「si waveguide」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The semiconductor chip 2 includes a semiconductor waveguide 4 and is mounted on a Si bench 5.例文帳に追加

半導体チップ２は、半導体導波路４を有し、Ｓｉベンチ５上に搭載されている。 - 特許庁

To provide an electronic component packaging substrate which prevents cracks from being generated in an optical waveguide while forming the optical waveguide with polymer having low rupture stress on an Si substrate.例文帳に追加

Si基板上に破断応力の低いポリマーで光導波路を形成しながら、光導波路にクラックが発生してしまうのを防止できる電子部品実装基板を提案する。 - 特許庁

The low propagation loss optical waveguide is characterized in that a substrate with a monocrystal layer of Si, SiGe, or Ge, is used to form the optical waveguide on the monocrystal layer, and minute surface roughness present on the side face of the optical waveguide is improved by heat-treating the optical waveguide in a atmosphere of argon at a temperature of 500 to 1350°C.例文帳に追加

Si、SiGe又はGeの単結晶層を有する基板を用いて、該単結晶層に光導波路を形成し、温度500〜1350℃のアルゴン雰囲気中で熱処理することにより、該光導波路の側面に存在する微小な面荒れを改善することを特徴としている。 - 特許庁

The OBO flat surface waveguide element 1 is equipped with an Si substrate 102, an SiO_2 layer 103 formed on the Si substrate 102, and a plurality of mutually parallel Si optical waveguides 104 arranged on the Si substrate 102.例文帳に追加

ＯＢＯ平面導波路素子１は、Ｓｉ基板１０２と、Ｓｉ基板１０２上に形成されたＳｉＯ_2層１０３と、Ｓｉ基板１０２上に設けられた互いに平行な複数のＳｉ光導波路１０４とを備えている。 - 特許庁

This optical waveguide platform is constituted by forming the optical waveguide 4 consisting of a core 42 and clads 41, 43 by a quartz material on the Si substrate 1, mounting the optical element 8, such as laser diode, on the Si substrate 1 facing the optical waveguide end of the optical waveguide and forming the electrode wiring to execute the electrical connection to the optical element 8.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上に石英系材料でコア４２及びクラッド４１，４３よりなる光導波路４が形成され、光導波路の光導波端に臨むＳｉ基板１上にレーザダイオード等の光素子８が搭載され、この光素子８に対して電気接続を行う電極配線が形成される。 - 特許庁

To provide a method for co-integrating a photonic device, a Ge waveguide built-in photodetector, and a hybrid III-V/Si laser on a Si-base photonic platform.例文帳に追加

Ｓｉベースのフォトニクスプラットフォーム上で、フォトニックデバイス、Ｇｅ導波路一体型光検出器、およびハイブリッドＩＩＩ−Ｖ／Ｓｉレーザの共集積化のための方法を提供する。 - 特許庁

An optical waveguide element 100 comprises a Si-substrate 102, a 1st light wave circuit layer 112 and a 2nd light wave circuit layer 120 sequentially laminated on the Si-substrate 102.例文帳に追加

光導波路素子１００は，Ｓｉ基板１０２と基板１０２上に順次積層された第１光波回路層１１２及び第２光波回路層１２０とを備えている。 - 特許庁

An SI-InP layer 506 is provided, covering a top face of the i-InGaAsP optical waveguide layer 503 and a side face of the i-InGaAsP optical waveguide layer 503.例文帳に追加

ｉ−ＩｎＧａＡｓＰ光導波路層５０３の上面とｉ−ＩｎＧａＡｓＰ光導波路層５０３の側面とを覆うＳＩ−ＩｎＰ層５０６が設けられている。 - 特許庁

In the optical waveguide element 30 wherein the optical waveguide is formed on a substrate 10 consisting of Si or quartz and the semiconductor laser is directly combined to the end surface of the optical waveguide, the core 13 of the optical waveguide is formed of material having the refractive index of 1.75 to 2.7.例文帳に追加

Ｓｉまたは石英からなる基板10上に光導波路が形成されてなり、この光導波路の端面に半導体レーザが直接結合される光導波路素子20において、光導波路のコア13を屈折率１．７５〜２．７の材料から形成する。 - 特許庁

In this electronic component packaging substrate, a polymer layer 2 for forming an optical waveguide 21, and a cushioning layer 31 consisting of metallic material having middle coefficient of linear expansion of the coefficient of linear expansion of the Si substrate 1 and the coefficient of linear expansion of polymer for forming the polymer layer 2, are formed above the Si substrate 1.例文帳に追加

本発明の電子部品実装基板は、Si基板1の上方に、光導波路21を形成するためのポリマー層2と、Si基板1の線膨張係数とポリマー層2を形成するポリマーの線膨張係数の中間の線膨張係数を有する金属材料からなる緩衝層31とを設けている。 - 特許庁

The method for manufacturing the optical waveguide device further includes steps of applying a photoresist to the Si film, patterning the photoresist so that a portion of the photoresist corresponding to the optical waveguide remains, forming a groove on the substrate along the optical waveguide by reactive ion etching, and removing the photoresist and the Si films.例文帳に追加

光導波路デバイスの製造方法は更に、Ｓｉ膜上にフォトレジストを塗布し、光導波路に対応する部分のフォトレジストが残るようにフォトレジストをパターニングし、反応性イオンエッチングにより、光導通路に沿って基板に溝を形成し、フォトレジスト及びＳｉ膜を剥離するステップを含んでいる。 - 特許庁

Further, the waveguide structure is composed of a sol-gel material which is obtained by mixing a solution of metal alkoxide with a solution of organically modified Si-alkoxide.例文帳に追加

また導波路構造は、金属アルコキシドの溶液と有機変性Ｓｉアルコキシドの溶液とを混合して得たゾルゲル材料からなる。 - 特許庁

By this method, a Si layer 3 is formed by aligning and growing Si on a LiNbO3 substrate 1 having an optical waveguide 2 formed, and the surface of the layer in the region except for the etching region is oxidized to form a SiI2 film 5.例文帳に追加

光導波路２を形成したＬｉＮｂＯ_3 基板１上にＳｉを配向成長させてＳｉ層３を形成し、エッチング領域以外の表面を酸化してＳｉＯ_2 膜５を形成する。 - 特許庁

In this coherent light source, a wavelength variable DBR semiconductor laser 1 and a optical waveguide type QPM-SHG device 2 are mounted on an Si submount 7 and the Si submount 7 is fixed in a package 11.例文帳に追加

波長可変ＤＢＲ半導体レーザ１と光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス２とをＳｉサブマウント７上に実装し、Ｓｉサブマウント７をパッケージ１１内に固定してコヒーレント光源とする。 - 特許庁

In the optical waveguide element 101 wherein the optical waveguide is formed on a substrate 20 consisting of Si or quartz and the semiconductor laser element is directly coupled to the end surface of the optical waveguide, an upper clad layers 24, 26, a first lower clad layer 21 and a second lower clad layer 22 are respectively formed on and under a core 23 of the optical waveguide.例文帳に追加

Ｓｉまたは石英からなる基板20上に光導波路が形成されてなり、この光導波路の端面に半導体レーザ素子が直接結合される光導波路素子101において、光導波路のコア23の上下にそれぞれ上部クラッド層24、26、下部第１クラッド層21および下部第２クラッド層22を形成する。 - 特許庁

In the method for manufacturing an optical waveguide, a first glass material is directly joined to an Si wafer 11 in a clad junction process.例文帳に追加

光導波路の製造方法において、クラッドを接合する工程をＳｉウエハ１１に第一のガラス素材を直接接合するものである。 - 特許庁

A substrate 21 equipped with a slab layer 211 composed of Si and a clad layer 212 composed of SiO_2, is used first to form holes 22 having a periodic array in the slab layer 211 and an in-crystal waveguide 23 by dry etching ((b)).例文帳に追加

Siから成るスラブ層２１１、SiO_2から成るクラッド層２１２を備える基板２１を用い、まず、ドライエッチングによりスラブ層２１１に周期的配列を有する空孔２２と結晶内導波路２３を形成する((b))。 - 特許庁

The heater 4 and the heat sink 5 form variable refractive index grades between the plurality of Si thin line waveguides 3 in the direction vertical to the direction in which the Si thin line waveguides 3 are extended in the waveguide array.例文帳に追加

ヒータ４およびヒートシンク５は、導波路アレイにおいて、Ｓｉ細線導波路３の延びる方向と垂直な方向に、複数のＳｉ細線導波路３の間で可変な屈折率勾配を形成する。 - 特許庁

An optical coupling block region having a structure made of a material which is the same as that of a clad layer and projected from the clad layer is disposed between the end face of the optical waveguide and the end face of the tapered structure region of the Si thin wire optical waveguide.例文帳に追加

光導波路の端面とＳｉ細線光導波路のテーパ構造領域の先端の間にクラッド層と同じ材料で、クラッド層より突出した構造の光結合ブロック領域とを備えた。 - 特許庁

The PLC substrate 1 is the high Δ waveguide fabricated by a quartz light wave circuit formed on an Si substrate and the second LiNbO_3 substrate 2 uses the optical waveguide by Ti diffusion formed on a z surface.例文帳に追加

ＰＬＣ基板１は、Ｓｉ基板上に形成した石英系光波回路により作製した高Δ導波路で、第２のＬｉＮｂＯ_３基板２は、ｚ面上に形成したＴｉ拡散による光導波路を用いた。 - 特許庁

A clad 12 made of SiO_2 is provided on a Si substrate, and a linear core 11 is provided on the clad 12 to constitute a thin-line-shaped waveguide 14.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上には、ＳｉＯ_２からなるクラッド１２が設けられており、このクラッド１２上に線状のコア１１が設けられて、細線導波路１４が構成されている。 - 特許庁

Those optical circuits are composed of a semiconductor waveguide (for example, silicon Si, indium phosphate InP, gallium arsenide GaAs, etc.), and defect increasing processing by impurity doping, low-temperature growth, ion implantation, etc., is performed on the first arm waveguide 103 to increase the absorption coefficient of the first arm waveguide 103.例文帳に追加

これらの光回路を半導体導波路（例えばシリコンＳｉ、リン化インジウムＩｎＰ、ヒ素化ガリウムＧａＡｓ等）で構成し、第１アーム導波路１０３に不純物ドーピング、低温成長やイオン注入等による欠陥増大を行うことによって第１アーム導波路１０３における吸収係数を高める。 - 特許庁

Further, Si is used for the peak part of the conductive film and then the lid made of multicomponent glass can be joined with the optical waveguide substrate by anode joining to eliminate the need to process the Si and conductive film in different processes, thereby simplifying the manufacture processes.例文帳に追加

また、導電膜の最上部をＳｉとすることにより、多成分ガラスからなる蓋１１２を陽極接合で光導波路基板に接合できるようになり、Ｓｉと導電膜とを別々の工程で加工する必要がなくなり、製造工程が簡略化される。 - 特許庁

This optical waveguide 100 related to the form of this embodiment is approximately composed of an Si substrate (semiconductor substrate, silicon substrate) 101, a light-shielding layer 102, cladding layer (tungsten-silicon layer) 103, the waveguide core 104 and a wavelength selection filter 105.例文帳に追加

図１に示すように、本実施の形態に係る光導波路１００は、Ｓｉ基板（半導体基板、シリコン基板）１０１と遮光層１０２とクラッド層（タングステン−シリコン層）１０３と導波路コア１０４と波長選択フィルタ１０５とで概略構成される。 - 特許庁

In the optical waveguide 1 in which a core 2 provided with a plurality of output ports 5, and a clad 65 are formed on a Si substrate 62, the core width at respective output ports 5 is varied depending on the warpage caused in the optical waveguide 1 due to ambient temperature.例文帳に追加

Ｓｉ基板６２上に、複数個の出力ポート５を備えたコア２と、クラッド６５とを形成した光導波路１において、環境の温度で光導波路１に生じる反りに応じて、各出力ポート５におけるコア幅をそれぞれ変化させたものである。 - 特許庁

A plane waveguide type optical circuit where an under-clad layer 21, a core layer 20 obtained by patterning an optical waveguide layer 15, and an over-clad layer 22 covering over the core layer 20 or the like are formed on an Si substrate 10 is prepared as an optical circuit being an object where a diffraction grating is to be formed (figure 1 (a) to (c)).例文帳に追加

Ｓｉ基板１０上に、アンダークラッド層２１、光導波層１５をパターニングしたコア層２０、及びコア層２０等を覆うオーバークラッド層２２を形成した平面導波路型光回路を、回折格子を形成する対象となる光回路として準備する（図１（ａ）〜（ｃ））。 - 特許庁

In a quartz optical waveguide comprising a lower clad layer 2, a core 3 and an upper clad layer 4, which are formed on a Si substrate 1, the lower clad layer 2 and the upper clad layer 4 are formed of BPSG film (phosphor and boron-added quartz films).例文帳に追加

Ｓｉ基板上に形成された下部クラッド層、コア、上部クラッド層よりなる石英系光導波路において下部クラッド層及び上部クラッド層がＢＰＳＧ膜によって形成されている。 - 特許庁

In the quartz optical waveguide consisting of a lower clad layer, a core, and an upper clad layer formed on a Si-substrate, the lower cladding layer and the upper cladding layer are formed with BPSG film.例文帳に追加

Ｓｉ基板上に形成された下部クラッド層、コア、上部クラッド層よりなる石英系光導波路において下部クラッド層及び上部クラッド層がＢＰＳＧ膜によって形成されている。 - 特許庁

The optical waveguide structure 100 has a lower part clad layer 1 consisting of SiO_2 glass in the optical waveguide formed on a substrate, has a core 2 consisting of Si thereon and is constituted so that the total containing the core 2 is covered with a clad layer 3 consisting of SiO_2 glass or polymer material.例文帳に追加

光導波路構造１００は、基板上に形成する光導波路において、ＳｉＯ_２ガラスからなる下部クラッド層１を有し、その上にＳｉからなるコア２を有し、コア２を含む全体がＳｉＯ_２ガラスまたはポリマー材料からなるクラッド層３で覆われていることを特徴とする光導波路構造。 - 特許庁

To provide a high performance optical integrated semiconductor element and a method of manufacturing the same wherein an optical integrated circuit using semiconductor crystal of Si, GaAs, InP or the like may be manufactured easily, high speed modulation can be realized using a dielectric material waveguide modulator, and the waveguide and light receiving element/light emitting element may be allocated through higher optical coupling efficiency.例文帳に追加

Ｓｉ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ等の半導体結晶を用いた光集積回路において、製造が容易であり、誘電体導波路変調器を使用し高速変調が可能で、なおかつ導波路と受光素子・発光素子を高い光結合効率で配置することで高性能な光集積型半導体素子およびその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

An optical waveguide 1 includes: a region in the vicinity of a light incident end part 1A thereof composed of an SI portion with a refractive index profile of a step index type on a line on a cross section; and regions not in the vicinity of the light incident end part 1A composed of a GI portion with a refractive index profile of a graded index type.例文帳に追加

光導波路１は、その光入射端部１Ａ近傍が、横断面上に線を引いたときその線上における屈折率分布がステップインデックス型になっているＳＩ部で構成され、光入射端部１Ａ近傍以外の部位は、屈折率分布がグレーデッドインデックス型になっているＧＩ部で構成されている。 - 特許庁

P^--type semiconductor layers 23 consisting of InP doped in low concentration with Zn, P^+-type semiconductor layers 25 consisting of InP doped in high concentration with Zn, and semiconductor layers 27 consisting of InP doped with Si are stacked sequentially and embedded on both sides of this waveguide structure so as to form a current throttling region.例文帳に追加

この光導波路構造の両側に、Ｚｎを低濃度にドープしたＩｎＰからなるｐ^−型半導体層２３、Ｚｎを高濃度にドープしたＩｎＰからなるｐ^＋型半導体層２５、およびＳｉをドープしたＩｎＰからなるｎ型半導体層２７が順次積層され、埋め込まれ電流狭窄領域を形成している。 - 特許庁