「single-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(72ページ目) - Weblio英語例文検索

The coated cutting tool includes a PcBN base 10 directly deposited, by chemical deposition, on one or more surfaces of a base including polycrystalline cubic boron nitride (PcBN) in which an α-alumina single layer exceeds 80 wt.%.例文帳に追加

α−アルミナ単層層が８０重量パーセントを超える多結晶立方晶窒化ホウ素（ＰｃＢＮ）を含む基体の１つ以上の表面上に、化学蒸着により直接堆積されるＰｃＢＮ基体１０を含む、コーティングされた切削工具を提供する。 - 特許庁

The laminated film made of the polyolefinic resin is obtained by laminating a primer layer containing a polyurethane resin based on a polycarbonate polyurethane resin on at least the single surface of a film made of the polyolefinic resin with a tensile elastic modulus (JIS K7127) of 98-980 MPa.例文帳に追加

引張弾性率（ＪＩＳ Ｋ ７１２７）が９８〜９８０ＭＰａのポリオレフィン系樹脂製フィルムの少なくとも片面に、ポリカーボネートポリウレタン樹脂を主成分とするポリウレタン樹脂を含有するプライマー層が積層されてなるポリオレフィン系樹脂製積層フィルム。 - 特許庁

In the nonaqueous electrolyte for electric double-layer capacitor comprising a nonaqueous solvent and a solute dissolved in the solvent, the solute is a mixture of a salt containing cation comprising a double bond between a carbon and a nitrogen, and a salt of quaternary ammonium cation comprising only a single bond.例文帳に追加

非水系溶媒と、該溶媒に溶解される溶質とからなる電気二重層キャパシタ用非水系電解液において、該溶質は、炭素窒素間に二重結合を有するカチオンを含む塩と、単結合のみからなる４級アンモニウムカチオンの塩との混合物である。 - 特許庁

The nitride single crystal of high quality is grown on the silicon substrate 31 using the buffer layer containing Si and Ge, thereby manufacturing the nitride semiconductor light emitting element having silicon substrate in place of an expensive sapphire substrate or an SiC substrate.例文帳に追加

シリコン基板３１上にＳｉとＧｅを含んだバッファ層を利用して高品質窒化物単結晶を成長させることにより、高価なサファイア基板またはＳｉＣ基板を代替してシリコン基板を含んだ窒化物半導体発光素子を製造することができる。 - 特許庁

On a top surface of the gate electrode, a source electrode and a drain electrode are provided respectively (S13), and between the source electrode and drain electrode, a semiconductor layer made of single-wall carbon nanotubes is provided filling grooves formed apart from each other (S14).例文帳に追加

ゲート絶縁層の上面には、ソース電極及びドレイン電極が各々設けられ（Ｓ１３）、ソース電極とドレイン電極との間には、互いに離間して形成された溝を埋めるように、シングルウォールのカーボンナノチューブから成る半導体層が設けられる（Ｓ１４）。 - 特許庁

To provide an oxygen gas detector constituted so as to precisely detect the concentration of oxygen by simple constitution, by effectively putting a reference electrode to practical use, in addition to the positive and negative electrodes provided to a single proton conductive layer on both sides thereof.例文帳に追加

単一のプロトン伝導層のもと、このプロトン伝導層に設けられる正負両側電極に加え、参照電極を有効に活用することで、簡単な構成にて、酸素の濃度を精度よく検出するようにした酸素ガス検出装置を提供する。 - 特許庁

The capacitor of a semiconductor device is characterized by a lower electrode 43 of a single layer formed of noble metal alloy or oxide thereof, a dielectric film 44 arranged on the lower electrode 43, and an upper electrode 46 arranged on the dielectric film 44.例文帳に追加

貴金属合金またはその酸化物よりなる単層の下部電極４３と、この下部電極４３上に配置された誘電膜４４と、この誘電膜４４上に配置された上部電極４６とを含むことを特徴とする半導体素子のキャパシタ。 - 特許庁

The textile structure is such that at least part of single filaments constituting the same is coated with resin layer comprising a compound having polyether moiety and a compound having fatty acid moiety.例文帳に追加

本発明の繊維構造物は、繊維構造物を構成する単繊維の少なくとも一部が樹脂層で被覆された繊維構造物であって、該樹脂層がポリエーテル部分を有する化合物と脂肪酸部分を有する化合物を含む層で構成されていることを特徴とする。 - 特許庁

A surface nitride layer section 1B is made so that the nitrogen content at a depth of 10 Å from the surface may be 2 atom.% or over by arranging the sapphire single crystal substrate 1 in nitrogen-containing atmosphere such as ammonium atmosphere.例文帳に追加

サファイア単結晶基板１をアンモニア雰囲気などの窒素含有雰囲気中に配置し、所定時間加熱することによって表面窒化層部分１Ｂを、その表面から１０Åの深さにおける窒素含有量が２原子％以上となるように形成する。 - 特許庁

The polypropylene film for a capacitor comprises a single polypropylene resin layer wherein the difference of a surface gloss of one side from that of another side is 3-20%, and Δd (a thickness measured by a micrometer method minus a thickness measured by a mass method) of the film is 0.05-0.25 μm.例文帳に追加

単一のポリプロピレン樹脂層からなり、一方の面の表面グロスともう一方の面の表面グロスの差が３〜２０％であり、かつフィルムのΔｄ（マイクロメータ法厚さ−質量法厚さ）が０．０５〜０．２５μｍであることを特徴とするコンデンサ用ポリプロピレンフィルム。 - 特許庁

This is the conductive sintered layer forming composition which utilizes a phenomenon that, by mixing a metal particle having a particle size of 1 nm-5 μm covered with an organic substance and silver oxide, they can be sintered at a low temperature compared with the each single substance.例文帳に追加

本発明は、有機物で被覆された粒径が１ｎｍ〜５μｍの金属粒子と酸化銀とを混合することで、各々単体に比較して低温で焼結することができるという現象を利用した導電性焼結層形成用組成物である。 - 特許庁

Liquid crystal molecules 30a of the liquid crystal layer 30 inside an alignment controlling region T1 in which the first, the second and the third regions are arrayed in this order along a desired direction vary the alignment directions so as to incline to a single direction under voltage application.例文帳に追加

第１、第２および第３領域は所望の方向に沿ってこの順に配列された配向規制領域Ｔ１内の液晶層３０の液晶分子３０ａは、電圧印加時に単一の方向に傾斜するように配向方向を変化する。 - 特許庁

Then, in a photolithographical process, element isolation formation of the thin film semiconductor layer and formation of video signal wiring and a drain electrode are conducted simultaneously by a single photolithographical process by using a photomask capable of modulating the quantity of exposed light of a channel area of a thin film transistor element.例文帳に追加

その後、ホトリソグラフィー工程で、薄膜トランジスタ素子のチャネル領域の露光光量を変調可能なホトマスクを用いて、薄膜半導体層の素子分離形成と映像信号配線とドレイン電極の形成を１回のホトリソグラフィー工程で同時に形成する。 - 特許庁

In the case when a silicon-containing layer in a form of SiN_xO_y (0<x≤1.5 and 0≤y≤2) is to be formed in order to obtain a good surface and volume passivations, a single or more catalytic dopants are selectively mixed in accordance with an objective.例文帳に追加

良好な表面及び体積不動態化を得るために、ＳｉＮ_xＯ_y（０＜ｘ≦１．５及び０≦ｙ≦２）の形のシリコン含有層を形成するときに、単数又は複数の触媒作用ドーピング物質を目的に応じて選択的に混入することを提案する。 - 特許庁

A metal foil is laminated on the single surface of a multilayered polyimide film, wherein thermal press bonding polyimide layers are provided on both surfaces of a heat-resistant polyimide layer, with adhesive strength twice or more that of a reinforcing material and polyimide and the reinforcing material is laminated to the other surface of the polyimide film with adhesive strength of 0.001-0.5 kg/cm to constitute a polyimide single surface laminate.例文帳に追加

耐熱性ポリイミド層の両面に熱圧着性ポリイミド層を有する多層ポリイミドフィルムの片面に金属箔が補強材とポリイミドとの接着強度の２倍以上の接着強度で積層され、他の面に補強材が接着強度０．００１ｋｇ／ｃｍ以上０．５ｋｇ／ｃｍ以下でそれぞれ積層されてなる補強材を有するポリイミド片面積層体およびその製造法。 - 特許庁

The aromatic amine derivative having a specific structure, and an organic electroluminescence element between whose cathode and anode one or more organic thin film layers comprising one or more layers each containing at least light-emitting layer are nipped is characterized in that at least one layer of the organic thin film layers contains the aromatic amine derivative as a single component or as mixture components.例文帳に追加

特定構造の芳香族アミン誘導体、並びに陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機薄膜層の少なくとも一層が、前記芳香族アミン誘導体を単独又は混合物の成分として含有する有機エレクトロルミネッセンス素子である。 - 特許庁

The laminated film consists of at least two layers, that is, a layer (A) comprising a resin composition containing 50-70 mass % of straight chain polyethylene manufactured using a single site catalyst, 25-45 mass % of a styrenic resin and 2-15 mass % of a styrene/conjugated diene derivative with a styrene content of 2-15 mass % and a layer (B) comprising straight chain polyethylene.例文帳に追加

（Ａ）シングルサイト触媒を用いて製造される直鎖状ポリエチレン ５０〜７０質量％、スチレン系樹脂 ２５〜４５質量％及びスチレン含有量が５０〜７０質量％であるスチレン−共役ジエン誘導体 ２〜１５質量％を含む樹脂組成物からなる層と、（Ｂ）直鎖状ポリエチレンからなる層との少なくとも２層からなる積層フィルムである。 - 特許庁

A film for supporting an adhesive layer for adhesively fixing the wafer is a single layer film composed of a mixture comprising not less than one kind of 60 to 98% ethylene-acetic acid vinyl copolymer resin by weight having 15 to 30% acetic acid vinyl by weight, and not less than one kind of 2 to 40% polyolefin resin by weight having a melting point of not less than 100°C.例文帳に追加

ウエハを貼着固定するための粘着剤層を担持するフィルムを、１５〜３０重量％の酢酸ビニル含量を有する１種類以上のエチレン・酢酸ビニル共重合体樹脂６０〜９８重量％と、融点が１００℃以上である１種類以上のポリオレフィン系樹脂２〜４０重量％の混合物からなる単層のフィルムとしたことである。 - 特許庁

The inlet 110 cut in the single piece shape is mounted on the surface sheet 130b by the inlet mounting machine 5 so that the surface having the adhesive layer 140b is a mounted surface, and the surface sheet 130b is adhered to a surface sheet 130a so as to nip the inlet 110 between by the adhesive layer 140a formed on the surface sheet 130a.例文帳に追加

単片状に断裁されたインレット１１０は、粘着剤層１４０ｂが形成された面が被搭載面となるようにインレット搭載機５によって、表面シート１３０ｂ上に搭載され、その後、インレット１１０を挟み込むように、表面シート１３０ｂと表面シート１３０ａとが、表面シート１３０ａに形成された粘着剤層１４０ａによって互いに接着される。 - 特許庁

To provide an inkjet recording sheet where a coating layer for inkjet recording is provided on one side of single-layer base paper mainly composed of wood pulp and a filler, which has excellent inkjet recordability for a dye ink and a pigment ink, whose backside has excellent offset printability, and which hardly causes bleeding caused by inkjet recording, a pen using a water-based ink, etc.例文帳に追加

木材パルプ、填料を主成分とする単層基紙の片面にインクジェット記録用塗工層を設けたインクジェット用記録シートにおいて、染料インク、顔料インクに対する優れたインクジェット記録適性を有するとともに、裏面には優れたオフセット印刷適性を有し、インクジェット記録や水性ペン等による滲みの少ないインクジェット用記録シートを提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an SOI (Silicon On Insulator) wafer, wherein an SOI wafer can be manufactured which can be adjusted to a desired resistivity by controlling the dopant concentration of an SOI layer even if a buried oxide film is thin when a silicon single-crystal wafer having a high-concentration layer containing a dopant to a high concentration is used as a base wafer and whose defect is suppressed.例文帳に追加

ドーパントを高濃度に含有する高濃度層を有するシリコン単結晶ウェーハをベースウェーハとして使用する場合において、たとえ埋め込み酸化膜が薄くても、ＳＯＩ層のドーパント濃度を制御して所望の抵抗率に調整することができ、欠陥が抑制されたＳＯＩウェーハを製造できるＳＯＩウェーハの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide an epitaxial wafer and a method for producing the same with which striated irregularities at the epitaxial layer surface are suppressed, even in an epitaxial wafer wherein an epitaxial layer having a dopant concentration of 1×10^19/cm^3 or greater is formed on the primary surface of a silicon single-crystal substrate, and to provide a bonded SOI wafer and a method for producing the same that use the silicon epitaxial wafer.例文帳に追加

シリコン単結晶基板主表面に、ドーパント濃度が１×１０^１９／ｃｍ^３以上であるエピタキシャル層が形成されたエピタキシャルウェーハにおいても、エピタキシャル層表面の縞状の凹凸が抑制されたエピタキシャルウェーハ及び製造方法、該シリコンエピタキシャルウェーハを使用した貼り合わせＳＯＩウェーハ及び製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In a semiconductor device, a memory transistor is constituted by laminating a floating gate upon a control gate through a first insulating film, and at least the gate electrode of a select transistor is constituted into a single layer which contains impurities at increased concentrations by implanting ions into a polysilicon film, forming in the same layer as the floating gate electrode of the memory transistor in a source-drain area forming process.例文帳に追加

メモリトランジスタは第１絶縁膜を介してフローティングゲートとコントロールゲートが積層された構造であり、少なくともセレクトトランジスタのゲート電極が、メモリトランジスタのフローティングゲート電極と同層で形成されたポリシリコン膜にトランジスタのソースドレイン領域形成工程におけるイオン注入により不純物濃度が高められた単層構成であることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method of efficiently manufacturing a high quality printed matter by performing a single process to correct defects in barrier walls and an ink layer in regard to the method of manufacturing the printed matter which comprises a substrate, the pattern-like barrier walls disposed on the substrate and the ink layer disposed on an opening part divided by the barrier walls by using an ink delivery printer.例文帳に追加

本発明の課題とするところは、基板と、基板上にパターン状に設けられた隔壁と、この隔壁によって区切られた開口部に設けられたインキ層を含む印刷物を、インキ吐出印刷装置を用いて製造する方法において、隔壁とインキ層の欠陥の修正を一度の工程で行い、高品質な印刷物を効率よく製造する方法を提供することである。 - 特許庁

The method for forming an image is carried out by forming a toner layer on a developer carrier using a single component developing toner stored inside a developing device, transporting the toner layer to a developing zone and developing a latent image formed on a latent image carrier, wherein the method is characterized in that a humidity controlling member is disposed inside the developing device and that the stored toner has 5 to 40 acid value.例文帳に追加

現像器の内部に蓄蔵された一成分現像用トナーを用いて現像剤担持体上にトナー層を形成し、現像領域に搬送して、潜像担持体上に形成された潜像を現像する画像形成方法において、該現像器の内部には調湿部材が設置され、かつ、蓄蔵されているトナーの酸価が５〜４０であることを特徴とする画像形成方法。 - 特許庁

A growth member 7 has a plurality of growth portions 9 each equipped with a substrate 1, a buffer layer 2 formed on the substrate 1 and composed of a group III nitride, and a seed crystal film 3 formed on the buffer layer 2 and composed of a group III nitride single crystal, wherein a surface 1b of the substrate 1 is exposed between the plurality of adjacent growth portions 9.例文帳に追加

基板１と、基板１上に形成されたＩＩＩ族窒化物からなるバッファ層２およびこのバッファ層２上に形成されたＩＩＩ族窒化物単結晶からなる種結晶膜３を備える複数の育成部９とを備えており、隣り合う複数の育成部９の間に基板１の表面１ｂが露出している育成用部材７を使用する。 - 特許庁

For the electroluminescent element with a luminous layer composed of single or plural layers of organic compound thin films held between a positive electrode and a negative electrode, at least one layer of the above organic compound films contains at least one kind of the compound with the polymerizable cyclic structure shown by formula (1), or the polymer of the same.例文帳に追加

互いに対向する陽極と陰極間に、単層又は複数層の有機化合物薄膜により成る発光層を挟持した有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機化合物薄膜の少なくとも１層が、一般式（１）で表される重合性環状構造を有する化合物、又はその重合体を少なくとも１種含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 特許庁

This is a manufacturing method of silicon carbide single crystal 3 by CVD method, and a crystal of silicon carbide 3 is grown by laying a silicon melt solution layer 2 on a silicon carbide crystal 1, and by supplying a feed gas comprising 1-40 vol.% acetylene or ethylene concentration and whose total enthalpy of constituting gases at thermal decomposition is negative via a silicon melt layer 2.例文帳に追加

ＣＶＤ法により炭化珪素単結晶３を製造する方法であって、炭化珪素の結晶１上にシリコン融液層２を介在させ、シリコン融液層２を介してアセチレン又はエチレン濃度１〜４０ｖｏｌ％であって、原料気体を構成する各ガスの熱分解時のエンタルピーの総和が負の値となる原料気体を供給して、炭化珪素の結晶３を成長させる。 - 特許庁

In the separator for fuel cell in which separator main bodies 2 are provided on the both surfaces of an ion exchange film 6 together with platinum catalyst layers 5 and gas diffusion layers 4, the separator body 2 has a single recessed part formed in a surface facing the gas diffusion layer 4 and serving as a reaction space and a conductive member 3 electrically connected with the gas diffusion layer 4 is disposed in the recessed part.例文帳に追加

イオン交換膜６の両面に、白金触媒層５と、ガス拡散層４とともにセパレータ本体２を設けた燃料電池用セパレータであって、前記セパレータ本体２は、前記ガス拡散層４に対向する面に反応空間となる単一の凹部を形成し、当該凹部内に前記ガス拡散層４と電気的に接続する導電性部材３を配置した。 - 特許庁

In a reverse conducting type semiconductor device B1 having IGBT element regions J1 and diode element regions J2 mixed with each other in a single semiconductor substrate 2, a length whereby each second trench gate electrode TG2 of each diode element region J2 protrudes from its anode layer 50 is longer than a length whereby each first trench gate electrode TG1 of each IGBT element region J1 protrudes from its body layer 30.例文帳に追加

同一半導体基板２にＩＧＢＴ素子領域Ｊ１とダイオード素子領域Ｊ２が混在している逆導通型の半導体装置Ｂ１において、ダイオード素子領域Ｊ２の第２トレンチゲート電極ＴＧ２がアノード層５０から突出している長さが、ＩＧＢＴ素子領域Ｊ１の第１トレンチゲート電極ＴＧ１がボディ層３０から突出している長さよりも長い。 - 特許庁

In the magnetoresistive effect storage element having a multilayer film structure sandwiching a nonmagnetic material layer 25 between two ferromagnetic material layers 24 and 26 and performing information recording utilizing variation of the magnetizing direction of one ferromagnetic material layer 24, at least one of the ferromagnetic material layers 24 and 26 has a single grain structure having no clear grain boundary represented by amorphous, for example.例文帳に追加

二つの強磁性体層２４，２６の間に非磁性体層２５を挟んだ多層膜構造を有し、一方の強磁性体層２４の磁化方向の変化を利用して情報記録を行う磁気抵抗効果素子において、前記強磁性体層２４，２６のうちの少なくとも一方を、例えばアモルファスに代表されるように、明瞭な結晶粒界のないシングルグレイン構造とする。 - 特許庁

The photovoltaic device is constituted by (a) a plurality of elongated semiconductor nanostructures (nanowire is one of these), having first type doping, in which a plurality of the elongated semiconductor nanostructures are arranged on a substrate, and (b) a single amorphous layer of a semiconductor material, having second type doping, in which the layer is provided on the elongated semiconductor nanostructures in a conformal manner.例文帳に追加

光起電力デバイスを、（ａ）基板上に配設された複数の細長い半導体ナノ構造であって、第１のタイプのドーピングを有する複数の細長い半導体ナノ構造（ナノワイヤーはその１種である）と、ｂ）細長い半導体ナノ構造上にコンフォーマルに設けられ、第２のタイプのドーピングを有する半導体材料の単一の非晶質層、により構成する。 - 特許庁

In the heat treatment in the device process, metal impurities (c) in the SIMOX substrate are sufficiently gettered because of boron ion-injected into a high-density boron layer 14 formed in a bulk layer 13 to a density of ≥1×10^13/cm^2 and disorder of a silicon grating at the reverse-surface side part of a silicon single-crystal substrate due to the ion injection of boron.例文帳に追加

バルク層１３に形成された高濃度ボロン層１４に１×１０^１３／ｃｍ^２以上の密度でイオン注入されたボロンと、このボロンのイオン注入に起因するシリコン単結晶基板１０の裏面側部のシリコン格子の乱れとにより、デバイス工程の熱処理時、ＳＩＭＯＸ基板２０の内部の金属不純物ｃが十分にゲッタリングされる。 - 特許庁

In a polyolefin resin laminated metal panel excellent in antistaining properties and pressure mark resistance wherein a polyolefin resin film having embossed appearance is laminated to the single surface of a metal panel through an adhesive layer, an adhesive of which the adhesive treatment temperature is lower than the melting point of the polyolefin resin film is used and the embossed surface of the polyolefin resin film is set on the side of the adhesive layer.例文帳に追加

金属板表面に、接着剤層を介して、片面にエンボス外観を有するポリオレフィン樹脂フィルムを貼り付けたラミネート金属板において、該ポリオレフィン樹脂の融点よりも接着処理温度の低い接着剤を使用し、ポリオレフィン樹脂フィルムのエンボス面を接着剤層側とすることを特徴とする耐汚染性と耐プレッシャーマーク性に優れるポリオレフィン樹脂ラミネート金属板。 - 特許庁

The light condensing diffusion sheet to be disposed between a light guide plate and a liquid crystal display element in a transmission type liquid crystal panel is composed of a transparent substrate and a powder monolayer film applied on the substrate with a binding layer by bedding and fixing a transparent power material in a single layer while the transparent powder material is partly made to protrude.例文帳に追加

透過型液晶パネルにおける導光板と液晶表示素子との間に配置される集光性光拡散シートであって、前記集光性光拡散シートは、透明基体と、該透明基体の表面上に結着層を介して透明粉体をその一部が突出する状態で単層に敷き詰め固定した粉体単層皮膜とから構成される集光性光拡散シート。 - 特許庁

Since a number of transparent silicon particles 13 are dispersedly arranged on the liquid crystal layer 16 side surface of a transparent insulation substrate 12 with a nearly uniform density, without mutually overlapping and forming a single layer, the light radiated to the respective transparent silicon particles 13 is diffused with diffraction phenomena and the diffused light passes through the polarizing plate 4 from the transparent insulation substrate 12.例文帳に追加

このとき、透明絶縁基板１２の液晶層１６側の面には多数の透明シリコン粒子１３がほぼ均一な密度で互いに重なり合うこと無く１層に分散配置されているため、各透明シリコン粒子１３に照射された光は回折現象によって拡散され、その拡散された光が透明絶縁基板１２から偏光板４を透過する。 - 特許庁

In the flexible type belt-like electrophotographic photoreceptor constituted by forming the single-layer type photoreceptive layer containing at least a charge generating agent, a hole transfer agent, an electron transfer agent and a binder resin on a supporting body, the hole transfer agent is a compound which does not have polymer structure whose molecular weight is ≥900.例文帳に追加

支持体上に、少なくとも電荷発生剤、正孔輸送剤、電子輸送剤およびバインダ樹脂を含有した単層型の感光層を形成してなるフレキシブル型のベルト状電子写真感光体において、前記正孔輸送剤は、分子量が９００以上のポリマー構造を有しない化合物であることを特徴とするフレキシブル型ベルト状電子写真感光体である。 - 特許庁

This method removes in advance a surface oxide layer 22 on a template substrate having a nitride aluminum crystal layer 21 on the surface of a nitride aluminum single crystal substrate or a substrate 23 employing sapphire as a base material through etching by halogen like chlorine gas and then epitaxially grows a group III nitride like a nitride aluminum film 24 on the corresponding substrate to form a group III nitride and a laminated substrate.例文帳に追加

窒化アルミニウム単結晶基板やサファイア等の母材基板２３表面に窒化アルミニウム結晶層２１を表面に有するテンプレート基板の表面を予め塩素ガスなどのハロゲンガスでエッチング処理して表面酸化層２３を除去し、次いで該基板上に窒化アルミニウム膜２４などのIII族窒化物をエピタキシャル成長させてIII族窒化物並びに積層基板を製造する。 - 特許庁

To provide a preferable single film for optical having no problem (heat-resistance, interface adhesion property, interference stripe and optical anisotropy) as an optical film using a PET film and a TAC film and by laminating of a hard coat layer for compensating it and a primer layer for laminating it, and having self-support property solving cost increase by multiple steps for giving function.例文帳に追加

ＰＥＴフィルムやＴＡＣフィルムを用い、それを補完するためのハードコート層およびそれを積層するためのプライマー層などの積層による光学フィルムとしての課題（耐熱性、界面接着性、干渉縞、光学異方性）が無く、機能付与のための多工程によるコストアップなどを解決した自己支持性を有する光学用に好適な単独フィルムを提供する。 - 特許庁

Thus, the second single crystal semiconductor layer is transferred to the second substrate to provide a semiconductor substrate, and the semiconductor substrate is reused by performing laser light treatment on the seed layer.例文帳に追加

第１の基板上に設けられた第１の単結晶半導体層をシード層として気相エピタキシャル成長を行うことで、第１の単結晶半導体層上に第２の単結晶半導体層を形成し、両層の界面で分離を行い、第２の基板上に第２の単結晶半導体層を転載し半導体基板を得るとともに、該シード層に対しレーザー処理を行い再利用する。 - 特許庁

In a method for producing the simultaneously biaxially oriented laminated polyamide film in which the middle part in the film width direction is made double layer structure, and both end parts are made single layer structure, an unoriented film, after being subjected to moisture conditioning treatment while being stretched longitudinally in a range of 3-7% at 45-53°C, is stretched simultaneously biaxially.例文帳に追加

フィルム巾方向の中央部が複層構造であり、両端部が単層構造であるポリアミド系同時二軸延伸積層フィルムを製造する方法において、未延伸フィルムを４５〜５３℃で、縦方向に３〜７％の範囲で延伸しながら調湿処理した後、同時二軸延伸することを特徴とするポリアミド系同時二軸延伸積層フィルムの製造方法。 - 特許庁

This new aromatic amine derivative having a specific monoamine structure, and the organic electroluminescent element in which organic thin film layers comprising mono- or multilayers including at least one luminous layer is nipped between a cathode and an anode is characterized in that at least one layer of the organic thin film layers contains the aromatic amine derivative as a single or mixture component.例文帳に追加

特定のモノアミン構造を有する新規な芳香族アミン誘導体、並びに陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機薄膜層の少なくとも１層が、前記芳香族アミン誘導体を単独もしくは混合物の成分として含有する有機エレクトロルミネッセンス素子である。 - 特許庁

A surface layer 4, at least high in seed defect density, is removed in a first conductive silicon carbide epitaxial film 2 grown from the front surface of the first conductive silicon carbide single crystal substrate 1 by chemical vapor deposition method, and thereafter, a second conductive silicon carbide epitaxial film 3 is made to grow from the front surface of the silicon carbide epitaxial film 2, whose surface layer 4 is removed.例文帳に追加

化学気相蒸着法によって第１導電型の炭化珪素単結晶基板１の表面から成長させた第１導電型の炭化珪素エピタキシャル膜２における少なくとも種欠陥密度が高い表層４を除去した後、表層４を除去した炭化珪素エピタキシャル膜２の表面から第２導電型の炭化珪素エピタキシャル膜３を成長させる。 - 特許庁

To provide a silicon wafer provided with a thick single crystal semiconductor layer having a low resistivity wherein variation in the thickness and resistivity is suppressed and variation in the resistivity is suppressed during fabrication process of a device, and to provide a semiconductor device, e.g. an acceleration sensor or an angular speed sensor, fabricated using that wafer.例文帳に追加

厚みがあり、比抵抗が小さく厚さや比抵抗のバラツキが少なく、デバイス製造工程中に比抵抗の変化が少ない単結晶半導体層を備えたシリコンウェハ、及びこのウェハを用いて製造した加速度センサ、角速度センサ等の半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a fuel container, a fuel system component and/or a joint part excellent in gasoline barrier of the fuel container, the fuel system component and/or the joint part composed of a thermoplastic polymer resin, particularly a polyethylene single layer, having a three-dimensional shape.例文帳に追加

立体的な形状を有する、熱可塑性ポリマー樹脂、特にポリエチレン単層により構成される燃料容器、燃料系統部品および／または接合部のガソリンバリア性が優れた燃料容器、燃料系統部品および／または接合部を製造する方法を提供する。 - 特許庁