「semiconductor film growth」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

Heat treatment is applied to the semiconductor thin film, and the semiconductor thin film is crystallized by a solid phase growth method, and thus, a quasi-single crystal semiconductor thin film (quasi-single crystal silicon thin film 20) configured of a plurality of substantially single crystal grains (crystal silicon 16) starting at each of the protrusions 10 is formed on the substrate 4.例文帳に追加

半導体薄膜に熱処理を施して半導体薄膜を固相成長により結晶化させ、基板４上に、複数の突起部１０のそれぞれを起点として複数の略単結晶粒（結晶シリコン１６）から構成される擬単結晶半導体薄膜（擬単結晶シリコン薄膜２０）を形成する。 - 特許庁

To suppress the generation of defects and abnormal growth in performing epitaxial growth on a semiconductor film such as, for example, SiC and GaN after synthesizing the same in a gaseous phase.例文帳に追加

例えばＳｉＣ、ＧａＮなどの半導体膜を気相から合成してエピタキシャル成長させていくときに、欠陥や異常成長が生じるのを抑制する。 - 特許庁

To provide a method of selective epitaxial growth of a semiconductor device by which the selectivity of the epitaxial growth can be ensured and the degradation of a gate oxide film can be prevented.例文帳に追加

エピタキシャル成長の選択性を確保するとともに、ゲート酸化膜の劣化を防止することができる半導体素子の選択エピタキシャル成長法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor base that has a high-quality epitaxial film where dislocation density is reduced using a mask material such as SiO2 that is used for conventional selective growth, and a growth method.例文帳に追加

従来の選択成長に用いられるＳｉＯ_2などのマスク材料を用いること無しに転位密度を低減させた、高品質なエピタキシャル膜を備える半導体基材及び成長方法を提供すること。 - 特許庁

The semiconductor thin film 2 is formed at a growth temperature, for example, 1020°C, lower than a reference growth temperature at which haze does not arise, under pressure, for example, 200 Torr lower than ordinary temperature (760 Torr).例文帳に追加

ヘイズが発生しない基準成長温度よりも低い成長温度たとえば１０２０゜Ｃでかつ常圧（７６０Torr）よりも低い圧力たとえば２００Torr下で半導体薄膜２を形成する。 - 特許庁

(F) The growth substrate is peeled off the semiconductor film with laser beam irradiation while providing a not-irradiated region which is not irradiated with the laser beams in an inner region of the outer peripheral part of the growth substrate.例文帳に追加

（ｆ）成長基板の外周部の内側領域に、レーザビームが照射されない未照射領域を設けながら、レーザビームを照射し、成長基板を半導体膜から剥離除去する。 - 特許庁

To provide a method by which the growth rate of a semiconductor thin film can easily be derived in a short time from only the result of a single growth experiment.例文帳に追加

化合物半導体薄膜の成長速度を一回の成長実験のみで短時間で容易に導出することのできる化合物半導体薄膜の成長速度の導出方法を提供する。 - 特許庁

To provide a rotary and revolutionary vapor phase epitaxial growth system, in which rotation and revolution can be controlled freely, depending on the growth conditions of a semiconductor thin film to be formed on a wafer.例文帳に追加

ウエハ上に形成すべき半導体薄膜の成長条件に応じて自公転を自由に制御できる自公転型気相成長装置を提供すること。 - 特許庁

The selective growth of the semiconductor thin film crystal is carried out by forming a mask pattern for the selective growth into the one obtained by arranging root forms having symmetric properties corresponding to the crystal structure of the substrate in parallel at a proper interval.例文帳に追加

選択成長用のマスクパターンを、基板の結晶構造と一致させた対称性を持つ基本形をある適当な間隔で平行に並べたものとし、半導体薄膜結晶の選択成長を行う。 - 特許庁

The process of forming the through dislocation blocking layer alternately repeats a first step and a second step of performing the growth of the semiconductor film at mutually different growth rates, under a normal pressure and a temperature atmosphere lower than the growth temperature of a device function layer.例文帳に追加

貫通転位遮断層を形成する工程は、常圧且つデバイス機能層の成長温度よりも低い温度雰囲気の下、互いに異なる成長速度で半導体膜の成長を行う第１ステップおよび第２ステップを交互に複数回実施する。 - 特許庁

In growth of a group III nitride semiconductor film 13, (supply molar quantity of nitrogen raw material)/(supply molar quantity of group III raw material) is 1,250 or larger, the growth temperature thereof is 1,050°C or higher, and the growth pressure thereof is 200 Torr or larger.例文帳に追加

III族窒化物半導体膜１３の成長における（窒素原料の供給モル量）／（III族原料の供給モル量）は１２５０以上であり、その成長温度は摂氏１０５０度以上であり、その成長圧力は２００Ｔｏｒｒ以上である。 - 特許庁

At the time of forming a growth mask on a substrate, and selectively growing a nitride system group III-V compound semiconductor on the substrate by using the growth mask, a stripe-shaped multi-layer film at least whose mostsurface is made of nitride, and whose width is 4.8 μm or less is used as the growth mask.例文帳に追加

基板上に成長マスクを形成し、この成長マスクを用いて基板上に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を選択成長させる場合に、成長マスクとして、少なくとも最表面が窒化物からなり、かつ、幅が４．８μｍ以下のストライプ形状の多層膜を用いる。 - 特許庁

The film forming method, which forms a semiconductor layer containing arsenic by epitaxial growth, has a term when elevates a flow of an arsine (AsH_3) among film forming gases supplied into an epitaxial growth atmosphere adjusted to the atmospheric pressure from zero to a predetermined flow in the beginning of film forming.例文帳に追加

ヒ素を含有する半導体層をエピタキシャル成長により形成する成膜方法であって、成膜初期に、大気圧に調整されたエピタキシャル成長雰囲気内に供給する成膜ガスのうちアルシン（ＡｓＨ_3）の流量を０から所定流量にまで上昇させる期間を有する。 - 特許庁

Crystallinity on the interface of a gate insulating film and a microcrystalline semiconductor film is enhanced by forming the gate insulating film on a gate electrode, forming crystalline nuclei on the gate insulating film by using silane fluoride and silane, and forming the microcrystalline semiconductor film by crystal growth using the crystalline nuclei as seeds.例文帳に追加

ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上にフッ化シラン及びシランを用いて結晶核を形成し、前記結晶核を種として結晶成長させて微結晶半導体膜を形成して、ゲート絶縁膜及び微結晶半導体膜の界面における結晶性を高める。 - 特許庁

The manufacturing method of a semiconductor device comprises a process where a gate insulating film 2 is formed on the surface of a silicon substrate 1 and a process that after hydroxyl groups 3 are adsorbed on the surface of the film 2, a polycrystalline silicon film 4, which is a polycrystalline semiconductor film is formed on the film 2 by a chemical phase growth method.例文帳に追加

シリコン基板１表面にゲート絶縁膜２を形成する工程と、ゲート絶縁膜２表面に水酸基３を吸着させた後に化学気相成長法でゲート絶縁膜２上に多結晶半導体膜である多結晶シリコン膜４を成膜する工程とを含む。 - 特許庁

The first irradiating means 100 irradiates a semiconductor thin film 20 selectively with first a laser beam 110 to crystallize the semiconductor thin film 20 by superlateral growth method.例文帳に追加

第１照射手段１００は、半導体薄膜２０に選択的に第１のレーザ光１１０を照射し、スーパーラテラル成長法にて半導体薄膜２０を結晶化させる手段である。 - 特許庁

To provide a susceptor and an equipment provided with the susceptor for gas phase thin film growth that can decrease contamination of a semiconductor substrate caused by flowing up of gas current including impurity such as metal when thin film is grown on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上に薄膜を形成する際、金属等の不純物を含んだガス気流の舞い上がりによる半導体基板の汚染を低減することができるサセプタおよびそれを配備した気相薄膜成長装置を提供する。 - 特許庁

Then, selective growth is started from the slant face, and a semiconductor crystal film 7 almost in lattice alignment with the semiconductor film 104 as with the desired lattice constant is formed.例文帳に追加

傾いた面から選択的に成長が発生して所望の格子定数の半導体膜１０４とほぼ格子整合した半導体結晶膜７が形成される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor thin film by which a region crystallized generally toward one direction and having no grain boundary in the direction of a crystal growth can be homogeneously formed at an arbitrary location in the semiconductor thin film.例文帳に追加

概ね一方向に向かって結晶化され、結晶の成長方向に粒界を有さない結晶化領域を、半導体薄膜の任意の場所に、均一に形成することができる半導体薄膜の製造方法を提供すること。 - 特許庁

At crystallization of a non-crystalized semiconductor film under laser irradiation, the change in shape of the semiconductor film (a protruding part or recessed part) is used intentionally to specify the start point of crystal growth, for larger crystal particle size.例文帳に追加

非晶質半導体膜をレーザー光の照射により結晶化する際に、非晶質半導体膜の形状変化（凸部または凹部）を用いて意図的に結晶成長の起点を規定し、結晶粒径の大粒径化を図る。 - 特許庁

To provide a method of forming an insulation film for semiconductor devices, especially, a tantalum oxide film for gate insulation films and capacitance insulation films, etc. of semiconductor devices, which has a high reaction speed even at low growth temperatures and a high productivity.例文帳に追加

成長温度が低温でも反応速度が早く、生産性の高いゲート絶縁膜やキャパシタンスの容量絶縁膜等に用いられる半導体装置用絶縁膜、特に酸化タンタル膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

During the growth of the compound semiconductor thin film, when the amount of the p-type impurities implanted into the compound semiconductor thin film is increased, the proper heat treatment temperature is lowered in an activating process.例文帳に追加

また、化合物半導体薄膜の成長時、化合物半導体薄膜に注入されたｐ型不純物の量が増加すると、活性化工程の適正熱処理温度が低くなる。 - 特許庁

To provide a new chemical phase growth method for forming a silicon dioxide film and a silicon nitrooxide film, which is suitable for use in semiconductor industries and industries related to the semiconductor industries.例文帳に追加

半導体産業及び関連産業において用いるのに適した二酸化ケイ素膜及び酸窒化ケイ素膜の新しい化学気相成長法を提供する。 - 特許庁

A semiconductor thin film of good crystallinity is formed by performing solid phase growth for a non-single crystalline semiconductor thin film whose hydrogen content is 7×10^19 to 3×10^20 cm^-3 and spin density is 2×10^19 to 5×10^19 cm^-3.例文帳に追加

含有水素量が7×10^19〜3×10^20cm^−3、スピン密度が2×10^19〜5×10^19cm^−3である非単結晶半導体薄膜を固相成長して、結晶性の優れた半導体薄膜を形成する。 - 特許庁

To detect the lateral crystal growth process and lengths and widths of lateral growth crystal grains, realize uniform lateral crystal length in the predetermined region of semiconductor film through feedback control from the detecting inforamtion obtained, and continuously realize reliable growth of lateral crystal grains with the SLS (Selective Laser Sintering) method, for the crystallization of a semiconductor film by irradiation of laser.例文帳に追加

レーザ照射による半導体膜の結晶化において、横方向結晶成長過程および横方向成長結晶粒の長さや幅を検知し、得られた検知情報からフィードバック制御を行って半導体膜の所望の領域に一様な横方向結晶長さを実現し、ＳＬＳ法で確実に横方向結晶粒を引き継いで成長させる。 - 特許庁

Subsequently, the protective film is removed and a second nitride semiconductor layer is grown using the nitride semiconductor nucleus as the starting point of growth, thus obtaining a nitride semiconductor substrate.例文帳に追加

その後、保護膜を除去し、前記窒化物半導体核を成長起点として第２の窒化物半導体層を成長させ窒化物半導体基板を得る。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor growth substrate on which an epitaxial film of a nitride semiconductor reduced at its crystal defects is allowed to grow, a nitride semiconductor light emitting element using the substrate, and a method for manufacturing the light emitting element.例文帳に追加

結晶欠陥の少ない窒化物半導体のエピタキシャル膜を成長可能な窒化物半導体用成長基板と、その基板を用いた窒化物半導体発光素子、並びにその発光素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

A first nitride semiconductor 2 is grown on a nitride semiconductor substrate 1 by such method as dislocation is reduced by using the lateral growth of a nitride semiconductor (method for forming a first protective film 11 or first rough 13).例文帳に追加

窒化物半導体基板１上に、窒化物半導体の横方向の成長を利用して転位の低減される方法（第１の保護膜１１又は第１の凹凸１３を形成してなる方法）により、第１の窒化物半導体２を成長させる。 - 特許庁

In a liquid phase epitaxial growth method for growing the crystal thin film on a semiconductor wafer 3 inside a growth container 2 filled with a raw material solution 1, the semiconductor wafers 3 are arranged in parallel with one another at intervals so as to eliminate the incorporation of polycrystals which have dimensions to adhere to the surface of the semiconductor wafer 3 and inhibit epitaxial growth.例文帳に追加

原料溶液１に満たされた成長容器２内で半導体ウェハー３上に結晶薄膜を成長させる液相エピタキシャル成長方法において、半導体ウェハー３表面に付着してエピタキシャル成長を阻害する大きさの多結晶体が入り込まないように、半導体ウェハー３を平行に間隔をおいて配置する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a semiconductor device manufacturing method that suppress the oxide film growth of a semiconductor crystal substrate interface and include a high dielectric constant crystal thin film and a high dielectric constant epitaxial thin film of high quality.例文帳に追加

半導体結晶基板界面の酸化膜成長を抑制するとともに、高品質な高誘電率結晶薄膜、高誘電率エピタキシャル薄膜を有する半導体装置の製造方法並びに半導体装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

In such a way, a gate insulating film and a semiconductor layer are continuously formed in a low-temperature deposition process and a heat treatment subsequent to the formation of the gate insulating film and the semiconductor layer is substituted for the first heating treatment at the time of the above crystal growth to contrive a reduction in defects in the interface between the gate insulating film and the semiconductor layer.例文帳に追加

こうして、ゲート絶縁膜と半導体層とを低温デポ工程で連続的に形成し、ゲート絶縁膜/半導体層形成後の熱処理を上記結晶成長時の第１の加熱処理で代行させ、界面欠陥の低減を図る。 - 特許庁

To obtain a nitride semiconductor substrate having sufficient crystallinity owing to no protective film in the nitride semiconductor and lowered feedthrough dislocation by epitaxial growth of a nitride semiconductor without using a protective film on a substrate in growing the nitride semiconductor.例文帳に追加

窒化物半導体の成長において、基板上に保護膜を用いること無く窒化物半導体をエピタキシャル成長させ、窒化物半導体内に保護膜を有さないため結晶性がよく、かつ貫通転位を低減させた窒化物半導体基板を得ることを目的とする。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device comprises a step (a) for forming a semiconductor element on a semiconductor substrate, a step (b) for depositing an SiC:H film by repeating growth and stopping growth two times or more under a low pressure atmosphere, and a step (c) for forming an insulating cap layer on the SiC film or the SiC:H film.例文帳に追加

（ａ）半導体基板に半導体素子を形成する工程と、（ｂ）ＳｉＣ：Ｈ膜の成膜方法は、成長、成長停止を繰り返して、減圧雰囲気下で２回以上に分割してＳｉＣ：Ｈ膜を成膜する工程と、（ｃ）前記ＳｉＣ膜またはＳｉＣ：Ｈ膜上に絶縁キャップ層を成膜する工程とを含む半導体装置の製造方法。 - 特許庁

When the semiconductor multilayer reflection film is grown by alternately laminating a first semiconductor layer and a second semiconductor layer on a substrate by an organic metal vapor growth method using an apparatus in which a substrate tray mounting a substrate on a self-rotating mechanism is self-rotated in a reactor, the inclination of the growth effect distribution of the semiconductor multilayer film is set to 3 to 10 (10^-3/mol).例文帳に追加

自転機構上に基板を取り付けた基台をリアクタ内で公転させる装置を用いて、有機金属気相成長法により基板上に第１の半導体層と第２の半導体層を交互に積層して半導体多層反射膜を成長させる際、半導体多層膜の成長効率分布の傾斜を３〜１０（１０^−３／ｍｏｌ）とする。 - 特許庁

To constitute an organic film containing fluorine in a fine structure without carrying a semiconductor substrate, where the organic film containing fluorine is stacked, from a film growth device to other processor.例文帳に追加

フッ素含有有機膜が堆積された半導体基板を成膜装置から他の処理装置に搬送することなく、フッ素含有有機膜を緻密化できるようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor thin film manufacturing apparatus for growing a single crystal thin film or a high quality polycrystal thin film of aligned crystal elements in the feasible growth rate.例文帳に追加

単結晶薄膜、または結晶方位の揃った良質な多結晶薄膜を、実用可能な速度で成長させる半導体薄膜製造装置を提供することにある。 - 特許庁

A γ-Al_2O_3 single-crystal film 2 grown through epitaxial growth is provided on a semiconductor single-crystal substrate 1, and an epitaxial single-crystal Pt thin film 3 is provided on the γ-Al_2O_3 single-crystal film 2.例文帳に追加

半導体単結晶基板１上にエピタキシャル成長されたγ−Ａｌ_２ Ｏ_３ 単結晶膜２を有し、そのγ−Ａｌ_２ Ｏ_３ 単結晶膜２上にエピタキシャル単結晶Ｐｔ薄膜３を有する。 - 特許庁

To provide a film formation apparatus which enables an improvement of a quality of a semiconductor wafer by reducing an amount of by-product falling onto a thin film during film formation by homoepitaxial growth.例文帳に追加

ホモエピタキシャル成長による成膜中における薄膜上への副生成物の落下量が減少して半導体ウエハの品質が向上する成膜装置を提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for forming a semiconductor thin film where unstable factors for thin film growth, due to variations of the temperature associated with the surface state of a wafer are removed and various film-forming techniques are realized.例文帳に追加

基板の表面状態に伴う温度の変動に起因した、薄膜成長の不安定要因を除去し、多彩な成膜技術を実現する半導体薄膜の成膜装置及び成膜方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a film thickness measuring method in which film thickness can be easily measured using a reproducible dummy wafer without affecting a semiconductor process, a vapor phase growth method, and a film thickness measuring instrument.例文帳に追加

本発明は、半導体プロセスに影響することがなく、再生可能なダミーウェーハを用い、簡易に膜厚測定を行うことが可能な膜厚測定方法、気相成長装置および膜厚測定装置を提供する。 - 特許庁

Due to the existence of the thin film 41, an epitaxial growth is prevented from starting from the interface between the conductor 56 and the semiconductor region 61, thereby reducing the generation and growth of crystal defects near the interface between the conductor 56 and the semiconductor region 69.例文帳に追加

薄膜４１の存在により導電体５６と半導体領域６１の界面からエピタキシャル成長が開始されるのが抑制され、導電体５６と半導体領域６９との界面近傍における結晶欠陥の発生と成長が低減される。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated element in which no climbing growth up to a mask occurs during selective growth even if the film thickness of a layer is increased when different layer structures are butted for joint, especially such a narrow irradiation semiconductor laser element that can operate at a low threshold current.例文帳に追加

異なる層構造をバットジョイント接合するときに、選択成長時にその膜厚を厚くしてもマスクへの這い上がり成長が起こらない半導体集積素子、とりわけ、低しきい値電流で動作する狭出射半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

The method includes temporarily lowering the refractivity of light from a crystal growth plane during the crystal growth of n-type GaN layer 4 formed after the Si film 31, and increasing the refractivity of light from a crystal growth plane during the crystal growth of a nitride semiconductor layer formed after the n-type GaN layer 4.例文帳に追加

また、Ｓｉ膜３１より後に形成されるｎ型ＧａＮ層４の結晶成長過程で、結晶成長表面からの光の反射率が一旦低下し、ｎ型ＧａＮ層４より後に形成される窒化物半導層の結晶成長過程で、結晶成長表面からの光の反射率が上昇するように構成する。 - 特許庁

To suppress the growth failure of a crystal thin film on a wafer surface caused by undesired polycrystalline deposits, and to grow a semiconductor single crystal thin film with an excellent yield without complicating device constitution in liquid phase epitaxial growth.例文帳に追加

液相エピタキシャル成長において、装置構成が複雑にならずに、不要な多結晶析出物が原因であるウェハー表面の結晶薄膜の成長不良を抑えることができ、歩留り良く半導体単結晶薄膜を成長させるようにする。 - 特許庁

The nitride semiconductor light emitting element includes: a nitride semiconductor substrate (10a) having a main surface on which the engraved region (16) is formed; a crystal growth suppressing film (10b) formed on the engraved region; and a plurality of nitride semiconductor layers (11) deposited so as to cover the crystal growth suppressing film (10b) and the main surface of the substrate (10a).例文帳に追加

窒化物半導体発光素子は、掘り込み領域（１６）が形成された主面を有する窒化物半導体基板（１０ａ）と、掘り込み領域上に形成された結晶成長抑制膜（１０ｂ）と、結晶成長抑制膜（１０ｂ）および基板（１０ａ）の主面を覆うように堆積された複数の窒化物半導体層（１１）を含むことを特徴としている。 - 特許庁