「semiconductor film growth」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

Irregularity caused by cutting dusts generated during the dicing of the bonding pad aperture on the passivation film 6 and the protection film can be eliminated by conducting the dicing after the growth of the passivation film 6 at the front surface of a semiconductor wafer, and removing a photosensitive resin 12 coated to open the passivation film 6 after the dicing or to selectively remove the passivation film 6.例文帳に追加

半導体ウェーハの表面にパシベーション膜６を成長させた後にダイシングを行い、ダイシング後にパシベーション膜６を開口、もしくはパシベーション膜６を選択除去するために塗布する感光性樹脂１２を除去することにより、パシベーション膜６上や保護膜上、ボンディングパッド開口部などのダイシング時の切削屑による不具合をなくすことができる。 - 特許庁

When a dielectric thin film is formed on a substrate by a chemical vapor growth method, a method of manufacturing a semiconductor device comprises the process for depositing a part of the dielectric thin film on the substrate, the process for heat-treating this dielectric thin film and moreover, the process for depositing the dielectric thin film at a deposition rate higher than that of the dielectric thin film.例文帳に追加

基板上に、化学気相成長法により誘電体薄膜を形成するときに、基板上に誘電体薄膜の一部を堆積する工程と、この誘電体薄膜を熱処理する工程と、さらに上記誘電体薄膜の堆積速度より速い堆積速度で、誘電体薄膜の堆積を行う工程を含む半導体装置の製造方法。 - 特許庁

In epitaxial growth of a p-type compound semiconductor film to which zinc is doped, an Sb-containing raw material (for example, trisdimethylaminoantimony; TDMASb) in a supply amount within a predetermined range is supplied together with a zinc-containing raw material (for example, diethyl zinc; DEZn) so as to increase an amount of incorporation of zinc into the compound semiconductor film (for example, InGaAs film).例文帳に追加

亜鉛をドープするｐ型化合物半導体膜のエピタキシャル成長時に、亜鉛含有原料（例えば、ジエチル亜鉛；ＤＥＺｎ）と共に所定範囲の供給量のＳｂ含有原料（例えば、トリスジメチルアミノアンチモン；ＴＤＭＡＳｂ）を供給することにより、化合物半導体膜（例えば、ＩｎＧａＡｓ膜）中への亜鉛の取り込み量を増やす。 - 特許庁

In the method of measuring the conductivity type and the resistivity of the semiconductor silicon substrate, after removing an oxide film on a measured surface of the semiconductor silicon substrate to be measured, oxide-film-growth-inducing cleaning is performed and the conductivity type and the resistivity are measured in a state that the oxide film is formed on the measured surface by cleaning.例文帳に追加

半導体シリコン基板の導電型及び抵抗率を測定する方法において、測定対象となる半導体シリコン基板の被測定面の酸化膜を除去した後、酸化膜成長を伴う洗浄を行い、その後被測定面に洗浄による酸化膜が形成された状態で導電型及び抵抗率を測定する半導体シリコン基板の導電型及び抵抗率の測定方法。 - 特許庁

To provide a method of forming an aluminum oxide film for a semiconductor device with which overall electrical characteristics of a semiconductor device can be improved through prevention of degradation of electrical characteristics of a lower layer of an aluminum oxide film by increasing the growth rate of the aluminum oxide film and improving hydrogen-permeation suppressing characteristics.例文帳に追加

アルミニウムソース供給段階でＮＨ_3反応ガスをアルミニウムソースガスと同時に供給してアルミニウム酸化膜の成長率を高め、水素の浸透を抑制する特性を向上させることにより、アルミニウム酸化膜下部層の電気的特性が劣化することを防止して全体的な半導体素子の電気的特性を向上させることができる半導体素子のアルミニウム酸化膜形成方法を提供すること。 - 特許庁

To obtain a crystalline semiconductor film having a wide area, such that when an energy is applied to crystallize a nonsingle-crystal semiconductor film, such as amorphous or polycrystalline films formed on a nonsingle-crystal insulation film or nonsingle-crystal insulation substrate, the irregular nucleus growth is suppressed, crystal grains having an orientation easy to grow the crystal are controlled, so as to make the crystal orientation approximately uniform.例文帳に追加

非単結晶絶縁膜上または非単結晶絶縁基板上に、非晶質または多結晶等の非単結晶半導体薄膜を形成してエネルギーを加えて結晶化する際に、不規則な核発生を抑制し、かつ、結晶成長し易い方位を有する結晶粒を制御して成長し、大略結晶方位の揃った大面積の結晶性半導体膜を得る。 - 特許庁

This nitride semiconductor structure has: a first substrate having a growth surface which consists of the same material and in which a protruded portion and a recessed portion 114 are formed on the growth surface; and a first nitride semiconductor film which is grown on at least the convex portion of the growth surface.例文帳に追加

しかし、ＳｉＯ_2層を用いたマスクパターンは熱的損傷を受けやすく、熱的損傷を受けたマスクパターンの構成要素であるＳｉまたはＯ_2は窒化物半導体膜に悪影響をもたらし、そのため作製された窒化物半導体発光素子は、発光効率の低下と個々の発光素子の発光効率のばらつきによる製品の信頼性低下を招くと共に、窒化物半導体発光素子生産の歩留まりを低下させるという問題があった。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor epitaxial wafer is such that a protection film for dopant vaporization prevention is formed on at least of a back surface of the semiconductor wafer; a first polysilicon film is formed so as to cover the protection film for dopant vaporization prevention then the semiconductor wafer is placed in a reactor; and gas for epitaxial growth is introduced to the reactor to form the epitaxial film on the surface of the semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体エピタキシャルウエーハの製造方法であって、少なくとも、半導体ウエーハの裏面側にドーパント揮散防止用保護膜を形成し、その後該ドーパント揮散防止用保護膜全体を覆うように第１ポリシリコン膜を形成した後、前記半導体ウエーハを反応炉内に配置し、該反応炉内にエピタキシャル成長用ガスを導入することによって前記半導体ウエーハの表面側にエピタキシャル膜を形成することを特徴とする半導体エピタキシャルウエーハの製造方法。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of preventing a film thickness detecting function from being damaged even when the width of an initial insulating film is narrowed and an occupancy area ratio is lowered while sectioning unit cells by the initial insulating film, shortening the epitaxial growth time, shortening the polishing time, and increasing film thickness accuracy after polishing.例文帳に追加

ユニットセル間を初期絶縁膜で区分しながら、初期絶縁膜の幅を狭くして占有面積比率を低くしても、膜厚検知機能を損なうことなく、かつエピタキシャル成長時間の短縮とその研磨時間を短縮し、かつ研磨後の膜厚精度を高くできる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The method for selectively forming an epitaxial thin film on a semiconductor substrate by controlling the flowrate of a gas raw material supplied to a film-formed atmosphere has a process for obtaining the relationship between the growth speed of the epitaxial thin film and the flowrate of the gas raw material by changing the flowrate of the gas raw material that is supplied to the film-formed atmosphere under specific temperature conditions.例文帳に追加

成膜雰囲気に供給するガス原料の流量を制御して、半導体基板上に選択的にエピタキシャル薄膜を形成する方法は、所定の温度条件下で、成膜雰囲気に供給するガス原料の流量を変化させることによって、エピタキシャル薄膜の成長速度とガス原料の流量との関係を求める工程を備える。 - 特許庁

A region, on a substrate 11 of this semiconductor device 10, excluding a region corresponding to a channel region 32 is used as a seed crystal region, and a single-crystal film acting as a gate is crystal-grown on the substrate 11 in a form bypassing the channel region 32 by selective epitaxial growth or solid-phase epitaxial growth.例文帳に追加

半導体装置１０の基板１１上の、チャネル領域３２に対応する領域を除いた領域を種結晶領域として用い、チャネル領域３２を迂回する形で、基板１１上に選択エピタキシャル成長又は固相エピタキシャル成長によってゲートとなる単結晶膜を結晶成長させる。 - 特許庁

A manufacturing method for a semiconductor device is provided with the process of forming the amorphous silicon on a gate insulating film, the process of introducing acceptor impurities to be the acceptors and crystal growth suppression impurities suppressing the growth of the crystal to the amorphous silicon and the process of crystallizing the amorphous silicon and forming p-type polycrystalline silicon.例文帳に追加

前記ゲート絶縁膜上にアモルファスシリコンを形成する工程と、前記アモルファスシリコンに、アクセプタとなるアクセプタ化不純物と、結晶粒の成長を抑制する結晶成長抑制不純物を導入する工程と、前記アモルファスシリコンを結晶化させ、前記ｐ型多結晶シリコンを形成する工程とを含む。 - 特許庁

The substrate used for crystal growth of the nitride-based compound semiconductor is characterized by having an infrared absorption layer 2, e.g. a carbon film on a surface of a substrate 1 for crystal formation, e.g. an Si(111) substrate on the opposite side to a side where crystal growth is made.例文帳に追加

窒化物系化合物半導体の結晶成長に用いる基板であって、Ｓｉ（１１１）基板を例とする結晶形成用基板１の、結晶成長が起こる側とは反対側の面に、炭素膜を例とする赤外線吸収層２を有することを特徴とする窒化物系化合物半導体の結晶成長に用いる基板を構成する。 - 特許庁

The polarization control light emitting element includes a sub-mount 1 having different coefficients of thermal expansion depending on a direction in a plane, a semiconductor laminated film 3 including a light emitting layer 32 a growth principal surface of which is a polarity plane, and a metal multilayer adhesive layer 2 including at least a solder layer 21 bonding the semiconductor laminated film 3 onto the sub-mount 1.例文帳に追加

偏光制御発光素子は、面内の方向によって熱膨張率が異なるサブマウント１と、成長主面が極性面である発光層３２を含む半導体積層膜３と、半導体積層膜３をサブマウント１上に接合する、少なくとも半田層２１を含む金属多層接着層２と、を有する。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor epitaxial crystal substrate comprises steps for forming a nitride gallium semiconductor crystal layer composed of a buffer layer 2, a channel layer 3 and an electron supply layer 4 on a base substrate 1 by an epitaxial method, laminating AlN continuously in an epitaxial growth furnace on the electron supply layer 4 as a precursor of a dielectric film, and then performing oxidation treatment to the laminated precursor to form a dielectric film 5.例文帳に追加

下地基板１上にエピタキシャル法によって、バッファ層２、チャネル層３、及び電子供給層４から成る窒化ガリウム半導体結晶層を形成した後、エピタキシャル成長炉内で連続してＡｌＮを電子供給層４上に誘電体膜の前駆体として積層し、しかる後、積層した前駆体に対して酸化処理を施すことによって誘電体膜５を形成する。 - 特許庁

Over the entire topside of the semiconductor substrate, an amorphous silicon film containing conductive type impurities is deposited, an elevated source/drain diffusion layer is formed by solid-phase epitaxial growth of the amorphous silicon film, through succeeding to the crystal orientation of the semiconductor substrate, and a pMOS transistor and an nMOS transistor are formed by using this diffusion layer.例文帳に追加

半導体基板の上面全体に、導電型不純物を含むアモルファスシリコン膜を堆積し、半導体基板の結晶方位を受け継ぎながらアモルファスシリコン膜を固相エピタキシャル成長させてエレベーテッド・ソース／ドレイン拡散層を形成し、この拡散層を用いてpMOSトランジスタとnMOSトランジスタを形成する。 - 特許庁

On a semiconductor substrate 1, an n-type silicon layer 2a is formed by an epitaxial growth, and a CoSi2 layer 6 and a silicon oxide film 7 are formed additionally.例文帳に追加

半導体基板１上にｎ型シリコン層２ａをエピタキシャル成長により形成し、さらに、ＣｏＳｉ_2層６および酸化シリコン膜７を形成した後、シリコン層２ａの中央部に開口部８を形成し、開口部８内にタングステン膜等を埋め込むことによりゲート電極１０ａを形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an electronic device using a group III nitride compound semiconductor by using an appropriate index for highly purifying an epitaxial film grown under a varying growth condition in an organic metal vapor phase epitaxy furnace.例文帳に追加

有機金属気相成長炉において変動する成長条件の下で成長されるエピタキシャル膜の高純度化のための適切な指標を用いて、III族窒化物系化合物半導体を用いる電子デバイスを作製する方法を提供する。 - 特許庁

To obtain crystallization equipment capable of forming a crystallization semiconductor film having a large grain size by regulating light intensity distribution obtained by a line type phase shifter into a desired V-shape thereby enabling the lateral crystal growth of a long length from a crystal nucleus.例文帳に追加

ライン型位相シフターにより得られる光強度分布を所望のＶ字状形態に調整することにより、結晶核からの十分な長さのラテラル方向の結晶成長を実現して大粒径の結晶化半導体膜を生成することのできる結晶化装置。 - 特許庁

A GaN layer is formed on a sapphire substrate, an SiO2 film is formed on the GaN layer, and then a GaN semiconductor layer 18 that includes an MQW light emitting layer 8 is grown on the GaN layer and the SiO2 layer through a lateral growth technique.例文帳に追加

サファイア基板上にＧａＮ層を成長させ、ＧａＮ層上にＳｉＯ_2膜を形成した後、横方向成長技術を用いてＧａＮ層上およびＳｉＯ_2膜上にＭＱＷ発光層８を含むＧａＮ系半導体層１８を成長させる。 - 特許庁

To provide a vapor growth device for improving copper wiring surface treatment before forming a copper diffusion prevention insulating film by a mixed gas soak of a silane and ammonia, and also to provide a method for manufacturing a semiconductor device having copper wiring where a surface state is excellent with less resistance.例文帳に追加

シランとアンモニアの混合ガスソークによる銅拡散防止絶縁膜形成前の銅配線表面処理を改善できる気相成長装置、および表面状態がよく、抵抗が低い銅配線を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

By so doing, it is possible to prevent the increase of the thickness of the nitride semiconductor layer 18 near the insulating film 16 by the diffusion of raw materials, while preventing abnormal growth generated in the high-dislocation region 12 from propagating to the low-dislocation region 10.例文帳に追加

これにより、高転位領域１２上で発生した異常成長が低転位領域１０に伝播するのを防ぎつつ、原料拡散により絶縁膜１６の近傍で窒化物半導体層１８の厚みが増大するのを防ぐことができる。 - 特許庁

Subsequently, second heat treatment is applied in the reducing gas atmosphere at a temperature higher than that in the preheat treatment and that does not cause an adverse effect to the impurity concentration distribution of the other element on the semiconductor substrate 1, and an oxide film on the hetero epitaxial growth surface is removed by a reduction reaction.例文帳に追加

続いて、還元性ガス雰囲気中において上記プレ加熱処理よりも高温で、かつ、半導体基板１の他の素子の不純物濃度分布に悪影響を与えない温度で第２加熱処理を施して、上記異種結晶成長面上の酸化膜を還元反応によって除去する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a support substrate, a bulk element region having a first element formed in a bulk growth layer on the substrate, an SOI element region having an element formed in a silicon layer on an embedding insulating film on the substrate, and a boundary layer disposed in the boundary of these regions.例文帳に追加

半導体装置は、支持基板と、支持基板上のバルク成長層に第１の素子が形成されるバルク素子領域と、支持基板上の埋め込み絶縁膜上のシリコン層に素子が形成されるＳＯＩ素子領域と、これら領域の境界に位置する境界層を有する。 - 特許庁

To improve utilization efficiency deposition gases, particularly a gaseous starting material at formation of a thin film on a semiconductor substrate by vapor phase growth, and in addition, to reduce the clogging of an exhaust pipe with an unreacted gaseous starting material by improving the utilization efficiency of the gaseous starting material.例文帳に追加

半導体基板上に薄膜を気相成長させるにあたり、成膜用ガス、特に、原料ガスの利用効率を向上させることを目的とし、さらに、原料ガスの利用効率向上により、未反応原料ガスによる排気管のつまりを減少させることを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which extends the life of a peeling phenomenon by suppressing the growth of an oxide film of a member in a region for processing a substrate and improve productivity by extending the frequency of maintenance, and provide a heat treatment apparatus and a member for heat treatment.例文帳に追加

基板を処理する領域内の部材の酸化膜成長を抑制することで剥離現象を延命させ、メンテナンス頻度を延ばし生産性を向上させることができる半導体装置の製造方法、熱処理装置、及び熱処理用部材を提供する。 - 特許庁

A nitriding treatment is conducted on the surface of a drift layer 10 in a gas atmosphere containing NO or N_2O in a semiconductor device body 20, and the gate insulating film 5 is deposited on the surface of the drift layer 10 by a chemical or physical vapor-growth method.例文帳に追加

半導体装置本体２０に、ＮＯもしくはＮ_2Ｏを含んだガス雰囲気でドリフト層１０表面に窒化処理を行った後、化学的もしくは物理的気相成長法によって、ドリフト層１０表面にゲート絶縁膜５を堆積する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a super junction MOS semiconductor device by which leakage current is reduced by preventing occurrence of crystal defects caused by a mask oxide film during epitaxial growth to a trench, and the variance of breakdown voltage distribution is decreased by enhancing the polishing precision of an over epitaxial layer on an SJ structure.例文帳に追加

マスク酸化膜に起因する、トレンチへのエピタキシャル成長時の結晶欠陥の発生を防いで漏れ電流を小さくし、ＳＪ構造上のオーバーエピ層の研磨精度を高めて耐圧分布のバラツキを小さくすることのできる超接合ＭＯＳ型半導体装置の製造方法とすること。 - 特許庁

Finally, a heat is transmitted to the semiconductor thin film 105 from the heated optical absorption layer 103 and the internal area 109 is melted, and then second lateral growth progresses using the polycrystal grains L1 as nucleus from the boundary toward the inside, and further expanded polycrystal grains L2 are generated in the internal area 109.例文帳に追加

最後に加熱された光吸収層１０３から半導体薄膜１０５に熱が伝わり内部領域１０９を溶融した後、境界から内側に向かって多結晶粒Ｌ１を核として第２ラテラル成長が進行し、内部領域１０９に一層拡大した多結晶粒Ｌ２が生成する。 - 特許庁

The semiconductor is constituted so that a 1 μm or more-thick β-SiC single crystalline thin film 5 is formed on an Si single crystalline substrate 2 by interposing a 3 to 20 nm-thick first SiC layer 3 containing amorphous and a 10 to 50 nm-thick second SiC layer 4 consisting of a number of β-SiC growth nucleuses one by one.例文帳に追加

Ｓｉ単結晶基板２上にアモルファスを含む厚さ３〜２０ｎｍの第１ＳｉＣ層３及び多数のβ−ＳｉＣ成長核からなる厚さ１０〜５０ｎｍの第２ＳｉＣ層４を順に介在して厚さ１μｍ以上のβ−ＳｉＣ単結晶薄膜５が形成されている。 - 特許庁

After a coating film containing boron and phosphorus is formed on an internal wall of the vapor phase growth furnace by passing a gas containing boron and phosphorus and a carrier gas accompanied by the gas through the furnace, the boron phosphide-based semiconductor layer is vapor- phase grown on the single-crystal silicon substrate.例文帳に追加

硼素とリンとを含む気体と、それを随伴する搬送用気体とを、気相成長炉内に流通させて、気相成長炉の内壁に、硼素とリンとを含んでなる被膜を形成した後、珪素単結晶基板上にリン化硼素系半導体層を気相成長させる。 - 特許庁

In a light modulator integrated semiconductor laser in which an optical waveguide 3 is formed collectively by selective growth, a transition area 9 of the optical waveguide 3 in which a band gap and film thickness vary in a tapered manner is formed at boundary between a laser part 10 and a modulator part 11.例文帳に追加

選択成長により一括して光導波路３を形成する光変調器集積半導体レーザにおいて、レーザ部１０と変調器部１１の境界に、バンドギャップ及び膜厚がテーパー状に変化する光導波路３の遷移領域９を形成する。 - 特許庁

A p-type MOS transistor 21 is formed to provide, as a channel region 21c, a region including a plane (111) as the facet plane where hole mobility is larger as the carrier mobility than the plane (100) as the principal plane of the semiconductor substrate 11 in an epitaxial growth film layer 112.例文帳に追加

エピタキシャル成膜層１１２において半導体基板１１の主面である（１００）面よりも、キャリア移動度として正孔移動度が大きいファセット面である（１１１）面を含む領域が、チャネル領域２１ｃになるように、ｐ型ＭＯＳトランジスタ２１を形成する。 - 特許庁

In the SiC single crystal base material that the semiconductor film is synthesized in the gaseous phase, and epitaxial growth is performed on the surface of the same, the P-V of irregularities having a wavelength of 200 nm or less present on the surface is set at 2 nm or less.例文帳に追加

表面に、半導体膜が気相から合成されてエピタキシャル成長させられていくＳｉＣ単結晶基材において、表面に存在している２００ｎｍ以下の波長を有する凹凸のＰ−Ｖを２ｎｍ以下に設定する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser that can be manufactured by a step including one-time crystal growth, and has an inexpensive structure to constrict current as well as to shut out light by a dielectric film and can reduce the concentration of stress in a ridge part during assembly to improve mass- productivity.例文帳に追加

一回の結晶成長を含む工程で製造可能で、誘電体膜により電流狭窄と光の閉じ込めを行う低コストな構造を有し、しかも組立時のリッジ部への応力集中を低減して量産性を高めた半導体レーザを提供する。 - 特許庁

A p-type GaAs contact layer 9 of 20 μm or more is grown by the temperature difference liquid phase epitaxial growth (LPE) method at a Ga solution temperature stationarily higher than the substrate vicinity temperature on a semiconductor multilayer film, having an active layer 5 sandwiched between a pair of clad layers 4, 6.例文帳に追加

一対のクラッド層４、６で活性層５を挟んだ半導体多層膜上に、基板温度を一定温度とし、かつ、Ｇａ溶液の温度を基板近傍温度よりも定常的に高くした温度差ＬＰＥ法により厚さ２０μｍ以上のｐ型ＧａＡｓコンタクト層９を成長させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for lengthening a crystal growth length by reducing the generation of microcrystals at the center of a laser irradiating region so as to further obtain a polycrystalline silicon film having a large grain size by utilizing a sequential lateral solidification method, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

ＳＬＳ法を利用してさらに大粒径の多結晶シリコン膜を得るため、レーザ照射領域中央部における微結晶の発生を軽減し、結晶成長長さを長くするための半導体デバイスおよびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To solve the problem that a transistor varies in element characteristics resulting from unevenness in film thickness, patterning precision, etc., of a semiconductor film and a gate insulating film laminated in a manufacturing stage, and a polysilicon transistor further has variance in crystallinity depending upon a crystal growth direction, a defect at a crystal gain boundary, etc.例文帳に追加

トランジスタは、製造過程における積層された半導体膜やゲート絶縁膜の膜厚の不均一性や膜のパターニング精度等に起因して素子特性がばらつき、ポリシリコントランジスタの場合は加えて、結晶成長方向や結晶粒界における欠陥等により結晶性がばらついてしまう。 - 特許庁

The method for manufacturing the ferroelectric thin film two-dimensional photonic crystal constitutes mold by a substrate consisting of an oxide monocrystal and a two-dimensional periodical structure consisting of amorphous oxide or a semiconductor, forms an amorphous film by a chemical gas phase growth method at a lower temperature than a crystallization temperature, and forms a ferroelectric thin film having epitaxial crystallinity.例文帳に追加

酸化物単結晶からなる基板と非晶質酸化物または半導体からなる二次元周期構造部によってモールドを構成し、このモールド上に結晶化温度より低い温度で化学的気相成長法でアモルファス膜を形成し、このアモルファス膜を結晶化温度以上に加熱させることによって、エピタキシャル結晶性を有する強誘電体薄膜を形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device includes a step of melt recrystallizing a semiconductor layer 32 of a thickness formed on a substrate 30 in a lateral growth by emitting an energy beam to the layer 32, and a step of forming an insulating oxide film 33 on the layer 32 by oxidizing the layer 32 at a high pressure and thinning the layer 32.例文帳に追加

基板３０上に形成した厚膜の半導体層３２にエネルギービームを照射し、横方向成長を伴う熔融再結晶化をさせる工程と、当該半導体層３２を高圧力下において酸化することにより、当該半導体層３２上に絶縁酸化膜３３を形成するとともに、半導体層３２を薄膜化させる工程とを有する。 - 特許庁

To provide a vapor-phase growth apparatus that is capable of forming films stably for a long time without giving negative influences on a quality of a semiconductor film even in performing a vapor-phase growing reaction employing a furiously corrosive gas with an elevated temperature for a gallium nitride compound semiconductor or the like so that breaking of wire, etc. of a heater is inhibited.例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体のような高温で腐食性の高いガスを用いた気相成長反応を行なう場合であっても、半導体膜の品質に悪影響を与えることなく、ヒータの断線等を抑制することができ、長期間にわたり安定した成膜が可能な気相成長装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of suppressing the excess growth of the metal silicide of the peripheral part of an element isolating film to a bump-like state when the metal silicide is formed by a salicide technology, and reducing a leakage current in a connecting interface of a diffused layer generated by the excess metal silicide and to provide the semiconductor device.例文帳に追加

サリサイド技術により金属シリサイドを形成する際に素子分離膜の周辺部分の金属シリサイドが瘤状に過剰成長するのを抑制することができ、過剰な金属シリサイドにより発生する拡散層の接合界面におけるリーク電流を低減することができる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method capable of manufacturing a high-quality gallium nitride semiconductor substrate while suppressing crystal degradation caused by the reaction of Ga and Si and suppressing occurrence of cracking caused by the difference in thermal expansion coefficients of GaN and Si in the process of forming a thick film gallium nitride semiconductor layer on a Si(111) face by using a vapor phase growth method.例文帳に追加

Ｓｉ（１１１）面上に気相成長法を利用して、厚膜の窒化ガリウム系半導体層を形成する際、ＧａとＳｉに因る反応に起因する結晶劣化、ＧａＮとＳｉの熱膨張係数差に起因するクラッキング発生を抑制し、良質な窒化ガリウム系半導体基板の作製を可能とする作製方法の提供。 - 特許庁

To provide an improved tool for removing a metal film, which is used when solving resist and at the same time removing an unnecessary metal film with immersing in an organic solvent a metal-film-deposited semiconductor wafer substrate which has been obtained by applying resist onto a semiconductor substrate produced by metal-organic vapor-phase growth, subsequently patterning the same, and then depositing the metal film thereon by vacuum deposition.例文帳に追加

有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ法）により作製した半導体基板上へレジスト塗布、パターニング処理、真空蒸着法による金属薄膜の堆積形成を順次することにより金属薄膜堆積形成半導体基板とした後、その金属薄膜堆積形成半導体ウエハ基板を有機溶剤中へ浸漬処理してレジストの溶解処理と不要金属薄膜の除去処理とを同時に行うときに用いる新規な金属薄膜剥離用治具を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for producing a Ga-containing nitride semiconductor with high productivity in which, by preventing the accompanying adhesion of a Ga-containing nitride to portions other than a substrate in a growth chamber of a vapor phase deposition apparatus, particularly the accompanying adhesion of the Ga-containing nitride when thick film formation is desired, various problems due to the adhesion is solved, without inhibiting the growth of the Ga-containing nitride semiconductor onto the substrate.例文帳に追加

気相成長装置の成長室内の基板以外の部分へのＧａ含有窒化物の随伴的な付着、特に厚膜形成を行いたい場合の当該Ｇａ含有窒化物の随伴的な付着を防止することにより当該付着による様々な問題を解消し、且つ基板上へのＧａ含有窒化物半導体の成長が阻害されることなく、生産性が高いＧａ含有窒化物半導体の製造方法を提供する。 - 特許庁