「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(189ページ目) - Weblio英語例文検索

This improved circuit board includes a metal substrate 22 having first and second sides 24 and 26, and thin layer structure on the first and second sides.例文帳に追加

上記の装置は、第一の側面２４と第二の側面２６とを有する金属基板２２と、第一の側面の薄層構造と、第二の側面の薄層構造とを含む。 - 特許庁

A semiconductor integrated circuit (IC) leadframe of a base metal sheet has substantially parallel first and second surfaces and an adherent layer of a second metal, including nickel, covering both surfaces.例文帳に追加

下地金属シートの半導体集積回路リードフレームは、実質的に平行な第１の表面及び第２の表面と、第２の金属の付着性層とを有する。 - 特許庁

The electrode material for the electric double layer capacitor has a first carbon FC, and a second carbon SC which covers the first carbon FC and contains air gaps EA in the second carbon SC.例文帳に追加

第一炭素ＦＣと、第一炭素ＦＣを覆う第二炭素ＳＣとを有し、第二炭素内ＳＣに空隙ＥＡが存在する電気二重層キャパシタ用電極材料。 - 特許庁

A photoelectric conversion element 10 comprises: a first electrode 20; a second electrode 24; and a photoelectric conversion layer 30 provided between the first electrode 20 and the second electrode 24.例文帳に追加

光電変換素子１０は、第１電極２０と、第２電極２４と、第１電極２０および第２電極２４の間に設けられる光電変換層３０と、を備える。 - 特許庁

The second reflection layer 40 is formed of a dielectric multilayer film comprising a first dielectric film 42 and a second dielectric film 44 with mutually different refractive indexes alternately laminated.例文帳に追加

第２反射層４０は、誘電体多層膜によって形成され、屈折率の異なる第１誘電体膜４２、第２誘電体膜４４が交互に積層される。 - 特許庁

The magnetic recording layer comprises: a first magnetization fixed area; a second magnetization fixed area; and a magnetization free area sandwiched between the first magnetization fixed area and the second magnetization fixed area.例文帳に追加

磁気記録層は、第１磁化固定領域と、第２磁化固定領域と、第１磁化固定領域と第２磁化固定領域との間に挟まれた磁化自由領域と、を含む。 - 特許庁

Then, second facing grooves are formed inside the facing insulating layer 207, and the second grooves are filled with the conductive materials for forming facing blanking electrodes 211.例文帳に追加

次いで、対向する絶縁層２０７の内側に、対向する第２の溝を形成し、該第２の溝に導電材料を充填して対向するブランキング電極２１１を形成する。 - 特許庁

In the second opening 5b, a second semiconductor layer 7 having an impurity diffusion coefficient smaller than that of the semiconductor substrate 1 is formed on the surface of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

第２開口５ｂの内部において、半導体基板１より小さい不純物拡散係数を有する第２半導体層７を半導体基板１の表面に形成する。 - 特許庁

A first ion pouring for forming a punch through stop layer 9 and a second ion pouring for forming a second drain region 2 are effected continuously employing the mask.例文帳に追加

そのマスクを用いて、パンチスルーストップ層９を形成するための第１のイオン注入と、ドレイン領域２を形成するための第２のイオン注入とを連続して行う。 - 特許庁

In the second conductive area, the first conductive dopant is injected from a direction of crossing the normal line direction of the semiconductor substrate to form a second dopant layer.例文帳に追加

第２導電型領域に、第１導電型不純物を半導体基板の法線方向と交差する方向から注入し第２不純物層を形成する。 - 特許庁

This light emitting element has a resonator structure for resonating light emitted from a light-emitting layer 13B between a first end P1 and a second end P2 and extracting it from the side of the second end P2.例文帳に追加

発光層１３Ｂで発生した光を第１端部Ｐ１と第２端部Ｐ２との間で共振させて第２端部Ｐ２の側から取り出す共振器構造を有する。 - 特許庁

In the second paste electrode layer 22, a third part 22d covering the first part 21d is thinner than a fourth part 22b covering the second part 21b.例文帳に追加

第２のペースト電極層２２は、第１の部分２１ｄを覆う第３の部分２２ｄの厚みが、第２の部分２１ｂを覆う第４の部分２２ｂの厚みより薄い。 - 特許庁

The element consists of at least a base body, a transparent first electrode formed on the base body, a hole carrier layer formed on the first electrode, a photocatalyst-containing layer formed on the hole carrier layer, a light-emitting layer formed on the photocatalyst layer, and a second electrode formed on the light-emitting layer.例文帳に追加

基体と、前記基体上に形成された透明な第１電極と、前記第１電極上に形成された正孔輸送層と、前記正孔輸送層上に形成された光触媒含有層と、前記光触媒含有層上に形成された発光層と、前記発光層上に形成された第２電極から少なくともなるＥＬ素子。 - 特許庁

In this rubber hose 10 constituted by laminating a rubber inner layer 18, a first reinforcing layer 20 constituted by knitting a reinforcing wire material on its outer peripheral side, and a cover layer 22 on a further outer peripheral side, a second reinforcing layer 23 constituted by knitting a reinforcing wire material before final vulcanization is provided as a covered layer on an outer peripheral face of the cover layer 22.例文帳に追加

ゴム内層１８と、その外周側の補強線材を編組して成る第１補強層２０と、更に外周側のカバー層２２とを積層した形態のゴムホース１０において、カバー層２２の外周面に、最終の加硫処理の前において補強線材を編組して成る第２補強層２３を被覆層として設けておく。 - 特許庁

The second epitaxial layer 13 is provided with an inclined layer 14 having the concentration of n-type impurities continuously lowered in the concentration of n-type impurities in the thickness direction from the first epitaxial layer 12, and a constant concentration layer 15 having the concentration of n-type impurities substantially equal to that of the surface of the inclined layer 14 on the surface side of the inclined layer 14.例文帳に追加

この第２のエピタキシャル層１３は、第１のエピタキシャル層１２側から厚さ方向に連続的にＮ型の不純物濃度が低められる傾斜層１４と、この傾斜層１４の表面側にこの傾斜層１４の表面と略同一濃度のＮ型の不純物濃度を有する定濃度層１５とを備えている。 - 特許庁

The printed circuit board includes: an insulating layer 110 composed of an electrical insulating substance; a first circuit layer 130 embedded in one surface of the insulating layer 110 and including a bump pad 131 and a wire bonding pad 133; a second circuit layer 150 formed on the other surface of the insulating layer 110; and a wire-connecting slot 900 pierced into the insulating layer 110.例文帳に追加

電気絶縁物質からなる絶縁層１１０と、絶縁層１１０の一面に埋め込まれ、バンプパッド１３１及びワイヤーボンディングパッド１３３を含む第１回路層１３０と、絶縁層１１０の他面に形成された第２回路層１５０と、絶縁層１１０を貫通するワイヤー連結用スロット９００とを含んでなるものである。 - 特許庁

Second, when a rear end part 12B is formed, the part (covered part) covered by the buffer layer among the precursor main magnetic pole layers is doubly covered by a precursor nonmagnetic layer pattern (the prearrangement layer of the nonmagnetic layer 13) and the buffer layer 15, and accordingly the position of the flare point FP preliminarily fixed is prevented to deviate when the precursor main magnetic pole layer receives etching processing.例文帳に追加

第２に、後端部１２Ｂを形成する際、前駆主磁極層のうち、バッファ層により覆われている部分（被覆部）は、前駆非磁性層パターン（非磁性層１３の前準備層）およびバッファ層１５により二重に覆われているため、前駆主磁極層にエッチング処理を施した際、あらかじめ設定されたフレアポイントＦＰの位置ずれが防止される。 - 特許庁

A semiconductor laser element 20 is provided with a laminated structure consisting of an n-type InP clad layer 22, an SCH-MQW active layer 23, a p-type first InP clad layer 24, an AlInAs layer 25, a p-type second InP clad layer 26 and a p-type GaInAs contact layer 27, which are formed in order on an n-type InP substrate 21.例文帳に追加

本半導体レーザ素子２０は、ｎ−ＩｎＰ基板２１上に順次形成された、ｎ−ＩｎＰクラッド層２２、ＳＣＨ−ＭＱＷ活性層２３、第一のｐ−ＩｎＰクラッド層２４、ＡｌＩｎＡｓ層２５、第二のｐ−ＩｎＰクラッド層２６、及びｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層２７からなる積層構造を備えている。 - 特許庁

The first ionomer resin layer, an unstretched amorphous polyethylene terephthalate resin layer containing an inorganic filler, a pattern layer, the second ionomer resin layer, and the third ionomer resin layer are formed at least in this order on a backer layer containing an ethylene-vinyl acetate copolymer resin containing an inorganic filler as a main component.例文帳に追加

無機充填剤を含有するエチレン−酢酸ビニル共重合体樹脂を主体とするバッカー層の上に、第一アイオノマー樹脂層、無機充填剤を含有する非延伸の非結晶性ポリエチレンテレフタレート樹脂層、絵柄層、第二アイオノマー樹脂層、第三アイオノマー樹脂層が少なくともこの順に設けられてなることを特徴とする。 - 特許庁

The active matrix substrate (100) includes first wiring (124), an insulating layer (130) covering the first wiring (124), a semiconductor layer (140) provided on the insulating layer (130) and overlapped with the first wiring (124), an etching stopper layer (142) provided on the semiconductor layer (140), and second wiring (154) crossing the semiconductor layer (140).例文帳に追加

本発明によるアクティブマトリクス基板（１００）は、第１配線（１２４）と、第１配線（１２４）を覆う絶縁層（１３０）と、絶縁層（１３０）上に設けられ、第１配線（１２４）と重なる半導体層（１４０）と、半導体層（１４０）上に設けられたエッチストッパ層（１４２）と、半導体層（１４０）と交差する第２配線（１５４）とを備える。 - 特許庁

A hairline display structure of an instrument board includes: a substrate 51; a smoke printed layer 54 provided on the front surface of the substrate 51; a first metallic printed layer 53 provided on the back of the smoke printed layer 54; and a second metallic printed layer 55 printed on the smoke printed layer 54, and having a narrower line width than the smoke printed layer 54.例文帳に追加

本発明の計器板のヘアライン表示構造は、基板５１と、基板５１の前面に設けられたスモーク印刷層５４と、スモーク印刷層５４の背面に設けられた第１の金属調印刷層５３と、スモーク印刷層５４上に印刷され、該スモーク印刷層５４より線幅が狭い第２の金属調印刷層５５と、を備える。 - 特許庁

This multilayer printed board includes: a first flip-chip electrode formed and exposed on a first wiring layer; an insulation resin layer formed outside the first wiring layer; an insulation resin via formed on the insulation resin layer and formed at the location of the first flip-chip electrode; and a second wiring layer formed outside the insulation resin layer.例文帳に追加

第１の配線層に形成され露出される第１のフリップチップ電極と、前記第１の配線層の外側に形成される絶縁樹脂層と、前記絶縁樹脂層に形成され前記第１のフリップチップ電極の位置に形成される絶縁樹脂ビアと、前記絶縁樹脂層の外側に形成される第２の配線層とを備える。 - 特許庁

A suspension circuit substrate 1 includes a metal support substrate 12; a first insulating layer 11 disposed on the metal supporting substrate 12 and constituted of an insulating material; a conductive layer 10 disposed on the first insulating layer 11 and constituting a wiring; and a second insulating layer 13, disposed on the first insulating layer 11 and conductor layer 10 and constituted of an insulating material.例文帳に追加

サスペンション回路基板１は、金属支持基板１２と、金属支持基板１２上に配置され、絶縁材料からなる第一絶縁層１１と、第一絶縁層１１上に配置され、配線を構成する導体層１０と、第一絶縁層１１および導体層１０上に配置され、絶縁材料からなる第二絶縁層１３と、を備えている。 - 特許庁

This film like adhesive is provided by laminating an adhesive layer, a thermosetting resin layer and a second plastic layer on a first plastic layer in this order, and having ≤50 N/m peeling force at 90° peeling test between the adhesive layer and thermosetting resin layer at any of 300 mm/min and 500 mm/min peeling speeds.例文帳に追加

第一のプラスチック層上に、粘着剤層、熱硬化性樹脂層及び第二のプラスチック層が、この順に積層されたフィルム状接着剤であって、粘着剤層と熱硬化性樹脂層間の９０°ピール剥離力が、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎ及び５００ｍｍ／ｍｉｎのいずれにおいても、５０Ｎ／ｍ以下である、フィルム状接着剤。 - 特許庁

An organic electric field light emitting device includes a thin-film layer containing at least a light emitting layer and an electron transport layer and a second electrode formed on the thin-film layer on a first electrode formed on a substrate, and is characterized in that the electron transport layer has a specific pyrene compound, and that the light emitting layer contains the specific pyrene compound.例文帳に追加

基板上に形成された第一電極上に、少なくとも発光層および電子輸送層を含む薄膜層と、薄膜層上に形成された第二電極とを含む有機電界発光素子であって、電子輸送層が特定のピレン化合物を含み、かつ発光層が特定のピレン化合物を含むことを特徴とする発光素子。 - 特許庁

A source side selection transistor SSTr includes: a source side columnar semiconductor layer 47b extending upward from the columnar portions; a second source side gate insulating layer 46d and a first source side gate insulating layer 46b for surrounding the source side columnar semiconductor layer 47b; and a source side conductive layer 42b for surrounding the first source side gate insulating layer 46b.例文帳に追加

ソース側選択トランジスタＳＳＴｒは、柱状部から上に延びるソース側柱状半導体層４７ｂ、ソース側柱状半導体層４７ｂを取り囲む第２ソース側ゲート絶縁層４６ｄ、第１ソース側ゲート絶縁層４６ｂ、及び第１ソース側ゲート絶縁層４６ｂを取り囲むソース側導電層４２ｂを備える。 - 特許庁

This film is manufactured by co-extruding a film laminated with a resin layer comprising at least one kind of polyethylene as the first layer, a pressure-sensitive flexible layer comprising an acrylic block copolymer as the second layer, and a resin layer comprising at least one kind of polyethylene selected from the group comprising a medium density polyethylene or high density polyethylene as the third layer, sequentially in this order.例文帳に追加

第１層に少なくとも１種のポリエチレンからなる樹脂層、第２層にアクリル系ブロック共重合体からなる粘着性柔軟層、第３層に中密度ポリエチレンまたは高密度ポリエチレンから選択される少なくとも１種のポリエチレンからなる樹脂層を順次積層したフィルムを共押出成形することにより、前記課題を解決する。 - 特許庁

(2) The optical information recording medium has at least a reflective layer, an intermediate layer, a second dielectric layer, a recording layer, and a first dielectric layer in this sequence on a transparent or opaque substrate and the intermediate layer comprises materials containing at least one metal selected from Ti, Zr, V, Nb, Ta, Cr, Mo and W, carbon and oxygen.例文帳に追加

（２）透明又は不透明な基板上に、少なくとも反射層、中間層、第二誘電体層、記録層、第一誘電体層をこの順に有し、中間層がＴｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗから選ばれる少なくとも一つの金属と炭素及び酸素を含有する材料からなる光情報記録媒体。 - 特許庁

The laminated film 1 comprises laminating a barrier film 8 on the white resin layer 2 side of a shading laminated sealant film 7 composed of a coextruded laminated film in which the white resin layer 2, a first shading adhesive resin layer 3, a coloring matter-barrier resin layer 4, a second shading adhesive resin layer 5, and a heat sealable resin layer 6 are laminated in turn.例文帳に追加

積層フィルム１は、白色樹脂層２、第１の遮光性接着樹脂層３、色素バリア性樹脂層４、第２の遮光性接着樹脂層５及びヒートシール性樹脂層６を順次に積層した共押出積層フィルムからなる遮光性積層シーラントフィルム７の白色樹脂層２側にバリア性フィルム８を積層してなる。 - 特許庁

This top-emission organic electroluminescent element comprises a reflection film layer 210a on a substrate 100, a first electrode layer 210 provided with a metal-silicide layer 210b and a transparent electrode layer 210c, an organic film layer 230 containing at least one or more luminous layers, and a second electrode layer.例文帳に追加

前面発光有機電界発光素子に関し、基板１００上に反射膜層２１０ａ、金属−ケイ化物層２１０ｂ及び透明電極層２１０ｃを具備した第１電極層２１０と、少なくとも１つ以上の発光層を含む有機膜層２３０と、第２電極層とを含む前面反射型有機電界発光素子に関する。 - 特許庁

The semiconductor film forming method comprises a first lamination process of laminating a transparent electrode layer 2, a semiconductor layer 3, and an oxide layer 4 successively on a support 1; an oxidation process of oxidizing the surface of the oxide layer 4; and a second lamination process of laminating a metal electrode layer 5 on the oxide layer 4 whose surface has been oxidized.例文帳に追加

支持体１上に透明電極層２と、半導体層３と、酸化物層４とを順次積層する第一の積層工程と、前記酸化物層４の表面を酸化する酸化工程と、表面を酸化された前記酸化物層４上に金属電極層５を積層する第二の積層工程とを有することを特徴とする。 - 特許庁

A multilayer printed wiring board is provided with multiple lamination sets comprising a signal layer which forms a signal transmission path, a first insulating layer 13 and a second insulating layer 14 which sandwich this signal layer, and a power supply ground layer which is a ground of a power supply connected to the first insulating layer 13.例文帳に追加

一方、目的に合わせて基板材料を使い分け、多層プリント配線基板内で低損失の信号伝送路を形成する為に必要な層のみを低誘電体損失材料を用いて形成し、価格上昇を最小限に抑える技術では、積層時の加熱圧着温度が各材料により異なるため一括積層ができない。 - 特許庁

The intermediate transferring medium for inkjet recording having the second ink absorbing layer and the first ink absorbing layer in this order on a substrate is characterized by forming releasably the first ink absorbing layer from the intermediate transferring medium, and providing furthermore a hydrophobic layer on the upper layer of the first ink absorbing layer.例文帳に追加

支持体上に第二のインク吸収層、及び第一のインク吸収層をこの順に有するインクジェット記録用中間転写媒体であって、第一のインク吸収層が中間転写媒体から剥離可能に形成され、さらに第一のインク吸収層の上層に疎水性層を設けたことを特徴とするインクジェット記録用中間転写媒体。 - 特許庁

The first laser structure section 3 has a laminate structure of an n-type AlGaAs cladding layer 32, an MQW active layer 33 and a p-type AlGaAs cladding layer 34, and the second laser structure section 4 has a laminate structure of an n-type InGaAlP cladding layer 42, an MQW active layer 43 and a p-type InGaAlP cladding layer 44.例文帳に追加

第１レーザ構造部３は、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層３２、ＭＱＷ活性層３３およびｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層３４の積層構造を有し、第２レーザ構造部４は、ｎ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層４２、ＭＱＷ活性層４３およびｐ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層４４の積層構造を有している。 - 特許庁

Even when a protection layer is formed on all over the dielectric layer 32, cracks do not occur in the protection layer due to supression of softening of the first dielectric layer 32A, and no effect is applied to a discharge cell voltage by flowing of the second dielectric layer 32B, the dielectric layer 32 and the barrier rib 23 can be formed appropriately while adhesiveness is secured.例文帳に追加

誘電体層３２上全体に保護層が形成されている場合でも、第１誘電体層３２Ａの軟化抑制により保護層にクラックが生じることがなく、第２誘電体層３２Ｂが流動して放電セルの電圧に影響を与えることがなく、誘電体層３２と隔壁２３を密着性を確保した状態で適切に形成できる。 - 特許庁

By an epitaxial method, a first wafer 20 having a silicon single-crystal layer 24 formed on a principal surface is formed, and a silicon oxide layer 22 is formed on the silicon single-crystal layer 24; a defective layer 23 is formed in the silicon single-crystal layer 24 by an ion implantation method; and the silicon oxide layer 22 is stuck to a second wafer 17.例文帳に追加

エピタキシャル法により、主面上に形成したシリコン単結晶層２４を有する第１のウェハ２０を形成し、シリコン単結晶層２４の上に酸化シリコン層２２を形成し、イオン注入法により、シリコン単結晶層２４の内部に欠陥層２３を形成し、酸化シリコン層２２と第２のウェハ１７とを貼り合わせる。 - 特許庁

The porous semiconductor layer 20 is constituted of a conductive layer portion 20a, having tin oxide as a main component, a first porous semiconductor layer portion 20b installed on the surface on the side facing the transparent substrate 14 of the conductive layer portion 20a and a second porous semiconductor layer portion 20c installed on the other surface of the conductive layer portion 20a.例文帳に追加

多孔質半導体層２０は、酸化スズを主成分とする導電層部２０ａと、導電層部２０ａの透明基板１４に対向する側の表面に設けられる第１の多孔質半導体層部２０ｂおよび導電層部２０ａの他方の表面に設けられる第２の多孔質半導体層部２０ｃで構成される。 - 特許庁

The manufacturing an optical device comprises the step of forming a three-dimensional etching curved surface on a clad layer by isotropically etching or taper etching a first clad layer on a board, the step of forming a core layer along the curved surface on the first clad layer, and the step of forming a second clad layer on at least the core layer.例文帳に追加

基板上の第１クラッド層を等方エッチングまたはテーパエッチングを施してこのクラッド層に３次元のエッチング曲面を形成する工程と、前記第１クラッド層にコア層を前記エッチング曲面に沿って形成する工程と、少なくとも前記コア層上に第２クラッド層を形成する工程とを含むことを特徴とする - 特許庁

In a red light-emitting element U1 and a green light-emitting element U2, a second luminous layer 23 provided at a position closer to a counter electrode 30 than a charge separation layer 20 is used, and a pixel electrode 13 is provided between a first luminous layer 16 provided at a position closer to a reflective layer 11 than a charge separation layer 20 and the reflective layer 11.例文帳に追加

赤色発光素子Ｕ１と青色発光素子Ｕ２においては、電荷分離層２０よりも対向電極３０に近い位置に設けられた第２発光層２３を用い、電荷分離層２０よりも反射層１１に近い位置に設けられた第１発光層１６と反射層１１との間に画素電極１６を設ける。 - 特許庁

The oxygen side diffusion layer 12 has a first microporous layer 12b and a second microporous layer 12c containing carbon powder and water repellent resin on both surfaces of a diffusion layer substrate 12a, and a reaction layer 12d containing carbon carrying a platinum catalyst and Nafion is formed on the first microporous layer 12 side.例文帳に追加

酸素側拡散層１２は、拡散層基材１２ａの両面に、カーボン粉末と撥水性樹脂とを含む多孔性の第１マイクロポーラス層１２ｂ及び第２マイクロポーラス層１２ｃが形成されており、さらに第１マイクロポーラス層１２ｂ側に白金触媒が担持されたカーボンとナフィオンとを含有する反応層１２ｄが形成されている。 - 特許庁

The dispersion suppressing layer 7 suppresses a solder component constituting the solder layer 5 to disperse inside the thermoelectric element 1, and comprises a first layer 7 for suppressing the solder component of the solder layer 5 to disperse inside the thermoelectric element 1, and a second layer 72 constituted of a material more excellent in wettability to the solder than the first layer 71.例文帳に追加

拡散抑制層７は、半田層５を構成する半田成分が熱電素子１の内部に拡散することを抑制するものであり、半田層５の半田成分が熱電素子１の内部に拡散することを抑制する第１層７１と、第１層７１よりも半田に対する濡れ性が良好な材料で形成された第２層７２とを備えている。 - 特許庁

In the organic EL device 100 in which a functional layer including at least the light emitting layer is interposed between a first electrode 102 and a second electrode 103, the functional layer is equipped with the light emitting layer 107 formed of the high molecular organic material, and an electron transporting layer 108 formed of a low molecular organic material and laminated on the light emitting layer 107.例文帳に追加

第１電極１０２と第２電極１０３との間に、少なくとも発光層を含む機能層が狭持されてなる有機ＥＬ装置１００において、機能層は、高分子有機材料で形成された発光層１０７と、発光層１０７上に積層された低分子有機材料で形成された電子輸送層１０８とを備えている。 - 特許庁

A sub-collector layer 2 of n+-GaAs, a collector layer 3 of n- GaAs, a base layer 4 of p-GaAs, a first emitter layer 5 of n-InGaPs, a first cap layer 7 of n+-GaAs, and a second cap layer 8 of n+-InGaAs are provided on a semi-insulating GaAs substrate 1.例文帳に追加

半絶縁性ＧａＡｓ基板１上に、ｎ^+ −ＧａＡｓからなるサブコレクタ層２、ｎ−ＧａＡｓからなるコレクタ層３、ｐ−ＧａＡｓからなるベース層４、ｎ−ＩｎＧａＰからなる第１エミッタ層５、ｎ−ＡｌＧａＡｓからなる第２エミッタ層６、ｎ^+ −ＧａＡｓからなる第１キャップ層７、ｎ^+ −ＩｎＧａＡｓからなる第２キャップ層８を設ける。 - 特許庁

In a gas discharge display device having a dielectric layer 17b which covers electrodes arranged in a row on a substrate and extending to the whole area of a display region, the dielectric layer is made as a laminate consisting of a first layer 171 composed of silicon dioxide and a second nitride layer 172 denser and thinner than the first layer, and the first layer is formed by chemical vapor deposition.例文帳に追加

基板上に配列された電極を覆って表示領域の全域に拡がる誘電体層１７ｂを有したガス放電表示デバイスにおいて、誘電体層を二酸化ケイ素からなる第１層１７１とそれより緻密で且つ薄い窒素化合物の第２層１７２との積層体とし、第１層を化学気相成長法によって形成する。 - 特許庁

The avalanche quantum intersubband transition semiconductor laser includes a first cladding layer, an active layer, and a second cladding layer formed on a semiconductor substrate, wherein the active layer includes at least one unit-cell structure which consists of combination of a carrier-multiplication structure layer for multiplying carriers, a carrier guide structure layer and a QW active region to which carriers are injected and in which optical radiative transitions occur.例文帳に追加

半導体基板上に形成される第１のクラッド層、活性層及び第２のクラッド層を含み、 前記活性層は、キャリアを増倍させるキャリア増倍構造層と、キャリアガイド構造層と、前記キャリアが注入され、光放射遷移(optical radiative transition)が生じるＱＷ活性領域との組み合わせからなる少なくとも一つの単位セル構造物を含む。 - 特許庁