「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(222ページ目) - Weblio英語例文検索

An organic electroluminescent element includes: a substrate 1; a first electrode 2 that has light permeability; an organic layer 6 that includes at least one luminescent layer 5; and a second electrode 7.例文帳に追加

有機エレクトロルミネッセンス素子は、基板１と、光透過性を有する第１電極２と、少なくとも１つの発光層５を含む有機層６と、第２電極７とを備えている。 - 特許庁

Since the semiconductor layer 7 can be formed after the second and third electrodes 5 and 6 are formed, the semiconductor layer 7 is not damaged by the heat etc., generated at the time of processing the electrodes.例文帳に追加

半導体層７は、第２および第３の電極５，６を形成した後に成膜できるので、電極の加工の際に生じる熱などで半導体層７がダメージを受けることが無い。 - 特許庁

By applying the first coordinate system and the second coordinate system alternately to each wiring layer, the distance of interwiring-layer transfer is minimized, resulting in realizing three- dimensionally shortest-distance wiring.例文帳に追加

このような第１の座標系と第２の座標系を各配線層に交互に適用することによって、配線層の乗り換え距離を最短にし、３次元的に最短距離配線を行う。 - 特許庁

Then, the second metal layer 106b of about 250 nm of the thickness made of a nickel (Ni) is laminated by depositing on the first metal layer 106a and the shielding film S which are exposed.例文帳に追加

その後、露出している第１金属層１０６ａと遮蔽膜Ｓの上に、ニッケル（Ｎｉ）から成る膜厚約２５０ｎｍの第２金属層１０６ｂを蒸着によって積層した。 - 特許庁

A tunnel semiconductor region 23 includes a tunnel junction (pn junction) 29 made up of a first conductive type highly doped semiconductor layer 25 and a second conductivity type highly doped semiconductor layer 27.例文帳に追加

トンネル半導体領域２３が、第１導電型高ドープ半導体層２５および第２導電型高ドープ半導体層２７からなるトンネル接合（ｐｎ接合）２９を含む。 - 特許庁

Measurement of the wafer temperatures in the processes of forming the first ion implanting layer as well as the second ion implanting layer is carried out with the infrared thermometer of the above device.例文帳に追加

第１イオン注入層を形成する工程および第２イオン注入層を形成する工程におけるウェーハ温度の測定を前記装置の赤外線放射温度計で行う。 - 特許庁

The flexible sensor 1 is formed of an orthogonal coordinate system constituted of a first electrode layer 4 and a second electrode layer 6, and a predetermined capacitance C is formed between them.例文帳に追加

前記フレキシブルセンサ１には第１の電極層４と第２の電極層６とからなる直交座標系が形成されており、この間に所定の静電容量Ｃが形成されている。 - 特許庁

A secret subject information is indicated by a first toner layer 30 and the second toner layer 60 is formed so that its secret subject information is concealed and can be scraped off by a hard body.例文帳に追加

秘匿対象情報は第１トナー層３０によって表記し、第２トナー層６０はその秘匿対象情報を覆い隠せるよう且つ硬質物体で掻き落とせるよう形成する。 - 特許庁

The first diode is provided on the first resistance change layer, a first intermediate electrode is interposed between the first resistance change layer and the first diode, and a second electrode is provided on the first diode.例文帳に追加

第１ダイオードは、第１抵抗変化層上に備わり、第１抵抗変化層と第１ダイオードとの間に第１中間電極が介在され、第１ダイオード上に第２電極を備える。 - 特許庁

The first surface treatment layer 4 and the second surface treatment layer 6 are composed of an inorganic element containing resin film or a thermoplastic resin film containing the inorganic element and a water soluble acrylic resin.例文帳に追加

第１表面処理層４及び第２表面処理層６は、無機元素と水溶性アクリル樹脂とを含有する含無機元素樹脂皮膜又は熱可塑性樹脂皮膜からなる。 - 特許庁

After a first sacrificial layer is formed by etching using the resist mask, a second sacrificial layer is formed by etching using the resist mask where the pattern is formed by using the same photomask.例文帳に追加

レジストマスクにより第１の犠牲層をエッチングして形成した後に、同一のフォトマスクを使用してパターンを形成されたレジストマスクを用いて第２の犠牲層をエッチングして形成する。 - 特許庁

The electromagnetic wave control element 1 includes: a substrate 10; a dielectric body 13 formed on the substrate 10; a first metal layer 11 and a second metal layer 12 embedded in the dielectric body 13.例文帳に追加

電磁波制御素子１は、基板１０と、基板１０上に形成された誘電体１３と、誘電体１３に埋め込まれた第１の金属層１１および第２の金属層１２とを含む。 - 特許庁

An electrode layer 115 is provided with ohmic bonding between the summit of the ridge 130 while forming schottky junction between the ridge side 111c of the second semiconductor layer 111.例文帳に追加

リッジ１３０の頂部との間でオーミック接合をなす一方、第二半導体層１１１のリッジ側方部分１１１ｃとの間でショットキー接合をなす電極層１１５を備える。 - 特許庁

The diffraction grating layer is equipped with one end optically coupled to the other end of the active layer, a diffraction grating arranged in the prescribed direction, and supported with the second region.例文帳に追加

回折格子層は、活性層の他端と光学的に結合された一端及び所定方向に沿って設けられた回折格子を有しており第２の領域に支持されている。 - 特許庁

As the other method of reducing moisture effect on the organic EL layer 50, a reforming may be applied to the second flat insulating layer 40 or a coating may be applied.例文帳に追加

有機ＥＬ層５０への水分の影響を低減するための他の方法として、第２の平坦化絶縁層４０に改質処理を施してもよく、またコーティング処理を施してもよい。 - 特許庁

The area S_1[μm^2] of the forming area of the first layer 51 and the area S_2[μm^2] of the forming area of the second layer 52 are adjusted to meet the relation of S_2/S_1<1.例文帳に追加

第１の層５１の形成領域の面積をＳ_１［μｍ^２］、第２の層５２の形成領域の面積をＳ_２［μｍ^２］としたとき、Ｓ_２／Ｓ_１＜１の関係を満足する。 - 特許庁

The spreading direction of a hexagonal ring is the horizontal direction in the first graphite layer 171, and the spreading direction of a hexagonal ring is the vertical direction in the second graphite layer 172.例文帳に追加

第１の黒鉛層１７１において六角形環が広がる方向を水平方向とし、第２の黒鉛層１７２において六角形環が広がる方向を垂直方向とする。 - 特許庁

The inter-resonator connection conductor layer 33 is arranged in the dielectric layer that is different from those where first and second input/output capacity conductor layers are arranged.例文帳に追加

前記共振器間結合導体層３３は前記第１及び第２の入出力容量導体層が配置されている誘電体層とは別の誘電体層に配置されている。 - 特許庁

In the other form, the tensile stress layer is formed to cover the first portion of the device, and the compressive stress layer is formed to cover the second portion of the device.例文帳に追加

他の形態において、伸張性の応力層は、上記装置の第１部分を覆うよう形成され、圧縮性の応力層は、上記装置の第２部分を覆うよう形成される。 - 特許庁

The assembly has at least two stretch sensors arranged side by side, and each stretch sensor has both a first layer to which a variable resistance element is mounted and a second support layer.例文帳に追加

このアセンブリは、少なくとも２つの並置されたストレッチ・センサを持ち、しかも、それぞれのストレッチ・センサが、可変抵抗素子を載せた第１の層と第２の支持層とを有している。 - 特許庁

Moreover, when a crystal growth layer of HEMT(High Electron Mobility Transistor) structure is provided on a semiconductor substrate, it is preferable that a second impurity region is provided to the uppermost crystal growth layer.例文帳に追加

なお、半導体基板上に、いわゆるＨＥＭＴ構造の結晶成長層を有する場合、第２不純物領域を最表面の結晶成長層に設けるとよい。 - 特許庁

The second barrier layer 17 made of Al_X2In_Y2Ga_1-X2-Y2N (0<X1<X2≤1, 0≤Y2≤1) is provided on the first area 15c of the first barrier layer 15.例文帳に追加

第２のバリア層１７は、第１のバリア層１５の第１のエリア１５ｃ上に設けられており、またＡｌ_Ｘ２Ｉｎ_Ｙ２Ｇａ_１−Ｘ２−Ｙ２Ｎ（０＜Ｘ１＜Ｘ２≦１、０≦Ｙ２≦１）からなる。 - 特許庁

A mirror structure for directing an optical signal propagated through the core layer 12 toward the second face 12b is provided in each of at least two positions on a side of the first face 12a of the core layer 12.例文帳に追加

コア層１２の第１の面１２ａ側の少なくとも２箇所に、コア層１２内を伝搬する光信号を第２の面１２ｂ側に指向させるミラー構造が設けられている。 - 特許庁

The second conductivity-type barrier layer 2a is provided in a range of the multiple quantum well 40 in which first conductivity-type dopants contained in the p-InP clad layer 22 are diffused.例文帳に追加

第２導電型バリア層２ａは、多重量子井戸４０においてｐ−ＩｎＰクラッド層２２に含まれる第１導電型のドーパントが拡散した範囲に設けられている。 - 特許庁

A reaction product 12 adhered to a second clad layer 4 and a cap layer 5 is oxidized by dry etching, and the oxidized reaction product 12 is removed by buffered hydrofluoric acid.例文帳に追加

ドライエッチングにより第２クラッド層４およびキャップ層５に付着した反応生成物１２を、酸化させ、この酸化させた上記反応生成物１２をバッファードフッ酸によって除去する。 - 特許庁

The wring layer of the first rigid substrate is electrically connected to that of the second rigid substrate via conductive bumps piercing through the insulating layer and using the first rigid substrate side as an end side.例文帳に追加

第１及び第２のリジッド基板の配線層間は、絶縁層を貫通し第１のリジッド基板側を先端側とする導電性バンプにより電気的に接続されている。 - 特許庁

According to the order of these fluorescent material layers 4, 5, seen from the discharge medium, the first fluorescent material layer 5 is arranged at first, and then the second fluorescent material layer 4 is arranged.例文帳に追加

これらの蛍光体層４，５の順序によれば、放電媒体から見てまずはじめに第１の蛍光体層５が配置され、ついで第２の蛍光体層４が配置される。 - 特許庁

An organic EL element 16 composed of a first electrode 10, an organic luminescence medium 12, and a second electrode 14, a protective layer 20, a color conversion layer 22 and a sealing member 24 are provided on a supporting base 2.例文帳に追加

支持基板２上に、第一の電極１０、有機発光媒体１２、第二の電極１４からなる有機ＥＬ素子１６、保護層２０、色変換層２２、封止部材２４を設ける。 - 特許庁

This is composed of a cathode (11) formed by lithium, a light- emitting layer (12) composed of an organic layer, and an anode (13) formed by an ITO, and the first glass substrate (14) and the second glass substrate (15) are arranged at these both sides.例文帳に追加

リチウムで形成されたカソード(11)、有機層からなる発光層（12）、ITOで形成されたアノード(13)からなり、その両側には第1のガラス基板(14)、第2のガラス基板(15)が配置されている。 - 特許庁

The PBS 12 includes first and second two transparent substrates 30 and 32, and a splitter layer 34 and a hologram layer 36, which are interposed IN between the transparent substrates 30 and 32.例文帳に追加

ＰＢＳ１２は、第１及び第２の２つの透明基板３０、３２と、これらの各透明基板３０、３２に挟まれたスプリッタ層３４とホログラム層３６とで構成されている。 - 特許庁

The outer surface of the base is formed of magnetic material and plated with a first plating layer 54a, and the outer surface of the top cover is formed of magnetic material and plated with a second plating layer 54b.例文帳に追加

ベースの外面は、磁性材により形成され第１メッキ層５４ａにより被覆され、トップカバーの外面は、磁性材により形成された第２メッキ層５４ｂによって被覆されている。 - 特許庁

This cell 7 uses a first metal layer of for a wiring 8 of a lateral direction, and a second metal layer for a wiring 9 of a longitudinal direction, and the wiring 8, 9 are connected via a contact 10.例文帳に追加

このセル７は、横方向の配線８にメタル第１層を用い、縦方向の配線９にメタル第２層を用い、配線８，９はコンタクト１０を介して接続されている。 - 特許庁

A second conductive layer 5 is formed on the insulating layer 4 and inside the openings 4a and 4b and connected to the positive electrode 2a through the intermediary of a conductive adhesive agent 6.例文帳に追加

絶縁層４上と開口部４ａおよび４ｂの内部には、第２導電層５が形成されており、導電性接着剤６を介して正極２ａと接続されている。 - 特許庁

Any one or two components among the curable resin (A), the curing agent (B) and the curing accelerator (C) are contained in the first layer 113, while the other component(s) is contained in the second layer 123.例文帳に追加

硬化性樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）および硬化促進剤（Ｃ）のうち、いずれか一または二つの成分が第一の層１１３に含まれ、他の成分が第二の層１２３に含まれる。 - 特許庁

Integrated circuit(IC) structure for an IC containing the multilayered dielectric stack includes a) a first dielectric layer which contains first dielectric material and covers a semiconductor substrate, b) a second dielectric layer which contains a second dielectric material and covers the first dielectric layer, c) a third dielectric layer which contains the first dielectric material and covers the first and second dielectric layers, and d) an electrode which covers the dielectric stack.例文帳に追加

多層誘電体スタックを含むＩＣのための集積回路（ＩＣ）構造は、ａ）第１の誘電体材料を含み、半導体基板を覆う第１の誘電体層と、ｂ）第２の誘電体材料を含み、第１の誘電体層を覆う第２の誘電体層と、ｃ）第１の誘電体材料を含み、第１および第２の誘電体層を覆う第３の誘電体層と、ｄ）誘電体スタックを覆う電極とを含む。 - 特許庁

The capacitor-embedded printed circuit board includes an insulating layer, a first electrode formed at one side of the insulating layer, a second electrode formed at one side of the first electrode, a dielectric layer formed at one side of the second electrode, and a third electrode formed at one side of the dielectric layer, so that the electrode of the capacitor is formed in a dual structure having the second electrode formed at the one side of the first electrode.例文帳に追加

本発明に係るキャパシタ内蔵型の印刷回路基板は、絶縁層と、絶縁層の一面に形成される第１電極と、第１電極の一面に形成される第２電極と、第２電極の一面に形成される誘電層と、誘電層の一面に形成される第３電極とを備え、第１電極の一面に第２電極を形成する二重構造にキャパシタの電極を構成することを特徴とする。 - 特許庁

The midpoint of the longitudinal direction of the second connection metal layer 29 is constituting the rewiring part for adjusting the relative positional relation of the connection part between the first connection alloy layer 19 and the second connection metal layer 29 and the connection part between the second connection metal layer 29 and the through hole wiring 24, corresponding to the desirable layout of the pads 25 for reflow soldering in the through hole wiring substrate 2.例文帳に追加

第２の接続用接合金属層２９の長手方向の中間部が、貫通孔配線形成基板２における複数の半田リフロー用パッド２５の所望のレイアウトに応じて第１の接続用接合金属層１９と第２の接続用接合金属層２９との接合部位と第２の接続用接合金属層２９と貫通孔配線２４との接続部位との相対的な位置関係を調整する再配線部を構成している。 - 特許庁

The polymer gel structure includes: a first layer having at least one main surface having irregularity and including a first polymer component; and a second layer formed on the main surface of the first layer and including a second polymer component, wherein the second polymer component invades into the first layer and forms the mutual invasion polymer network structure or semi-mutual invasion polymer network structure with the first polymer component.例文帳に追加

凹凸のついた少なくとも１つの主表面を有する、第一のポリマー成分を含む第一の層と、前記第一の層の前記主表面上に形成された、第二のポリマー成分を含む第二の層とを有し、前記第二のポリマー成分は、前記第一の層中に侵入し、前記第一のポリマー成分との間で相互侵入高分子網目構造又はセミ相互侵入高分子網目構造を形成している、高分子ゲル構造体。 - 特許庁

The substrate treatment device for forming on a treatment substrate light-emitting elements made by forming an organic layer including a light-emitting layer between a first electrode and a second electrode is provided with an organic layer forming device for forming the organic layer on the first electrode formed on the treatment substrate, an electrode forming device for forming the second electrode on the organic layer, and an etching device for etching the organic layer.例文帳に追加

第１の電極と第２の電極の間に発光層を含む有機層が形成されてなる発光素子を、被処理基板上に形成する、基板処理装置であって、前記被処理基板上に形成された前記第１の電極上に前記有機層を形成する有機層形成装置と、前記有機層上に前記第２の電極を形成する電極形成装置と、前記有機層をエッチングするエッチング装置と、を有することを特徴とする基板処理装置。 - 特許庁

A manufacturing method of a thin film transistor comprises the steps of forming at least one buffer layer on a substrate, forming a first semiconductor layer on the buffer layer, forming a doped second semiconductor layer on the first semiconductor layer, forming a source electrode and a drain electrodes by patterning the second semiconductor layer, forming a gate insulating film on the source electrode and the drain electrode, and forming the gate electrode on the gate insulating film.例文帳に追加

基板上に少なくとも一つのバッファー層を形成する段階と、前記バッファー層上に第１半導体層を形成する段階と、前記第１半導体層上にドーピングされた第２半導体層を形成する段階と、前記第２半導体層をパターニングしてソース及びドレイン電極を形成する段階と、前記ソース及びドレイン電極上にゲート絶縁膜を形成する段階及び前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する段階とを含む。 - 特許庁

A relay layer 93 extends from a top surface 42a of a second interlayer dielectric 42 to an end surface 42b of the second interlayer dielectric 42 and an end surface 71b of a lower capacitive electrode 71.例文帳に追加

中継層９３は、第２層間絶縁層４２の上面４２ａから第２層間絶縁層４２の端面４２ｂ及び下部容量電極７１の端面７１ｂに延びている。 - 特許庁

The grating structure comprises: a first transparent substrate; a first transparent conductive film; a second transparent substrate; a second transparent conductive film; a solution-type electrochromic material; an isolating element; and a conductive wire layer.例文帳に追加

第一透明基板と、第一透明導電膜と、第二透明基板と、第二透明導電膜と、溶液型エレクトロクロミック材料と、分離部材と、導線層とによって構成する。 - 特許庁

Moreover, each of the first and second flexible printed wiring boards 2, 3 is provided with first and second connectors 8, 18 connected with anisotropic conductive bonding agent as a bonding agent layer 5.例文帳に追加

また、第１、第２のフレキシブルプリント配線板２、３の各々には、接着剤層５である異方導電性接着剤が接続される第１、第２の接続部８、１８が設けられている。 - 特許庁

The first and second substrates are placed opposite to each other so as to make the surfaces with the alignment material films formed thereon be placed opposite to each other and a liquid crystal layer is formed between the first and second substrates.例文帳に追加

第１の基板と第２の基板とを、配向材料の膜が形成された面を向き合わせて対向配置し、第１及び第２の基板間に液晶層を形成する。 - 特許庁

This first substrate and a second substrate that is to be a deposition target substrate are arranged to face each other, and the light absorption layer is heated by being irradiated with light, whereby a film is deposited on the second substrate.例文帳に追加

この第１の基板と被成膜基板となる第２の基板とを対向して配置し、光吸収層に光の照射を行って加熱し、第２の基板に成膜を行う。 - 特許庁