「semiconductor film growth」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

In a method for manufacturing a semiconductor device provided with a capacitor comprising a dielectric film, a process for forming the dielectric film comprises a process for forming a silicon oxide film by a chemical growth method using a mixture gas comprising alkoxysilane gas and at least nitrogen.例文帳に追加

誘電体膜を有するキャパシタを備えた半導体装置の製造方法において、前記誘電体膜を形成する工程は、アルコキシシランガスと少なくとも窒素を含むガスとを含む混合ガスを用いた化学成長法によりシリコン酸化膜を形成する工程を備える。 - 特許庁

To provide a nitride thin-film depositing apparatus that performs the crystal growth of a group III-V semiconductor thin film using a nitriding source at normal pressure which is made uniform in film thickness while the flow rate of a gas is maintained.例文帳に追加

常圧下で窒化源を用いたＩＩＩ−Ｖ族半導体薄膜の結晶成長を行う窒化物薄膜成膜装置において、ガスの流量を維持しつつ、成膜されるシリコン窒化膜の膜厚を均一にすることができる窒化物薄膜成膜装置を提供する - 特許庁

To provide a thin film transistor that improves driving characteristics and reliability, a method for manufacturing the thin film transistor, and a display device including the thin film transistor by forming a semiconductor layer located over a metal pattern such as a gate electrode or a light shielding member by using polycrystalline silicon that does not include incomplete crystal growth region.例文帳に追加

不完全結晶成長領域を含まない多結晶シリコンでゲート電極または遮光部材のような金属パターン上に位置する半導体層を形成することにより、駆動特性及び信頼性を向上させる薄膜トランジスタ、その製造方法、及びこれを含む表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor light-emitting device preventing a semiconductor film from being damaged in peeling a substrate for growth by using a laser lift-off method and preventing adhesion of a foreign material to the semiconductor film with ablation of a resin material in a resin-embedded type semiconductor light-emitting device.例文帳に追加

樹脂埋め込み型の半導体発光装置において、レーザリフトオフ法を用いて成長用基板を剥離する際の半導体膜へのダメージを防止し、更に樹脂材料のアブレーションに伴う半導体膜への異物の付着を防止することができる半導体発光装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor laser device which can prevent the aggravation of solder wettability in the die bond of a semiconductor laser device and can prevent the degradation of properties of the semiconductor device by removing a dielectric film on the electrode of the epitaxial growth surface side after performing dielectric film deposition to the light emission end face of the semiconductor laser device.例文帳に追加

半導体レーザバーの光出射端面への誘電体膜成膜を行った後、エピタキシャル成長面側の電極上の誘電体膜を除去することにより、半導体レーザ素子のダイボンドでのはんだ濡れ性悪化を防止し、半導体レーザ素子の特性の悪化を防止できる半導体レーザ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an epitaxial growth apparatus which forms uniformly an epitaxial film on a semiconductor wafer by eliminating the unevenness of the radiating heats generated from its halogen lamps.例文帳に追加

ハロゲンランプによる輻射熱の不均一を無くし、半導体ウェーハにエピタキシャル膜を均一に成膜するエピタキシャル成長装置を提供する。 - 特許庁

The first buffer layer is formed by growing the GaN-based nitride semiconductor film while doping silicon at a lower temperature than the single-crystal growth temperature.例文帳に追加

前記第１のバッファ層は、単結晶成長温度よりも低い温度でシリコンをドープしつつＧａＮ系窒化物半導体膜を成長させることにより形成される。 - 特許庁

To provide a film multilayer structure in which a polarization is increased by an epitaxial growth while imparting a consistency on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上に整合性を持たせながらエピタキシャル成長させることで、分極を大きくした膜多層構造体を提供することを課題とする。 - 特許庁

A source electrode 45 and a drain electrode 46 in a transistor 26 formed in the source driver 22 are arranged along the growth direction D1 of the crystal in the semiconductor film 41.例文帳に追加

ソースドライバ２２内に形成されているトランジスタ２６では、半導体膜４１内の結晶の成長方向Ｄ１に沿って、ソース電極４５およびドレイン電極４６が配置されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor manufacturing apparatus that can improve manufacturing yield by removing a film adhered to a susceptor during an SiC epitaxial growth process.例文帳に追加

ＳｉＣエピタキシャル成長過程でサセプタに付着した膜を除去し、製造歩留まりを向上させることのできる半導体製造装置を提供する。 - 特許庁

These are provided with a crystal growth substrate, at least the surface region of which includes an Al-containing group-III nitride semiconductor, and a scandium nitride film formed on top of the surface region.例文帳に追加

少なくとも表面部分がAlを含むIII族窒化物半導体からなる結晶成長基板と、前記表面部分上に形成されたスカンジウム窒化物膜とを具えることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a growing method for reducing an inversion density without using a mask material and obtaining a high quality epitaxial film, in epitaxial growth of a GaN compound semiconductor crystal.例文帳に追加

ＧａＮ系化合物半導体結晶のエピタキシャル成長において、マスク材料を用いること無しに転位密度を低減させ、高品質なエピタキシャル膜を得るための成長方法を提供すること。 - 特許庁

To grow a semiconductor thin film at a high yield by controlling a gaseous material supplied to each reactor of an organic metal vapor growth apparatus provided with a plurality of reactors.例文帳に追加

複数台のリアクター備えた有機金属気相成長装置の各リアクターに供給する材料ガスを制御し、高歩留まりで半導体薄膜を成長する。 - 特許庁

To provide a semiconductor crystal wafer having an in-plane temperature distribution during epitaxial growth uniform to the outer periphery of the wafer and capable of obtaining a highly uniform epitaxial crystal film for carrier concentrations and mixed crystal ratios.例文帳に追加

エピタキシャル成長時の面内温度分布がウェハ外周部まで均一であり、キャリア濃度や混晶比について均一性の高いエピタキシャル結晶膜を得ることのできる半導体結晶ウェハを提供することにある。 - 特許庁

To provide a processing method of a susceptor capable of removing a film adhered to the susceptor during SiC epitaxial growth process, and to provide a processing method of a semiconductor manufacturing apparatus.例文帳に追加

ＳｉＣエピタキシャル成長過程でサセプタに付着した膜を除去することのできるサセプタ処理方法および半導体製造装置の処理方法を提供する。 - 特許庁

These are provided with a crystal growth substrate, at least the surface region of which includes an Al-containing group-III nitride semiconductor, and a scandium nitride film formed by nitrogen treatment of Sc (scandium) formed on top of the surface region.例文帳に追加

少なくとも表面部分がAlを含むIII族窒化物半導体からなる結晶成長基板と、前記表面部分上に形成されたSc(スカンジウム)を窒化処理したスカンジウム窒化物膜を具えることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor substrate on which an epitaxial crystal film uniform in a crystal mixing ratio or carrier concentration can be grown by controlling the in-plane temperature distribution to be uniform during epitaxial growth.例文帳に追加

エピタキシャル成長時の面内温度分布を均一にして、混晶比やキャリア濃度において均一なエピタキシャル結晶膜を成長させることができる窒化物半導体基板を提供する。 - 特許庁

A vapor phase growth apparatus 100 for vapor-growing the thin film on the principal surface of the semiconductor substrate comprises a susceptor 2 in a cold wall type reactor 1.例文帳に追加

半導体基板の主表面に薄膜を気相成長させる気相成長装置１００は、コールドウォール型の反応炉１の中にサセプタ２を備えている。 - 特許庁

Since the semiconductor layer itself is oxidized to make a selection growth mask, no insulation film as a mask is needed, preventing influence of auto- doping as much as possible.例文帳に追加

半導体層自身を酸化させて選択成長マスクとするため、絶縁膜のマスクレスとなり、上記オートドーピングの影響を極力抑制することが可能になる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor optical element, capable of realizing a precise composition distribution and a film thickness distribution of a waveguide in each array of a micro-array waveguide manufactured by a selective growth.例文帳に追加

選択成長で作製されるマイクロアレイ導波路の各アレイ内導波路の精密な組成分布及び膜厚分布を実現することができる、半導体光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

In a substrate structure, a semiconductor crystal film 7 produced in selective growth from a slanted face 3 is formed on a substrate with a reference face and at least on or more faces 3 slanted from the reference face.例文帳に追加

基板構造は、基準面と基準面から傾いた面３を少なくとも１つ以上有する基板上に、傾いた面３から選択的に成長が発生して形成された半導体結晶膜７を有する。 - 特許庁

Then, a street groove extending along an element separation line to reach the metal base is formed on the surface of the semiconductor film exhibited by peeling the growth substrate.例文帳に追加

次に成長用基板を剥離することによって表出した半導体膜の表面に、素子分割ラインに沿って金属支持体に達するストリート溝を形成する。 - 特許庁

A thin film deposited on the substrate is at least partially discontinuous inside the groove 6 thereby inhibiting growth of delamination at the groove part even when the delamination starts from an edge part of the semiconductor device.例文帳に追加

その溝の内部では基板上に成膜される薄膜が少なくとも１部で不連続となることにより、万一、半導体装置の端部から膜剥がれが発生したとしても、この溝部でその進行を阻止する。 - 特許庁

After the end of growth, the solid-solution semiconductor laser material is taken out after the temperature of each part drops to the room temperature, and by purging the inside of a vacuum tank with adequate gas such as nitrogen, an appropriately formed thin film is manufactured.例文帳に追加

成長終了後、固溶半導体レーザ材料の取り出しは、各部の温度が室温まで降下した後、真空槽内を適当なガス、例えば、窒素によりパージすることにより適当な形状の薄膜を製造する。 - 特許庁

To provide a vapor-phase growth device that effectively raises temperatures of both a substrate and a gaseous starting material, is further reducible in power consumption, and forms a semiconductor film of more uniform and higher quality.例文帳に追加

基板と原料ガスとの双方の温度を効果的に上げることができ、消費電力を更に低減できるとともに、より均一で高品質な半導体膜を形成できる気相成長装置を提供する。 - 特許庁

The nitrogen compound semiconductor comprising Al is stable in scientific manner at a high temperature while easy to cause lateral growth compared to GaN, and a dislocation is further reduced to provide a flat-surface film 108.例文帳に追加

Ａｌを含む窒素化合物半導体は高温で科学的に安定であり、ＧａＮに比べて横方向成長が起こり易く、転位をより低減して平坦な表面の膜１０８が得られる。 - 特許庁

To provide a method for obtaining an aluminum nitride crystal suitable as a material for a substrate for epitaxial growth of an AlGaN mixed-crystal semiconductor thin film useful as a light-emitting device in the short-wavelength region.例文帳に追加

短波長領域での発光素子として有用なＡｌＧａＮ系混晶半導体薄膜のエピタキシャル成長用基板材料に適した窒化アルミニウム結晶を得る方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of producing a semiconductor substrate by filling a trench with an epitaxial film in which the blocking of the trench opening is minimized while enhancing the growth rate.例文帳に追加

トレンチをエピタキシャル膜にて埋め込んで半導体基板を製造する上においてトレンチ開口部の塞がりの抑制と成長速度の向上の両立を図ることができる半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a vapor phase growth device in which material gas can be uniformly supplied to the surface of a substrate and a uniform semiconductor thin film can be allowed to grow on the surface of the substrate.例文帳に追加

原料ガスを均質に基板面に供給することができ、基板面に均一な半導体薄膜を成長させることができる気相成長装置を提供する。 - 特許庁

To prevent surface roughening of an epitaxial film in a method for fabricating a silicon carbide semiconductor device in which selective epitaxial growth is conducted on a silicon carbide substrate of (11-20) face.例文帳に追加

（１１−２０）面の炭化珪素基板に選択エピタキシャル成長を行う炭化珪素半導体装置の製造方法において、エピタキシャル膜の面荒れを防止する。 - 特許庁

To provide a crystallization apparatus which can form a crystal nucleus at a desired position and can realize sufficient lateral growth of the crystal nucleus to form a crystallized semiconductor film having a large grain size.例文帳に追加

所望の位置に結晶核を発生させることができるとともに、結晶核からの十分なラテラル成長を実現して大粒径の結晶化半導体膜を生成することのできる結晶化装置。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor laminated structure further improved in crystallinity by combining an AlN crystalline film seed layer having high-level crystallinity with a selective/lateral growth.例文帳に追加

本発明によれば、高度の結晶性を有するAlN結晶膜シード層と選択・横方向成長を組み合わせることにより、一層結晶性が向上したＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体を得ることができる。 - 特許庁

In a process S111, after the high resistance silicon substrate is set in the growth furnace in the process S109, a group III nitride semiconductor film is grown on the Si substrate using the coated tool.例文帳に追加

工程Ｓ１０９で成長炉に高抵抗シリコン基板を設置した後に、工程Ｓ１１１では、コーティングを形成した治具を用いてＳｉ基板上にIII族窒化物系半導体膜を成長する。 - 特許庁

To provide a method of growing a compound semiconductor layer having a uniform composition and a uniform thickness to an epitaxial film by heating a substrate at a uniform temperature, and to provide a growth device.例文帳に追加

基板を均一な温度に加熱することにより均一な組成と厚さの化合物半導体層をエピタキシャル膜を成長させる方法及び装置を得ることにある。 - 特許庁

To prevent the epitaxial growth of an n-type polycrystalline silicon film connecting the storage node electrode of a trench capacitor to the n-type source/drain diffusion layer of an MOS (metal oxide semiconductor) transistor.例文帳に追加

トレンチキャパシタのストレージノード電極とＭＯＳトランジスタのｎ型ソース／ドレイン拡散層とを接続するｎ型多結晶シリコン膜のエピタキシャル成長を防止すること。 - 特許庁

To provide a technique for substantially obtain a single crystal having a large grain size when a semiconductor film is melted and crystallized with a micropore serving as a starting point of crystal growth.例文帳に追加

微細孔を結晶成長の起点として半導体膜の溶融結晶化を行う場合において、結晶粒径の大きい略単結晶を得られる技術を提供する。 - 特許庁

A semiconductor film 3 having a constricted part 4 is formed on a substrate 1 on which a level difference 2 is formed, and crystal growth across the constricted part 4 and the level difference 2 is realized.例文帳に追加

段差２を形成した基板１上にくびれ部４を有する半導体膜３を形成し、くびれ部４および段差２と通過して結晶成長させる。 - 特許庁

The invention uses a semiconductor film, containing a previously added impurity element and adds a metal element for accelerating crystallization, thereby increasing or decreasing the growth density of crystal nuclei.例文帳に追加

本発明は、不純物元素をあらかじめ添加した半導体膜を用い、さらに結晶化を助長する金属元素を添加して結晶化を行なうことで、結晶核の生成密度を増加または減少させることが出来る。 - 特許庁

Use of crystal surfaces yet nonplanar in a GaN-based semiconductor film selective growth process for the irregular reflection of light improves light ejection efficiency.例文帳に追加

ＧａＮ系半導体薄膜の選択成長の過程において存在する、結晶の表面が平坦化していない非平面状の結晶面を利用して光を乱反射させることにより、光を外部に取り出す効率を向上させる。 - 特許庁

To efficiently conduct a film-depositing work such as epitaxial growth or a work such as thermal diffusion or thermal oxidation for a semiconductor substrate having a large size while saving electric power.例文帳に追加

大面積半導体基板に対してエピタキシャル成長等の成膜作業や熱拡散、熱酸化等の作業を省電力で効率よく行う。 - 特許庁

To provide a semiconductor element provided with a bulb-type recessed channel which can prevent growth and move of a void produced inside a ball pattern when a conductive film used as a gate electrode is formed, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

ゲート電極として用いられる導電膜を形成する際、ボールパターンの内部に発生するボイドの成長及び移動を阻止し得るバルブ型埋め込みチャネルを備えた半導体素子及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

A processing temperature required for this low-temperature solid phase epitaxial growth method is about 450°C-650°C, the thermal diffusion of the impurities into the semiconductor film 9 is suppressed, and an initial steep step profile can be maintained.例文帳に追加

この低温固相エピタキシャル成長法に要する処理温度は４５０℃〜６５０℃程度であり、半導体膜９内への不純物の熱拡散は抑えられ、初期の急峻なステッププロファイルが維持される。 - 特許庁

A silicon semiconductor thin film 2 with a thickness of 3,000 Åis formed on the surface of a sapphire transparent insulating board 1 by epitaxial growth.例文帳に追加

サファイア基板１の表面にシリコン薄膜を形成し、その表面を酸化することにより、シリコン薄膜２上にシリコン酸化膜３を形成する。 - 特許庁

To provide a wafer with a tapered edge of an improved manufacturing yield for film forming in a semiconductor manufacturing process, by chemical vapor deposition (CVD), impurity diffusion, annealing, epitaxial growth, or other processes.例文帳に追加

半導体製造工程に於いてウェーハに化学的気相成長（ＣＶＤ）、不純物拡散、アニール、エピタキシャル成長、その他の処理を成膜する場合、製造歩留まりを向上させるエッジがテーパー状のウェーハを提供する。 - 特許庁

To form homogenous crystal film by controlling the distribution of composition in the vapor growth method of compound semiconductor, containing In and As and also at lest either of Ga or Al.例文帳に追加

ＩｎおよびＡｓを含むとともにＧａあるいはＡｌの少なくとも一方を含む化合物半導体の気相成長方法において、組成分布を抑制して均質な結晶膜を形成させる。 - 特許庁