single-layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 4019件
The process for producing a semiconductor substrate comprises a step for forming one laminate by laying a metal foil and an insulating layer in layer and boring a main opening for mounting a semiconductor chip in the a single laminate, and a step for laying another laminate formed by laying a metal foil and an insulating layer sequentially in layer on the single laminate.例文帳に追加
金属箔と絶縁層とを積層して一の積層体とし、その一の積層体に半導体チップが搭載される主開口部を形成する工程と、金属箔及び絶縁層を順次積層させた他の積層体とを積層する工程とからなることを特徴とする。 - 特許庁
To provide a semiconductor substrate and method of manufacturing the same which improve device performance by suppressing the roughness of the interface between an insulating layer and a semiconductor single-crystal layer in a semiconductor substrate having the semiconductor single-crystal layer for forming a device on the insulating layer.例文帳に追加
絶縁層上にデバイス形成用の半導体単結晶層を有する半導体基板において、絶縁層と半導体単結晶層の界面のラフネスを抑制することにより、デバイス特性を向上させる半導体基板および半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁
An i-type amorphous silicon layer 14 and a p-type amorphous silicon layer 15 get into a via hole of an n-type single-crystal silicon substrate 11 while an i-type amorphous silicon layer 12 and an n-type amorphous silicon layer 13 get into a via hole of the n-type single-crystal silicon substrate 11.例文帳に追加
i型非晶質シリコン層14とp型非晶質シリコン層15とは、n型単結晶シリコン基板11が有する貫通孔内に入り込み、i型非晶質シリコン層12とn型非晶質シリコン層13とは、n型単結晶シリコン基板11が有する貫通孔内に入り込む。 - 特許庁
A single-crystalline semiconductor layer, provided with tensile strain, is used as an active layer in one transistor and a single-crystalline semiconductor layer, provided with compression strain making use of a part of thermal shrinkage generated in the heating process of a supporting substrate after jointing, is used as an active layer in the other transistor.例文帳に追加
一のトランジスタは、引っ張り歪が与えられた単結晶半導体層を活性層として用い、他のトランジスタは、接合後に支持基板の加熱処理によって生ずる熱収縮の一部を利用した圧縮歪が与えられた単結晶半導体層を活性層として用いる。 - 特許庁
A single crystal semiconductor layer which is a separated surface layer part of a single crystal semiconductor substrate and is transferred is used as the photovoltaic layer and includes a structure in which an extrinsic semiconductor layer added with hydrogen or halogen is provided on a light incident surface or on an opposite surface.例文帳に追加
光電変換層としての機能を奏する単結晶半導体層は単結晶半導体基板の表層部を剥離して転置されたものが適用され、水素若しくはハロゲンが添加された不純物半導体層を光入射側若しくはその反対側の面に設ける構成を含む。 - 特許庁
To remove efficiently a film, such as varied insulating layer formed on a single crystal silicon and a work-distorted layer near a single crystal silicon substrate when recycling a silicon single crystal substrate used in manufacturing a semiconductor device, for a silicon single crystal substrate for use in a solar battery and a monitor wafer.例文帳に追加
半導体素子製造用に供された使用済みシリコン単結晶基板を、太陽電池用シリコン単結晶基板やモニターウエハーに再使用するに際して、単結晶シリコン上に形成されている各種の絶縁層等の被膜及び単結晶シリコン基板表面近傍の加工歪のある層を効率よく除去する。 - 特許庁
A fragile layer is formed in a region located at the depth under 1,000 nm from the one front surface of a single crystal semiconductor substrate and a first impurity semiconductor layer, a first electrode, and an insulating layer are formed in the side of the one front surface of the single crystal semiconductor substrate.例文帳に追加
単結晶半導体基板の一表面から1000nm未満の深さの領域に脆化層を形成し、且つ単結晶半導体基板の一表面側に第1不純物半導体層、第1電極、絶縁層を形成する。 - 特許庁
A first single crystal semiconductor layer is formed on a supporting substrate by isolating the single crystal semiconductor substrate from an isolating surface of the fragile layer or of the area near the relevant fragile layer after the first electrode and the supporting substrate are stacked and laminated.例文帳に追加
第1電極と支持基板とを重ね合わせて貼り合わせた後、脆化層又は当該脆化層の近傍を分離面として単結晶半導体基板を分離させることにより、支持基板上に第1単結晶半導体層を形成する。 - 特許庁
The wafer causes the amorphous layer to change into a second layer 16 of the single crystal semiconductor material, and further the second layer 16 is heated under conditions effective to combine the zone of the single crystal semiconductor material damaged into one, and forms an intrinsic gettering zone 17.例文帳に追加
そのウエハは、アモルファス層を単結晶半導体材料の第二の層16へ変換させ、さらに損傷を受けた単結晶半導体材料のゾーンを合体させるのに効果的な条件下で加熱され、イントリンシックゲッタリングゾーン17が形成する。 - 特許庁
The method for producing metal single crystal includes a step of bringing the solution of a salt containing the metal into contact with the surface of a tannin layer disposed on an epoxy resin cured layer to precipitate the single crystal of the metal on the surface of the tannin layer.例文帳に追加
エポキシ樹脂硬化層の上に配置されたタンニン層の表面に、前記金属を含む塩の溶液を接触させ、前記タンニン層の表面に前記金属の単結晶を析出させる工程を含む、金属の単結晶を製造する方法。 - 特許庁
Especially, the compressive stress that acts on the surface layer 12 itself is generated by a difference in the impurity concentration between the surface layer 12 and the silicon carbide single crystal 11, wherein the impurity is nitrogen and its concentration is lower in the surface layer 12 than in the silicon carbide single crystal 11.例文帳に追加
特に、表面層12と炭化珪素単結晶11との不純物濃度の差によって自身に圧縮応力が作用し、不純物が窒素であり、表面層12の方が炭化珪素単結晶11よりも窒素濃度が低くなっている。 - 特許庁
Since each set of the plurality of single-layer printed boards becoming the single laminated printed wiring board are housed in the bag body in the laminated state, pressure can be evenly applied even when the upper face of the single-layer printed wiring board has unevenness.例文帳に追加
1枚の積層プリント配線基板となる複数枚の単層プリント基板を積み重ねた状態で1セットずつ袋体に収容されるため、単層プリント配線基板の上面に凹凸があるような場合であっても、むらなく圧力を加えることができる。 - 特許庁
A first region having a single-crystal semiconductor layer left by performing heat treatment after implanting ions into a single-crystal semiconductor and sticking it on a substrate, and a second region having a non-single-crystal semiconductor layer are provided over the substrate.例文帳に追加
基板上に、単結晶半導体基板にイオンを打ち込み前記基板に貼り付けた後熱処理を加えることにより残存させた単結晶半導体層を有する第1の領域と、非単結晶半導体層を有する第2の領域と、を設ける。 - 特許庁
The extrusion moldings 1 are covered with a coating layer 3 of a resin of a single kind on the periphery of a core layer 2 of a multi- layered plastic sheet/film waste.例文帳に追加
押出成形体1は、多層プラスチックシート・フィルム廃材製のコア層2の周囲が単一樹脂からなる被覆層3で被覆されている。 - 特許庁
The work 10 is mounted to the cutting device again, and cutting the surface layer part of the surface squeezing layer is processed using a single crystal diamond bite.例文帳に追加
ワーク10を、再び、切削装置に取り付け、単結晶ダイヤモンドバイト11を用いて表面絞り層2の表層部の切削を行う。 - 特許庁
To improve a fault that a gate forward current cannot be controlled in an MIS type FET formed of a single layer Si_3N_4 insulating layer.例文帳に追加
単一層のSi_3N_4絶縁層からなるMIS型FETにおけるゲート順方向電流を抑制できないという欠点を改善する。 - 特許庁
The belt 12 is all continuously integrated from the single layer part 12a to the intermediate part and further to hard-to expand parts 12H of the double layer part 12c.例文帳に追加
ベルト12は、単層部12aから中間部12b及び複層部12cの伸長困難部12Hにかけてすべて一連一体である。 - 特許庁
To provide a single-sided recording and reproducing type optical recording medium capable of obtaining proper recording signal properties not only from a first information layer but also from a second information recording layer.例文帳に追加
第2の情報記録層からも良好な記録信号特性が得られる、片面記録再生タイプの光記録媒体の提供。 - 特許庁
The heat insulating material consists of an air permeable heat insulating material layer and the closed-cell aggregate heat insulating material layer arranged to the single surface or both surfaces thereof.例文帳に追加
気体流通性断熱材層とその片側あるいは両側に配置される独立セル集合体断熱材層とからなる断熱体。 - 特許庁
To provide a single layer type electrophotographic photoreceptor in which stability of a coating liquid for forming a photosensitive layer is stable, and also, which has satisfactory electric properties.例文帳に追加
感光層を形成するための塗布液の安定性に優れ、且つ、電気特性の良好な単層型の電子写真感光体を提供する。 - 特許庁
Hydrogen ions are implanted in the surface (major surface) of a single crystal Si substrate 10 to form a hydrogen ion implantation layer (ion implantation damage layer) 11.例文帳に追加
単結晶Si基10の表面(主面)に水素イオンを注入し、水素イオン注入層(イオン注入ダメージ層)11を形成する。 - 特許庁
The first oxide layer 41 and second oxide layer 42 can be formed in a single oxidation process to facilitate the manufacturing process.例文帳に追加
第1酸化層41と第2酸化層42とを一回の酸化工程で形成することが可能となり、製造工程の簡素化が可能となる。 - 特許庁
To provide a nonvolatile semiconductor storage element which has a semiconductor layer for a gate forming a single-layer thin film and is improved in data storage characteristic.例文帳に追加
単層薄膜のゲート用半導体層を有し、データ保持性を改善した不揮発性半導体記憶素子を提供することを課題とする。 - 特許庁
As a result, a semiconductor substrate in which a defect in an interface between the single crystal semiconductor layer and the insulating layer is reduced can be provided.例文帳に追加
これにより、単結晶半導体層と絶縁層との界面における欠陥を低減した半導体基板を提供することができる。 - 特許庁
On it, a second n^- layer (second semiconductor layer) 13 which is silicon single crystal is selectively epitaxially grown (figure 1(b): first growing step).例文帳に追加
この上に、シリコン単結晶である第2n^−層(第2の半導体層)13を選択エピタキシャル成長させる(図1(b):第1成長工程)。 - 特許庁
The fins 4 are arranged radially around the rubber layer 2, and the rubber layer 2 and fins 4 are formed in a single piece molding by means of extruding process.例文帳に追加
また、このフィン4をゴム層2の周りに放射状に設けて、押出成形によりゴム層2とフィン4とを一体成形可能にしている。 - 特許庁
Due to such a formation of holes around the joint surface, the depth of depletion layer becomes equivalent to the thickness tSOI1 of single-crystal layer 21.例文帳に追加
このように接合面付近にホールが存在することによって、空乏層深さが単結晶層21の厚さt_SOI1に相当することとなる。 - 特許庁
The void 30 functions as a space, into which an adhesive resin flows, when the single-layer circuit board 10 is laminated through an adhesive resin layer.例文帳に追加
空隙30は、単層回路基板10が接着樹脂層を介して積層されるとき、接着樹脂が流入する空間として作用する。 - 特許庁
The thickness of a color filter layer 3 in the transmission region 5 within a single dot is made larger than the thickness of the color filter layer 3 in the reflection region 4.例文帳に追加
1ドット内における透過領域5のカラーフィルタ層3の厚さを反射領域4のカラーフィルタ層3の厚さよりも大きくした。 - 特許庁
In various illustrative embodiments, an undoped spacer layer is provided between a single quantum well aluminium nitride gallium active region and a carrier confinement layer.例文帳に追加
様々な例示的実施形態で、単一量子井戸窒化アルミニウムガリウム活性領域とキャリア閉込め層との間に、アンドープスペーサ層を設ける。 - 特許庁
The substrate 3 is composed of a resin film made of polyimide, whose thickness is 175 μm, and is a flexible resin layer constituted of a resin film single layer.例文帳に追加
基板3は、厚さ175μmのポリイミド製の樹脂フィルムからなり、この樹脂フィルム単層で構成されたフレキシブルな樹脂層である。 - 特許庁
To manufacture a semiconductor substrate, where a single crystal semiconductor layer is fixed onto a support substrate having low heat resistance, such as a glass substrate, via a buffer layer.例文帳に追加
ガラス基板などの耐熱性の低い支持基板にバッファ層を介して単結晶半導体層が固定された半導体基板を作製する。 - 特許庁
The second substrate 200A is formed by using an SOI substrate consisting of a silicon substrate 250, a silicon oxidized layer 225 and a silicon single crystal layer 260.例文帳に追加
第2基板200Aは、シリコン基板250、シリコン酸化層225、シリコン単結晶層260からなるSOI基板を用いて形成される。 - 特許庁
A single-layer transfer electrode structure is employed which has a first transfer electrode 3a and a second transfer electrode 3b formed on one layer of polysilicon.例文帳に追加
1層のポリシリコンにより第1転送電極3aと第2転送電極3bを形成する単層転送電極構造を採用している。 - 特許庁
A semiconductor structure includes an insular single crystal layer of II nitride compound and a III nitride compound semiconductor layer is grown thereon.例文帳に追加
半導体構造中にはII族窒化物化合物の単結晶島層が含まれ、この層の上にIII族窒化物化合物半導体層が成長する。 - 特許庁
In this manner, the luminescent layer is formed over the entire substrate by a single color, and the color adjustment layer is formed by using the laser thermal transfer method.例文帳に追加
このように、発光層を基板全体にかけて単一色で形成してカラー調節層をレーザー熱転写法を用いて形成する。 - 特許庁
To provide an electrophotographic photoreceptor of a single layer configuration having high sensitivity and superior electrostatic chargeability.例文帳に追加
高感度で、優れた帯電特性を有する単層構成の電子写真用感光体を提供する。 - 特許庁
To improve the characteristics of a tapered end part of a single-crystal semiconductor layer.例文帳に追加
単結晶半導体層のテーパー形状を有する端部の特性を良好にすることを課題とする。 - 特許庁
Accordingly, a pressure-sensitive adhesive tape of a high quality level having a multi-layer construction can be manufactured by a single step.例文帳に追加
したがって、高品位な多層構造の粘着テープを単一の工程で製造することができる。 - 特許庁
The surface of the single crystal silicon layer 6 is protected by the polycrystal silicon film 12, so that it is not etched.例文帳に追加
単結晶シリコン層6の表面は多結晶シリコン膜12により保護されており、エッチングされない。 - 特許庁
The suspension beam 24, the metallic traces, and the contact pads are all manufactured of the single metallization layer.例文帳に追加
懸垂ビームならびに金属トレースおよび接点パッドは全て、単一のメタライゼーション層によって製作する。 - 特許庁
To efficiently manufacture a semiconductor device having a silicon layer which has a small number of grain boundaries and is similar to a single crystal.例文帳に追加
粒界が少なく、単結晶に近いシリコン層を有する半導体装置を効率良く製造する。 - 特許庁
Two independent electric switches are formed using a single oxide semiconductor layer.例文帳に追加
独立した2つの電気的スイッチを単体の酸化物半導体層を用いて構成することを要旨とする。 - 特許庁
Balls of a single layer and multilayer structure are manufactured by a foam molding or injection molding.例文帳に追加
上記構成により発泡成型または射出成型により単層や複層構造のボールを製作する。 - 特許庁
To provide a single crystal silicon layer having little damage which is peculiar to the bulk wafer such as COP(crystal originated particle) and FPD (flow pattern deffect), etc.例文帳に追加
COP、FPD等のバルクウエハ特有の欠陥の少ない単結晶シリコン層を提供する。 - 特許庁
Further, the component characteristically takes the form of a single-layer derived from the combination of a resin and a substrate.例文帳に追加
本発明は、樹脂と基板の組み合わせに由来する単一層の形態を取ることを特徴とする。 - 特許庁
To simplify an air conditioner and to reduce costs by enabling setting of 2-layer flow mode with a single door.例文帳に追加
一つのドアにより2層流モードを設定可能にして、空調装置の簡素化やコストの低減を図る。 - 特許庁
The single layer nanotube 1 is synthesized by arc discharge with a carbon electrode containing the metallic catalyst 2.例文帳に追加
単層ナノチューブ1は、金属触媒2を含む炭素電極を用いアーク放電により合成される。 - 特許庁
The resin molding 1 is composed of a single layered body or a laminated body in which more than one resin layer are laminated.例文帳に追加
樹脂成形品1は、単層体、又は複数の樹脂層が積層された積層体からなる。 - 特許庁
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