single-layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 4020件
This pressure sensor is provided with a single-crystal silicon support substrate 1, an insulating layer 2 formed on the single-crystal silicon support substrate 1, and a single-crystal silicon thin sheet 3 having a uniform thickness formed on the insulating layer 2.例文帳に追加
圧力センサは、単結晶シリコン支持基板1と、単結晶シリコン支持基板1上に形成された絶縁層2と、絶縁層2上に形成された均一な厚さを有する単結晶シリコン薄板3とを備えている。 - 特許庁
The solid-state imaging element includes: a semiconductor layer; a photoelectric transducer formed in the semiconductor layer; a single crystal layer which is formed on at least a part wherein the photoelectric transducer is formed, of the semiconductor layer and is made of a material having a wider band gap than the semiconductor layer; and a superlattice provided between the semiconductor layer and the single crystal layer.例文帳に追加
半導体層と、この半導体層内に形成された光電変換素子と、半導体層の少なくとも光電変換素子が形成された部分の上に形成された、半導体層よりもバンドギャップが広い材料から成る単結晶層と、半導体層と単結晶層との間に設けられている超格子とを含む固体撮像素子を構成する。 - 特許庁
To easily manufacture a capacitor having single-crystal SrRuO3/single- crystal (Ba, Sr) TiO3/single-crystal SrRuO3 structure which is connected to an n+ source diffusion layer through a plug electrode of Ru.例文帳に追加
Ruからなるプラグ電極を介してn^+ 型ソース拡散層と接続する、単結晶SrRuO_3 /単結晶(Ba,Sr)TiO_3 /単結晶SrRuO_3 構造のキャパシタを容易に製造できる製造方法を実現すること。 - 特許庁
A standing substrate 15 composed of the gallium nitride single crystal is obtained by removing the substrate 5 or the substrate 5 and the sapphire single crystal substrate 3 from the multi-layer substrate having the gallium nitride single crystal.例文帳に追加
窒化ガリウム単結晶を有する多層基板から基体5又は基体5と単結晶サファイア基板3を除去することにより、窒化ガリウム単結晶の自立基板15を得る。 - 特許庁
On an Si (100) substrate 1, a c-InN single-crystal film 4 is formed with a buffer layer 2 interposed having a superlattice structure which consists of a plurality of alternately deposited c-BP single-crystal layers 2a and Si single-crystal layers 2b, with the uppermost c-BP single-crystal layer.例文帳に追加
Si(100)基板1上にc−BP単結晶層2aとSi単結晶層2bとを交互に多数層積層し、かつ、最上層をc−BP単結晶層とした超格子構造のバッファ層2を介在してc−InN単結晶膜4が形成されている。 - 特許庁
The AlN semiconductor includes a c-AlN single crystal film 4 having a thickness of about 1-5 μm, and is formed sequentially via a c-TiC single crystal layer 2 having a thickness of about 5-50 nm and a c-TiN single crystal layer 3 having a thickness of about 1-20 nm, on a single crystal Si substrate 1.例文帳に追加
単結晶Si基板1上に厚さ5〜50nm程度のc−TiC単結晶層2及び厚さ1〜20nm程度のc−TiN単結晶層3を順に介在して厚さ1〜5μm程度のc−AlN単結晶膜4が形成されている。 - 特許庁
In the diamond semiconductor, a single-crystal diamond film 5 having a thickness of about 1-10 μm is formed on a single-crystal Si substrate 1 through a single-crystal c-BP layer 3 having a thickness of about 100 nm to 3 μm and a single-crystal c-BN layer 4 having a thickness of about 5-80 nm in this order.例文帳に追加
Si単結晶基板1上に厚さ100nm〜3μm程度のc−BP単結晶層3及び厚さ5〜80nm程度のc−BN単結晶層4を順に介在して厚さ1〜10μm程度のダイヤモンド単結晶膜5が形成されている。 - 特許庁
The single crystal aluminum nitride laminated substrate is provided by laminating the single crystal aluminum membrane to the most outer layer via an acid aluminum layer on a single crystal α-Al_2O_3 substrate such as a sapphire substrate, wherein the transition density of the single aluminum nitride is 10^8/cm^2.例文帳に追加
サファイア基板の如き単結晶α−Al_2O_3基板上に、酸窒化アルミニウム層を介して最外層に単結晶窒化アルミニウム膜が積層されそして単結晶窒化アルミニウム内の転位密度が10^8個/cm^2以下である単結晶窒化アルミニウム積層基板。 - 特許庁
In the GaN semiconductor, a single-crystal c-GaN film 5 having a thickness of about 1-10 μm is formed on a single-crystal Si substrate 1 through a single-crystal c-BP layer 3 having a thickness of about 50 nm to 1 μm and a single-crystal GaP layer 4 having a thickness of about 1-10 nm in this order.例文帳に追加
Si単結晶基板1上に厚さ50nm〜1μm程度のc−BP単結晶層3及び厚さ1〜10nm程度のGaP単結晶層4を順に介在して厚さ1〜10μm程度のc−GaN単結晶膜5が形成されている。 - 特許庁
In a bonding process between the single-crystal semiconductor layer and the glass substrate, the single-crystal semiconductor layer is heated at a temperature close to a strain point of the glass substrate, specifically at a temperature in a range of ±50°C of the strain point.例文帳に追加
単結晶半導体層は、ガラス基板との接合工程において、ガラス基板の歪み点近傍、具体的には歪み点±50℃の範囲における温度で加熱する。 - 特許庁
To provide a higher driving capacity than with a single LDD structure by improving hot carrier resistance compared to a concentional MOSFET of single LDD layer and double LDD layer structure.例文帳に追加
従来の1重LDD層及び2重LDD層構造のMOSFETよりもホットキャリア耐性を改善し、1重LDD層構造のものよりも高駆動能力化する。 - 特許庁
To provide a method which prevents the degradation in quality of a single crystal layer and the degradation in yield when the single crystal layer for depositing a semiconductor device is peeled as a thin film.例文帳に追加
半導体デバイスを作り込む為の単結晶層を基板から薄膜として剥離する際に、単結晶層の品質の低下や、歩留まりの低下を防ぐ方法を提供する。 - 特許庁
The reflectivity of the X-ray total reflection mirror consisting of a single-layer film shown in Fig.(a) is much lower than a theoretic value due to the lower density caused by forming a single-layer reflection film 12.例文帳に追加
図1の(a)に示す単層膜構成のX線全反射ミラーの反射率は、単層反射膜12の成膜による密度低下のために理論値より大幅に低下する。 - 特許庁
In addition, the single crystal semiconductor layer provided over the semiconductor substrate is irradiated with a laser beam, whereby crystallinity of the single crystal semiconductor layer is improved and planarity is improved.例文帳に追加
また、半導体基板上に設けられた単結晶半導体層に、レーザ光を照射することで、単結晶半導体層の結晶性を向上させ、平坦性を回復する。 - 特許庁
To provide a method for simply and easily determining the existence of a single layer carbon nanotube included in a matrix by using a reactivity of the single layer carbon nanotube in stead of an expensive apparatus.例文帳に追加
単層カーボンナノチューブの反応性を利用して、高価な装置を使用せず、母体中に含まれる単層カーボンナノチューブの存在の有無を簡易的に決定する方法を提供する。 - 特許庁
In this process, recovery of the color is improved when single-layer carbon nanotubes including a π-conjugated molecule such as a C60 molecule or β caroten molecule inside the tubes are used as the single-layer carbon nanotubes.例文帳に追加
このとき、単層カーボンナノチューブとして、チューブ内にC60分子又はβカロテン分子などのπ共役系分子を内包したものを用いれば、色の回復が改善される。 - 特許庁
SILICON SINGLE CRYSTAL WAFER HAVING LAYER FREE FROM VOID DEFECT AT SURFACE LAYER PART AND DIAMETER OF NOT LESS THAN 300 MM, AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME例文帳に追加
表層部にボイド無欠陥層を有する直径300mm以上のシリコン単結晶ウエーハおよびその製造方法 - 特許庁
The double-layer structure of wiring can reduce an occupation area when compared with a case of a single-layer structure.例文帳に追加
また、配線を2層構造とすることにより、単層構造の場合と比較して、更に占有面積を縮小することができる。 - 特許庁
To provide a disk device in which spherical aberration can be appropriately corrected by easy control when single-layer disk and double-layer disk are processed.例文帳に追加
一層ディスク、二層ディスクを処理する際に容易な制御で適切に球面収差を補正可能なディスク装置の提供。 - 特許庁
The electrophotographic photoreceptor is preferably a single layer type one containing the above charge generating agent and hole transport agent in the same layer.例文帳に追加
好ましくは、上記電荷発生剤および正孔輸送剤を同一層内に含む単層型電子写真感光体とする。 - 特許庁
The single-layer circuit board 10 further includes conductive vias 20 formed in via holes 14 passing through the insulating layer 11.例文帳に追加
単層回路基板10は更に、絶縁層11を貫通するビアホール14内に形成された導電ビア20を含んでいる。 - 特許庁
The second resin layer 23 is so formed by a single direct gate 39 as to cover the whole surface of the first resin layer 21.例文帳に追加
第2樹脂層23は1つのダイレクトゲート39により第1樹脂層21の表面全域を覆うように成形される。 - 特許庁
The magnetization fixed layer 3a is required to have the thickness of degree of 10 times or more of that of the magnetization free layer 3c, if it is a single material.例文帳に追加
磁化固定層3aは、単一材料であれば、磁化自由層3cの10倍程度以上の厚さを必要とする。 - 特許庁
Moreover, the support part 16 has sufficient support strength by producing not a single layer but a laminated layer by reinforcing by carbon fibers.例文帳に追加
また、カーボン繊維で補強して単層でなく積層とすることで、支持部16は充分な支持強度を保つことができる。 - 特許庁
Then an insulator layer 205 and a single crystal silicon layer 206 are successively formed on the light-transmitting substrate 202.例文帳に追加
そして、この光透過性基板202上に絶縁体層205及び単結晶シリコン層206が順次形成されている。 - 特許庁
Subsequently, the temperature of the single crystal substrate is decreased from 1,100 to 1,070°C for 5 minutes and a channel layer and a carrier injection layer are formed.例文帳に追加
続いて、単結晶基板の温度を1100℃から1,070℃まで5分かけて降下させてチャネル層とキャリア注入層とを形成する。 - 特許庁
On the GaN buffer layer 11, a second single crystal GaN buffer layer 12 of Mg-doped is formed by an MOCVD method.例文帳に追加
このGaNバッファ層11上に、MOCVD法により、Mgドープの第2の単結晶GaNバッファ層12を形成する。 - 特許庁
Here the resin scattering layer (13) is arranged only in an area where a single colored layer (12r, 12g, 12b) is arranged thereupon.例文帳に追加
ここで、樹脂散乱層(13)は、その上に単一の着色層(12r、12g、12b)が配置される領域のみに配置される。 - 特許庁
The cover layer may be selectively treated, such as by heating, to achieve a difference in hardness using a single cover layer material.例文帳に追加
カバー層は、例えば、加熱によって選択的に処理されて、単一カバー層材料を使用しながら、硬度差を実現する。 - 特許庁
To provide a heterojunction solar cell where a silicon layer constituting a photoconversion layer is composed of a single crystal silicon having high crystallinity.例文帳に追加
光変換層を構成するシリコン層を、結晶性の高い単結晶シリコンとしたヘテロ接合太陽電池を提供する。 - 特許庁
An insulating layer 6 is formed on the single crystal silicon layer 3 including the n-type and the p-type impurity regions 3a, 3b.例文帳に追加
N型およびP型不純物領域3a,3bを含む単結晶シリコン層3の上には絶縁層6が形成される。 - 特許庁
It is preferable that the conductive particulate layer 4 is a single particle layer and formed through, for example, a Langmuir-Blodgett (LB) method.例文帳に追加
導電性微粒子層4は、単粒子層であるのが望ましく、例えばラングミュア−ブロジェット(LB)法を用いて形成する。 - 特許庁
The surface side of the single-crystal silicon layer 3 between the source region 10 and the drain region 11 functions as a channel layer 3a.例文帳に追加
ソース領域10とドレイン領域11との間の単結晶シリコン層3の表面側はチャネル層3aとして機能する。 - 特許庁
Note that the insulating layer may be a single layer or a multilayer in which a plurality of layers including different substances is laminated.例文帳に追加
なお、前記絶縁層は、単層のものでもよいし、異なる物質から成る層が複数積層された多層のものでもよい。 - 特許庁
In this single-plate lead-acid battery Va, electric charge is accumulated in the cathode capacitor layer 5a and the anode capacitor layer 5b.例文帳に追加
この単板鉛蓄電池Vaでは、正極側キャパシタ層5aおよび負極側キャパシタ層5bに電荷が蓄えられる。 - 特許庁
The second ferromagnetic layer 23 has a single-layer structure made of CoFe or NiFe or a multilayer structure made of CoFe/NiFe/CoFe.例文帳に追加
第2の強磁性層23は、CoFeもしくはNiFeからなる単層構造、またはCoFe\NiFe\CoFeからなる多層構造を有する。 - 特許庁
The third ferromagnetic layer has a single layer structure made of CoFe or NiFe or a multilayer structure made of CoFe/NiFe/CoFe.例文帳に追加
第3の強磁性層は、CoFeもしくはNiFeからなる単層構造、またはCoFe\NiFe\CoFeからなる多層構造を有する。 - 特許庁
According to one embodiment, two photoelectron species may be measured from a single layer to determine a thickness of that layer.例文帳に追加
一実施形態に従えば、当該層の厚さを決定するために、一つの層からの二つの光電子種が測定されてよい。 - 特許庁
A single layer body made of mixture nonwoven fabric of polylactic acid fibers and natural fibers can substitute for the above-mentioned biodegradable lamination layer body.例文帳に追加
上記生分解性積層体はポリ乳酸繊維と天然繊維の混合不織布の単層体に代替することもできる。 - 特許庁
To achieve a multi-layer golf ball having single layer core that has a shallow soft-to-hard ("positive") hardness gradient, from the surface to the center.例文帳に追加
表面から中央にいくに従って柔から硬になる浅い勾配(「正」の勾配)を伴う単一層コアを実現する。 - 特許庁
In the p-type channel FET region 3, a buffer layer 15 being in contact with a bottom surface of a channel layer 16 has a single-layer structure which is constituted of only a second buffer layer 15B having a wider bandgap than the channel layer 16.例文帳に追加
p型チャネルFET領域3において、チャネル層16の下面に接するバッファ層15が、チャネル層16よりも広いバンドギャップを有する第2バッファ層15Bだけで構成された単層構造となっている。 - 特許庁
The coated carrier includes: a core particle containing a magnetic material; a first resin layer coating the core particle; a resin particle layer comprising resin particles fixed as a single layer to the first resin layer; and a second resin layer.例文帳に追加
コートキャリアは、磁性体を含むコア粒子と、前記コア粒子を被覆する第1樹脂層と、前記第1樹脂層に単層で固定される樹脂粒子からなる樹脂粒子層と、第2樹脂層とで構成される。 - 特許庁
Part of the outside design product part 34 is composed of two layer parts of the design forming layer 40 and the shape holding layer 42, and the rest the part 34 is formed only from the single layer part of the shape holding layer 42.例文帳に追加
意匠外製品部34は、一部分が意匠形成層40および形状保持層42の2層部分から構成されると共に、残りの部分が形状保持層42だけの単層部分から構成される。 - 特許庁
A ceramic layer constituting the ceramic substrate or the multilayer ceramic substrate is constituted of a ceramic single layer region formed in a prescribed thickness and an electrode layer forming region where an electrode layer and a ceramic layer are laminated.例文帳に追加
セラミック基板、あるいは多層セラミック基板を構成するセラミック層は、所定の厚さで形成されたセラミック単層領域と、電極層とセラミック層とが積層された電極層形成領域とから構成されている。 - 特許庁
Excess carbon atom 2 is supplied among each single-layer graphite 3a in an ion implantation method, and the like; and when the distance between each single-layer graphite is compressed at heating, the supplied surplus carbon atom 2 is subjected to chemical bonding with a carbon atom 1, which constitutes the single layer graphite 3a on upper and lower sides.例文帳に追加
イオン注入などの方法により単層グラファイト3a間に余剰炭素原子2を供給し、加熱しつつ単層グラファイト間距離を圧縮すると、供給された余剰炭素原子2は、上下の単層グラファイト3aを構成する炭素原子1と化学結合される。 - 特許庁
The layered photospacer is formed on a black matrix 21, and includes a layered structure of at least one single layer of stripe multilayer portion, or at least one single layer of stripe multilayer portion and a single layer of dot-like multilayer, or two layers of stripe multilayers and a dot multilayer part.例文帳に追加
積層フォトスペーサーはブラックマトリックス21上に設けられており、少なくともストライプ状の積層部1層を積層した構造、少なくともストライプ状の積層部1層とドット状の積層部1層を積層した構造、ストライプ状の積層部2層とドット状の積層部よりなること。 - 特許庁
To provide a light confining type single-crystal silicon solar cell, in which a single-crystal silicon with high crystallinity is used for a photo conversion layer in a thin film.例文帳に追加
薄膜の光変換層を結晶性の高い単結晶シリコンとした光閉じ込め型単結晶シリコン太陽電池を提供する。 - 特許庁
To provide a new method for manufacturing a nitride single crystal substrate by which a high-quality crystal can be grown based on a ZnO single crystal layer.例文帳に追加
ZnO単結晶層に基づく良質の結晶成長が可能な、新たな窒化物単結晶基板の製造方法を提供すること。 - 特許庁
A single-crystal semiconductor layer is separated from a single-crystal semiconductor substrate and is fixed to an insulating substrate to form a TFT over the insulating substrate.例文帳に追加
単結晶半導体基板から、単結晶半導体層を分離し、それを絶縁基板に固定し、絶縁基板上でTFTを形成する。 - 特許庁
To provide a single particle laminated thin film of high quality, of which the surface is laminated with functional particulates in a single layer state, and its production method.例文帳に追加
表面に機能性微粒子が単層状態で形成された、高品質な単粒子積層薄膜、その製造方法を提供する。 - 特許庁
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