterojunction interface is formed by laminating a first layer 2a made of GaN whose electron concentration is not more than 1×10^16/cm^3 at room temperature and a second layer 2b made of Al_xGa_1-xN (0<x≤0.3).例文帳に追加

ＧａＮからなり室温での電子濃度が１×１０^16／ｃｍ^3以下である第１層２ａと、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ（０＜ｘ≦０．３）からなる第２層２ｂとを積層することで、ヘテロ接合界面を有する動作層２を形成する。 - 特許庁

For improving the adhesion between the plating layers, it is preferable that, after the completion in the solidification of the first plating layer, preheating is performed, or, before the completion in the solidification of the first plating layer, the second plating layer is formed.例文帳に追加

めっき層間の密着性向上のためには、第一のめっき層が凝固を完了したのち、予熱を行なうか、あるいは第１のめっき層が凝固を完了する前に第二のめっき層を形成することが好ましい。 - 特許庁

Further, a cylindrical photoelectric converter 2 is formed of a first translucent conductive layer 20A, a photoelectric converting layer 30, and a second translucent conductive layer 50 sequentially laminated on the inner peripheral surface of the translucent cylindrical substrate 10.例文帳に追加

また、透光性の筒状基体１０の内周面に、第１の透光性導電層２０Ａと光電変換層３０と第２の透光性導電層５０とが順次積層されている筒状光電変換装置２である。 - 特許庁

A P-type second clad layer 20 whose thickness is almost 0.4 μm and which is composed of P-type Al0.07Ga0.93N, and a P-type contact layer 21 whose thickness is almost 0.1 μm and which is composed of P-type GaN, are grown on the etching stop layer 19A.例文帳に追加

続いて、エッチング停止層１９Ａの上に、厚さが約０．４μｍのｐ型Ａｌ_0.07Ｇａ_0.93Ｎからなるｐ型第２クラッド層２０と、厚さが約０．１μｍのｐ型ＧａＮからなるｐ型コンタクト層２１を成長する。 - 特許庁

A separator 30 is equipped with a substrate 60 with a given rough shape, a base coat layer 62 on the substrate 60, a first coat layer 64 for coating them, and a second coat layer 66 fitted further on it.例文帳に追加

セパレータ３０は、所定の凹凸形状を有する基板部６０と、基板部６０上に設けられた下地コート層６２と、これらを被覆する第１コート層６４と、さらにその上に設けられた第２コート層６６とを備える。 - 特許庁

In the antenna circuit configuring body for IC cards/tags, an insulating layer 107 is formed so as to extend from the upper part of a first circuit pattern layer 103 to the upper part of a second circuit pattern layer via the upper part of an antenna coil 101.例文帳に追加

ＩＣカード・タグ用アンテナ回路構成体は、絶縁層１０７が第１の回路パターン層部分１０３の上からアンテナコイル部１０１の上を経て第２の回路パターン層部分の上まで延びるように形成されている。 - 特許庁

In order to bond to a circuit board through solder, a vertical IGBT is provided with a back electrode 20 having a first conductive layer 28, a second conductive layer 26, and a third conductive layer 24 sequentially from the backside of a silicon substrate 30.例文帳に追加

はんだを介して回路基板と接合するために、シリコン基板３０の裏面から順に、第１導電層２８と、第２導電層２６と、第３導電層２４を有する裏面電極２０を備えている縦型のＩＧＢＴである。 - 特許庁

The metal wires are electrically connected to the source region and the drain region, and when the drain region is connected to the metal wire 7 of the third layer, the source region is connected to the metal wire 6 of the second layer and the metal wire 5 of the first layer.例文帳に追加

メタル配線は、ソース領域及びドレイン領域に電気的に接続され、ドレイン領域を第３層メタル配線７に接続する場合、ソース領域を第２層メタル配線６及び第１層メタル配線５に接続する。 - 特許庁

The process of forming the lower electrode 4 includes a process of forming a first metal layer by an ion beam sputtering method or a DC sputtering method, and a process of depositing a second metal layer on the first metal layer by an electrolytic plating method.例文帳に追加

下部電極４を形成する工程は、イオンビームスパッタ法またはＤＣスパッタ法によって第１金属層を形成する工程と、第１金属層の上に電解めっき法によって第２金属層を析出させる工程と、を含む。 - 特許庁

A semiconductor device includes a support substrate, a first metal layer provided on the support substrate, an insulation film provided on the first metal layer, and a semiconductor film provided on the insulation film via a second metal layer.例文帳に追加

半導体装置は、支持基板と、支持基板上に設けられた第１の金属層と、第１の金属層上に設けられた絶縁体層と、絶縁体層上に第２の金属層を介して設けられ半導体膜と、を含む。 - 特許庁

The metallic terminal pad 17 of the wiring board 1 includes an electroless Ni plating layer 53 containing P, and the second principal surface of the electroless Ni plating layer 53 is directly covered by an electroless reduction Au group plating layer 54.例文帳に追加

配線基板１において、金属端子パッド１７は、Ｐを含有した無電解Ｎｉメッキ層５３を有し、該無電解Ｎｉメッキ層５３の第二主表面が無電解還元Ａｕ系メッキ層５４にて直接覆われてなる。 - 特許庁

The layer of a first superconducting material is formed on the upper surface of the first dielectric layer of a substrate by dc reactive sputtering, and a second dielectric layer is formed on the upper surface of the first superconducting material by ion beam sputtering.例文帳に追加

基板となる第一誘電体層の上面に、直流反応性スパッタリングによって第一超伝導体層を形成し、その第一超伝導体層の上面に、イオンビームスパッタリングによって第二誘電体層を形成する。 - 特許庁

A buffer layer 12 of aluminum nitride (AlN), a first nitride semiconductor layer 13 of i-type GaN, and a second nitride semiconductor layer 14 of i-type AlGaN are sequentially formed on a substrate 11 of sapphire.例文帳に追加

サファイアからなる基板１１の上に、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）からなるバッファ層１２と、ｉ型ＧａＮからなる第１の窒化物半導体層１３と、ｉ型ＡｌＧａＮからなる第２の窒化物半導体層１４が順次形成されている。 - 特許庁

The nonwoven fabric laminate is equipped with a first layer comprising a nonwoven fabric 11 made of a thermoplastic resin, a second layer comprising a design film made of a thermoplastic resin, and the third layer comprising a nonwoven fabric 13 made of a thermoplastic resin.例文帳に追加

この不織布積層体１は、熱可塑性樹脂製の不織布１１よりなる第一層と、熱可塑性樹脂製の意匠性フィルム１２よりなる第二層と、熱可塑性樹脂製の不織布１３よりなる第三層とを備えている。 - 特許庁

The photoelectric conversion element at least includes: a first electrode which is the stainless-steel grid electrode subjected to acid cleaning processing and having a surface layer containing a semiconductive compound; the photoelectric conversion layer; a hole transport layer; and a second electrode.例文帳に追加

少なくとも、酸洗処理が施され、かつ、半導電性の化合物を含有する表面層を有するステンレス製グリッド電極の第１電極と、光電変換層、正孔輸送層、第２電極を有する光電変換素子。 - 特許庁