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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > single-layerの意味・解説 > single-layerに関連した英語例文

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single-layerの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 4019



例文

NICKEL BASE SINGLE CRYSTAL HEAT RESISTANT ALLOY CASTING EXCELLENT IN ADHESION TO SUBSTRATE COAT LAYER例文帳に追加

下地コート層に対する密着性に優れたNi基単結晶耐熱合金鋳物 - 特許庁

Single layer carbon nanotubes synthesized by various methods are added to the aqueous solution.例文帳に追加

この水溶液に各種の方法により合成された単層カーボンナノチューブを添加する。 - 特許庁

The photoelectric conversion film 12 is a single layer film or a multilayer film and contains a copper oxide (I).例文帳に追加

光電変換膜12は、単層膜又は積層膜であり、酸化銅(I)を含む。 - 特許庁

SINGLE CRYSTAL LAYER CONTAINING SUBSTRATE, SOI SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND THEIR MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

単結晶層含有基板、SOI基板、半導体装置およびそれらの製造方法 - 特許庁

例文

A GaN-based semiconductor layer 2 is laminated on a GaN-based single crystal substrate 1.例文帳に追加

GaN系単結晶基板1の上にGaN系半導体層2が積層される。 - 特許庁


例文

Further, electromagnetic absorption characteristics do not depend upon frequencies because of a single conductive layer 26.例文帳に追加

また、単層の導電層26によって電磁波吸収特性が周波数に依存しない。 - 特許庁

The TFT has excellent current characteristics because an active layer is almost in a single-crystal state.例文帳に追加

そのTFTは、活性層が概ね単結晶状態にあるため、電流特性が良い。 - 特許庁

The substrate 12 has a single-layer structure and the wiring pattern 22 is provided on the top surface thereof.例文帳に追加

基板12は1層構造であり、この上面に配線パターン22が設けてある。 - 特許庁

CORRECTING METHOD OF DEVELOPMENT CONDITION OF ELECTROPHOTOGRAPHING METHOD USING ORGANIC SINGLE-LAYER PHOTORECEPTOR例文帳に追加

有機単層感光体を用いた電子写真方法における現像条件の補正方法 - 特許庁

例文

The thickness per single side of the negative electrode mixture layer 12 is set to be 50 μm or less.例文帳に追加

負極合材層12は片面あたりの厚さが50μm以下に設定されている。 - 特許庁

例文

Semiconductor chips are connected to a plurality single-layer wiring interposers sequentially and hierarchically, the interval of an outer bump pad on the single-layer wiring interposer is set to an integer times of the electrode pitch of the semiconductor chip, and the wiring pattern of each single-layer wiring interposer is simplified.例文帳に追加

半導体チップと複数の単層配線インターポーザを順次階層的に接続し、単層配線インタポーザ上のアウターバンプパッドの間隔を半導体チップの電極ピッチの整数倍として、それぞれの単層配線インターポーザの配線パターンを単純化する。 - 特許庁

For a photoreceptor further having an undercoat layer and/or a protective layer, at least one layer selected from the undercoat layer, the single photosensitive layer or the charge generating layer and the charge transport layer, and the protective layer is brought into contact with a supercritical fluid and/or a subcritical fluid after being formed.例文帳に追加

更に、下引き層及び/または保護層を有する感光体においては、下引き層、単層感光層又は電荷発生層及び電荷輸送層、保護層の少なくとも一つの層を、形成後超臨界流体及び/または亜臨界流体に接触させる電子写真感光体の製造方法。 - 特許庁

The magnetic recording medium has an undercoat layer and at least a single-layer magnetic layer, containing a ferromagnetic powder and a binder on its nonmagnetic base material, in this order.例文帳に追加

非磁性支持体上に下塗り層並びに強磁性粉末及び結合剤を含む少なくとも一層の磁性層をこの順に有する磁気記録媒体。 - 特許庁

This entry board for small bore boring work with the lubricating layer is constituted by forming the lubricating layer 4 through an undercoating layer 3 containing a saponified polyvinyl alcohol at least on a single surface of the aluminum made base plate.例文帳に追加

アルミニウム製基板2の少なくとも片面に、ポリビニルアルコールのケン化物を含有する下塗り層3を介して潤滑層4が形成されてなる。 - 特許庁

A metal film 8 is formed in a part of the surface of a laminated sheet wherein a base layer 2, a silicon oxide layer 4 and a single crystal silicon layer 6 are stacked.例文帳に追加

ベース層2と酸化シリコン層4と単結晶シリコン層6が積層されている積層板の表面の一部に金属膜8を形成する。 - 特許庁

A Pd-electrode 36 coats the ridge 26 and a part of the single-layer adhesive layer 34 and is connected to a p-type GaN contact layer 24 of the ridge 26.例文帳に追加

Pd電極36がリッジ部26及び単層密着層34の一部を覆い、リッジ部26のp型GaNコンタクト層24に接続されている。 - 特許庁

Only a specific part corresponding to an ischium part of a seated person, is made a single layer structure with a filler layer 21 of low density, by eliminating a surface layer 22 of high density.例文帳に追加

着座者の座骨部に対応する特定部位のみは、高密度の表層22をなくし、低密度の充填層21による一層構造とした。 - 特許庁

On a base substrate having a light-transmitting property, a light-transmitting insulating layer and a single crystal semiconductor layer fixed via the insulating layer are formed.例文帳に追加

透光性を有するベース基板上に、透光性を有する絶縁層と、絶縁層を介して固定された単結晶半導体層を形成する。 - 特許庁

Thus, the optical absorption layer 15m can modulate light over the wider temperature range than the optical absorption layer composed of a single well layer.例文帳に追加

このため、光吸収層15mは、単一の井戸層から構成される光吸収層よりも広い温度範囲にわたって光を変調できる。 - 特許庁

After the surface of a silicon wafer made of single crystal is ground and a processing altered layer is formed on a wafer surface layer, the altered layer is irradiated with high-energy light to be fused, and solidified.例文帳に追加

単結晶のシリコンウェーハの表面を研削し、ウェーハ表層に加工変質層を形成後、変質層を高エネルギ光の照射で溶融、固化する。 - 特許庁

The undercoat layer 14 is a layer comprising a single non-porous anodized aluminum layer that has an impedance of less than about 50or of from about 20 to about 50 kΩ.例文帳に追加

下地層14を非孔質陽極酸化アルミニウム層を含む層とし、そのインピーダンスを約50kΩ未満又は約20〜約50kΩの範囲内とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a silicon semiconductor substrate of which a surface layer part of a silicon substrate is formed of a silicon oxide layer and a single crystalline silicon carbide layer.例文帳に追加

シリコン基板の表層部が酸化シリコン層と単結晶炭化シリコン層とからなるシリコン半導体基板を製造する方法を提供する。 - 特許庁

A laminated metal panel is constituted by laminating a polyester film containing a layer (A) and a layer (B) on at least the single surface of a metal panel through the layer (B).例文帳に追加

(A)層と(B)層とを含有するポリエステル系フィルムを、(B)層を介して金属板の少なくとも片面に積層してなるラミネート金属板である。 - 特許庁

FORMATION METHOD OF SINGLE CRYSTAL SEMICONDUCTOR LAYER, FORMATION METHOD OF CRYSTALLINE SEMICONDUCTOR LAYER, FORMATION METHOD OF POLYCRYSTALLINE SEMICONDUCTOR LAYER, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

単結晶半導体層の形成方法、結晶性半導体層の形成方法、多結晶半導体層の形成方法、及び、半導体装置の作製方法 - 特許庁

An Mg layer 22 of and a Ce layer 23 of a single crystal are formed continuously on an Si substrate 21, and then O2 molecule 24 is supplied on the Ce layer 23.例文帳に追加

Si基板21上に単結晶のMg層22,Ce層23を連続して形成した後、Ce層23の上にO_2 分子24を供給する。 - 特許庁

The light-receiving body 3 is a diffused layer consisting of a p-type single crystal silicon layer, which is used as a second conductivity type semiconductor layer, and is buried in the surface of the base body 2.例文帳に追加

受光体3は、第2導電型半導体としてのp型単結晶シリコンからなる拡散層であり、基体2の表面に埋設されている。 - 特許庁

A soft magnetic layer 3F (or a hard magnetic layer) for obtaining the single magnetic domain of the free-layer 3A in the same plane shape is arranged at the lower part of the plurality of SV/GMR elements 3.例文帳に追加

複数のSV-GMR素子3の下部には同一平面形状で自由層3Aの単磁区化を行う軟磁性層3F(又は硬磁性層)が配設される。 - 特許庁

The group III nitride semiconductor layer 2 has an n-type contact layer 21, a quantum well layer 22, a GaN final barrier layer 25, a p-type electron block layer 23, and a p-type contact layer 24 formed sequentially from the GaN single crystal substrate 1 side.例文帳に追加

III族窒化物半導体層2は、GaN単結晶基板1側から順に積層されたn型コンタクト層21、量子井戸層22、GaNファイナルバリア層25、p型電子阻止層23、およびp型コンタクト層24を有している。 - 特許庁

To provide a light-confining-type single crystal silicon solar cell whose film photoelectric conversion layer is a single crystal silicon having high crystallinity.例文帳に追加

薄膜の光変換層を結晶性の高い単結晶シリコンとした光閉じ込め型単結晶シリコン太陽電池を提供する。 - 特許庁

A single-crystal semiconductor separated from a single-crystal semiconductor substrate is formed partly over a supporting substrate with a buffer layer provided therebetween.例文帳に追加

支持基板上に、バッファ層を介して単結晶半導体基板から分離させた単結晶半導体を部分的に形成する。 - 特許庁

Thus the microcavities are densely formed on a separation layer 3 that is located inside the single-crystal base material 1 and is separated from a surface of the single-crystal base material 1.例文帳に追加

これにより、単結晶基材1の表面から内部に離れた剥離層3に、マイクロキャビティを集積して形成する。 - 特許庁

Subsequently, a first impurity diffusion layer having a single crystal silicon layer is formed above the silicon pillar and, at the same time, a first contact plug having a single crystal silicon layer and a polycrystal silicon germanium layer is formed on the silicon pillar.例文帳に追加

この後、熱処理により、シリコンピラー上部に単結晶シリコン層を有する第1の不純物拡散層を形成すると同時に、シリコンピラー上に単結晶シリコン層及び多結晶シリコンゲルマニウム層を有する第1のコンタクトプラグを形成する。 - 特許庁

A first single crystal semiconductor layer is formed on a supporting substrate by isolating the single crystal semiconductor substrate from the isolating plane of the fragile layer or the area near the relevant fragile layer after stacking and laminating the insulating layer and the supporting substrate.例文帳に追加

絶縁層と支持基板とを重ね合わせて貼り合わせた後、脆化層又は当該脆化層の近傍を分離面として単結晶半導体基板を分離させることにより、支持基板上に第1単結晶半導体層を形成する。 - 特許庁

This molded pulp product is characterized by having a pulp fiber layer of single layer structure made from a single raw material composition and having a density distribution in the thickness direction and having a coating layer on at least inside or outside of the pulp fiber layer.例文帳に追加

本発明のパルプモールド成形体は、単一の原料組成物から抄造され且つ厚み方向に密度分布を有する単層構造のパルプ繊維層を備え、前記パルプ繊維層の少なくとも内面又は外面が被覆層で被覆されている。 - 特許庁

Next, a defect introduced in the single crystal silicon layer 33 or the polycrystalline silicon layer 34 or a defect between the polysilicon layer 34, the single crystal silicon layer 33, and the starting substrate 31 is repaired by thermal treatment or laser anneal treatment.例文帳に追加

次いで、単結晶シリコン層33中または多結晶シリコン層34中に導入された欠陥や、多結晶シリコン層34、単結晶シリコン層33および出発基板31の間の欠陥を、熱処理やレーザーアニール処理によって回復させる。 - 特許庁

Next, the first wafer 20 is peeled from the second wafer 17 each including the silicon single-crystal layer 24 at the defective layer 23, thereby an SOI wafer 16 having the silicon layer 22 and the silicon single-crystal layer 24 formed on the silicon oxide layer 22 is formed.例文帳に追加

次に、それぞれシリコン単結晶層24を含む第2のウェハ17から第1のウェハ20を欠陥層23において剥離することにより、酸化シリコン層22と酸化シリコン層22の上に形成されたシリコン単結晶層24とを有するSOIウェハ16を形成する。 - 特許庁

A tin-plated layer of 400-900 mg/m2 per single side, a metal chromium layer of 30-110 mg/m2 per single side, and a hydrate oxide layer of the chromium of 3.0-30.0 mg/m2 in terms of metal chromium are formed on at least one side of the steel plate.例文帳に追加

鋼板表面の少なくとも片面に、錫めっき層を片面当たり400 〜900mg/m^2、金属クロム層を片面当たり30〜110 mg/m^2 、前記クロムの水和酸化物層を金属クロム換算で片面当たり3.0 〜30.0mg/m^2 形成する。 - 特許庁

In the element isolation process, a single crystal silicon layer that is provided on a semiconductor substrate 11 via an insulation layer is partially oxidized, and a plurality of island-shaped single crystal silicon layers 13a that are divided by an insulation layer 16 are formed.例文帳に追加

素子分離工程は、半導体基板11上に絶縁層を介して設けた単結晶シリコン層を部分酸化して、絶縁層16によって区画した島状の単結晶シリコン層13aを複数形成する。 - 特許庁

A TFT 30 forming the single crystal silicon layer as a channel region 1a' is formed on the insulator layer and at least one line defect D exists within the single crystal silicon layer forming the channel region 1a'.例文帳に追加

そして、絶縁体層上に単結晶シリコン層をチャネル領域1a'としたTFT30が形成され、チャネル領域1a'をなす単結晶シリコン層内に少なくとも一つの線欠陥Dが存在している。 - 特許庁

On a single-crystal substrate 1, a buffer layer 2 and an optical waveguide layer 3 are formed and in the optical waveguide layer 3, a ridge type channel optical waveguide 4 is formed along the length of the single-crystal substrate 1.例文帳に追加

単結晶基板1上にはバッファ層2及び光導波路層3が形成され、光導波路層3には単結晶基板1の長手方向に沿ってリッジ型のチャンネル光導波路4が形成されている。 - 特許庁

To provide a single layer type organic electrophotographic photoreceptor of high sensitivity with which the occurrence of the degradation in photoreceptor performance due to strong light fatigue is averted by improving the strong light fatigue characteristic in a photosensitive layer of a single layer type.例文帳に追加

単層型の感光層における強光疲労特性を改良することで、強光疲労による感光体性能の低下を生ずることがない、高感度の単層型有機電子写真感光体を提供する。 - 特許庁

A light emitting element is formed between a laminate composed of a single unit or a plurality of units, with a lamination structure of a metal layer and organic compound layer as a single unit, and an inorganic compound layer which a visible light penetrates.例文帳に追加

金属層と有機化合物層との積層構造を一単位としてその一単位又は複数単位から成る積層体と、可視光を透過する無機化合物層との間に発光素子が形成される構成となる。 - 特許庁

The outer peripheral part of a single cell layer constituted of the positive electrode active material layer, the electrolyte layer, and the negative electrode active material layer is sealed by a sealing part having a second resin as the base material.例文帳に追加

正極活物質層、電解質層、および負極活物質層から構成される単電池層の外周部が、第2の樹脂を基材とするシール部により封止されてなる。 - 特許庁

An upper surface (surface to be polished 10) opposite to the single crystal thin film layer (superconductive layer 4) on at least one of the intermediate thin film layer (intermediate layer 3) is polished.例文帳に追加

中間薄膜層(中間層3)のうちの少なくとも1つにおいて単結晶性薄膜層(超電導層4)と対向する上部表面(被研磨面10)は研磨加工されている。 - 特許庁

A spacer layer 2 is formed on a single crystal substrate 1, and an epitaxial growth layer 3 comprising a III-V compound semiconductor layer including a nitride, or the like, is formed on the spacer layer 2.例文帳に追加

単結晶基板1の上に、スペーサ層2を形成し、さらに、スペーサ層2の上に、窒化物を含むIII-V 族化合物半導体層などからなるエピタキシャル成長層3を形成する。 - 特許庁

The electrophotographic photoreceptor is a single-layer electrophotographic photoreceptor obtained by disposing a single-layer photosensitive layer on a conductive support directly or by way of an intermediate layer, wherein the electrophotographic photoreceptor has a protective layer formed using a sol solution of a metal hydroxide and/or oxide on the photosensitive layer.例文帳に追加

導電性支持体上に直接又は中間層を介して単層の感光層を設けてなる単層型電子写真感光体において、感光層の上に、金属水酸化物及び/又は酸化物のゾル溶液を用いて形成された保護層を有することを特徴とする電子写真感光体。 - 特許庁

In the photoreceptor, a laminate type photosensitive layer or a single-layer type photosensitive layer is formed on a conductive support 1, and a charge transport layer 3 or the single-layer type photosensitive layer contains a charge transport material which has a benzofuran in a skeleton, butadiene in a linking group, and arylamine, heteroaryl, benzothiophene, indole, and thiophene in a substituent.例文帳に追加

積層型感光層、または単層型感光層が導電性支持体1上に形成されており、電荷輸送層3または単層型感光層が、骨格にベンソフラン結合基にブタジエン、置換基がアリールアミン、ヘテロアリール、ベンゾチオフェン、インドール、チオフェンを有する電荷輸送物質を有する感光体。 - 特許庁

A thermoplastic resin sheet 2 is a single layer resin sheet comprising an expanded layer of which the expansion ratio is 1.5 to 9 times, or a multi-layer resin sheet containing at least one layer of the expanded layer of which the expansion ratio is 1.5 to 9 times and at least one layer of a non- expanded layer.例文帳に追加

熱可塑性の樹脂シート2は、発泡倍率が1.5〜9倍の発泡層からなる単層樹脂シート、または少なくとも一層の発泡倍率が1.5〜9倍の発泡層と少なくとも一層の非発泡層とを含む多層樹脂シートである。 - 特許庁

The single crystal SiC substrate 1 is stripped by the muddy layer 2 thus forming a deposition substrate 6 where a single crystal SiC layer 1a composed of a part of the single crystal SiC substrate 1 is provided on the base substrate 3.例文帳に追加

これにより、泥弱層2で単結晶SiC基板1を剥離させ、単結晶SiC基板1の一部によって構成される単結晶SiC層1aをベース基板3上に備えた堆積用基板6を形成する。 - 特許庁

例文

This pressure sensor is provided with a single-crystal silicon support substrate 1, an insulating layer 2 formed on the single-crystal silicon support substrate 1, and a single-crystal silicon thin sheet 3 having a uniform thickness formed on the insulating layer 2.例文帳に追加

圧力センサは、単結晶シリコン支持基板1と、単結晶シリコン支持基板1上に形成された絶縁層2と、絶縁層2上に形成された均一な厚さを有する単結晶シリコン薄板3とを備えている。 - 特許庁




  
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