「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(224ページ目) - Weblio英語例文検索

A semiconductor device comprises first, third and fifth impurity regions of a first conductivity type, second and fourth impurity regions of a second conductivity type, and a control electrode layer.例文帳に追加

半導体装置は、第１導電型の第１、第３および第５不純物領域と、第２導電型の第２および第４不純物領域と、制御電極層とを備えている。 - 特許庁

The second light-shielding layer 66 has light-shielding property against second irradiation light, transmitting property for the first irradiation light and an aperture 70 corresponding to the contact hole.例文帳に追加

第２遮光層６６は、第２照射光に対して遮光性を有し、かつ第１照射光に対して透過性を有すると共に、コンタクトホールに対応した開口部７０を有する。 - 特許庁

The wiring board 10 has a signal transmission path of strip line structure where a signal wiring layer 14 is put between the first and second conductor layers 12 and 16 through the first and second insulating layers 13 and 15.例文帳に追加

配線基板１０は、信号配線層１４を第１，第２絶縁層１３，１５を介して、第１，第２導体層１２，１６とで挟むストリップライン構造の信号伝送路を有する。 - 特許庁

The capacitor comprises a substrate 38 having a first principal surface and a second principal surface, a dielectric layer 48 which is laminated on the first principal surface of the substrate, a first electrode 44, and a second electrode 46.例文帳に追加

第１主面および第２主面を有する基体３８と、基体の第１主面に積層した誘電体層４８と、第１電極４４と、そして第２電極４６とを有する。 - 特許庁

A first low dielectric constant film 2, an etch stopper film 3 and a second low dielectric constant film 4 are laminated on a low layer wiring 1 and further, a first mask 5 and a second mask 6 are laminated.例文帳に追加

下層配線１上に第１の低誘電率膜２とエッチストッパ膜３と第２の低誘電率膜４を積層し、さらに第１のマスク５と第２のマスク６を積層する。 - 特許庁

This liquid crystal display device has a first substrate 1, a second substrate 2 which is arranged so as to face the first substrate 1, and a liquid crystal layer 3 which is provided between the first substrate 1 and the second substrate 2.例文帳に追加

第１基板１と、第１基板１に対向するように配置された第２基板２と、第１基板１と第２基板２との間に設けられた液晶層３とを有する。 - 特許庁

Then, a second metal electrode 7 is formed on the luminous function layer 6 and, for example, a light transmissive sealing member 8 made of a glass material is superimposed onto the second electrode 7.例文帳に追加

そして、発光機能層６の上には金属製の第二電極７が形成されて、第二電極７上には例えばガラス素材による光透過性の封止部材８が重畳される。 - 特許庁

In one embodiment, the target assembly comprises a backing plate, a target having a first surface and a second surface, and a bonding layer disposed between the backing plate and the second surface.例文帳に追加

一実施形態において、ターゲットアセンブリは、バッキングプレートと、第１の表面及び第２の表面を有するターゲットと、バッキングプレートと第２の表面の間に配置されたボンディング層とを含む。 - 特許庁

First and second impurity regions are included, at least partially, in the first and second epitaxial layers and a gate insulation layer is located between the gate electrode and the semiconductor substrate.例文帳に追加

第１及び第２不純物領域は、少なくとも部分的に各々第１及び第２エピタキシャル層内に含まれ、ゲート絶縁層は、ゲート電極と半導体基板との間に位置する。 - 特許庁

The second-type layer portion 10B includes a defective semiconductor chip, and a plurality of second-type electrodes that are connected to the wiring and not to the semiconductor chip.例文帳に追加

第２の種類の階層部分１０Ｂは、不良の半導体チップと、この半導体チップに接続されずに配線に接続された複数の第２の種類の電極を含んでいる。 - 特許庁

This nonvolatile storage device has a first electrode, a second electrode, and a first storage part provided between the first electrode and the second electrode while having a first storage layer in which resistance changes.例文帳に追加

不揮発性記憶装置は、第１電極と、第２電極と、第１電極と第２電極との間に設けられ、抵抗が変化する第１記憶層を有する第１記憶部と、を有する。 - 特許庁

The first conductive layer 23 in the conductive particles 21 electrically connecting first and second electrodes 2b and 4b is in contact with the first electrode 2b and the second electrode 4b.例文帳に追加

第１，第２の電極２ｂ，４ｂを電気的に接続している導電性粒子２１における第１の導電層２３は、第１の電極２ｂと第２の電極４ｂとに接触している。 - 特許庁

The trench 5 is formed, by dividing the surface layer of the semiconductor substrate 1 into a first mesa region 41 and a second mesa area 42, and alternately arranging the first and second mesa areas 41 and 42.例文帳に追加

トレンチ５は、半導体基板１の表面層を第１メサ領域４１と第２メサ領域４２に分割し、かつ第１メサ領域４１と第２メサ領域４２を交互に配置させる。 - 特許庁

Short circuit between electrodes is reduced by making a resistance of a second electrode layer on the inner wall of a connection hole penetrating a substrate higher than that of a region of other second electrode layers.例文帳に追加

基板を貫通する接続孔内壁の第二電極層の抵抗を、他の第二電極層の領域よりも高抵抗化することにより、電極間の短絡を低減する。 - 特許庁

A lower wiring layer A is composed of a first titanium film 102, a first titanium nitride film 103, a first Al-Cu film 104, a second titanium film 105, and a second titanium nitride film 106.例文帳に追加

下層配線Ａは、第１のチタニウム膜１０２、第１の窒化チタン膜１０３、第１のＡｌ−Ｃｕ膜１０４、第２のチタニウム膜１０５及び第２の窒化チタン膜１０６からなる。 - 特許庁

The gate connection metal layer is arranged between a first source electrode and a second source electrode and a drain interconnect line or between a first drain electrode and a second drain electrode and a source interconnect line.例文帳に追加

ゲート接続金属層は第１ソース電極および第２ソース電極とドレイン配線間、または第１ドレイン電極および第２ドレイン電極とソース配線間に配置する。 - 特許庁

After that, a second heat treatment is performed in a second atmosphere containing oxygen to form an oxide layer 7 being the oxide of the first metal element over the surface of the copper alloy wiring 6.例文帳に追加

その後、酸素を含有する第二雰囲気中にて第二熱処理を行うことにより、銅合金配線６表面に、第一金属元素の酸化物である酸化物層７を形成する。 - 特許庁

When the second etching step starts, a portion of the top surface of the bottom forming layer 42 located in a region in which the second portion is to be formed is covered with the initial groove mask 54.例文帳に追加

第２のエッチング工程の当初は、第２の部分が形成される予定の領域における底部形成層４２の上面の一部が初期溝マスク５４によって覆われている。 - 特許庁

The encapsuled part 1 has a second cavity 9 at least bordering on the whole of the upper wall of the first cavity 3 and a second cover 10 formed of a thin layer.例文帳に追加

カプセル封じ部品１は、少なくとも第１の空洞３の上壁７全体と薄い層で形成された第２のカバー１０とに境界を接した第２の空洞９を有する。 - 特許庁

Additionally, the second semiconductor layer including a plurality of the layers are formed by repeating the first step, the second step, and the third step in this order.例文帳に追加

さらに、前記第１の工程と、前記第２の工程と、前記第３の工程と、をこの順に繰り返すことにより、複数の前記層を含む前記第２半導体層を形成する。 - 特許庁

The second magnetic pole layer is formed to be a pattern so as to have an opening formed in the vicinity of the upper end position of a substantially formed second magnetic pole tip part 76.例文帳に追加

第２の磁極層は、実質的に作られた第２の磁極先端部７６の上端部の位置に近傍して形成された開口部を有するようにパターン成形されている。 - 特許庁

The gate G_MT of the memory transistor MT is formed with a MONOS structure on the second body region 106 so as to straddle the second body region 106 and the first impurity diffusion layer 104.例文帳に追加

第２ボディ領域１０６と第１不純物拡散層１０４に跨るように第２ボディ領域１０６上にメモリトランジスタMTのゲート部G_MTをＭＯＮＯＳ構造で形成する。 - 特許庁

This transducer includes a first waveguide configured to focus an electromagnetic wave to a focal region, and a second waveguide defining an opening having an end positioned adjacent to the focal region, the second waveguide including a first metallic layer, and second and third layers positioned on opposite sides of the first metallic layer, wherein the first metallic layer has a first propagation constant larger than propagation constants of the second and third layers.例文帳に追加

装置は、電磁波を焦点領域に合焦させるように構成された第１の導波路と、前記焦点領域に隣接して配置された端部を有する開口部を画定する第２の導波路とを含み、前記第２の導波路は、第１の金属層と、前記金属層の両側に配置された第２および第３の層とを含み、前記第１の金属層は、前記第２および第３の層の伝搬定数より大きい第１の伝搬定数を有する。 - 特許庁

The nitride based compound semiconductor light emitting element comprising a first ohmic electrode, a first bonding metal layer, a second bonding metal layer and a second ohmic electrode formed in this order on a conductive substrate is provided with a nitride based compound semiconductor layer on the second ohmic electrode, and one surface of the second ohmic electrode is exposed.例文帳に追加

本発明は、導電性基板上に、第一のオーミック電極、第一の接着用金属層、第二の接着用金属層および第二のオーミック電極をこの順番で備え、該第二のオーミック電極上に窒化物系化合物半導体層を備える窒化物系化合物半導体発光素子であって、前記第二のオーミック電極の一表面が露出していることを特徴とする窒化物系化合物半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

The reaction rate of silicide can be suppressed by the second capping layer during the secondary heat treatment of high temperature, resulting in a silicide having an optimal shape.例文帳に追加

第２キャッピング層により高温の２次熱処理時のシリサイド反応速度を抑制して良好な形態のシリサイドを得る。 - 特許庁

A GMR sensor 50 is provided with a multi-layer consisting of a plurality of materials between a first and a second shield layers 46, 48.例文帳に追加

ＧＭＲセンサ５０は、第１および第２のシールド層４６，４８の間に複数の材料からなる多層を備えている。 - 特許庁

A plurality of projecting parts 19 are formed on a surface of the second electrode 15 opposite to the side facing to the EL layer 14.例文帳に追加

第２電極１５の有機ＥＬ層１４と対向する側と反対側の面に複数の凸部１９が設けられている。 - 特許庁

The second reflectivity spectrum is analyzed, using the diffuse reflection characteristic in order to determine the characteristics of the surface layer of the sample 22.例文帳に追加

サンプル２２の表面層の特性を求めるために散漫反射特性を使用して、第２の反射率スペクトルが解析される。 - 特許庁

Then a second insulating layer 78 is laminated on at least the surface of the recessed part 76 and the pad 60 for connection is laminated thereon.例文帳に追加

この後、少なくとも凹部７６の表面に第２絶縁層７８を積層し、その上に接合用パッド６０を積層する。 - 特許庁

Between the second wiring 103 and ground layer 104, an insulator 108 is provided while the insulator 108 sandwiches double plated layers 105 and 107.例文帳に追加

第２配線１０３と接地層１０４間は２重のメッキ層１０５・１０７をはさんで絶縁体１０８を設ける。 - 特許庁

Additionally, a patterned second metal layer is formed to form a plurality of data lines, a plurality of sources, and a plurality of drains.例文帳に追加

また、パターン化された第２金属層が形成されて複数のデータ線および複数のソースおよび複数のドレインが形成される。 - 特許庁

In addition, a second node connecting conductive layer NC2 is formed on third and fourth contact plugs P3 and P4 also formed in vertical columnar state on the substrate 1.例文帳に追加

第３および第４のコンタクトプラグＰ３およびＰ４の上に第２のノード接続導電層ＮＣ２が形成されている。 - 特許庁

The thickness between the surface of the first conductor wiring and the surface of the second insulating layer is in a range of 5-30 μm.例文帳に追加

前記第一の導体配線の表面から前記第二の絶縁層の表面までの厚みが５〜３０μｍの範囲である。 - 特許庁

The third insulating layer has a platform portion that extends beyond the first and second insulating layers and an upper surface.例文帳に追加

第３の絶縁層は、第１の絶縁層および第２の絶縁層を越えて延在するプラットフォーム部と、上面とを有する。 - 特許庁

Then, a second multilayered structure 18, including an insulating layer 20, is formed on a substrate 22 and jointed with the first multilayered structure 10.例文帳に追加

次に基板２２上絶縁層２０を含む第二多層化構造１８を形成し、第一多層化構造１０に接合する。 - 特許庁

It is desirable to apply second bias voltage to the conductive layer 730 by a power source 782 so as to control charging or discharging operation.例文帳に追加

好ましくは電源７８２によって導電層７３０に第２バイアス電圧を印加し、帯電又は放電動作を制御する。 - 特許庁

A second pattern 7a being the scaling down of the first pattern is formed by etching the mask layer to which the first pattern is transferred.例文帳に追加

第１のパターンが転写されたマスク層をエッチングして第１のパターンを縮小させた第２のパターン７ａを形成する。 - 特許庁

The surface emitting semiconductor laser 11 has an active layer 17 provided between a first DBR 13 and a second DBR 15.例文帳に追加

面発光半導体レーザ１１では、活性層１７は、第１のＤＢＲ１３と第２のＤＢＲ１５との間に設けられる。 - 特許庁

Plural characteristics are etched in the etching layer through the first and second sets of the characteristics in the etching mask stack.例文帳に追加

エッチングマスクスタック内の第１組の特徴および第２組の特徴を通して、複数の特徴がエッチング層内にエッチングされる。 - 特許庁

The heat reflecting sheet 1 comprises first and second flexible sheets 3 and 4 and a heat reflecting paint layer 2 in between them.例文帳に追加

熱反射シート１は、可撓性の第１及び第２のシート３，４の間に熱反射性塗料層２を設けたものである。 - 特許庁

A first capacitor electrode layer 5a with each end across two second insulating layers 1b is formed.例文帳に追加

第１の絶縁層１ａの上に、両端が２つの第２の絶縁層に跨がるように第１のキャパシタ電極層５ａを設ける。 - 特許庁

The junction layer 30 is composed of a non-magnetic material and integrally joins the first magnetic head 10A and the second magnetic head 20A to each other.例文帳に追加

接合層３０は、非磁性材料でなり、第１の磁気ヘッド１０Ａと第２の磁気ヘッド２０Ａとを一体的に接合する。 - 特許庁

A GND pattern 3b surface on one side contacts a GND pattern 1b surface on the second layer surface of the MSM board.例文帳に追加

また一方の側のＧＮＤパターン３ｂ面がＭＣＭ基板の第２層表面上のＧＮＤパターン１ｂ面と接する。 - 特許庁

A tube 6 for connecting the gas layer and the outside is rotatably pivotally supported to a relative rotation center axis of the first and second arms.例文帳に追加

該気体層と外部を連結するチューブ６が第１，第２のアームの相対回転中心軸に回転自在に軸支されている。 - 特許庁

Since the heat is dissipated entirely from the second conductor layer 9 and the metal plate 7 on one side of the wiring board, high heat dissipation efficiency is attained.例文帳に追加

配線基板の片面にある第二の導体層９、金属板７の全体から放熱されるため、放熱効率は高い。 - 特許庁