「semiconductor film growth」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

NITRIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM, AND GROWTH METHOD THEREOF例文帳に追加

窒化物半導体薄膜およびその成長方法 - 特許庁

GROWTH METHOD FOR SEMICONDUCTOR THIN-FILM COMPRISING DOPE LAYER例文帳に追加

ドープ層を有する半導体薄膜の成長方法 - 特許庁

The semiconductor film is formed on a substrate for growth.例文帳に追加

成長用基板の上に半導体膜を形成する。 - 特許庁

To provide a vapor growth device which can improve growth rate of a compound semiconductor film, to provide the compound semiconductor film, and to provide its growth method.例文帳に追加

化合物半導体膜の成長速度を向上させることができる気相成長装置、化合物半導体膜及びその成長方法を提供する。 - 特許庁

SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR GROWTH AND MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR FILM例文帳に追加

半導体成長用基板および半導体膜の製造方法 - 特許庁

SELECTIVE GROWTH METHOD OF SEMICONDUCTOR FILM AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

半導体膜の選択成長方法および半導体装置の製造方法 - 特許庁

VAPOR PHASE GROWTH METHOD AND VAPOR PHASE GROWTH DEVICE OF GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR THIN-FILM CRYSTAL例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜結晶の気相成長方法および気相成長装置 - 特許庁

To provide, of the vapor phase growth techniques, a technique for increasing the growth rate of a semiconductor film.例文帳に追加

気相成長技術において、半導体膜の成長速度を速くする技術を提供する。 - 特許庁

VAPOR-PHASE EPITAXIAL GROWTH METHOD FOR COMPOUND SEMICONDUCTOR THIN FILM, AND ORGANIC METAL VAPOR-PHASE EPITAXIAL GROWTH DEVICE例文帳に追加

化合物半導体薄膜の気相成長方法および有機金属気相成長装置 - 特許庁

COMPOUND SEMICONDUCTOR EPITAXIAL GROWTH FILM AND STRUCTURE OF COMPOUND SEMICONDUCTOR FILM例文帳に追加

化合物半導体エピタキシャル成長膜および化合物半導体膜構造 - 特許庁

Then the growth substrate is peeled from the semiconductor film and the surface of the semiconductor film which appears after the growth substrate is peeled is flattened.例文帳に追加

次に成長基板を半導体膜から剥離し、成長基板を剥離することによって表出した半導体膜の表面を平坦化する。 - 特許庁

VAPOR PHASE GROWTH APPARATUS AND METHOD FOR FORMING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR FILM例文帳に追加

気相成長装置およびＩＩＩ族窒化物半導体膜の形成方法 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR LIQUID PHASE EPITAXIAL GROWTH OF SEMICONDUCTOR CRYSTAL THIN FILM例文帳に追加

半導体結晶薄膜の液相エピタキシャル成長方法及び装置 - 特許庁

CHEMICAL VAPOR PHASE THIN-FILM GROWTH METHOD OF SILICON SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加

シリコン半導体基板の化学的気相薄膜成長方法 - 特許庁

A semiconductor film is grown epitaxially on a growth substrate.例文帳に追加

成長用基板上に半導体膜をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

VAPOR DEPOSITION SYSTEM, AND COMPOUND SEMICONDUCTOR FILM AND GROWTH METHOD THEREFOR例文帳に追加

気相成長装置、化合物半導体膜及びその成長方法 - 特許庁

On the connecting part 25, a semiconductor growth blocking insulation film is formed.例文帳に追加

外部接続部分２５の上に半導体成長阻止用絶縁膜を設ける。 - 特許庁

CRYSTAL GROWTH METHOD, CRYSTAL GROWTH APPARATUS, STACKING TYPE CRYSTAL GROWTH APPARATUS, AND SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING CRYSTAL THIN FILM PRODUCED BY THESE METHOD AND APPARATUS例文帳に追加

結晶成長方法、結晶成長装置、積層型結晶成長装置およびこれらによって製造された結晶薄膜を有する半導体デバイス。 - 特許庁

CRYSTAL GROWTH METHOD AND CRYSTAL GROWTH DEVICE FOR SEMICONDUCTOR THIN FILM AND MANUFACTURING METHOD FOR THIN FILM TRANSISTOR例文帳に追加

半導体薄膜の結晶成長方法および結晶成長装置ならびに薄膜トランジスタの製造方法 - 特許庁

To provide a semiconductor manufacturing method for actualizing good embedding growth and selective growth without producing the growth of a group III-V compound semiconductor film on an insulating film used as a mask.例文帳に追加

マスクとして用いた絶縁膜上にIII—Ｖ族化合物半導体膜を成長させることなく良好な埋込成長や選択成長を行うことができる半導体装置の製造方法を得る。 - 特許庁

A growth suppression film 105 is partially provided on a nitrogen compound semiconductor film 103 for growing a nitrogen compound semiconductor film comprising Al.例文帳に追加

窒素化合物半導体膜1０３上に成長抑制膜１０５を部分的に設けて、Ａｌを含む窒素化合物半導体膜を成長させる。 - 特許庁

A method for manufacturing a light-emitting device includes: forming a semiconductor film 20 on a substrate for growth, forming element separation grooves reaching the substrate for growth on the semiconductor film 20; and also forming a protective film 50 partially covering the side surface of the semiconductor film 20 exposed by forming the element separation grooves and being apart from the substrate for growth.例文帳に追加

成長用基板の上に半導体膜２０を形成し、半導体膜２０に成長用基板に達する素子分割溝を形成し、素子分割溝を形成することによって表出した半導体膜２０の側面を部分的に覆い且つ成長用基板から離間している保護膜５０を形成する。 - 特許庁

CRYSTAL GROWTH METHOD, CRYSTAL GROWTH APPARATUS, AND SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING CRYSTAL THIN FILM PRODUCED BY THE SAME例文帳に追加

結晶成長方法、結晶成長装置およびこれらによって製造された結晶薄膜を有する半導体デバイス - 特許庁

(E) An outer peripheral part of the growth substrate is irradiated with laser beams to peel the growth substrate and the semiconductor film on the outer peripheral part.例文帳に追加

（ｅ）成長基板の外周部にレーザビームを照射し、外周部において、成長基板と半導体膜とを剥離する。 - 特許庁

To develop a vapor growth device and method for obtaining a uniform semiconductor film where the vapor growth speed of the semiconductor film is fast and feed gas efficiency is high in the semiconductor vapor growth device, and a method for simultaneously treating a plurality of semiconductor films using a horizontal reaction pipe.例文帳に追加

横形反応管を用い、複数枚を同時に処理する半導体気相成長装置及び気相成長方法において、半導体膜の気相成長速度が速く、原料ガス利用効率が高く、均一な半導体膜が得ることができる気相成長装置及び気相成長方法を開発する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor element which can obtain a flat film in an earlier stage of a growth process than before, in a method of manufacturing a semiconductor light-emitting apparatus including a process of forming a semiconductor layer using a lateral growth method after arranging a mask for selective growth on a substrate for growth.例文帳に追加

成長用基板上に選択成長用のマスクを配した後、横方向成長法を用いて半導体層を形成する工程を含む半導体発光装置の製造方法において、従来よりも成長過程の早い段階で平坦な膜を得ることができる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

EPITAXIAL GROWTH METHOD FOR NITRIDE SEMICONDUCTOR FILM BY HOT WIRE CVD METHOD例文帳に追加

ホットワイヤＣＶＤ法による窒化物半導体膜のエピタキシャル成長方法 - 特許庁

GROWTH OF III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR THIN-FILM CRYSTAL AND EPITAXIAL WAFER例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜結晶の成長方法及びエピタキシャルウェハ - 特許庁

METHOD FOR PREPAREING EPITAXIAL NITRIDE FILM FOR SEMICONDUCTOR DEVICE IN GROWTH ENVIRONMENT例文帳に追加

半導体デバイス用エピタキシャル窒化膜を成長環境内で製造するための方法 - 特許庁

GROWTH METHOD OF SILICON FILM, MANUFACTURING METHOD OF SOLAR CELL, SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND SOLAR CELL例文帳に追加

シリコン膜の成長方法、太陽電池の製造方法、半導体基板及び太陽電池 - 特許庁

EPITAXIAL GROWTH DEVICE AND MANUFACTURING METHOD FOR COMPOUND SEMICONDUCTOR THIN-FILM CRYSTAL USING THE SAME例文帳に追加

エピタキシャル成長装置及びそれを用いた化合物半導体薄膜結晶の製造方法 - 特許庁

VAPOR PHASE GROWTH APPARATUS, FORMING METHOD OF THIN FILM AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR APPARATUS例文帳に追加

気相成長装置、薄膜の形成方法、および半導体装置の製造方法 - 特許庁

PROCESSING METHOD IN VAPOR PHASE GROWTH APPARATUS, FORMING METHOD OF THIN FILM AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR APPARATUS例文帳に追加

気相成長装置内の処理方法、薄膜の形成方法および半導体装置の製造方法 - 特許庁

MATERIAL GAS SUPPLY NOZZLE, VAPOR GROWTH DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR FILM例文帳に追加

材料ガス供給ノズル、気相成長装置および半導体膜の製造方法 - 特許庁

METHOD OF FORMING INTERLAYER INSULATING FILM, CHEMICAL VAPOR GROWTH SYSTEM AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

層間絶縁膜の形成方法、化学的気相成長装置、及び半導体装置 - 特許庁

To provide a growth device which is capable of forming a semiconductor layer of high film quality with high productivity.例文帳に追加

良好な膜質の半導体層を高い生産性で形成する成長装置を提供する。 - 特許庁

SELECTIVITY MONITORING METHOD FOR USE IN SELECTIVE GROWTH METHOD OF FILM, AND MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

膜の選択成長法における選択性のモニタリング方法、及び半導体装置の製造方法 - 特許庁

A vapor-phase growth device 100 grows the semiconductor film on a surface of a substrate 44.例文帳に追加

気相成長装置１００は、基板４４の表面に半導体膜を成長させる。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor thin film having a flatter surface than conventional one at an atomic level, and to provide a growth method of the nitride semiconductor thin film.例文帳に追加

従来よりも原子レベルで平坦な表面を有する窒化物半導体薄膜及びその成長方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor thin film having a flatter surface than conventional one at an atomic level, and to provide a growth method of the nitride semiconductor thin film.例文帳に追加

従来よりも原子レベルで平坦な表面を有する窒化物半導体薄膜及びその成長方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method and a substrate processing apparatus for planarizing a film shape when depositing a semiconductor film of Si, SiGe and the like based on selective growth on a substrate such as an Si wafer.例文帳に追加

Ｓｉウエハなどの基板にＳｉ、ＳｉＧｅなどの半導体膜を選択成長にて成膜する際の、膜形状を平坦化させる。 - 特許庁

GROWTH METHOD OF SINGLE-CRYSTAL OXYCHALCOGENIDE SYSTEM THIN FILM, SEMICONDUCTOR LAMINATED STRUCTURE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND THE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜の成長方法、半導体積層構造体、半導体装置の製造方法および半導体装置 - 特許庁

To provide vapor growth equipment or a vapor growth method, which enables effectively vapor growth of a uniform semiconductor film excellent in crystallinity on a substrate, when vapor growth of a large substrate or simultaneous vapor growth of a plurality of substrates is performed, and when a vapor growth temperature is set at a high temperature and vapor growth is performed, in vapor growth using a horizontal type reaction tube.例文帳に追加

横形反応管を用いる気相成長において、大型の基板の気相成長あるいは複数枚の基板の同時気相成長を行なう場合であっても、気相成長温度を高温度に設定して気相成長を行なう場合であっても、基板上に均一で結晶性が良好な半導体膜を効率よく気相成長させることができる気相成長装置あるいは気相成長方法を提供する。 - 特許庁

After that, epitaxial growth of a semiconductor film 36 (e.g. an InAs film or an InGaAs film) is performed in the trench 27.例文帳に追加

その後、半導体膜３６（例えば、ＩｎＡｓ膜又はＩｎＧａＡｓ膜）を溝２７内にエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

The method comprises forming a protective film for obstructing the crystal growth on a substrate, so that a first nitride semiconductor layer is exposed through window regions partly opened through the protective film, starting the selective growth of a second nitride semiconductor layer from the first nitride semiconductor layer at a required growth starting temperature and rising the temperature over the growth starting temperature to continue the crystal growth.例文帳に追加

基板上に結晶成長を阻害する保護膜を、該保護膜の一部を開口した窓領域内で第１窒化物半導体層が臨むように形成し、その第１窒化物半導体層からの第２窒化物半導体層の選択成長を所要の成長開始温度で開始し、続いて前記成長開始温度よりも高い温度に昇温して結晶成長を継続する。 - 特許庁