「single-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

A spin element comprises: a semiconductor layer 3 composed of single-crystal Si; a first tunnel insulating layer T1 formed on a surface of the semiconductor layer 3; and a first ferromagnetic metal layer 1 formed on the first tunnel insulating layer T1.例文帳に追加

このスピン素子は、単結晶のＳｉからなる半導体層３と、半導体層３の表面上に形成された第１トンネル絶縁層Ｔ１と、第１トンネル絶縁層Ｔ１上に形成された第１強磁性金属層１とを備えている。 - 特許庁

The transparent gas barrier laminated film is constituted by successively laminating a gas barrier layer (layer A) comprising an inorganic oxide and a gas barrier layer (layer B) comprising a gas barrier coating layer and an inorganic oxide on at least the single surface of a base material comprising a polyamide film.例文帳に追加

ポリアミド系フィルムからなる基材の少なくとも片面に、無機酸化物からなるガスバリア層（Ａ層）、ガスバリア性被覆層、無機酸化物からなるガスバリア層（Ｂ層）を順次積層してなることを特徴とする透明ガスバリア性積層フィルムである。 - 特許庁

The piezoelectric actuator forms a capacitor structure, and is formed by laminating a single crystal silicon substrate 1, a silicon oxide layer 2, a Ti adhesion layer 3, a Pt_mO lower electrode layer 4, a PZT piezoelectric layer 5 and a Pt upper electrode layer 6.例文帳に追加

圧電アクチュエータはキャパシタ構造をなしており、単結晶シリコン基板１、酸化シリコン層２、Ｔｉ密着層３、Ｐｔ_ｍＯ下部電極層４、ＰＺＴ圧電体層５及びＰｔ上部電極層６を積層して形成されている。 - 特許庁

In the reflection preventing transfer film wherein a release layer, a reflection preventing layer and an adhesive layer are successively formed on the single surface of a plastic film, a functional layer having anti- staining properties is formed between the release layer and the adhesive layer.例文帳に追加

プラスチックフイルムの片面に、離型層、反射防止層、接着層が順次形成されている反射防止用転写フイルムにおいて、離型層と反射防止層との間に、防汚性を有する機能性層が形成されていることを特徴とする反射防止用転写フイルム。 - 特許庁

On one side or both sides of a light transmissive plastic matrix, a hard coat layer including an organosilicon compound and/or a hydrolyzate thereof are provided, on the hard coat layer, an anti-reflection layer having a single layer or a multilayer is provided, and also on the anti-reflection layer, a printing layer is formed.例文帳に追加

光透過性プラスチック基材上の片面もしくは両面に有機ケイ素化合物および／またはその加水分解物を含んでなるハードコート層を有し、該ハードコート層上に単層または多層の反射防止層を有し、かつ該反射防止層上に印刷層を形成する。 - 特許庁

In a solid electrolytic capacitor 10, at least a dielectric layer 22, a solid electrolyte layer 24, and a cathode conductive layer 26 are laminated on an anode 20, a cathode terminal 14 is connected to the top of the cathode conductive layer 26, and the cathode conductive layer 26 includes a single layer including silver particles.例文帳に追加

本固体電解コンデンサ１０は、陽極２０上に少なくとも誘電体層２２、固体電解質層２４および陰極導電層２６を積層し、陰極導電層２６上に陰極端子１４が接続され、陰極導電層２６が銀粒子を含む単一層からなるものである。 - 特許庁

The piezoelectric thin film element is provided with an acoustic multilayer film 105 formed by alternately laminating an Al_2O_3 layer (high acoustic impedance layer) 102 and a SiO_2 layer (low acoustic impedance layer) 103 on a substrate 101 comprising single crystal silicon or the like and the uppermost layer of which is a SiO_2 layer 104.例文帳に追加

単結晶シリコンなどから構成された基板１０１の上に、Ａｌ_2Ｏ_3層（高音響インピーダンス層）１０２とＳｉＯ_2層（低音響インピーダンス層）１０３とが交互に積層されて最上層がＳｉＯ_2層１０４とされた音響多層膜１０５を備えている。 - 特許庁

Even when a single or a plurality of conductive devices 106 is contained in the first layer 104 by forming the layer 104 as an insulating layer, the oxidation of the interfaces between the layer 104 and devices 106 is removed by continuously performing plasma treatment on the interfaces, and then, the second layer 108 is deposited on the layer 104.例文帳に追加

第１の層１０４を絶縁層として、その中に配置された単一または複数の導電性材料デバイス１０６を含む場合も、両者の間のインタフェースに連続のプラズマ処理を行って酸化を除去し、その上に第2の層１０８を堆積する。 - 特許庁

An electroless plating layer 2 comprising a plurarity of layers, wherein at least one layer is formed of a copper layer and at least one is formed of a metal other than copper, and an electrolytic plating layer 3 comprising a copper single layer or a plurality of layers based mainly on a copper layer are laminated on the surface of a resin film 1 in this order.例文帳に追加

樹脂フィルム１の表面に、少なくとも１層が銅層で他の少なくとも１層が銅以外の金属で形成される複数層からなる無電解めっき層２と、銅単一層あるいは銅層を主体とする複数層からなる電解めっき層３とをこの順に積層する。 - 特許庁

To provide an optical disk apparatus in which it can be discriminated accurately whether a recording layer of an optical disk set to a main body is single layer or double layer, and reliability of the whole apparatus is not reduced.例文帳に追加

本体にセットされている光ディスクの記録層が１層であるか、２層であるかを精度良く判定でき、装置本体の信頼性を低下させない光ディスク装置を提供する。 - 特許庁

To provide a single laminated SOI substrate equipped with an SOI layer with an insulating layer varying in its thickness because cavities are included in the insulating layer, and further provide its manufacturing method and a semiconductor device using the substrate.例文帳に追加

絶縁層に空洞を含むことで、単一のＳＯＩ基板にて絶縁層厚さの異なるＳＯＩ層を有する貼り合わせＳＯＩ基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The actual reflectivity of an X-ray total reflection mirror with a multi-layer structure is more approximate to the theoretic value than that of an X-ray total reflection mirror with a single-layer structure because each layer absorbs less X rays.例文帳に追加

多層膜構成のＸ線全反射ミラーの実際の反射率は、各層の吸収が少ないために、単層膜構成のＸ線全反射ミラーに比べて理論値に近い。 - 特許庁

To provide an optical disk device which efficiently implements processing such as fingerprint detection when a multi-layer optical disk is distributed with conventional single-layer and double-layer optical disks.例文帳に追加

従来の単層光ディスクや２層光ディスクとともに、多層光ディスクが流通した場合において、指紋検出などの処理を効率的に実行する光ディスク装置を提供する。 - 特許庁

The i-type amorphous silicon film 6 has a two layer structure of an i-layer 61 on the n-type single crystal silicon substrate 1 side and an i-layer 62 on the n-type amorphous silicon film 7 side.例文帳に追加

ｉ型非晶質シリコン膜６は、ｎ型単結晶シリコン基板１側のｉ層６１およびｎ型非晶質シリコン膜７側のｉ層６２からなる２層構造を有する。 - 特許庁

The liquid membrane for separating gas and steam has a hydrophilic layer 2 on one face of a single porous membrane 1 and a hydrophobic layer 3 on the other face, and makes the hydrophilic layer 2 impregnated with a hydrophilic liquid.例文帳に追加

１枚の多孔質膜１の一方の面に親水性の親水層２、他方の面に疎水性の疎水層３を有し、前記親水層２に親水性の液体を含浸させた。 - 特許庁

When cooled, the dielectric layer 33 is hardened and the crystalline MgO protective layer 34 is formed by the single crystal MgO 34A partially embedded in the dielectric layer 33.例文帳に追加

そして、冷却されると、誘電体層３３が硬化して、一部が誘電体層３３に埋め込まれた単結晶ＭｇＯ３４Ａにより結晶ＭｇＯ保護層３４が形成される。 - 特許庁

A release layer 102, such as a porous layer, and a thin-film single crystal 103, such as an epitaxially grown silicon layer, are formed by on the surface of a substrate 1, such as a silicone wafer, the arrangement in this order.例文帳に追加

シリコンウェハ等の基板の表面に、多孔質層等の剥離層と、この上にエピタキシャル成長したシリコン層等の薄膜単結晶をこの順序の配列にて形成する。 - 特許庁

A light-emitting layer AxByCz is positioned between an anode and a cathode, and the light-emitting layer is made to be a single layer organic light-emitting medium in which different materials are mixed, and there is no faults of hetero junction.例文帳に追加

発光層ＡｘＢｙＣｚがアノードとカソードの間に位置し、該発光層が異なる物質を混合した単一層有機発光媒体とされ、ヘテロ接合の欠点がない。 - 特許庁

To automatically recognize a side face of a pattern, an image of each layer, and a layer having a defect from an SEM image of a wafer formed with a pattern which is formed of a single layer or a multilayer structure.例文帳に追加

単層あるいは多層構造から成るパターンが形成されたウェーハのＳＥＭ像から、パターンの側面および各層の像、さらに欠陥を有する層を自動認識する。 - 特許庁

This semiconductor structure comprises a layer containing a single crystal germanium which is preferably substantially pure germanium, a substrate and an embedded insulating layer for separating the layer containing germanium from the substrate.例文帳に追加

好ましくは実質的に純粋なゲルマニウムである単結晶ゲルマニウム含有層と、基板と、ゲルマニウム含有層を基板から分離する埋め込み絶縁層とを含む半導体構造。 - 特許庁

The acoustic matching material 40 is composed of a single member made of carbon, comprising an inner layer with air bubbles arranged in a distributed way and a hydrophobic thin-film outer layer surrounding the inner layer airtightly.例文帳に追加

音響整合材４０は、気泡が分散配置された内層と、その内層を気密に包囲する疎水性で薄膜状の外層と、からなるカーボン製の単一部材で構成されている。 - 特許庁

With this configuration, a single-layer actuator is formed of the first electrode layer portion 21, the second electrode layer portion 22 and the base 12 sandwiched by them, and a plurality of formed actuators are laminated.例文帳に追加

これにより、第一電極層部２１、第二電極層部２２、およびこれらに挟まれた基部１２から一層のアクチュエータが形成され、形成されたアクチュエータが複数積層される。 - 特許庁

A porous silicon layer 25 is formed at least partially in the vicinity of a surface of a semiconductor substrate 20, a single crystal layer 4a is further formed on the porous silicon layer 25.例文帳に追加

半導体基板２の表面近傍には、少なくとも部分的に多孔質シリコン層２５が形成されており、さらに、該多孔質シリコン層２５上には単結晶層４ａが形成されている。 - 特許庁

(a) An insulating layer 12 is formed on a single crystal Si substrate 11, and (b) an ion implanted layer 13 is formed by implanting the substrate 11 with ion through the insulating layer 12.例文帳に追加

単結晶Ｓｉ基板１１の上に絶縁層１２を形成し（ａ）、絶縁層１２を通して基板１１中にイオンを注入してイオン注入層１３を形成する（ｂ）。 - 特許庁

Also, the specific inductive capacity of a ceramic material constituting the ceramic layer of the electrode layer forming region is larger than the specific inductive capacity of the ceramic material constituting the ceramic single layer region.例文帳に追加

また、電極層形成領域のセラミック層を構成するセラミック材料の比誘電率は、セラミック単層領域を構成するセラミック材料の比誘電率よりも大である。 - 特許庁

A printed wiring board (1) is provided with a conductive layer (13) having wiring patterns on the single side of an insulating layer (11) and a solder formation part (15) provided in a part of a conductive layer (13).例文帳に追加

プリント配線板（１）は、絶縁層（１１）の片面に配線パターンをなす導電層（１３）を備え、導電層（１３）の一部に実装用のハンダ形成部（１５）が設けられる。 - 特許庁

In the organic electroluminescent element having an organic layer between a positive electrode and a negative electrode, either one of both electrodes consists of a single layer body of Al alloy layer or a multi-layer body of Al alloy layer and a buffer layer, and the organic layer contains phosphorescence luminous compound.例文帳に追加

陽極と陰極との間に有機層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、両電極のどちらか一方が、Ａｌ合金層の単層体またはＡｌ合金層とバッファー層との多層体からなり、該有機層が燐光発光性化合物を含んでいることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 特許庁

To provide a substrate for the growth of a single crystal diamond layer by which a uniform highly crystalline single crystal diamond can be produced with high reproducibility at a low cost and to provide a method for producing a single crystal diamond substrate.例文帳に追加

均一で結晶性の高い単結晶ダイヤモンドを再現性良く、低コストで製造することができる単結晶ダイヤモンド層成長用基板及び単結晶ダイヤモンド基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for pulling a silicon single crystal capable of improving yield by preventing exfoliation of cristobalitized crystallized layer and its mingling into the single crystal in particular in producing the silicon single crystal by a CZ process.例文帳に追加

ＣＺ法によるシリコン単結晶を製造する際、特に、クリストバライト化した結晶化層の剥離と、単結晶中への混入を防止して、歩留まりを向上させ得るシリコン単結晶の引上方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method that directly grows nitride semiconductor devices such as nitride semiconductor light emitting device where a nitride semiconductor layer is epitaxially grown and a transistor device on a single crystal layer after the single crystal layer where both the a-axis and c-axis of the nitride semiconductor are arranged is directly formed on a substrate, without forming a low temperature-amorphous buffer layer and its nitride semiconductor single crystal layer.例文帳に追加

アモルファス状の低温バッファ層を形成することなく、直接窒化物半導体のａ軸とｃ軸の両方が揃った単結晶層を基板上に形成し、その単結晶層上に窒化物半導体層がエピタキシャル成長された窒化物半導体発光素子やトランジスタ素子などの窒化物半導体素子、およびその窒化物半導体単結晶層を直接成長する方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor element which uses a novel substrate whose latice constant very much coincides with that of a GaN single crystal not only at a normal temperature but during heating in layer formation as well and also has a GaN single crystal layer having an extremely low through- dislocation.例文帳に追加

GaN単結晶と常温のみならず層形成時の加熱時においても格子定数が極めて一致する新規な基板を用い、貫通転位の極めて少ないGaN単結晶層を有する半導体素子を得る。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor thin-film element including a semiconductor single-crystal layer other than Si including a semiconductor element on an Si single-crystal layer, to provide a semiconductor wafer, and to provide the semiconductor thin-film element.例文帳に追加

Ｓｉ結晶層上に半導体素子を備えたＳｉ以外の半導体単結晶層を備えた半導体薄膜素子の製造方法並びに半導体ウエハ、及び、半導体薄膜素子を提供する。 - 特許庁

The single-crystal semiconductor layer of a transistor for which high-speed operation is required is formed thinner than that of a transistor for which high resistance to a voltage is required, so that the thickness of the single-crystal semiconductor layer is made thin.例文帳に追加

高速動作を求められるトランジスタの単結晶半導体層を、電圧に対して高い耐圧性を求められるトランジスタの単結晶半導体層より薄膜化し、単結晶半導体層の膜厚を薄くする。 - 特許庁

When the active layer 5 of the semiconductor laser 1 and the light incident face of a single mode optical fiber are arranged in close proximity to each other, light from the active layer 5 enters the core from the light incident face of the single mode optical fiber.例文帳に追加

半導体レーザ１の活性層５と単一モード光ファイバの光入射面を近接して配置すると、活性層５からの光が単一モード光ファイバの光入射面よりコアに入射される。 - 特許庁

A second-type single layer package P2, provided with a lead 133 exposed over the lower surface of a molded part 136, is mounted to a first- type single layer package P1 provided with a lead 33 extending to outside a molded part 36.例文帳に追加

成形部３６の外側まで延長されたリード３３を有する第１型単層パッケージＰ１上に、成形部１３６の下面に露出されたリード１３３を有する第２型単層パッケージＰ２を実装する。 - 特許庁

The variable-stiffness tension-stabilizing truss 20 for making a plane grating undergo in-plane and out-of-plane stiffening is built into the plane grating at the prescribed place of the single-layer latticed shell wherein the plane of structure, which is constituted by reticulately framing the plane grating, is composed of a single layer.例文帳に追加

平面格子を網の目状に骨組みしてなる構面が一層の単層ラチスシェルの所定部位の平面格子に、これを面内・面外補剛する可変剛性張力安定トラス２０を組み込む。 - 特許庁

The silicon carbide semiconductor device includes: a Schottky metal portion 8 for an N-type epitaxial layer 2 on an SiC single-crystal substrate 1; and the ohmic electrode 5 for a p-type silicon carbide single crystal 4 provided to the N-type epitaxial layer.例文帳に追加

ＳｉＣ単結晶基板１上のＮ型エピタキシャル層２に対するショットキー金属部８と、Ｎ型エピタキシャル層に設けられたｐ型炭化珪素単結晶４に対するオーミック性電極５とを備える。 - 特許庁

The innermost layer 1a contains, as a main component, a polyolefinic resin prepared by polymerization in the absence of single-site catalysts and the most outer layer 2a contains, as a main component, a polyolefinic resin prepared by polymerization in the presence of a single-site catalyst.例文帳に追加

最内層１ａはシングルサイト触媒を用いずに重合製造したポリオレフィン樹脂を主成分とし、最外層２ａはシングルサイト触媒を用いて重合製造したポリオレフィン樹脂を主成分としている。 - 特許庁

An epitaxial wafer 50 constituting a semiconductor multilayer structure is composed of a single-crystal substrate 1 and a device layer 3 of compound semiconductor which is formed by hetero-epitaxial growth on the major surface of the single-crystal substrate 1 via a buffer layer 2.例文帳に追加

半導体多層構造をなすエピタキシャルウェーハ５０は、単結晶基板１の主表面上にバッファ層２を介して化合物半導体からなる素子層３をヘテロエピタキシャル成長させた構造をなす。 - 特許庁

Even when the effective neutral base is enlarged by the increase of collector current, no energy barrier is formed in a conduction band at the heterointerface of the n-type single crystal SiGe layer and the p-type single crystal SiGeC layer.例文帳に追加

コレクタ電流の増加によって、実効的な中性ベースが拡大した場合でも、ｎ型単結晶ＳｉＧｅ層とｐ型単結晶ＳｉＧｅＣ層のヘテロ界面における伝導帯に、エネルギー障壁が発生しない。 - 特許庁

In an SOI board 4 composed of a p-type silicon board 1, a buried oxide film 2 and a single-crystal silicon layer 3, a source region 10 and a drain region 11 are formed on the single-crystal silicon layer 3.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板１、埋め込み酸化膜２、及び単結晶シリコン層３から構成されるＳＯＩ基板４において、単結晶シリコン層３にソース領域１０およびドレイン領域１１を備える。 - 特許庁

To provide a method of efficiently repairing a region with a defect caused in a single-crystal semiconductor layer in forming the single-crystal semiconductor layer on a support substrate, and preventing a transistor characteristic in the region from being impaired.例文帳に追加

単結晶半導体層を支持基板上に形成する際に、単結晶半導体層に欠損が生じた領域を、効率的に修復し、かつ該領域のトランジスタ特性を損なわない方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor substrate containing a single crystal semiconductor layer of large area by efficiently implanting ion into a plurality of insulating layer covering single crystal semiconductor substrates.例文帳に追加

複数枚の絶縁層被覆単結晶半導体基板に対して効率よくイオン注入を行い、大面積の単結晶半導体層を備えた半導体基板の作製方法を提供することを課題の一とする。 - 特許庁

At least one particle removing layer, keeping an average single fiber diameter of 1-200 nm or below and a single fiber ratio of 200 nm or above in a proportion of 20% or below, and at least one gas adsorbing layer are respectively arranged.例文帳に追加

平均単繊維直径が１〜２００ｎｍ以下であり、かつ２００ｎｍ以上の単繊維比率が２０％以下である粒子除去層とガス吸着層をそれぞれ少なくとも１層以上配置させる。 - 特許庁

By turning off the nitrogen flow during deposition of TaN, a TaN/Ta bilayer is easily grown, which has copper diffusion barrier properties superior to those of a single Ta layer or a single TaN layer.例文帳に追加

ＴａＮの堆積中に窒素流をオフにすることで、ＴａＮ／Ｔａ二重層が容易に成長され、この二重層は、単一Ｔａ層または単一ＴａＮ層よりも優れた銅拡散障壁特性を有する。 - 特許庁