「single-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(20ページ目) - Weblio英語例文検索

Since a liquid phase growth method is employed for growing the single crystal semiconductor layer 403, a thick semiconductor layer can be produced with a high throughput.例文帳に追加

特に単結晶半導体層４０３の成長には液相成長法を用いることで厚い半導体層を、高いスループットで生産できるようにする。 - 特許庁

Prior to the formation of the metal silicide layer a boundary region between the single crystal region and the polycrystalline region is made amorphous, and then the metal silicide layer is formed.例文帳に追加

金属シリサイド層の形成前に、単結晶領域と多結晶領域との境界領域をアモルファス化し、その後、金属シリサイド層を形成する。 - 特許庁

In growing polycrystalline silicon layer and single crystal silicon layer by the catalytic CVD method, at least a catalyst with its surface formed by nitride is used.例文帳に追加

触媒ＣＶＤ法により多結晶シリコン層や単結晶シリコン層を成長させる場合に、少なくとも表面が窒化物からなる触媒体を用いる。 - 特許庁

First, an optical waveguide layer 15 formed of a single semiconductor layer is formed on a principal surface 11a of a semiconductor substrate 11 including a third region 3C.例文帳に追加

まず、半導体基板１１の第３の領域３Ｃを含む主面１１ａ上に単一半導体層からなる光導波層１５を形成する。 - 特許庁

The A-PET single layer sheet or the A-PET/A-PET/A-PET three-layer sheet is used as a substantially amorphous, non-oriented, polyethylene terephthalate sheet.例文帳に追加

実質上、非結晶無配向のポリエチレンテレフタレートシートであってＡ−ＰＥＴ単層シートやＡ−ＰＥＴ／Ａ−ＰＥＴ／Ａ−ＰＥＴ三層シートを用いる。 - 特許庁

A reinforcing fiber layer 40 contained in the electronic circuit board 20 is constituted of a single fiber layer in which fibers are oriented in one direction in an adjoining state.例文帳に追加

電子回路基板２０に含有される繊維強化層４０は、各繊維が互いに隣接して一方向に配向された単層の繊維層で構成する。 - 特許庁

The slide bearing material includes a Cu single layer and a Cu-Sn alloy layer, and disperses phosphor bronze, TiO_2, C, and FeP therein.例文帳に追加

Ｃｕ単層とＣｕ−Ｓｎ系合金層を含有するとともに、燐青銅、ＴｉＯ_２、ＣおよびＦｅＰを分散させてなる滑り軸受材料とする。 - 特許庁

Since the insulating layer 34 can be formed easily in a thin high-quality single-crystal layer, the luminous efficiency of the light emitting element can be improved and the element can be driven with a low voltage.例文帳に追加

絶縁層３４として良質の単結晶の薄い層を容易に作ることができ、発光効率が良く低電圧駆動が可能となる。 - 特許庁

Although a plurality of security layer (SL) packets can be multiplexed to a single physical layer (PL) packet in order to improve the efficiency, the SL packets may have a variable length.例文帳に追加

複数のセキュリティ層（ＳＬ）パケットは、効率性を高めるために単独のＰＬパケットに多重化され得るが、ＳＬパケットは可変の長さを有してもよい。 - 特許庁

Moreover, the display portion is formed using a substrate which is a light-transmitting substrate such as a glass substrate provided with a single crystal semiconductor layer separated from a single crystal semiconductor substrate.例文帳に追加

また、表示部は、ガラス基板等の透光性の基板に、単結晶半導体基板から分割された単結晶半導体層を設けた基板で作製される。 - 特許庁

To provide a stripper for a single core optical fiber cord capable of removing the outer layer of the single core optical fiber cord simply in a correct length.例文帳に追加

光ファイバ単心コードの外被層を簡便にまた正確な長さで除去できる光ファイバ単心コード用ストリッパを提供することを課題とするものである。 - 特許庁

To provide a single-sided two layered optical information recording medium wherein the degree of modulation can be specified to be in the range of 60 to 85% and single-sided two layer recording can be satisfactorily performed.例文帳に追加

変調度を６０〜８５％の範囲とすることができ、片面２層記録を良好に行うことのできる片面２層光情報記録媒体を提供する。 - 特許庁

In the step S20, the assembly of the single crystal bodies is formed by aligning a plurality of SiC single crystal ingots sandwiching an Si layer containing silicon (Si).例文帳に追加

工程Ｓ２０では、複数のＳｉＣ単結晶インゴットを、珪素（Ｓｉ）を含むＳｉ層を間に挟んで並ぶように配置して単結晶体の集合体を形成する。 - 特許庁

To provide a single-sided multilayer optical disk wherein a BCA (Burst Cutting Area) can be easily formed in a single-sided two-layer disk, and to provide a BCA recording device, a BCA recording method, and an optical disk drive.例文帳に追加

片面２層ディスクにおいて容易にＢＣＡが作成可能な片面多層光ディスク、ＢＣＡ記録装置、ＢＣＡ記録方法及び光ディスク装置を提供する。 - 特許庁

While a heated high-purity nitrogen gas is being sprayed on a separation plane of the single crystal semiconductor layer separated from the single crystal semiconductor substrate, laser beam irradiation is performed.例文帳に追加

単結晶半導体基板から分離された単結晶半導体層の分離面に加熱した高純度の窒素ガスを吹き付けながら、レーザビームを照射する。 - 特許庁

The I/O device part 206 is arranged on a single microchip and has a physical layer 208 and a data channel processor 210, and the process device part 220 is coupled to the single microchip.例文帳に追加

Ｉ／Ｏ装置部２０６は、シングルマイクロチップ上に配置され、物理層２０８とデータチャネルプロセッサ２１０とを有し、プロセス装置部２２０はシングルマイクロチップに結合される。 - 特許庁

A so-called tandem-type photoelectric conversion device is obtained by stacking a unit cell including a non-single-crystal semiconductor layer over the detached thin part of the single crystal semiconductor substrate.例文帳に追加

薄板化された単結晶半導体基板上に非単結晶半導体層を有するユニットセルを積層して、所謂タンデム型光電変換装置とする。 - 特許庁

PURE-METAL OR ALLOY PLATING LAYER HAVING BIAXIAL TEXTURE AND FORMED BY ELECTROPLATING ON SURFACE OF METAL HAVING SINGLE CRYSTAL OR QUASI-SINGLE CRYSTAL ORIENTATION, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

単結晶又は準単結晶配向性を有する金属表面に電気鍍金により二軸集合組織を有する純金属又は合金鍍金層及びその製造方法 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an organic single crystal transistor capable of forming an organic semiconductor layer consisting of a microcrystal assembly of organic single crystals without using a vacuum process.例文帳に追加

本発明は、真空プロセスを使用せずに、有機単結晶の微結晶集合体からなる有機半導体層を製造できる有機単結晶トランジスタを提供すること。 - 特許庁

A non-single-crystal semiconductor layer is formed on the single-crystal semiconductor and irradiated with laser beams to be crystallized, thus manufacturing the SOI substrate.例文帳に追加

単結晶半導体上に非単結晶半導体層を形成し、レーザビームを照射することにより、非単結晶半導体層を結晶化させて、ＳＯＩ基板を作製する。 - 特許庁

A stacked structure of a nitride semiconductor comprises a substrate having projections on its primary surface, a single-crystal layer that is directly provided on the primary surface of the substrate and covers the projections, and a nitride semiconductor layer provided on the single-crystal layer.例文帳に追加

実施形態によれば、窒化物半導体の積層体は、主面に凸部を有する基板と、前記基板の前記主面上に直接設けられて前記凸部を覆う単結晶層と、前記単結晶層上に設けられた窒化物半導体層と、を備えている。 - 特許庁

A two-layer structure comprising a sub-micron or micron-sized columnar porous layer and a nano-sized silicon particle layer is arranged on a surface of a silicon single crystal substrate by carrying out electrolytic oxidation for anodizing the silicon single crystal substrate in a hydrofluoric acid-based electrolyte having a predetermined concentration.例文帳に追加

サブミクロン〜ミクロンサイズの柱状多孔質層とナノサイズシリコン粒子層からなる２層構造を、所定濃度のフッ酸系電解液中で、シリコン単結晶基板を陽極酸化する電解酸化することによって、シリコン単結晶基板表面に設ける。 - 特許庁

An X-axis magnetic sensor 11 provided in this magnetic sensor is equipped with a single substrate 10a, a plurality of bias magnetic films 12 to 15, ordinary GMR devices 16 and 17 each equipped with a single film fixed layer, and SAF devices 18 and 19 each equipped with a multi-layer film laminate fixed layer.例文帳に追加

磁気センサが備えるＸ軸磁気センサ１１は、単一の基板１０ａと、複数のバイアス磁石膜１２〜１５と、単一膜固定層を備えた通常ＧＭＲ素子１６，１７と、多層膜積層固定層を備えたＳＡＦ素子１８，１９と、を備える。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor substrate that has low resistance and is excellent in crystallinity of a nitride semiconductor single-crystal layer without forming an SiN_x layer between an Si substrate and the nitride semiconductor single-crystal layer formed thereupon, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

Ｓｉ基板とその上に形成される窒化物半導体単結晶層との間に、ＳｉＮ_x層を生成することなく、低抵抗であり、窒化物半導体単結晶層の結晶性に優れた窒化物半導体基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The GaN semiconductor includes a c-GaN single crystal film 5 having a thickness of about 1-10 μm, and is formed sequentially via a 3C-SiC single crystal layer 3 having a thickness of about 100 nm to 1 μm and a BGaN mixed crystal layer 4 having a thickness of about 1-20 nm, on a single crystal Si substrate 1.例文帳に追加

単結晶Ｓｉ基板１上に厚さ１００ｎｍ〜１μｍ程度の３Ｃ−ＳｉＣ単結晶層３及び厚さ１〜２０ｎｍ程度のＢＧａＮ混晶層４を順に介在して厚さ１〜１０μｍ程度のｃ−ＧａＮ単結晶膜５が形成されている。 - 特許庁

A reinforcing layer 16 in which a single core wire 18 made of aluminum alloy is spirally wound in a tire circumferential direction and the RFID chip 17 for making the single core wire 18 function as an antenna by being connected to the single core wire 18 are provided between the carcass 6 and the belt layer 7.例文帳に追加

カーカス６とベルト層７との間には、アルミニウム合金からなる単芯線１８がタイヤ周方向に螺旋状に巻回された補強層１６と、単芯線１８に接続されることにより単芯線１８をアンテナとして機能させるＲＦＩＤチップ１７とが設けられる。 - 特許庁

Thus, the glass frit 342B can be interposed between neighboring single crystal MgO 342A or between single crystal MgO 342A and a thin film MgO layer 341, and bonding force of the single crystal MgO 342A and the thin film MgO layer 341 can be strengthened.例文帳に追加

このため、ガラスフリット３４２Ｂを、隣り合う単結晶ＭｇＯ３４２Ａの間、あるいは、単結晶ＭｇＯ３４２Ａおよび薄膜ＭｇＯ層３４１の間に介在させることができ、単結晶ＭｇＯ３４２Ａおよび薄膜ＭｇＯ層３４１の結合力を強めることができる。 - 特許庁

On a base board, there are provided a first region having a semiconductor single-crystal layer formed by implanting ions into a semiconductor single-crystal basal plate, applying the basal plate onto the base board, and subsequently heat-treating the basal plate, to have the basal plate partly remain therein; and a second region having a semiconductor non-single crystal layer.例文帳に追加

基板上に、単結晶半導体基板にイオンを打ち込み前記基板に貼り付けた後熱処理を加えることにより残存させた単結晶半導体層を有する第１の領域と、非単結晶半導体層を有する第２の領域と、を設ける。 - 特許庁

A thermal oxidization process is performed on the single-crystal silicon pattern to transform the exposed side wall part of the single crystal silicon pattern into silicon oxide, thus a second clad layer 201 is formed and a core layer 111 is formed in the single-crystal silicon pattern.例文帳に追加

そして、単結晶シリコンパターンについて熱酸化処理を実施し、その単結晶シリコンパターンにて露出する側壁部分を酸化シリコンに変質することによって第２クラッド層２０１を形成すると共に、その単結晶シリコンパターンの内部にコア層１１１を形成する。 - 特許庁

The manufacturing method of the nitride single crystal substrate comprises the stages of forming the nitride single crystal layer on a reserve substrate; forming a polymer supporting layer by applying a hardenability adhesive substance having mobility on a top face of the nitride single crystal layer, and by hardening the adhesive substance; and separating the nitride single crystal layer from the reserve substrate by irradiating a bottom face of the reserve substrate with laser.例文帳に追加

本発明の一側面は、予備基板上に窒化物単結晶層を形成する段階と、上記窒化物単結晶層の上面に流動性を有する硬化性接着物質を塗布し、上記接着物質を硬化させポリマー支持層を形成する段階と、上記予備基板の下面にレーザーを照射して上記予備基板から上記窒化物単結晶層を分離する段階とを含む窒化物単結晶基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The electrode is composed of a first catalyst composition having activeness in a gas phase reaction part and a second catalyst composition having activeness in an electrochemical reaction part, and each catalyst composition exists as a separated layer or a single mixed layer, or a combined layer of the separated layer and the single mixed layer.例文帳に追加

気相反応部位において活性を有する第１の触媒成分と、電気化学的反応部位において活性を有する第２の触媒成分とを含む電極であって、各触媒成分が、分離された層、あるいは単一の混合された層、または分離された層と単一の混合された層とを組合わせた層として存在する電極。 - 特許庁

The method includes processes of: (1) forming a single layer film of a translucent light shielding layer comprising one of metal-silicon oxide, metal-silicon nitride and metal-silicon oxynitride or forming a multilayer film of a transparent layer and a light shielding layer on a transparent substrate; and (2) selectively removing the single layer film or the multilayer film by dry etching using an etching gas containing chlorine atoms.例文帳に追加

１）透明基板上に金属−シリコンの酸化物、金属−シリコンの窒化物、金属−シリコンの酸化窒化物のいずれかからなる半透明遮光層の単層膜、もしくは透明層と遮光層からなる多層膜を形成し、２）単層膜、もしくは多層膜を塩素原子を含むエッチングガスを用いたドライエッチングにより選択的にエッチング除去する。 - 特許庁

A GaN single crystal 3 having enough thickness to be independently used as a substrate is grown via a buffer layer 2 formed of ZnO on a three-layer structure substrate 1 consisting of a sapphire crystal substrate 1c, an AlN buffer layer 1b formed on the sapphire crystal substrate 1c, and a GaN single crystal surface layer 1c formed on the buffer layer 1b.例文帳に追加

サファイア結晶基板１ｃと、該サファイア結晶基板１ｃ上に形成されるＡｌＮバッファ層１ｂと、該バッファ層１ｂ上に形成されるＧａＮ単結晶の表層１ｃとからなる、三層構造の基板上１に、ＺｎＯからなるバッファ層２を介して、単独で基板として用いることが可能な厚さを有するＧａＮ単結晶３を成長する。 - 特許庁

This method of bonding substrates comprises the steps of: (a) interposing a non-crystalline silicon layer 14 between a first silicon substrate 10 and a second silicon substrate (single crystal silicon substrate) 20; and (b) subjecting the layer 14 to such a heat treatment that the layer 14 becomes a single crystal silicon layer 18 (or polysilicon layer).例文帳に追加

本発明の基板張り合わせ方法は、（ａ）第１のシリコン基板１０と第２のシリコン基板（単結晶シリコン基板）２０との間に非晶質シリコン層１４を介在させる工程、および（ｂ）非晶質シリコン層１４が単結晶シリコン層１８（または多結晶シリコン層）になるような熱処理を非晶質シリコン層１４に施す工程、を含む。 - 特許庁

Furthermore, a second boron phosphide single crystal layer is grown in a vapor phase on the first boron phosphide single crystal layer, thus obtaining a joint body of the first boron phosphide single crystal layer and the second boron phosphide single crystal layer formed thereon as the boron phosphide single crystal substrate.例文帳に追加

裏面に溝を設けた珪素単結晶基板の表面に、２５０℃を超え１２００℃以下の基板温度でＭＯＣＶＤ法により、硼素とリンとを含む非晶質層を気相成長させ、該非晶質層上に、第１のリン化硼素（ＢＰ）単結晶層を気相成長させ、珪素単結晶基板を除去した後、第１のリン化硼素単結晶層上に、第２のリン化硼素単結晶層を気相成長させて、形成した第１のリン化硼素単結晶層と第２のリン化硼素単結晶層の接合体をリン化硼素単結晶基板とする。 - 特許庁

In corner parts of the insulating layer 5 to the earth wound around a single wire coil 4, other insulating layers 6 are arranged additionally.例文帳に追加

素線コイル４に巻回した対地絶縁層５の角部に、別の絶縁層６を付加的に配置する。 - 特許庁

SINGLE LAYER TYPE ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTOCONDUCTOR, ELECTROPHOTOGRAPHIC METHOD, ELECTROPHOTOGRAPHIC APPARATUS AND PROCESS CARTRIDGE FOR ELECTROPHOTOGRAPHIC APPARATUS例文帳に追加

単層型電子写真感光体、電子写真方法、電子写真装置、及び電子写真装置用プロセスカートリッジ - 特許庁

Each winding of 37 and 47 is wound as a single layer on outer peripheries of tubular cylinder portions 33 and 43 of bobbins 32 and 42.例文帳に追加

巻線３７，４７の各々は、ボビン３２，４２の筒状胴部３３，４３の外周に単層巻きされている。 - 特許庁

To provide a nondestructive inspection that can make simple and quantitative evaluation on a single-crystalline work-affected layer.例文帳に追加

単結晶の加工変質層の評価を簡便かつ定量的にできるような非破壊検査を提供する。 - 特許庁

The plurality of the field effect transistors are field effect transistors in which a single crystal semiconductor layer is used as a channel part.例文帳に追加

複数の電界効果トランジスタは、単結晶半導体層をチャネル部とした電界効果トランジスタである。 - 特許庁

A light-receiving part 43 of p-type single-crystal silicon is formed on the surface layer part 42a of the base substance 42.例文帳に追加

基体４２の表層部４２ａには、ｐ型単結晶シリコンからなる受光部４３が形成されている。 - 特許庁

To provide a method of forming a strip-like single-layer graphite thin film having an edge structure set in good order in an atomic scale.例文帳に追加

原子スケールで整った端構造を持つ短冊状の単層グラファイト薄膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

The static-dessipative sheet is constituted by integrally laminating a conductive layer on at least the single surface of the base material sheet 1.例文帳に追加

制電性シートは、基材シート１の少なくとも片面に導電層２を積層一体化した構成とする。 - 特許庁

When locked, whether the disk is a single-layer disk or not is determined based on information read from the disk in S25.例文帳に追加

ロックした場合、Ｓ２５でディスクから読み込まれた情報に基づいて１層ディスクか否かが判定される。 - 特許庁

The developing roller has a surface layer 30 to come into contact with a nonmagnetic single component developer on a core metal 31.例文帳に追加

現像ローラは、芯金３１上に、非磁性一成分現像剤と接触する表面層３０を有する。 - 特許庁