| 意味 | 例文 |
second layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 21457件
A first three-dimensional structure 12 is provided at an interface between the water soluble film 10 and the inorganic layer 11, and a second three-dimensional structure 13 is provided at a light emitting surface S2 of the inorganic layer 11.例文帳に追加
水溶性フィルム10と無機層11との界面に第1立体構造12が設けられており、無機層11の光射出面S2に第2立体構造13が設けられている。 - 特許庁
A first set of the adhesive bars 152 bond the profile 44 to the intermediate layer 42, and a second set of the adhesive bars 152 bond the adhesive surfaces together to form a peel seal on the intermediate layer 42.例文帳に追加
接着バーの第一の組はプロフィルを中間層に接着し、中間層上にピールシールを形成するために接着バーの第二の組は接着面を一緒に接着する。 - 特許庁
The second conducting layer 16b is branched from the first conducting layer 16a on a field oxide film 13 and electrically connected to an active region 12b of driver transistor Q3.例文帳に追加
第2の導電層16bはフィールド酸化膜13上で第1の導電層16aから分岐したものであり、ドライバトランジスタQ_3の活性領域12bと電気的に接続されている。 - 特許庁
The optical member 12, having the first medium layer 12a and the second medium layer 12b, constitutes an incomplete photonic band enabled to restrict one-dimensional or two-dimensional spontaneous light emission.例文帳に追加
光学部材12は、1次元または2次元での光の自然放出を制約できる不完全フォトニックバンドを構成し、第1の媒質層12aと第2の媒質層12bとを有する。 - 特許庁
The light guide plate 20 is constructed of a first light guide layer 20c and a second light guide layer 20b that have respectively a prescribed thickness in the normal line direction of the light exit face 22e.例文帳に追加
導光板20は、それぞれが出射面22eの法線方向に所定の厚さを有する第1導光層20aおよび第2導光層20bから構成される。 - 特許庁
This filter is composed of the first filter layer consisting of at least one metallic fiber filter element and the second filter layer consisting of at least one filter element having a woven structure.例文帳に追加
また、フィルタを、少なくとも1つの金属繊維フィルタで構成される第1のフィルタ層と、織り組織を有する少なくとも1つのフィルタで構成される第2のフィルタ層3とで構成する。 - 特許庁
A thermal deformation part including the first base material layer 34 and the second base material layer 33 presents a peripheral surface shape, and stretches the fixing belt 23 on its outer peripheral surface together with the fixing roller 21.例文帳に追加
第1基材層34及び第2基材層33を含む熱変形部は、周面形状を呈し、定着ローラ21とともに定着ベルト23を外周面で張架する。 - 特許庁
The magnetic moment of a first fixed magnetic layer 12 is larger than that of a second fixed magnetic layer 14 and directed leftward as shown in the figure.例文帳に追加
第1の固定磁性層12の磁気モーメントは第2の固定磁性層14の磁気モーメントよりも大きく、前記第1の固定磁性層12の磁気モーメントは図示左方向を向いている。 - 特許庁
The first backing layer 18 is constituted as the groove structure having a cut section 22A, and the second backing layer 20 is constituted as the non-groove structure having uniformity.例文帳に追加
第1バッキング部18は切込部分22Aを有する溝構造体として構成されており、第2バッキング層20は一様性を有する非溝構造体として構成されている。 - 特許庁
The electrolyte film and at least either the second diffusion layer or the first diffusion layer are overlapped with the rib in a lamination direction.例文帳に追加
支持部と一体化している積層部材の端部において、電解質膜と、第1の拡散層および前記第2の拡散層のうちの少なくとも一つとが、リブと積層方向に重なり合う。 - 特許庁
Electric connection part 2a, 3a and 4a for connection, auxiliary power supply parts 2b, 3b and 4b for independent display, a liquid crystal layer, and an electrophoresis layer are formed in a first, second and third display panels 2, 3 and 4.例文帳に追加
第1、第2、第3表示パネル2,3,4に接続用の電気接続部2a,3a,4a、独立表示用の補助電源部2b,3b,4b、液晶層、電気泳動層を形成する。 - 特許庁
Further, the difference between the coefficient of the linear thermal expansion of the first polyimide system resin layer 3 and the coefficient of the linear thermal expansion of the second polyimide system resin layer 5 is less than or equal to 3×10^-6/K.例文帳に追加
そして、第1のポリイミド系樹脂層3の熱線膨張係数と第2のポリイミド系樹脂層5の熱線膨張係数との差が、3×10^−6/K以下である。 - 特許庁
The upper interface of the first P+ diffused layer 10 and that of the second P+ diffused layer 10 are at deeper level that than of an emitter region 23 of a vertical NPN transistor.例文帳に追加
第1のP^+ 拡散層10の上界面及び第2のP^+ 拡散層10の上界面は、それぞれ、縦型NPNトランジスタのエミッタ領域23の上界面より深い位置にある。 - 特許庁
The optical disk 1 has a structure wherein a first substrate 5, a reflection layer 7, a recording layer 9 for hologram recording and a second substrate 11 transmitting the laser beam L for recording and reproduction are stacked.例文帳に追加
光ディスク1は、第1基板5、反射層7、ホログラム記録用の記録層9、記録再生用のレーザ光Lを透過する第2基板11が積層された構造をしている。 - 特許庁
A first flatten film 26 comprising an organic material is provided on the first moisture blocking layer 26, and a second moisture blocking layer 60 comprising SiNx or the like is provided on it.例文帳に追加
また、この第1水分ブロッキング層26の上に有機材料からなる第1平坦化膜28を設けその上にSiNx等からなる第2水分ブロッキング層60を設ける。 - 特許庁
The first transparent conductive layer 51 is provided at the opposite side of the light-emitting portion 30 with respect to the second semiconductor layer, has transparency to emission light emitted from the light-emitting portion, and contains oxygen.例文帳に追加
第1透明電極層51は、第2半導体層の発光部30とは反対の側に設けられ、発光部から放出される発光光に対して透過性を有し、酸素を含む。 - 特許庁
A silicide layer 18 is provided on a second conductivity type (N type or P type) impurity diffusion layer 15 being separated by the region of the gate electrode 14 and the sidewall insulation film 17.例文帳に追加
上記ゲート電極14及び側壁絶縁膜17の領域を隔てて第2導電型(N型またはP型)の不純物拡散層15上にシリサイド層18が設けられている。 - 特許庁
A protective layer 44 for covering the scintillator layer 43 of the X-ray detector 1 has the constitution in which a second protective film 44b of a silica film is stacked on a first protective film 44a of a transparent resin film.例文帳に追加
X線検出器1のシンチレータ層43を被覆する保護層44を、透明樹脂フィルムの第1の保護膜44a上にシリカ系フィルムの第2の保護膜44bを積層させた構成とする。 - 特許庁
The light-emitting device section 140 comprises a first mirror 102, active layer 103 arranged above the first mirror 102 and second mirror 104 arranged above the active layer 103.例文帳に追加
発光素子部140は、第1ミラー102と、第1ミラー102の上方に設けられた活性層103と、活性層103の上方に設けられた第2ミラー104とを含む。 - 特許庁
The first seal layer 25 and the second seal layer 27 are glass seal layers containing a crystal phase in a glass phase, and, in the seal layers 25 and 27, their volume ratios of the crystal phase are different respectively.例文帳に追加
第1シール層25及び第2シール層27は、ガラス相中に結晶相を含むガラスシール層であり、各シール層25、27においては、それぞれ結晶相の体積比が異なる。 - 特許庁
A second metal layer 452 bonded to the first metal layer demarcates a raised shape in the lead frame, for example a step for physically securing the lead frame on the package body.例文帳に追加
第一の金属層に接合された第二の金属層452が、リードフレームの隆起した形体、たとえばリードフレームをパッケージ本体内に物理的に固着するための段を画定し得る。 - 特許庁
One area of the first layer 3 is processed for changing the area from the initial physical state to the physical state corresponding to the physical state of the second layer 4.例文帳に追加
第1の層3の一領域は、この領域を当初の物理的状態から第2の層4の物理的状態に対応する物理的状態へ変化させるために処理される。 - 特許庁
A seal tape 1 comprises a re-peeling type adhesive layer 3 and a releasant layer on first and second surfaces of a paper-made base, and to form a separate part 5 on a central part along a longer direction.例文帳に追加
封緘テープ1は紙製の基材の裏面と表面に再剥離タイプの粘着剤層3と剥離剤層を設け、長手方向に沿う中央部に切離し部5を形成する。 - 特許庁
This organic EL device is composed by arranging, on a substrate, a first electrode 23, a function layer formed of an organic material and having at least a luminescent layer 60, and a second electrode 50 in that order.例文帳に追加
基体上に第1の電極23、有機材料からなり少なくとも発光層60を有する機能層、第2の電極50がこの順に配置されてなる有機EL装置である。 - 特許庁
Since the second metal wiring layer 19 and the sealing layer 29 are formed in a wafer process and a wafer test may be performed only once after a solder ball 35 is mounted, the manufacturing process is simplified.例文帳に追加
第2メタル配線層19及び封止層29をウェハプロセスにより形成し、さらに、ウェハテストは半田ボール35を搭載した後の1回のみでよいので、製造工程が簡単になる。 - 特許庁
A ground layer 5 is formed on the surface (hereinafter referred to first surface) of a base insulating layer 1 on which a plurality of wiring patterns 3 are formed and on the surface (hereinafter referred to second surface).例文帳に追加
複数の配線パターン3が形成されたベース絶縁層1の面(以下、第1の面と呼ぶ)と反対側の面(以下、第2の面と呼ぶ)上にグランド層(接地層)5を形成する。 - 特許庁
A first base layer 2 containing vapor-deposited aluminum and colored aluminum, a second base layer 3 containing a coloring agent and clear layers 4, 5 are formed on an intermediate coating film 1.例文帳に追加
中塗り塗膜1上に、蒸着アルミニウム及び着色アルミニウムを含有する第1ベース層2と、着色剤を含有する第2ベース層3と、クリヤ層4,5が形成されている。 - 特許庁
The silicide layer 19 is provided on a second conductivity (N type or P type) impurity diffusion layer 15 being separated by the gate electrode 14 and the sidewall insulation film 17.例文帳に追加
上記ゲート電極14及び側壁絶縁膜17の領域を隔てて第2導電型(N型またはP型)の不純物拡散層15上にシリサイド層19が設けられている。 - 特許庁
A silicide layer 19 is provided on a second conductivity (N type or P type) impurity diffusion layer 16 being separated by the gate electrode 14 and the sidewall insulation film 19.例文帳に追加
上記ゲート電極14及び側壁絶縁膜18の領域を隔てて第2導電型(N型またはP型)の不純物拡散層16上にシリサイド層18が設けられている。 - 特許庁
The circuit board comprises a first metal layer 14 patterned on a ceramic substrate 11, and a second metal layer 16 patterned with a thickness not less than 0.5 μm.例文帳に追加
セラミック基板11にパターン形成された第一のメタル層14と、厚さ0.5μm以上のパターン形成された第二のメタル層16を有することを特徴とする回路基板である。 - 特許庁
The flexible tube part is provided with an outer skin (56) which is disposed outside of the outer layer member and having the outer layer member at the position of the second curving part projecting to the distal end.例文帳に追加
前記可撓管部は、前記外層部材の外側に配設され前記第2の湾曲部の位置の外層部材がその先端に対して突出した状態にある外皮(56)を備えている。 - 特許庁
Then an AlGaAs first contact layer 12 having a thickness of 0.01 μm and a GaAs second contact layer 13 having a thickness of 0.01 μm are provided on the semiconductor region 2.例文帳に追加
半導体領域3の上に厚さ0.01μmのAlGaAsから成る第1のコンタクト層12と厚さ0.01μmのGaAsから成る第2のコンタクト層13とを設ける。 - 特許庁
A semiconductor-embedded module 1 includes a configuration in which a semiconductor device 20, which is an electronic component such as a semiconductor IC (die) in a bare chip state, is embedded in a resin layer 10 (second insulating layer).例文帳に追加
半導体内蔵モジュール1は、樹脂層10(第2絶縁層)内にベアチップ状態の半導体IC(ダイ)等の電子部品である半導体装置20が埋設されたものである。 - 特許庁
A second layer 1 having holes of halftone dots is formed on one surface of a first layer made of a thermoplastic resin film 2, and a porous support 4 is laminated on the other surface of the film 2.例文帳に追加
熱可塑性樹脂フィルムからなる第一の層と、その少なくとも一方の面に設けられた網点状の穿孔を有する第二の層とを備えてなる感熱孔版原紙。 - 特許庁
A region on the substrate 10 superposed on the second organic buffer layer 192, and a region on the substrate 10 superposed on the first organic buffer layer 191 do not correspond with each other.例文帳に追加
また、第2の有機緩衝層192に重なる主基板10上の領域は、第1の有機緩衝層191に重なる主基板10上の領域と一致しない。 - 特許庁
Magnetic transfer is performed by using the magnetic recording medium 1 in the good initial magnetization process step that the magnetization directions of the first magnetic layer 3 and the second magnetic layer 5 are made counter-parallel.例文帳に追加
このようにして第一の磁性層3と第二の磁性層5の磁化方向が反平行となる良好な初期磁化状態の磁気記録媒体1を用いて磁気転写を行う。 - 特許庁
A liquid crystal material layer 52 is formed on the passivation layer, and it is held between the lower base material and second semiconductor base material 56, thereby manufacture of a liquid crystal display integrated circuit device is finished.例文帳に追加
液晶材料層52をパシベーション層上に形成し、下基材と第2半導体基材56との間に挟み、液晶ディスプレー集積回路装置の製造を完了する。 - 特許庁
The laminate includes a tacky laminate layer where a first transparent barrier film and a second transparent barrier film are laminated via a tacky layer comprising the tacky composition.例文帳に追加
本発明の積層体は、上記粘着組成物からなる粘着層を介して第1の透明バリアフィルムと第2の透明バリアフィルムが積層されている粘着積層体層を含む。 - 特許庁
By picking up the images of such marks projecting them on an X axis and taking positional cross- correlation of the patterns obtained as a result with each other, the displacement of the first layer and the second layer is detected.例文帳に追加
このようなマークを撮像し、X軸に投影し、その結果得られたパターン同士の位置的な相互相関をとることにより、第1の層と第2の層の位置ずれが検出できる。 - 特許庁
A first high-concentration diffusion layer 109 and a second high-concentration diffusion layer 108 are both of a first conductivity type, and opposed to each other via a gate electrode 106 as seen in a planar view.例文帳に追加
第1高濃度拡散層109及び第2高濃度拡散層108はそれぞれ第1導電型であり、平面視においてゲート電極106を介して互いに対向している。 - 特許庁
The second insulator layer 68 is removed from the winding wire 70 and on the exposed first insulator layer 66, a temperature detecting element 80 is disposed for detecting a temperature of the coil 22.例文帳に追加
巻線70から第2の絶縁体層68を除去し、露出させた第1の絶縁体層66上に、コイル22の温度を検出するための温度検出素子80を配置させる。 - 特許庁
The abrasive grain layer 5 is formed of a plurality of segments arrayed in the peripheral direction of the second base metal 3, covers heads of the bolts 6, and is fixed by an adhesive layer 4.例文帳に追加
砥粒層5は、第二台金3の周方向に配列された複数のセグメントから構成されており、ボルト6の頭部を覆って、接着剤層4により固定されている。 - 特許庁
A second substrate 31 made of GaAs is provided with: a laser oscillation part 60 made of an AlGaAs based semiconductor layer; and a laser oscillation part 70 made of an AlGaInP based semiconductor layer.例文帳に追加
GaAsよりなる第2の基板31にAlGaAs系半導体層よりなるレーザ発振部60と、AlGaInP系半導体層よりなるレーザ発振部70とを設ける。 - 特許庁
The first P-type MISFET 150a comprises a first semiconductor layer 104 constituted from a semiconductor containing germanium, and a second semiconductor layer 105 constituted from silicon.例文帳に追加
第1のP型MISFET150aは、ゲルマニウムを含有する半導体で構成された第1の半導体層104と、シリコンで構成された第2の半導体層105とを備えている。 - 特許庁
At the first electrode catalyst layer 20a and a second electrode catalyst layer 22a, tapered parts 20aa, 22aa having the dimension in the thickness direction set smaller toward an end part side are installed.例文帳に追加
第1電極触媒層20a及び第2電極触媒層22aは、端部側に向かって厚さ方向の寸法が小さく設定される先細り形状部20aa、22aaを設ける。 - 特許庁
Laser-scribing is performed by forming a second sealing layer 22 as a seal layer between a CF substrate 16 which is irradiated with a laser beam L and an element substrate 1 including an electrode terminal 60.例文帳に追加
レーザー光Lが照射されるCF基板16と、電極端子30を備える素子基板1との間にシール層としての第2封止層22を形成してレーザースクライブを行う。 - 特許庁
The present invention includes a planar avalanche photodiode, having a first n-type semiconductor layer defining a planar contact area and a second n-type semiconductor layer having a p-type diffusion region.例文帳に追加
本発明は、プレーナ接触領域を定める第1のn型半導体層とp型拡散領域を有する第2のn型半導体層とを有するプレーナ・アバランシェ・フォトダイオードを備える。 - 特許庁
The group-III nitride semiconductor structure, insulator layer 8, and drain electrode 7 of the first transistor portion 11 are united with a corresponding structure or layer in the second transistor portion 12.例文帳に追加
第1のトランジスタ部11のIII族窒化物半導体層構造、絶縁体層8およびドレイン電極7は、第2のトランジスタ部12において対応する構造または層と一体化されている。 - 特許庁
A width of the groove is set to prevent the test probe from coming into contact with the first metal wiring layer when the test probe is pressed on an upper surface of the second metal wiring layer.例文帳に追加
溝の幅は、試験用プローブが第2のメタル配線層の上面に押し当てられた時、その試験用プローブが第1のメタル配線層に接触することを阻止するように設定する。 - 特許庁
The tapered-section forming step forms a second side surface region 12b comprising the tip 12c of the tapered section 12 by simultaneously performing etching on the core layer 14 and the auxiliary layer 18.例文帳に追加
テーパ部形成工程は、コア層14に対し、補助層18と同時にエッチングを施すことによって、テーパ部12の先端12cを含む第2側面領域12bを形成する。 - 特許庁
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