「single-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(80ページ目) - Weblio英語例文検索

This charge coupled device, having a single layer gate electrode structure, comprises a gate insulator film 10 formed on a silicon substrate 1; a plurality of barriers 20, consisting of an insulator, formed on the gate insulator film 10; and recess gate electrodes 30, arranged between adjacent ones of the barriers 20, having side faces formed along side portions of the barriers 20.例文帳に追加

この電荷結合素子は、単層のゲート電極構造を有する電荷結合素子であって、シリコン基板１上に形成されたゲート絶縁膜１０と、ゲート絶縁膜１０上に形成された絶縁物からなる複数の隔壁２０と、隣接する隔壁２０間に配置され、隔壁２０の側部に沿って形成された側面を有する凹形状のゲート電極３０とを備えている。 - 特許庁

This current collecting member 20 is characterized by that a Cr diffusion prevention layer 202, formed of a single element oxide of a fourth-period metal element in the periodic table except for a perovskite structure or a composite oxide of the fourth-period metal element in the periodic table, and Cr is formed on a surface of a current collection body 201 formed of alloy-containing Cr.例文帳に追加

本発明の集電部材２０は、Ｃｒを含有する合金からなる集電本体２０１の表面に、ペロブスカイト型構造を除く周期律表第４周期金属元素の単一元素酸化物または前記周期律表第４周期金属元素とＣｒとの複合酸化物からなるＣｒ拡散防止層２０２が設けられたことを特徴とする集電部材２０である。 - 特許庁

A vulcanizate layer of hydrogenated nitrile rubber containing 160-300 pts.wt. of at least one of silicic acid, calcium silicate and calcium carbonate and 20 pts.wt. of carbon black per 100 pts.wt. of the hydrogenated nitrile rubber is laminated to the single surface or both surfaces of a metal panel surface-treated with a composite type chromate treatment agent through an adhesive containing a phenol resin.例文帳に追加

複合型クロメート処理剤で表面処理された金属板の片面または両面に、フェノール樹脂を含有する接着剤を介して、水素化ニトリルゴム100重量部当りけい酸、けい酸カルシウムおよび炭酸カルシウムの少くとも一種160〜300重量部およびカーボンブラック20重量部以下を含有する水素化ニトリルゴムの加硫物層を積層したゴム積層金属板。 - 特許庁

The tooth whitening substances comprise a single sheet or a laminate formed of a polymer, natural or synthetic fabric, nonwoven fabric, foil, paper, rubber or combination thereof used as a substrate material 26, and two substrates 22A, 22B including a thin layer 24 of peroxide active substances (hydrogen peroxide, calcium peroxide, carbamide peroxide and mixtures thereof) as tooth whitening composition located on the supporting substrate 26.例文帳に追加

支持材料２６としてポリマー、天然及び合成の織物、不織布、ホイル、紙、ゴム及びそれらの組み合わせから形成されたものの単独、または積層体を使用し、該支持材料２６上に配置され、歯を白くする組成物としてペルオキシド活性物質（過酸化水素、カルシウムペルオキシド、カルバミドペルオキシド、及びこれらの混合物）の薄層２４を有する２つの基材２２Ａ，２２Ｂとを備える。 - 特許庁

To provide electrophotographic toner that possesses stable electrostatic charging property in an image forming method by electrophotography, in particular, in a single component developing method, that gives an appropriate and uniform toner layer thickness on a developing sleeve, that shows high image density and a long life property (that is, maintaining high image density through continuous printing of a large number of sheets) with a less consumed amount of the toner.例文帳に追加

本発明の課題は、電子写真法による画像形成方法、特に一成分現像方法において、安定した帯電性を有し、現像スリーブ上のトナー層厚が適切で均一であり、高画像濃度でロングライフ性を有し（多数枚連続プリントを通じて高画像濃度を維持すること）、かつ、トナー消費量が少ない電子写真用トナーを提供することにある。 - 特許庁

The fixing device 60 for fixing a toner image carried on a recording material is equipped with a fixing roll 61, an endless belt 62 which moves as in contact with the fixing roll 61 and which is composed of a single layer prepared by compounding 100 parts by weight of a fluorocarbon resin, such as polytetrafluoroethylene resin and 10 to 40 parts by weight of a reinforcing filler, such as acicular whiskers.例文帳に追加

記録材に担持されたトナー像を定着する定着装置６０であって、定着ロール６１と、定着ロール６１に接触しながら移動し、ポリテトラフルオロエチレン樹脂等のフッ素樹脂１００重量部と針状ウィスカー等の補強性フィラー１０重量部〜４０重量部とを配合してなる単一層から構成されるエンドレスベルト６２と、を有する定着装置６０。 - 特許庁

The ultrasonic wave probe is characterized in that inserting the piezoelectric body 111 made of a solid solution group single crystal containing at least lead titanate between resin layers 113, 115 whose acoustic impedance is smaller than that of the piezoelectric body and having conductivity can prevent occurrence of defective processing at cutting and the resin layers are used for an acoustic matching layer or electrodes.例文帳に追加

少なくともチタン酸鉛を含む固溶系単結晶により形成された圧電体１１１を当該圧電体よりも音響インピーダンスが小さく導電性を有する樹脂層１１３，１１５で挟むことで、切断時の加工不良の発生を防止し、樹脂層を音響整合層或いは電極として使用可能であることを特徴とする超音波プローブ。 - 特許庁

In the manufacturing method of the semiconductor device in which the gate insulation film is formed on a silicon single crystal substrate for the gate insulation film, an oxide layer is formed by an organic metal chemical vapor deposition method using a gaseous mixture having an oxidizing gas and an organic metal gas composed of the cyclopentadienyl complex of elements composed of one or more kinds of Ln (Ln is rare earth element).例文帳に追加

本発明は、シリコン単結晶基板上に、ゲート絶縁膜を形成する半導体装置の製造法において、前記ゲート絶縁膜を、Ｌｎ（Ｌｎは希土類元素）の１種類以上からなる元素のシクロペンタジエニル錯体からなる有機金属ガスと酸化性ガスとを有する混合ガスを用いた有機金属化学気相成長法によって酸化物層を形成することを特徴とする。 - 特許庁

The single crystal layer 11 of zinc oxide is grown by blowing a material gas containing at least an organic zinc compound material not containing an oxygen atom and steam on the substrate 10 using an organic metal compound not containing oxygen and steam by an MOCVD method at a growing temperature of 250-450°C and a growing pressure of 1-30 kPa.例文帳に追加

ＭＯＣＶＤ法により酸素を含まない有機金属化合物と水蒸気を用い、成長温度が２５０℃から４５０℃の範囲内で、かつ、成長圧力が１ｋＰａから３０ｋＰａの範囲内であって、酸素原子を含まない有機亜鉛化合物材料と水蒸気とを少なくとも含む材料ガスを基板１０に吹き付けて酸化亜鉛の単結晶層１１を成長させる。 - 特許庁

To provide a vinylidene chloride-based copolymer particle having a specific particle size distribution and a bulk specific gravity, a copolymer particle which can improve the extrusion characteristics such as an extrusion stability and an uniform film thickness for obtaining an oriented or non-oriented film, a single layer material or a multilayer material by an ordinary melt molding method and an obtained film.例文帳に追加

特定の粒子径分布とかさ比重を持つ塩化ビニリデン系共重合体粒子を提供するとともに、通常の溶融成形法により、延伸または未延伸、単層体または多層構造体のフィルムとする場合に、押出安定性及びフィルム膜厚みの均一性などの押出特性が改良することができる共重合体粒子及び得られるフィルムを提供する。 - 特許庁

To provide a silicon single crystal wafer which well displays the gettering effect by avoiding the abuses of the conventional IG method, contains little impurity or crystal strain on the surface layer at the device forming side and has gettering sites compactly existing in the wafer interior, without deteriorating various characteristics such as intensity characteristic, electric resistance characteristics, etc.例文帳に追加

従来のＩＧ法による弊害が回避され、ゲッタリング効果を良好に発揮できるシリコン単結晶ウエハを提供すること、デバイス形成側面の表層には不純物や結晶歪みがほとんど存在せず、しかも強度特性、電気抵抗特性等の諸特性を損なうことなくウエハ内部（バルク）にゲッタリングサイトが密に存在するシリコン単結晶ウエハを提供すること。 - 特許庁

Single- or multi-layered oxide layer of at least cobalt, yttrium, ytterbium, and lutetium is formed on a surface of skeletal structure of Ni metal porous base board having a three-dimensionally ranged space, and at same time, an alkaline storage cell is structured of a positive electrode filled with an active material of nickel hydroxide particles at a hole of the base board, a negative electrode, a separator and alkali electrolytic solution.例文帳に追加

３次元的に連なる空間を有するＮｉ金属多孔質基板の骨格表面に少なくともコバルト、イットリウム、イッテルビウム、ルテチウムの単層あるいは積層の酸化物層を形成するとともに、前記基板の孔部に水酸化ニッケル粉末からなる活物質を充填した正極と、負極と、セパレータと、およびアルカリ電解液とからなるアルカリ蓄電池を構成する。 - 特許庁

A dry etching process, constituted of a process for dry-etching the upper electrode film 10 by using a condition that the adhesion 14 of a reaction product to the sidewall of the photoresist mask 5, and a process subjecting the ferroelectric film 11 to dry etching by condition that the reaction product does not adhere to the sidewall of the photoresist mask, when a ferroelectric film single layer is subjected to dry etching is performed.例文帳に追加

フォトレジストマスク５側壁への反応生成物の付着１４が発生する条件を用いて上部電極膜１０のドライエッチングを行う工程と、強誘電体膜単層のドライエッチング時にフォトレジストマスク側壁に反応生成物の付着が発生しない条件により強誘電体膜１１のドライエッチングを行う工程からなるドライエッチングプロセスを行う。 - 特許庁

A silicon layer 22(22s and 22d) wherein a single crystal silicon is crystal-grown by touching a silicon-contained metal molten liquid is provided on a p-well region 13 where one component (source region, drain region of silicon of a semiconductor element (MOS transistor 1) formed on a silicon substrate 11 is formed, with a source region 17 and a drain region 18 formed thick.例文帳に追加

シリコン基板１１に形成した半導体素子（ＭＯＳトランジスタ１）のシリコンからなる一構成部品（ソース領域、ドレイン領域）が形成されるｐウエル領域１３上に、シリコン含有金属溶融液を接触させることで単結晶シリコンを結晶成長させたシリコン層２２（２２ｓ、２２ｄ）を設け、ソース領域１７、ドレイン領域１８を厚く形成したものである。 - 特許庁

The diamond substrate 10 has a substrate 3 with a main face 3a including first regions r1 and a second region r2 surrounding the first regions r1, a plate-like single crystal diamond parts 5 provided on the first regions r1 of the main face 3a, and a layer-like polycrystalline diamond part 7 provided on the second region r2 of the main face 3a.例文帳に追加

ダイヤモンド基板１０は、第１の領域ｒ１と第１の領域ｒ１を取り囲む第２の領域ｒ２とを含む主面３ａを有する基板３と、主面３ａの第１の領域ｒ１上に設けられた板状の単結晶ダイヤモンド部５と、主面３ａの第２の領域ｒ２上に設けられた層状の多結晶ダイヤモンド部７とを備える。 - 特許庁

The antireflection film 100 comprises a hard coat layer2, two or more primer layers 3, 4, and an antireflection layer 5 sequentially laminated on a transparent substrate film 1 and is such that the two or more primer layers 3, 4 are comprises a metal, a metal compound single body, or a mixture thereof, and the two or more primer layers 3, 4 have compositions different from one another.例文帳に追加

透明基材フィルム１上に、ハードコート層２、２層以上のプライマー層３，４、反射防止層５を順次積層した反射防止フィルム１００であって、該２層以上のプライマー層３，４が、金属あるいは金属化合物単体もしくは混合物よりなり、かつ、該２層以上のプライマー層３，４が、異なる組成であることを特徴とする反射防止フィルム１００。 - 特許庁

The sapphire single crystal substrate 1 includes approximately parallel and linear steps 2a each having the height of one molecular layer on a main surface, wherein the degree of the slope from a specific crystalline surface of the sapphire of the main surface or the width of a specific terrace 3a formed between the steps 2a takes a value in a specific range and each terrace described in the above has about the same width.例文帳に追加

主面に１分子層の高さを有する略平行な略直線状のステップ２ａを有し、前記主面のサファイヤの特定結晶面からの傾斜の大きさ、又は前記ステップ２ａの相互間に形成された特定のテラス３ａの幅が、所定の範囲内のいずれかの値であり、かつ前記テラスの幅が各々略等しいサファイヤ単結晶基板１。 - 特許庁

In this electro-optical device, a scanning line driving circuit 400 and a data line driving circuit 200 which make a TFT (thin film transistor) having a channel region consisting of a single crystal silicon layer one of structural elements are formed on an active matrix substrate and N-channel TFTs which form source-tie structure are used in the scanning line driving circuit 400 and the data line driving circuit 200.例文帳に追加

本発明の電気光学装置は、アクティブマトリクス基板上に、単結晶シリコン層からなるチャネル領域を有するＴＦＴを構成要素の一つとする走査線駆動回路４００およびデータ線駆動回路２００が形成され、走査線駆動回路４００およびデータ線駆動回路２００にソースタイ構造をなすＮチャネルＴＦＴが用いられている。 - 特許庁

A plurality of organic EL elements 3 interposing an organic luminous layer 6 between a pair of electrodes 4, 5 are formed on a single substrate 2, and the organic EL element 3 is sealed by a sealing member 7, and the pair of electrodes 4, 5 are respectively drawn out on the substrate 2 outside of the sealing member 7, and are formed as external terminal parts 2t, 3t for wiring connection.例文帳に追加

単一の基板２上に、一対の電極４，５間に有機発光層６を介在させてなる有機ＥＬ素子３の複数個が形成され、かつ、有機ＥＬ素子３は、封止部材７によって封止されると共に、一対の電極４，５がそれぞれ封止部材７の外部の基板２上に引き出されて配線接続用の外部端子部２ｔ，３ｔとして形成されている。 - 特許庁

A solid state imaging device of single layer electrode structure having a planar surface is fabricated by forming an interelectrode insulating film 6 on the sidewall of a first electrode 3 and then etching back a second electrode 7 using mask patterns 4 and 5 for forming the pattern of the first electrode as an etching stopper.例文帳に追加

単層電極構造の固体撮像素子を形成するに際し、第１の電極３の側壁に電極間絶縁膜６を形成したのち、第１の電極のパターンを形成するためのマスクパターン４，５をエッチングストッパとして第２の電極７をエッチバックするようにし、平坦な表面をもつ単層電極構造の固体撮像素子を形成するようにしたことを特徴とする。 - 特許庁

At least an edge of the photoelectric conversion part of the gate oxide film 15 constitutes the gate oxide film of a single-layer structure that will not contain a silicon nitride film 16.例文帳に追加

半導体基板１０上に形成された光電変換部１２と、前記光電変換部に近接した、電荷転送素子（ＣＣＤ）の転送路のゲート酸化膜が、酸化シリコン膜（ＳｉＯ）１５と、窒化シリコン膜（ＳｉＮ）１６との積層構造膜で構成され、少なくとも前記ゲート酸化膜１５の光電変換部側端部が窒化シリコン膜１６を含有しない単層構造のゲート酸化膜をなすことを特徴とする。 - 特許庁

In the IC tag, at an inlet having both a transmitting/receiving antenna base and an IC chip for radio communication which is mounted on the surface of the transmitting/receiving antenna base via an electrical connection, a single side and/or the opposite side of the inlet is either laminated with a copolymerized polyester film adhesive material or provided with a coating layer of a copolymerized polyester resin.例文帳に追加

送受信アンテナ基板と、電気的接続部を介して前記送受信アンテナ基板の表面に搭載された無線通信用ＩＣチップとを備えたインレットにおいて、前記インレットの片面および／または反対面を、共重合ポリエステルフィルム接着材料を積層、または、共重合ポリエステル樹脂のコーティング層を設けるかのいずれかの加工が施されていることを特徴とするＩＣタグ。 - 特許庁

A gate driver circuit 10, a power MOSFET 20a, an MOS transistor 20b, a diode 30a, a power smoothing coil 40a and a power smoothing capacitor 40b are arranged close to one another in one identical semiconductor chip 60 which is formed, for example, from single crystal silicon Si, and these constituents are electrically connected via a wiring layer formed to the semiconductor chip 60.例文帳に追加

ゲートドライバ回路１０、パワーＭＯＳＦＥＴ２０ａ、ＭＯＳトランジスタ２０ｂ、ダイオード３０ａ、出力平滑用コイル４０ａ及び出力平滑用コンデンサ４０ｂを、例えば単結晶シリコンＳｉからなる同一の半導体チップ６０内に近接配置するとともに、この半導体チップ６０に形成された配線層を通じてこれら構成要素を電気的に接続する。 - 特許庁

(1) This manufacturing method includes processes of: forming polysilicon layers on outer surfaces of a silicon wafer formed with a non-defect region cut out from a silicon single-crystal ingot grown by Czochralski method; applying an RTA process to the wafer with the polysilicon layers formed thereon; and removing the polysilicon layer at least on one-side principal surface of the wafer after the RTA process.例文帳に追加

（１）チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶インゴットから切り出された無欠陥領域からなるシリコンウェーハの外表面にポリシリコン層を形成する工程と、前記ポリシリコン層を形成したウェーハにＲＴＡ処理を施す工程と、ＲＴＡ処理後のウェーハのすくなくとも一方の主面のポリシリコン層を除去する工程とを有する製造方法。 - 特許庁

To provide a phased array antenna which has a plurality of variable phase shifter each configured by using a variable dielectric constant dielectric body whose dielectric constant varies with an applied voltage, and which reduces dispersion in dielectric constants of variable dielectric constant dielectric body layer, can be controlled by a single applied voltage, less deforms a beam shape even in beam tilt, and can maintain a high directivity gain.例文帳に追加

印加電圧により誘電率が変化する可変誘電率誘電体を用いて構成された可変移相器を複数有するフェーズドアレイアンテナにおいて、可変誘電率誘電体層の誘電率のばらつきを低減し、単一の印加電圧により制御可能とし、ビームチルト時でもビーム形状の崩れが少なく、高い指向性利得が維持できるアンテナを実現する。 - 特許庁

The ink jet recording head comprises a pressure generating chamber 12 formed in a silicon single crystal substrate conducting with a nozzle opening, an elastic film 50 forming a part of the pressure generating chamber, a lower electrode 60 arranged on the elastic film 50, a piezoelectric layer 70 and an upper electrode 80 wherein a lower electrode thin film part 60a is formed in a region facing the pressure generating chamber 12.例文帳に追加

ノズル開口に連通するシリコン単結晶基板に形成された圧力発生室１２と、この圧力発生室の一部を構成する弾性膜５０と、該弾性膜５０上に設けられた下電極６０、圧電体層７０及び上電極８０を備えたインクジェット式記録ヘッドにおいて、圧力発生室１２に対向する領域に下電極薄膜部６０ａを形成する。 - 特許庁

The synthetic method of the single layer carbon nanotube includes a 1st step for preparing a liquid mixture containing an organic metallic compound of a precursor for the carbon nanotube synthesis and a carbon supply source, a 2nd step for adding a supporting body on the surface of which the carbon nanotube is synthesized into the liquid mixture and a 3rd step for irradiating the liquid mixture into which the supporting body is added with ultrasonic wave.例文帳に追加

カーボンナノチューブ合成の前駆体である有機金属化合物と炭素供給源とを含む混合液を調製する第１段階と、表面上でカーボンナノチューブが合成される支持体を混合液に添加する第２段階と、支持体が添加された混合液に超音波を照射する第３段階と、を含むことを特徴とする単層カーボンナノチューブの合成方法である。 - 特許庁

The circuit board 14 includes: a single-layer substrate 14a on which an analog circuit 20b and a digital circuit 20a are mounted; and multilayer substrates 14b and 14c which have connectors (an interface 30 for HDMI and a panel output interface 33) for communication with external devices at one end and wiring patterns 31 and 34 for electrically connecting the connectors with the digital circuit 20a.例文帳に追加

回路基板１４において、アナログ回路２０ｂとデジタル回路２０ａとを実装する単層基板１４ａと、一端側に外部との交信を行うコネクタ（ＨＤＭＩ用インターフェース３０、パネル出力インターフェース３３）を実装すると共に、それらコネクタとデジタル回路２０ａとの間を電気的に接続する配線パターン３１、３４が形成された多層基板１４ｂ、１４ｃとを、備える。 - 特許庁

The tubular medical instrument is provided with a single layer or multiple layers of tubes, an operation device which is connected to the rear end of the tubes to operate the medical instrument, a wireless communicable IC chip disposed into the operation device or a thickness portion of a tube involved and an antenna which is connected to the IC chip to be arrayed along the length of the tube.例文帳に追加

本発明は、チューブ状の医療器具であって、単層または多層からなるチューブと、前記チューブの後端と接続された前記医療器具を操作するための操作具と、前記操作具または前記チューブの肉厚内に配置される無線通信可能なＩＣチップと、前記ＩＣチップと接続され、前記チューブの長手方向に沿って配置されるアンテナとを備えることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a liquid crystal display device, capable of reducing the connection resistance of a pixel electrode and a drain electrode through a interlayer insulating film, and also, capable of satisfactorily patterning an ITO film free from a short circuit between mounted terminals on a single etching processing stage at the time of forming the pixel electrode, as for the liquid crystal display device having a pixel uppermost layer structure.例文帳に追加

画素最上層構造を有する液晶表示装置において、層間絶縁膜を介した画素電極とドレイン電極の接続抵抗を低減できると共に、画素電極形成時に、ＩＴＯ膜を一回のエッチング処理工程で実装端子間に短絡のないかつ良好なパターン形状にパターニングすることのできる液晶表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

This oxide superconducting laminated substrate 1 is manufactured by joining an oxide superconducting crystal substrate 3 having high flatness and high crystal properties to a high strength reinforcing crystal substrate 5, while interposing between them, an intermediate layer 7 consisting of a material having a lower melting point than that of the constituent oxide superconducting single crystal or polycrystal of the oxide superconducting crystal substrate 3.例文帳に追加

高い平坦性と高結晶性を有する酸化物超電導結晶基板３と、高強度の補強用結晶基板５とが、酸化物超電導結晶基板３を構成する酸化物超電導単結晶または酸化物超電導多結晶の融点よりも低融点の材料からなる低融点層を最外層に有する中間層７を介して接着された酸化物超電導積層基板１。 - 特許庁

To provide a method and a device for repairing an affected layer caused by machining work so as to have a crystal structure just the same as a substrate part without removing a material of a surface of a single crystal wafer.例文帳に追加

本発明の目的は、単結晶ウエハー表面の材料を除去することがなく、機械加工により生じた加工変質層を基板部分と全く同様な結晶構造に修復することであり、部品の加工精度を維持したままで、生産コストの削減、環境負荷の低減が期待できる、大気中で作動可能で、高速・高能率で簡単な単結晶ウエハーの表面欠陥の修復方法及び修復装置を提供することである。 - 特許庁

To provide a film structure analyzing method constituted so as to analyze the structure of a film structure comprising a single-layer film or a multilayered film and analyzing a plurality of measuring data, which is obtained by measuring the same film sample under a measuring condition different in at least either one of resolving power and a dynamic range, at the same time to determinate the film structure.例文帳に追加

単層膜または多層膜からなる膜試料の構造をＸ線反射率測定法により解析する膜構造解析方法において、同一の膜試料を分解能およびダイナミックレンジのうちの少なくともいずれかの条件が異なる測定条件により測定した複数の測定データを同時に解析することにより膜構造を決定することを特徴とする膜構造解析方法を提供する。 - 特許庁

A method of manufacturing an epitaxial wafer that uses the sheet type epitaxial device forming an epitaxial layer on a surface of a mounted wafer by horizontally placing the single semiconductor wafer on a susceptor provided in a chamber and rotating in a horizontal state, and supplying a material gas into the chamber while rotating the susceptor so that the material gas flow in the horizontal direction is characterized in that the susceptor revolves while rotating in the horizontal direction.例文帳に追加

チャンバ内に設けられた水平状態で回転するサセプタの上に単一の半導体ウェーハを水平に載置し、サセプタを回転させながらチャンバ内に水平方向に流れるように原料ガスを供給して、載置したウェーハの表面にエピタキシャル層を形成する枚葉式エピタキシャル装置を用いたエピタキシャルウェーハの製造方法において、サセプタが水平状態で自転しながら公転することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method by which degradation of superconductive characteristics can be suppressed and the superconductive thin film wiring material can be obtained at a superior yield rate, and productivity can be improved sufficiently, when manufacturing a lengthy superconductive thin film wiring material by continuously forming an intermediate layer on a lengthy orientation metal substrate at a single time of processing, and furthermore by continuously forming an oxide superconductor thin film.例文帳に追加

長尺の配向金属基板上に中間層を１回の処理で連続的に形成し、さらに酸化物超電導体薄膜を連続的に形成して長尺の超電導薄膜線材を製造するに際して、超電導特性の低下を抑制することができ、歩留まりよく超電導薄膜線材を得て、充分に生産性を向上させることができる製造方法を提供する。 - 特許庁

An aluminum nitride composite film 10 is produced by precipitating aluminum nitride 1 at 150 to 500°C by sputtering on a base material 6 comprising a single crystal α-Al_2O_3 substrate 3 and an aluminum nitride crystal film 5 formed thereon via an aluminum oxynitride layer 4, and subsequently annealing at a temperature higher than the reaction sputtering temperature and in a range from 250 to 800°C to form a highly oriented aluminum nitride polycrystalline film 1.例文帳に追加

単結晶α−Ａｌ２Ｏ３基板３上に、酸窒化アルミニウム層４を介して窒化アルミニウム結晶膜５が形成されてなる母材６上に、スパッタリング法により、１５０〜５００℃にて窒化アルミニウム１を析出させ、次いで、前記反応スパッタ温度よりも高く、かつ２５０〜８００℃にてアニールを行うことにより高配向窒化アルミニウム多結晶膜１が形成さた窒化アルミニウム複合膜１０が製造する。 - 特許庁

The semiconductor element comprises a substrate 1 having a crystal grown face in which partial setback recesses 8 are formed, and a single or a plurality of nitride semiconductor layers 2 grown on the crystal grown face wherein the atomic arrangement structure is identical to that of the semiconductor layer 2 on the crystal grown face.例文帳に追加

半導体素子が、部分的に内部に後退した凹部８が表面に形成された結晶成長面を有する基板１と、上記結晶成長面上に成長された、窒化物半導体からなる単層または複数層の半導体層２とを備えてなり、上記結晶成長面において、上記結晶成長面の原子配列構造と上記半導体層２の原子配列構造が同じである。 - 特許庁

Here, the single crystal and the heteroepitaxial layer are preferably made of at least one chosen from, or a mixture of two or more chosen from, barium titanate, strontium titanate, calcium titanate, bismuth sodium titanate, bismuth potassium titanate, lead titanate, bismuth titanate, barium zirconate, strontium zirconate, calcium zirconate, lead zirconate, bismuth zirconate, potassium niobate, sodium niobate, lithium niobate, bismuth ferrate, titanium oxide and zinc oxide.例文帳に追加

ここで、単結晶およびヘテロエピタキシャル層の材質は、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸ビスマスナトリウム、チタン酸ビスマスカリウム、チタン酸鉛、チタン酸ビスマス、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸ストロンチウム、ジルコン酸カルシウム、ジルコン酸鉛、ジルコン酸ビスマス、ニオブ酸カリウム、ニオブ酸ナトリウム、ニオブ酸リチウム、鉄酸ビスマス、酸化チタン、または酸化亜鉛から選ばれるいずれか１種、またはいずれか２種以上の混合物であることが好ましい。 - 特許庁

To improve an image height characteristic, to improve lightening of a lens and securing of operation distance, while to secure stable operation of an optical pickup device without eliminating the lens design flexibility, even when an objective lens performing recording or reproducing of information for an optical recording medium is used as a high NA lens of a single lens that converges short wavelength light on an optical recording layer.例文帳に追加

光記録媒体に対して情報の記録/再生を行う対物レンズが、短波長光を光記録層上に収束しうる単玉の高ＮＡレンズとして使用される場合にも、像高特性を良好なものとすることができ、レンズの軽量化および作動距離の確保を良好に図ることができるとともに、レンズ設計の自由度を損なうことなく、光ピックアップ装置の安定した動作を確保する。 - 特許庁

In this bipolar transistor formed on a silicon substrate 1, the basic structure is constituted of an intrinsic base 6 having a one conductivity type impurity formed on the surface of a semiconductor substrate, and an emitter 10 having the opposite conductivity type impurity embedded in the intrinsic base 6, and single crystal silicon 9a having an opposite conductivity type impurity and a second poly silicon 11 formed in a layer stack on the emitter 10.例文帳に追加

シリコン基板１上に形成されるバイポーラトランジスタであって、その基本構造では、半導体基板表面に一導電型不純物を有する真性ベース６が形成され、真性ベース６に埋め込まれて逆導電型不純物を有するエミッタ１０が形成され、エミッタ１０上に逆導電型の単結晶シリコン９ａと第２のポリシリコン１１が積層して形成されている。 - 特許庁

To obtain sufficient bonding strength in a crossing part even with respect to a homogenous molecularly oriented plastic rod-like body of a single layer without requiring any additional coating when a high tensile strength/large area lattice material is produced from a plastic rod-like body through a bonding process and to ensure economical productivity without markedly damaging molecular orientation in the crossing part.例文帳に追加

プラスチック棒状体から接合工程を経て高抗張力大表面積格子材を製造する際に、如何なる追加被覆も必要無しに単一層の均質な分子配向プラスチック棒状体でも交差部分において充分な接合強度が得られると共に交差部分における分子配向を著しく損なうことがなく、しかも経済的な生産性を確保することができるようにする。 - 特許庁

The dispersion slope compensation type dispersion compensated fiber compensates for cumulative chromatic dispersion and the cumulative chromatic dispersion slope of an optical fiber transmission path, and is provided with a loss layer 5 for selectively giving a loss only to the higher order modes inside an optical fiber, and operates substantially as a single-mode fiber, even if the cut-off wavelength in the higher order mode is longer than the wavelength to be used.例文帳に追加

光ファイバ伝送路の累積波長分散及び累積波長分散スロープを補償する分散スロープ補償型分散補償ファイバであって、光ファイバ内に、高次モードのみに選択的に損失を与える損失層５が設けられ、高次モードのカットオフ波長が使用波長より長くても実質的にシングルモードファイバとして動作することを特徴とする分散スロープ補償型分散補償ファイバ。 - 特許庁

The image forming method having a photoconductive layer composed of a non-single crystalline material consisting of silicon atoms as its parent body comprises using toners containing at least a binder resin, coloring agents and particulates containing at least a zinc oxide at 0.5 to 30 mol% in terms of a zinc element and metallic elements exclusive of the zinc element at 0.1 to 30 mol% of the zinc element in the zinc oxide.例文帳に追加

シリコン原子を母体とする非単結晶材料で構成された光導電層を有する画像形成方法において、結着樹脂と、着色剤と、少なくとも酸化亜鉛を亜鉛元素換算で０．５〜３０ｍｏｌ％含有し且つ亜鉛元素以外の金属元素を前記酸化亜鉛中の亜鉛元素に対して０．１〜３０ｍｏｌ％含有する微粒子とを少なくとも含有するトナーを用いることを特徴とする。 - 特許庁

The drawing processing part 202 includes a software composition means 2021 which composes a plurality of images stored in a drawing buffer corresponding to each image in a software manner and outputs the resulting image onto a single frame buffer assigned to a certain display layer; and a hardware composition means 2022 which assigns the drawing buffer corresponding to each image to a plurality of display layers, and performs superimposition of the images by use of the function of hardware.例文帳に追加

当該描画処理部２０２は、各画像に対応する描画バッファに格納された複数の画像を、ソフトウェア的に合成し、ある表示レイヤに割り当てられている単一のフレームバッファ上に出力するソフトウェア合成手段２０２１と、各画像に対応する描画バッファを複数の表示レイヤに割り当て、ハードウェアの機能を利用して前記画像の重ね合わせを行うハードウェア合成手段２０２２とを有する。 - 特許庁

Further, this laminated film includes at least one layer comprising a mixture of a copolymer resin containing at least two monomers selected from ethylene, propylene and butene and a polypropylene resin and the surface and back layers there are based on a mixture of a straight low density polyethylene resin comprising an ethylene/α-olefin single site copolymer and a low density polyethylene and compounded with a lubricating agent in an amount of 500 ppm or less.例文帳に追加

また、エチレン、プロピレン、ブテンから選ばれる少なくとも２種類を含む共重合体樹脂とポリプロピレン系樹脂の混合物からなる層を少なくとも１層含み、表裏層が、エチレンとα−オレフィンのシングルサイト系共重合体からなる直鎖状低密度ポリエチレン樹脂と低密度ポリエチレン樹脂の混合物を主成分とし、かつ、滑性付与剤の配合量が５００ｐｐｍ以下である。 - 特許庁