「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(206ページ目) - Weblio英語例文検索

Second and third wiring layers 40 and 42 set to the ground potentials are provided which face each other through the bit lines of the first paired bit line BM/BM and the inter-layer insulating film 32, being the same layer as the second paired bit line BS/BS.例文帳に追加

第２のビット線対ＢＳ，／ＢＳと同層で、第１のビット線対ＢＭ，／ＢＭの各々のビット線と層間絶縁膜３２を介してそれぞれ対向し、互いにグランド電位に設定される第２，第３の配線層４０，４２を有する。 - 特許庁

This semiconductor device comprises a first chip 10 having the inductor 14, a second chip 20 which is superposed on the first chip 10 and has a conductive layer 22, and a first magnetic shielding layer 19 provided between the first and the second chips 10, 20.例文帳に追加

半導体装置は、インダクター１４を有する第１のチップ１０と、第１のチップ１０と重ねられ、導電層２２を有する第２のチップ２０と、第１及び第２のチップ１０，２０間に設けられた第１の磁気遮蔽層１９とを具備する。 - 特許庁

Part of a semiconductor layer and each of the storage capacitor lines sandwich a first dielectric film (2) and constitute a first storage capacitor (70a), while part of the barrier layer and each of the storage capacitor lines sandwich a second dielectric film (81) and constitute a second storage capacitor (70b).例文帳に追加

半導体層の一部と容量線が第１誘電体膜（２）を挟持して第１蓄積容量（７０ａ）を構成し、容量線とバリア層の一部が第２誘電体膜（８１）を挟持して第２蓄積容量（７０ｂ）を構成する。 - 特許庁

A plurality of catalyst pellets 118 are arranged in a single layer in each of the first and second receiving members 110 and 112, and the both end surfaces of each single layer of the catalyst pellets 118 come into substantial contact with the first and second receiving members 110 and 112.例文帳に追加

第１及び第２受け部材１１０、１１２内には、複数の触媒ペレット１１８が単層に配設されるとともに、前記触媒ペレット１１８の両端面が前記第１及び第２受け部材１１０、１１２に略接触する。 - 特許庁

The laminate 100 is provided with internal layer electrodes and external terminals, and first and second balanced side capacitors C2, C3 which are connected in series between a first balanced terminal Pb1 and a second balanced terminal Pb2 are formed by the internal layer electrodes.例文帳に追加

該積層体１００には、内層電極および外部端子が形成されており、第１平衡端子Ｐｂ１と第２平衡端子Ｐｂ２との間に直列接続される第１、第２平衡側キャパシタＣ２，Ｃ３は内層電極により形成される。 - 特許庁

A catalyst metal 11 is supported on oxygen particles 8, 9, 12 in a second catalyst layer 3 provided on or above the first catalyst layer 2, and second binder particle 13 which is fine and is capable of storing and releasing oxygen is interposed among the oxide particles.例文帳に追加

第１触媒層２より上側に設けられた第２触媒層３では、触媒金属１１が酸化物粒子８，９，１２に担持され、この酸化物粒子間に酸素吸蔵放出能を有する微細な第２バインダ粒子１３が介在する。 - 特許庁

In the gas circulation member 41, a first layer 41a and a second layer 41b delimiting the gas passage 45 is formed, and columnar parts 44 traverse the gas passage 45 to be continued to the first and second layers 41a and 41b and thereby delimit the passage.例文帳に追加

ガス流通部材４１には、ガス流路４５を区画する第一層４１ａおよび第二層４１ｂが形成されており、また、柱状部４４が、ガス流路４５を横断し、第一層４１ａ、４１ｂと連続することで、流路を区画している。 - 特許庁

Then, after the second single-crystal silicon substrate 1 is laminated on a first single-crystal silicon substrate 7, at least a layer region, which is in contact with the etching stopper layer 6' in the second single-crystal silicon substrate 1, is selectively etched based on the difference in the oxygen concentration.例文帳に追加

そして、第二シリコン単結晶基板１を第一シリコン単結晶基板７に貼り合わせた後、第二シリコン単結晶基板１の少なくともエッチストップ層６’と接する層領域を酸素濃度差に基づいて選択エッチングする。 - 特許庁

First signal wiring 102 is formed in the first signal wiring layer 12, and second signal wiring 104 is formed in the second signal wiring layer 18 with the signal wiring 102 and the signal wiring 104 being connected through the through hole 100.例文帳に追加

第１の信号配線層１２には第１の信号配線１０２が、第２の信号配線層１８には第２の信号配線１０４が形成され、信号配線１０２と信号配線１０４とは第１のスルーホール１００を介して接続される。 - 特許庁

Magnitude of vertical magnetic anisotropy is increased and its dispersion is made narrow by causing grid mismatching at boundary of the second non-magnetic layer 16B_2 and the second magnetic layer 16A_2.例文帳に追加

第１非磁性層１６Ｂ_１と第１磁性層１６Ａ_１、第２非磁性層１６Ｂ_２と第２磁性層１６Ａ_２の界面において格子不整合を生じさせることにより、垂直磁気異方性の大きさが増加すると共にその分散が狭小となる。 - 特許庁

To provide an optical information recording medium wherein recording sensitivity is enhanced by optimizing film thicknesses of dielectric layers which constitute a second information recording layer and recording and reproduction are performed to the second information recording layer even when radiation laser power is low.例文帳に追加

第２情報記録層を構成する誘電体層の膜厚を最適化することで記録感度を向上させ、照射レーザーパワーが小さくとも第２情報記録層への記録再生が可能な光学情報記録媒体を提供する。 - 特許庁

A part of a first platinum film 15 comprising the first lower layer platinum film 15a and the second lower layer platinum film 15b existing on the second interlayer insulation film 14 is removed to form a lower electrode 15A comprising the first platinum film 15.例文帳に追加

第１の下層白金膜１５ａ及び第２の下層白金膜１５ｂからなる第１の白金膜１５における第２の層間絶縁膜１４の上に存在する部分を除去して、第１の白金膜１５からなる下部電極１５Ａを形成する。 - 特許庁

The support for image formation has a gelatin subbing layer on a first face of a polyester base having first and second faces and has an antistatic layer having conductive metal-containing fine particles dispersed in a gelatin one the second face.例文帳に追加

第一面と第二面を有するポリエステル系ベースの該第一面上にゼラチン下塗層を含み、かつ、該第二面上に、導電性含金属微粒子をゼラチンに分散させてなる帯電防止層を含んでなることを特徴とする画像形成用支持体。 - 特許庁

Each of a first metal member 3 and a second metal member 7 is composed by bonding a cladding material comprising metal materials 22, 26 and brazing filler materials 24, 28 of a first layer, and a cladding material comprising metal materials 23, 27 and brazing filler materials 25, 29 of a second layer.例文帳に追加

第１金属部材３及び第２金属部材７はそれぞれ第１層の金属材２２、２６とろう材２４、２８とからなるクラッド材及び第２層の金属材２３、２７とろう材２５、２９とからなるクラッド材を接着して構成する。 - 特許庁

Further, when the thickness of the second silicone rubber cured matter layer is set to X μm and the maximum particle size of the inorganic heat conductive powder contained in the second silicone rubber cured matter layer is set to Y μm, X is 1-50 and the relation of 0<(Y-X)≤(2Y/3) is established between X and Y.例文帳に追加

又、その厚さをＸμｍ、該層に含有される前記無機熱伝導性粉末の最大粒径をＹμｍとしたとき、Xが1以上５０以下で、Ｘ及びＹの間に、０ ＜（Ｙ-Ｘ）≦（２Ｙ/３） の関係が成立する点に特徴がある。 - 特許庁

The photonick crystal periodic structures 21 composed of second medium are arranged in an active layer (first medium) 12 which emits light by carrier implantation, or in the vicinity of the layer 12, where the first medium and the second medium are different in refractive index.例文帳に追加

キャリアの注入により発光する活性層（第１媒質）１２又はその近傍に、屈折率の異なる第２媒質からなるフォトニック結晶周期構造体２１を２次元の周期で配列した２次元フォトニック結晶面発光レーザ。 - 特許庁

For a plurality of periodic targets that each have a first structure formed from a first layer and a second structure formed from a second layer of the sample, an optical system is employed to thereby measure an optical signal from each of the periodic targets.例文帳に追加

試料の第１レイヤから形成される第１構造および第２レイヤから形成される第２構造をそれぞれ有する複数の周期的ターゲットについて、光学システムを用い、周期的ターゲットのそれぞれについて光学信号が計測される。 - 特許庁

The first conductive layer connects to the first and second high concentration diffusion regions, and a second conductive layer electrically contacts and connects to the third high concentration diffusion region.例文帳に追加

フィールド酸化層は、第一高濃度拡散区、第二高濃度拡散区と第三、第四高濃度拡散区を隔離し、第一導電層は、第一及び第二高濃度拡散区を連接し、第二導電層は、第三高濃度拡散区と接触して電気連接する。 - 特許庁

A golf ball including an inner core having a geometric center and a first outer surface, the inner core being formed from a first substantially homogenous rubber composition, and an outer core layer formed from a second substantially homogenous rubber composition, the outer core layer having a second outer surface.例文帳に追加

幾何中心および第１の外側表面を伴い、実質的に均一なゴム組成物から製造される内側コアと、第２の実質的に均一な組成物から製造され、第２の外側表面を伴う外側コア層とを含むゴルフボールである。 - 特許庁

After the first mask has been removed, a second mask having a monitoring aperture 131a located on a part of the etched contact layer 109 and a second aperture 131b to form the ridge stripe is formed on the contact layer 109.例文帳に追加

そして、第１マスクを除去した後、エッチングされたコンタクト層１０９の部分の上に位置するモニタリング用開口部１３１ａと、リッジストライプを形成するための第２開口部１３１ｂとを有する第２マスクを、コンタクト層１０９上に形成する。 - 特許庁

This device uses a perpendicular magnetic recording medium in which first and second magnetic recording layer to be diamagnetically coupled, or an inner magnetic recording medium in which a predetermined intermediate layer 3 is disposed between the first and second magnetic recording layers to connect the layers to be diamagnetically coupled.例文帳に追加

第１と第２の磁気記録層を反磁性交換結合させた垂直磁気記録媒体、あるいは、第１と第２の磁気記録層の間に所定の中間層を３以上設け、反磁性交換結合させた面内磁気記録媒体を用いる。 - 特許庁

Respective layers of these first conductive layer 222', the insulating layer 224' and the second conductive layers 226', 226" are respectively formed with same layers as those of the first conductor, the insulator and the second conductor of a TFT in a display area.例文帳に追加

これらの第１の導電層２２２’、絶縁層２２４’および第２の導電層２２６’、２２６”の各々を、それぞれ表示領域におけるＴＦＤの第１の導電体、絶縁体および第２の導電体と同一層から形成する。 - 特許庁

The barrier layers 22 and second clad layer 24 are different in composition from each other, and an energy potential at an upper end of a valance band by the composition of the barrier layers 22 is lower than an energy potential at an upper end of a valence band by the composition of the second clad layer 24.例文帳に追加

バリア層２２の組成と第２クラッド層２４の組成とは互いに異なり、バリア層２２の組成による価電子帯上端のエネルギー準位は、第２クラッド層２４の組成による価電子帯上端のエネルギー準位より低い。 - 特許庁

The second cover film CV2 and the wiring layer WL2 of the second surface of the lower layer thereof in a loop forming area A-B are discontinuously removed along the bending direction of a loop, and the base film BF is exposed in the removed part.例文帳に追加

前記ループの形成領域（Ａ—Ｂ）における前記第２のカバーフィルムＣＶ２およびその下層の第２の面の配線層ＷＬ２がループの曲げ方向に沿って不連続に除去され、除去された部分はベースフィルムＢＦが露出している。 - 特許庁

The organic EL element 30 includes a first electrode 31, an organic EL layer 32 provided on the first electrode 31, a second electrode 33 provided on the organic EL layer 32, and a protective film 34 so provided as to cover the second electrode 33.例文帳に追加

有機ＥＬ素子３０は、第１電極３１と、該第１電極３１上に設けられた有機ＥＬ層３２と、該有機ＥＬ層３２上に設けられた第２電極３３と、該第２電極３３を覆うように設けられた保護膜３４と、を備える。 - 特許庁

The pad 44 is made up of an exposed area 44A exposed from the opening 13 of: the second resin layer; and the covered area 44B covered with the second resin layer 32, and the width (L1) of the covered area 44B is 10 μm or more.例文帳に追加

そして、パッド部４４は、第２樹脂層の開口部１３から露出する露出領域４４Ａと、第２樹脂層３２により被覆される被覆領域４４Ｂとから成り、この被覆領域４４Ｂの幅（Ｌ１）を１０μｍ以上としている。 - 特許庁

Such an optical unit includes, seen in a direction from the object side to the imaging surface, a first substrate, a first lens element, a flat and transparent intermediate layer, a second lens element and a second substrate, the intermediate layer having an optically correcting function near the imaging surface.例文帳に追加

こうした光学ユニットは、物体側から結像表面へ向かう方向に見て、第１基材、第１レンズ要素、平坦な透明中間層、第２レンズ要素、および第２基材を備え、中間層が、結像表面の近くで光学補正機能を有する。 - 特許庁

A first dielectric film 2 is interposed between a part of a semiconductor layer and the capacitance line to form a first storage capacitance 70a, and a second dielectric film 81 is interposed between the capacitance line and a part of the barrier layer to form a second storage capacitance 70b.例文帳に追加

半導体層の一部と容量線が第１誘電体膜（２）を挟持して第１蓄積容量（７０ａ）を構成し、容量線とバリア層の一部が第２誘電体膜（８１）を挟持して第２蓄積容量（７０ｂ）を構成する。 - 特許庁

A forth glass layer 34 is formed between a second talc 22 filled in a holder 20 and an inner circumferential face 19 of the holder 20, and a third glass layer 33 is also formed between the second talc 22 and an outer circumferential face 18 of a detection element 10.例文帳に追加

ホルダ２０内に充填される第２滑石２２と、ホルダ２０の内周面１９との間に第４ガラス層３４が形成され、第２滑石２２と検出素子１０の外周面１８との間にも第３ガラス層３３が形成される。 - 特許庁

Then, using a resist film 2 of a second adhesive material, a rear glass board 1 is stuck to the first conductive layer and the second conductive layer, and the first adhesive material is fused to peel off and expose the first board for wafer retention from the semiconductor wafer.例文帳に追加

そして、第２の接着材であるレジスト膜２を用い、第１の導電層および第２の導電層に裏面側ガラス板１を張り付け、第１の接着材を溶融し第１のウェーハ保持用基板を半導体ウェーハより剥がして露出させる。 - 特許庁

The upper surface side first electrode 21a is connected to a lower surface side first electrode 22a by way of a through hole conductive layer 23, and the upper surface side second electrode 21b is connected to a lower surface side second electrode 22b by way of a side surface conductive layer 24.例文帳に追加

上面側第１電極２１ａと下面側第１電極２２ａとはスルーホール導電層２３を介して接続され、上面側第２電極２１ｂと下面側第２電極２２ｂとは、側面導電層２４を介して接続されている。 - 特許庁

Each multi-layer magnetic structure includes one or more first magnetic layers that are spaced from one or more second magnetic layers by a non-magnetic layer such that the one or more first magnetic layers are substantially identical to the one or more second magnetic layers.例文帳に追加

各々の多層磁気構造は、１つ以上の第１の磁性層が１つ以上の第２の磁性層と実質的に同一であるように、非磁性層によって１つ以上の第２の磁性層から離間される１つ以上の第１の磁性層を含む。 - 特許庁

The roll raw fabric R is wound so that a first base material film F12, a first adhesive layer F14, the optical film F11, a second adhesive layer F15, and a second base material film F13 are laminated in turn from the outside.例文帳に追加

第１基材フィルムＦ１２、第１粘着剤層Ｆ１４、光学フィルムＦ１１、第２粘着剤層Ｆ１５及び第２基材フィルムＦ１３が、外側からこの順序で積層された状態となるように巻回されたロール原反Ｒを提供する。 - 特許庁

A second substance is added to stabilize the film quality in the first light-emitting layer, and a third substance as a host material for diffusing the first substance as the emission center substance is contained in the second light-emitting layer.例文帳に追加

なお、第１の発光層には膜質を安定化させるために第２の物質が添加されており、また、第２の発光層には発光中心物質である第１の物質を分散させるためのホスト材料として第３の物質が含まれている。 - 特許庁

A first-conductivity semiconductor layer 7, having higher concentration than the epitaxial layer, is arranged in the gap among the plurality of second-conductivity embedded layers, or at least at one of upper portions, in a region in which the second-conductivity embedded layers are arranged.例文帳に追加

複数の第二導電型埋め込み層の間の間隙中、または第二導電型埋め込み層が配置された領域の上部の少なくとも一方に、エピタキシャル層よりも高濃度の第一導電型半導体層７が配置される。 - 特許庁

Organic light emitting elements 10R, 10G and 10B have a resonator structure in which an end surface of a first electrode 15 at a light emitting layer 18C side is a first end part P1 and an end surface of a second electrode 19 at the light emitting layer 18C side is a second end part P2.例文帳に追加

有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、第１電極１５の発光層１８Ｃ側の端面を第１端部Ｐ１、第２電極１９の発光層１８Ｃ側の端面を第２端部Ｐ２とする共振器構造を有する。 - 特許庁

In the second-time recording or after, the optimum recording power value PL1 is obtained by recording/reproducing the test signal using the OPC area of the first layer of the optical disk (S4), and the optimum recording power value PL2 for the second layer is obtained by calculation (S5).例文帳に追加

光ディスクの２回目以降の記録時には、光ディスクの第１層目のＯＰＣ領域を使用してテスト信号の記録再生により最適記録パワー値ＰＬ１を求め（Ｓ４）、第２層目の最適記録パワー値ＰＬ２は計算により求める（Ｓ５）。 - 特許庁

The second fastener member 2 includes an adhesion layer 3 arranged as covering the second opening in the other major face 212 of the base 21 and, when the joining projections are received in the joining holes 24, the joining projections 11 touch the adhesion layer 3.例文帳に追加

第２ファスナー部材２は、基部２１の他方の主要面２１２において、第２開口部を覆うように配置された接着層３を更に含み、接合突子１１が接合孔２４に受容されたときに、接合突子１１が接着層３と接触する。 - 特許庁

The wiring board 1 further comprises first and second via conductors 26, 27 formed, respectively, in the first resin insulation layer 3 on the central board 2 a second resin insulation layer 4 and connected with the central conductor 16 on the central axis 9.例文帳に追加

さらに、配線基板１は、中心基板２上の第１樹脂絶縁層３及び第２樹脂絶縁層４に形成され、中心軸９上で中心導体１６とそれぞれ接続する第１ビア導体２６及び第２ビア導体２７を備える。 - 特許庁

The invention relates to a CMOS structure and a method for manufacturing the CMOS structure, in which a first stressed layer arranged on a first transistor and a second stressed layer on a second transistor are contacted but are not overlapped to each other.例文帳に追加

第１のトランジスタの上に配置された第１の応力層及び第２のトランジスタの上に配置された第２の応力層が、当接するが、重ならない、ＣＭＯＳ構造体及びＣＭＯＳ構造体を製造する方法が提供される。 - 特許庁

When the optical path difference adjusting layer is formed, a hole is formed at a position on the upper face of the optical path difference adjusting layer and corresponding to the formation of the second photospacer PS-12, by using the above described photomask PM6, and the second photospacer is formed on the hole.例文帳に追加

光路差調整層を形成する際に、上記フォトマスクＰＭ６を用い第二フォトスペーサーＰＳ−１２の形成に対応した光路差調整層上面の位置にホールを形成し、該ホール上に第二フォトスペーサーを形成すること。 - 特許庁

The distance D1 between a joint side main surface of a glass plate 1 on which the conductive film 5 is formed and a second polyvinyl acetal layer 12 having high plasticizer content is made larger than the distance D2 between a joint side main surface of another glass plate 2 and the second layer 12.例文帳に追加

導電膜５が形成されたガラス板１の接合側主表面と可塑剤の含有率が高い第２ポリビニルアセタール層１２との距離Ｄ１を、他方のガラス板２の接合側主表面と第２層１２との距離Ｄ２よりも大きくする。 - 特許庁

A semiconductor integrated circuit device comprises: first, second and third power supply wirings (WP1, WP2, WP3) and a plurality of first signal wirings (WS1), which are formed on an upper layer of a semiconductor substrate; and at least one second signal wiring (WS2) formed on an upper layer on the first signal wirings (WS1).例文帳に追加

第１，第２，第３の電源配線(WP1,WP2,WP3)および複数の第１の信号配線(WS1)は、半導体基板の上層に形成され、少なくとも１つの第２の信号配線(WS2)は、複数の第１の信号配線(WS1)の上層に形成される。 - 特許庁

The first clad layer 6 is formed of AlGaAs whose an AlAs mixed crystal ratio X is the same as the second base layer 5, and it is integrally and epitaxially grown in such a way that it is lattice-matched on surfaces of the first base layers 3 and the second base layers 5.例文帳に追加

また、第一クラッド層６は第二ベース層５とＡｌＡｓ混晶比Ｘが同一のＡｌＧａＡｓからなり、第一ベース層３と第二ベース層５との双方の表面に格子整合する形で一体的にエピタキシャル成長されている。 - 特許庁

The threshold voltage of a transistor can be changed by using stress of a thin film formed on a first semiconductor layer having a first channel formation region and a second semiconductor layer having a second channel formation region.例文帳に追加

第１のチャネル形成領域を有する第１の半導体層と、第２のチャネル形成領域を有する第２の半導体層に対して、それらの上に形成された薄膜の応力を用いて、トランジスタのしきい値電圧を異ならせることができる。 - 特許庁