「semiconductor film growth」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method and an apparatus for manufacturing a semiconductor device which comprises a process of manufacturing a silicon nitride film, allows the maintenance frequency to be possibly lessened, and can suppress or prevent the growth of particles.例文帳に追加

メンテナンス頻度をなるべく小さくできると共にパーティクルの発生も抑制または防止できる窒化シリコン膜の製造工程を備える半導体装置の製造方法および半導体製造装置を提供する。 - 特許庁

To obtain crystallization equipment and a method in which a desired reverse peak light intensity distribution can be formed stably based on the deep depth of a focus, the filling rate of crystal grains formed on a semiconductor film can be raised, and epitaxial growth can be accomplished without generating ablation.例文帳に追加

深い焦点深度に基づいて所望の逆ピーク状の光強度分布を安定的に形成することができ且つ半導体膜上に形成される結晶粒の充填率を高めることのできる結晶化装置。 - 特許庁

To provide a support table that can uniform temperature distribution over an inner peripheral portion of a semiconductor wafer to a higher degree during deposition and that can inhibit growth of a film on a movable member.例文帳に追加

成膜時に半導体ウエハの内周部の温度分布をより均一化することができるとともに、可動部材上への膜の成長を防止することができる支持台を提供する。 - 特許庁

To grow a thin film of uniform composition by suppressing generation of surface defects, e.g. particles, in epitaxial growth of a compound semiconductor.例文帳に追加

化合物半導体の結晶成長において、パーティクル等の表面欠陥の発生を有効に抑制することができ、均一な組成の薄膜を成長させる。 - 特許庁

To provide a rotation/revolution type vapor phase growth apparatus which increases the area of a semiconductor thin film that is vapor phases grown at a time without increasing the size of, for example, a susceptor.例文帳に追加

サセプタなどを大型化することなく、一度に気相成長できる半導体薄膜の面積を多くできる自公転型の気相成長装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which comprises a process of manufacturing a silicon nitride film, allows the maintenance frequency to be possibly lessened, and can suppress or prevent the growth of particles.例文帳に追加

メンテナンス頻度をなるべく小さくできると共にパーティクルの発生も抑制または防止できる窒化シリコン膜の製造工程を備える半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that can suppress the fall of an on-current, an increase in junction leak, the variation of characteristics of a transistor caused by the abnormal growth of a metal silicide film, and so on, and to provide a method of manufacturing the device.例文帳に追加

オン電流の低下や接合リークの増加、金属シリサイド膜の異常成長によるトランジスタ特性の変動等を抑制することができる半導体装置及びその製造方法の提供。 - 特許庁

Moreover, the substrate 2 is heated by the heater 4 by using the vapor phase growing apparatus, and the first material gas and the second material gas are introduced into the reaction chamber 1 to subject the semiconductor film to vapor phase growth on the substrate 2.例文帳に追加

また、前記の気相成長装置を用いて、基板２をヒータ４で加熱し、第一の原料ガス及び第二の原料ガスを反応室１内に導入して、基板２に半導体膜を気相成長させる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a nitride semiconductor, which is capable of growing a GaN layer of film whose quality is equivalent to or higher than 2-stage growing method on a sapphire substrate and capable of obtaining also a high productive efficiency as well as growth stability.例文帳に追加

２段階成長法と同等以上の膜質のＧａＮ層をサファイア基板上に成長させることができると共に、高い生産効率及び成長安定性を得ることのできる窒化物半導体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a crystallizing device which generates a crystalline nucleus at a desired position to some extent and realizes sufficient lateral growth from the crystalline nucleus to produce a crystallized semiconductor film having a large grain size.例文帳に追加

ある程度所望の位置に結晶核を発生させることができるとともに、結晶核からの十分なラテラル成長を実現して大粒径の結晶化半導体膜を生成することのできる結晶化装置。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, capable of suppressing an abnormal growth of a metal on the surface of wirings, when an insulating film is deposited on the surface of the wirings.例文帳に追加

配線表面に絶縁膜を堆積する際に、配線表面で金属が異常成長するのを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a crystallization device that can generate a crystalline nucleus at an optional position and permit sufficient lateral growth from the crystalline nucleus to produce a crystallized semiconductor film with a large particle size.例文帳に追加

所望の位置に結晶核を発生させることができるとともに、結晶核からの十分なラテラル成長を実現して大粒径の結晶化半導体膜を生成することのできる結晶化装置。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device that manufactures a film having a good uniformity between batches in the concentration and the growth rate of a doped element.例文帳に追加

ドープされる元素の濃度と成長速度とのバッチ間均一性が良好な膜を作製することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

By using an organometallic vapor phase growth method, a crystalline thin-film solar cell by a compound semiconductor is formed directly on a cover glass, which is used to enhance the radiation resistance of the solar cell for space.例文帳に追加

化合物半導体による結晶性薄膜太陽電池を、宇宙用太陽電池の耐放射線性向上のために用いられるカバーガラス上に有機金属気相成長法により直接形成する。 - 特許庁

To suppress the maintenance work, or to enhance the safety in the work, in a process of detoxifying the exhaust gas generated in a manufacturing device for a semiconductor or a liquid crystal module such as a film growth device, etc.例文帳に追加

成膜装置等の半導体あるいは液晶モジュールの製造装置において発生する排ガスの除害工程において、メインテナンス作業を抑制し、あるいはその作業の安全性を向上させる。 - 特許庁

To provide a calibration method of a thermometer of a vapor phase growth device, whereby a film forming chamber is not required to be exposed to the atmosphere and calibration work becomes easy, and to provide a semiconductor substrate for temperature calibration.例文帳に追加

成膜室を大気中に暴露させる必要がなく、しかも校正作業が容易となる気相成長装置の温度計の校正方法及び温度校正用の半導体基板を提供する。 - 特許庁

To provide a catalytic chemical vapor phase epitaxial growth device capable of improving the coverage of a surface protective film to be formed, and a manufacturing method of a semiconductor device using it.例文帳に追加

成膜する表面保護膜のカバレッジを改善することができる触媒化学気相成長装置及びそれを用いた半導体装置の製造方法を得る。 - 特許庁

To suppress a decrease in yield due to sticking of peeled reaction products on an epitaxial growth film on a substrate during manufacture of a compound semiconductor using an organometallic vapor phase epitaxial method.例文帳に追加

有機金属気相成長法を用いた化合物半導体の製造において、剥がれた反応生成物が基板または基板上のエピ成長膜上に付着することに起因する歩留まりの低下を抑制する。 - 特許庁

After growth is terminated, the solid solution semiconductor light emitting material is taken out after the temperature of each part drops to the room temperature, and then the inside of a vacuum tank is purged with an appropriate gas, for example, nitrogen, to manufacture an thin film of an appropriate form.例文帳に追加

成長終了後、固溶半導体発光材料の取り出しは、各部の温度が室温まで降下した後、真空槽内を適当なガス、例えば、窒素によりパージすることにより適当な形状の薄膜を製造する。 - 特許庁

To form a thin film uniformly on the surface of a semiconductor wafer without being restricted by growth conditions by reducing the amount of reaction gas used, and to simplify the structure of a reaction chamber.例文帳に追加

反応ガスの使用量を低減して、半導体ウェーハの表面に成長条件の制約を受けることなく均一に薄膜を形成させると共に、反応室の構造を簡単にする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, suppressing the degradation of reliability due to diffusion of impurities to a gate insulating film from an epitaxial growth crystal used as a channel region, and to provide a manufacturing method for the device.例文帳に追加

チャネル領域として用いるエピタキシャル成長結晶からゲート絶縁膜への不純物拡散による信頼性の低下を抑えた半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

As a result, with respect to this epitaxial growth apparatus 10, the temperature of the whole surface of the susceptor can be so made uniform in a reaction chamber 2 as to be able to form on the surface of the mounted semiconductor wafer W an epitaxial film having a uniform thickness.例文帳に追加

この結果、このエピタキシャル装置１０では、反応室２内においてサセプタ温度を全面で均一化でき、搭載した半導体ウェーハＷの表面にエピタキシャル膜を均一の厚さに成膜することができる。 - 特許庁

The manufacturing method for the solar cell has a process in which the power generation layer 102 is formed on the first surface of the polycrystalline semiconductor substrate 101, a pattern by a growth preventive film 103 is formed on the surface of the layer 102, and a texture structure is formed by selectively growing a semiconductor layer 105 on the surface of the layer 102 in an epitaxial manner by a liquid-phase growth method.例文帳に追加

多結晶半導体基板１０１の第一の表面に発電層１０２を形成し、該発電層１０２表面上に成長阻止膜１０３によるパターンを形成し、該発電層１０２表面上に液相成長法にて半導体層１０５を選択的にエピタキシャル成長することによりテクスチャ構造を形成する工程を有する太陽電池の製造方法。 - 特許庁

This nitride semiconductor structure has a substrate having a growth surface made of the same material and having a projection portion and a recess portion formed thereon; and a nitride semiconductor film grown at least on the projection portion of the growth surface.例文帳に追加

しかし、ＳｉＯ_2層を用いたマスクパターンは熱的損傷を受けやすく、熱的損傷を受けたマスクパターンの構成要素であるＳｉまたはＯ_2は窒化物半導体膜に悪影響をもたらし、そのため作製された窒化物半導体発光素子は、発光効率の低下と個々の発光素子の発光効率のばらつきによる製品の信頼性低下を招くと共に、窒化物半導体発光素子生産の歩留まりを低下させるという問題があった。 - 特許庁

A method for producing the objective nitride semiconductor substrate comprises forming the seed crystal 2 of the nitride semiconductor on a substrate 1 different therefrom, forming a protective film 4, on the upper part of which the nitride semiconductor does not grow, and then growing a second nitride semiconductor layer 6 in a transverse direction from the edge face of a first nitride semiconductor layer 5 formed only by a transversely directional growth.例文帳に追加

窒化物半導体とは異なる異種基板１上に窒化物半導体のシード結晶２を形成し、その上部に窒化物半導体が成長しない保護膜４を形成し、横方向成長のみで形成された第１の窒化物半導体層５の端面から第２の窒化物半導体層６を横方向成長させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor manufacturing apparatus, the inside of a reaction container in that a semiconductor substrate to be formed is placed, is composed so that the change in plasma with time can be suppressed, and a method for manufacturing a semiconductor device using the semiconductor- manufacturing device, in a process for forming a fluorine-added silicon oxide film on a semiconductor substrate through the plasma vapor growth method.例文帳に追加

プラズマ気相成長法により半導体基板上に弗素添加酸化珪素膜を成膜する工程中において、成膜される半導体基板が載置された反応容器内部をプラズマの経時変化を抑制するように構成された半導体製造装置及びこの半導体製造装置を用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

An amorphous monocrystal silicon film having crystallinity which is formed in crystal growth in a 105 direction is provided on an underlayer film 102 on a substrate 101, and a source/drain region and the region 111/113 are provided in a direction in which a direction of crystal growth substantially coincides with a direction of moving carriers, thereby attaining a semiconductor device having high mobility.例文帳に追加

基板１０１上の下地膜１０２上に１０５の方向に結晶成長した結晶性を有する非単結晶珪素膜を設け、この結晶成長した方向とキャリアが移動する方向と概略一致する方向に、ソース／ドレイン領域、１１１／１１３を設けることにより、高移動度を有する半導体装置を得る。 - 特許庁

On the n-type GaN substrate formed with the growth suppression film 13, a GaN crystal is epitaxially grown to form a nitride semiconductor layer on the n-type GaN substrate, resulting on fabricating a nitride semiconductor laser device having a low concentration of crystal defects.例文帳に追加

このように成長抑制膜１３が形成されたｎ型ＧａＮ基板１０上にＧａＮ結晶をエピタキシャル成長させて窒化物半導体層を積層することで、結晶欠陥密度の低い窒化物半導体レーザ素子を製造する。 - 特許庁

To provide an epitaxial growth method of semiconductor element in which a uniform shape can be formed epitaxially by preventing etching damage of a silicon peripheral insulation film being grown in the surface treatment process of a semiconductor substrate for SEG process.例文帳に追加

ＳＥＧ工程のための半導体基板の表面処理工程において成長させるシリコン周辺絶縁膜のエッチング損傷を防止することにより、均一な形状のエピチャネルを形成し得る半導体素子のエピチャネル形成方法を提供すること。 - 特許庁

To prevent degradation of light emitting efficiency and deterioration of reliability when a semiconductor light emitting element is further formed on a continuous film semiconductor layer formed so as to differ in the substrate, lattice constant, or thermal expansion coefficient, using a partial growth suppressing structure.例文帳に追加

部分的成長抑制構造を利用して、基板と格子定数または熱膨張係数が異なる連続膜半導体層を形成した上に、さらに半導体発光素子を形成する場合の発光効率の低下および信頼性の悪化を防止する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a nitride semiconductor device which forms a window structure after keeping a basic characteristic of a laser without degrading contact resistance between an electrode and a semiconductor layer by preventing deterioration of an epitaxial growth film due to a heat treatment in window region formation.例文帳に追加

窓領域形成の際の熱処理によりエピタキシャル成長膜が劣化するのを抑制し、電極と半導体層との間のコンタクト抵抗を劣化させること無く、レーザの基本特性を維持した上で窓構造を形成する窒化物半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The display device is reduced in uneven display and improved in display quality by reducing the variation in the characteristics of the thin film transistor by improving the degree of crystallization of a semiconductor layer by performing graphoepitaxial growth method in the crystallizing step of the semiconductor layer.例文帳に追加

薄膜トランジスタを用いた表示装置において、半導体層の結晶化工程に、グラフォエピを用いることによって、結晶化を向上させ、薄膜トランジスタの特性ばらつきを低減し、表示ムラの少ない、表示品質のすぐれた表示装置を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing a GaN semiconductor element comprises the steps of forming a structure of a III-V compound semiconductor film 15 by an epitaxial growth by using a substrate for limiting a growing area 13 by a mask 14 (b), and developing the structure until the structure is covered with the mask 14 (c).例文帳に追加

マスク１４により成長領域１３を制限した基板を用いて、エピタキシャル成長によりＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体膜１５のファセット構造を形成し（ｂ）、マスク１４を覆うまでファセット構造を発達させる（ｃ）。 - 特許庁

Thereafter, an AlN layer 30 is formed as a surface protecting film on the upper front surface 28 of the AlGaN layer under the condition that the GaN semiconductor substrate is kept to 500°C or higher but to the temperature equal to the growth temperature or less, following the process to form the GaN semiconductor substrate.例文帳に追加

ＧａＮ半導体基板を形成する工程に引き続いて、ＧａＮ半導体基板を５００℃以上成長温度以下の温度に保持した状態で、ＡｌＧａＮ層の上側表面２８上に、表面保護膜としてＡｌＮ層３０を形成する。 - 特許庁

This prevents cracks from being generated, suppresses creep-up growth from a bottom side grown part of the trench region to suppress the increase of the film thickness of a side grown part, thereby obtaining a nitride semiconductor laser element with a nitride semiconductor grown layer having good surface flatness at a high yield.例文帳に追加

このことにより、クラックの発生を防止し、併せて、前記掘り込み領域の底面成長部からの這い上がり成長を抑制し、側面成長部の膜厚を抑えることで、表面平坦性の良好な窒化物半導体成長層が形成された窒化物半導体レーザ素子を高い歩留まりで得ることができる。 - 特許庁

In the producing method of the nanowire solar cell, a part of the front surface of the semiconductor substrate 2 is covered with an amorphous film 3 and the nanowire semiconductors 4 and 5 are formed on the front surface of the exposed semiconductor substrate 2 with epitaxial growth of crystals formed of the identical material.例文帳に追加

ナノワイヤ太陽電池の製造方法は、半導体基板２の表面の一部を非晶質膜３で被覆し、露出している半導体基板２の表面に、同一材料からなる結晶をエピタキシャル成長させてナノワイヤ状の半導体４，５を形成する。 - 特許庁

To provide a film forming method which can form a semiconductor device by epitaxial growth without segregating an impurity; and to provide a semiconductor device manufacturing method which can shallowly keep the depth of diffusion of the impurity on surface of the semiconductor substrate by elevating source/drain in an application of the film forming method.例文帳に追加

不純物の偏析なく半導体層をエピタキシャル成長によって形成することが可能な成膜方法および、この成膜方法を適用して積み上げソース・ドレインすることにより半導体基板の表面側における不純物の拡散深さを浅く保つことが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Etching is partially performed on the substrate 100 to form a plurality of grooves 110, a leg section 120 that inhibits the vertical growth of the nitride semiconductor is formed inside these grooves, and if the nitride semiconductor thin film is grown so as to cover an upper section of the leg section 120 in a horizontal direction, the nitride semiconductor thin film of high quality can be grown.例文帳に追加

基板１００を部分的にエッチングして複数個の溝１１０を形成し、これら溝の内部に窒化物半導体の縦方向成長を妨害するレッグ部１２０を形成して、横方向に前記レッグ部１２０の上部を覆うように窒化物半導体薄膜を成長させると、高品質の窒化物半導体薄膜を成長させることができる。 - 特許庁

In the manufacturing method of the semiconductor device provided with a source/drain made of an epitaxial growth layer on a semiconductor substrate near a gate electrode, the gate electrode 3a is formed on the semiconductor substrate 1 made of silicon via a gate insulating film 2a, and a TEOS sidewall 5 is formed on the gate insulating film 2a and a side wall of the gate electrode 3a.例文帳に追加

ゲート電極脇の半導体基板上にエピタキシャル成長層からなるソース・ドレインを備えた半導体装置の製造方法であって、シリコンからなる半導体基板１上にゲート絶縁膜２ａを介してゲート電極３ａを形成し、ゲート絶縁膜２ａおよびゲート電極３ａの側壁にＴＥＯＳサイドウォール５を形成する。 - 特許庁

In addition, this manufacturing method includes a step to form a semiconductor thin film 15 on the substrate 11 having steps for determining the crystal orientation on one plane, through the catalyst epitaxial growth, and a step to form the photosensor PS and semiconductor switching element 20 constituting the pixels on the semiconductor thin film 15.例文帳に追加

また、一面上に結晶方位を決定する段差を有する光透過性の基板１１上に、触媒エピタキシャル成長により半導体薄膜１５を形成する工程と、半導体薄膜１５に画素を構成するフォトセンサＰＳ及び半導体スイッチング素子２０を形成する工程とを有して固体撮像素子１０を製造する。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor substrate includes a step of forming a silicon polycrystalline film 14 in advance on at least the chamfer 13 of a silicon single crystal substrate 10, and a step of then forming a thin film 11 of a silicon single crystal by epitaxial growth on a surface 11 of the substrate 10.例文帳に追加

本発明に係る半導体基板の製造方法においては、シリコン単結晶基板１０の少なくとも面取り部１３に予めシリコン多結晶膜１４を形成した上で、基板１０の表面１１にエピタキシャル成長によりシリコン単結晶の薄膜１１を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which suppresses the growth of pores in a crystalline silicon film formed by crystallizing with an element for accelerating the crystallization and then gettering to decrease the concentration of the element in the crystalline silicon film.例文帳に追加

本発明では、結晶化を助長する元素を用いて結晶化した後、ゲッタリングを行うことにより当該元素の結晶質ケイ素膜中の濃度を減少させた結晶質ケイ素膜において孔の発生を抑制する半導体装置の作製方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

When a fluorine-added silicon oxide film is to be formed on a semiconductor substrate 10 by the plasma vapor growth method, a fluorine- resistance film 15 that is made of fluoride is formed at least on the inner wall of a ceramic dome part in a reaction container being composed of a ceramic dome part 1 and a metal chamber part 2.例文帳に追加

半導体基板１０上に弗素添加酸化珪素膜をプラズマ気相成長法により形成する場合において、セラミックドーム部１とメタルチャンバ部２から構成された反応容器内部の少なくともセラミックドーム部内壁に弗化物からなる弗素耐性膜１５を形成する。 - 特許庁

In this manufacturing method, as shown by Figure 1(a), a process for forming a step-difference pattern 2 on a surface of a semiconductor substrate 1, and a process for forming a CVD oxide film 10 whose film thickness d1 exceeds 1 μm on the step-difference pattern 2 by using a chemical vapor growth method, are performed.例文帳に追加

図１（ａ）に示すように、半導体基板１の表面に段差パターン２を形成する工程と、段差パターン２の上に化学気相成長法を用いて膜厚ｄ１が１μｍを超えるＣＶＤ酸化膜１０を形成する工程を行う。 - 特許庁

The film thickness of a non-single crystal semiconductor thin film 4 is set to less than 50nm, and laser irradiation is crystallized in one direction growth on a substrate 2 by using a phase shifter 51 forming V-type optical intensity distribution 1 having an optical minimum region of a line shape.例文帳に追加

非単結晶半導体薄膜４の膜厚を５０ｎｍ未満として、基板２上においてレーザ照射を、ライン状の光最小強度領域を有するＶ型の光強度分布１を形成するような位相シフタ５１を用いて、一方向成長に結晶化する。 - 特許庁