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solid-state amplifierの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 114件
To provide an imaging unit provided with a solid-state imaging means with a charge amplifier section that amplifies signal charges on the basis of an amplification factor control signal that can attain imaging with a desired imaging sensitivity by correcting the characteristic of the amplification factor control signal even when it is fluctuated.例文帳に追加
増倍率制御信号に基づいて信号電荷を増倍する電荷増倍部を有する固体撮像手段を備えた撮像装置において、増倍率制御信号の信号特性に変動が生じても、補正を行うことにより、所望の撮像感度での撮像を可能とする。 - 特許庁
An exposure adjustment means 9 discriminates whether the exposure time or the gain is decreased, increased or kept unchanged on the basis of the signal level of an object converted by the solid-state imaging element 3 to control the gain of an amplifier means 8 and the number of drive pulses produced by a drive pulse generating means 10.例文帳に追加
固体撮像素子３によって変換された被写体の信号レベルをもとに露光調整手段９が露光時間もしくは利得を減らすか増やすか、そのまま保つかを判断して増幅手段８の利得と駆動パルス発生手段10の発生する駆動パルスを制御する。 - 特許庁
The solid-state imaging unit permitting parallel readout having an imaging section 103 partitioned into strip blocks and a readout amplifier 130 for each block further has: an input source 101; and a marker signal generation section 102 for generating marker signals for correction of outputs of the readout amplifiers 130.例文帳に追加
短冊形にブロック分割された撮像部１０３と、ブロック毎の読み出しアンプ１３０とを備えた並列読み出し可能な固体撮像素子に、インプットソース１０１と、読み出しアンプ１３０の出力補正用のマーカー信号を生成するためのマーカー信号生成部１０２とを更に設ける。 - 特許庁
The pixel of the amplification type solid-state imaging device has a first conductivity-type charge storage region for storing signal charge, a second conductivity-type semiconductor region adjacent to at least the back side of a semiconductor substrate out of the outer periphery of the charge storage region, and an amplifier.例文帳に追加
本発明の増幅型固体撮像素子の画素は、信号電荷を蓄積する第１導電型の電荷蓄積領域と、電荷蓄積領域の外周の内、少なくとも半導体基板の裏面側に隣接する第２導電型の半導体領域と、増幅部とを有する。 - 特許庁
The solid-state image sensor comprises a plurality of pixels each having a photoelectric conversion unit for generating and storing a signal charge responsive to incident light, and a pixel amplifier 15 composed of a MOS transistor for receiving the signal charge at a gate electrode 45 and outputting a pixel signal responsive to the signal charge.例文帳に追加
固体撮像素子は、入射光に応じた信号電荷を生成し蓄積する光電変換部と、前記信号電荷をゲート電極４５に受け取って前記信号電荷に応じた画素信号を出力するＭＯＳトランジスタからなる画素アンプ１５とを有する画素を複数備える。 - 特許庁
The infrared solid state imaging device includes a detection array (502) which is arranged a plurality of arrays of a pixel containing the field effect transistor as the heat sensitive body which outputs the temperature change as the electric signal change, a predetermined load (704) forming the grounded source amplifier circuit connecting to the field effect transistor, a signal reading circuit (509) which reads the output signal of the grounded source amplifier circuit.例文帳に追加
赤外線固体撮像装置は、温度変化を電気信号の変化として出力する感熱体として電界効果トランジスタを含む画素が複数個アレイ状に配置されてなる検出器アレイ（５０２）と、電界効果トランジスタと接続され、ソース接地増幅回路を形成する所定の負荷（７０４）と、ソース接地増幅回路の出力信号を読み出す信号読み出し回路（５０９）とを備える。 - 特許庁
A solid-state imaging element includes: a pixel for outputting a signal corresponding to incidence light; an input capacitor Ci into which a signal from the pixel is inputted; an operational amplifier OP, where the input capacitor Ci is connected to a minus input terminal and prescribed potential Vref is applied to a plus input terminal; and a feedback circuit FBC.例文帳に追加
固体撮像素子は、入射光に応じた信号を出力する画素と、画素からの信号が入力される入力容量Ｃｉと、−入力端子に入力容量Ｃｉが接続されるとともに＋入力端子に所定電位Ｖｒｅｆが印加される演算増幅器ＯＰと、帰還回路ＦＢＣとを備える。 - 特許庁
The digital value Q obtained by converting, with the use of the AD converter 106, the signal voltage Vs generated in the integrating amplifier 102 corresponding to charges read by read signals from the solid-state detector 46 for storing the charges corresponding to incident radiation is corrected by being compared with a reference value for each read signal by a correction part 108.例文帳に追加
入射する放射線に応じた電荷を蓄積する固体検出器４６から読出信号により読み出された電荷に応じて積分増幅器１０２で発生された信号電圧ＶｓがＡＤ変換器１０６により変換されたデジタル値Ｑを、補正部１０８により、読出信号毎に基準値と比較して補正する。 - 特許庁
A solid-state image sensor includes: a photodiode PD that generates and stores a charge according to incident light; the floating capacitor FC that has a microelectro mechanical system capacitor 21 for indicating a variable capacity value according to a control signal, receives the charge and converts the charge into voltage; and an amplifier transistor that outputs a signal according to an electrical potential of the floating capacitor FC.例文帳に追加
固体撮像素子は、入射光に応じた電荷を生成し蓄積するフォトダイオードＰＤと、制御信号に応じた可変の容量値を示すマイクロエレクトロメカニカルシステムキャパシタ２１を有し、前記電荷を受け取って前記電荷を電圧に変換するフローティング容量部ＦＣと、フローティング容量部ＦＣの電位に応じた信号を出力する増幅トランジスタとを備える。 - 特許庁
With a sufficient received light quantity obtained even at a low sensitivity by possibly increasing the area of a photo diode 101, a power source SVDD for a reset MOS transistor 102, and a source-follower amplifier 104 changes according to the ISO sensitivity to possibly hold a linearity of the received light quantity of an amplification type solid-state imaging device to the output signal level.例文帳に追加
フォトダイオード１０１の面積を可及的に大きくして低感度でも十分な受光量を得ることができるようにしつつ、リセットＭＯＳトランジスタ１０２とソースフォロアアンプ１０４の電源ＳＶＤＤを、ＩＳＯ感度に合わせて変更するようにして、増幅型固体撮像素子の受光量と出力信号レベルとのリニアリティを可及的に保つことができるようにする。 - 特許庁
The solid-state image pickup device comprises a signal transmission path T which connects a cathode of a photo-diode 1 to an inverted input terminal of a charge amplifier CAP, a capacitor 11 which connects one terminal with the signal transmission path T and is parallel connected to the photo-diode, and a signal transmission switch S11 provided within the signal transmission path T between the photo-diode 1 and the capacitor 11.例文帳に追加
この固体撮像装置は、フォトダイオード１のカソードをチャージアンプＣＡＰの反転入力端子に接続する信号伝達経路Ｔと、信号伝達経路Ｔと一端を接続し前記フォトダイオードに対して並列に接続されたキャパシタ１１と、フォトダイオード１とキャパシタ１１との間の信号伝達経路Ｔ内に設けられた信号伝達スイッチＳ１１とを備えている。 - 特許庁
A source follower circuit included in a solid-state imaging element in the contact type linear sensor has a depletion MOS transistor connected to a power supply potential and an enhancement MOS transistor connected to a ground potential, wherein a signal voltage passed through an amplifier circuit is applied to the gate electrode of the depletion MOS transistor and a selection signal is applied as a gate voltage of the depletion MOS transistor.例文帳に追加
密着型リニアセンサ内の固体撮像素子が有するソースフォロア回路について、電源電位に接続されたディプレッションＭＯＳトランジスタと、グランド電位に接続されたエンハンスメントＭＯＳトランジスタとを有し、ディプレッションＭＯＳトランジスタのゲート電極に増幅回路を経た信号電圧を印加し、ディプレッションＭＯＳトランジスタのゲート電圧に選択信号を印加する。 - 特許庁
Water-repellent coating mainly consisting of PTFE is applied to front protecting cloth of a microphone, a part of a housing is formed of a hydrogen ion conductive solid-state electrolytic film, porous electrodes are provided on both sides thereof, and a voltage obtained from a power source side of a pre-amplifier for electret microphone through a low-pass filter comprised of a resistor and a capacitor is connected to the porous electrodes.例文帳に追加
マイクロホンの前面保護面布にＰＴＦＥを主成分とする撥水コーティングを施し、かつ筺体の一部を、水素イオン導電性の固体電解質膜とし、その両側に多孔性電極を設け、エレクトレットマイクロホン用前置増幅器の電源側から抵抗器とコンデンサからなる低域濾波器を経由して得る電圧をこの多孔性電極に接続する - 特許庁
To provide a signal converting device that is suitably constituted as a solid-state imaging element including a floating diffusion amplifier formed of an FD region, assuring small capacity and higher charge-voltage converting efficiency as a signal charge detecting means; and to provide a method for manufacturing the same device ensuring higher productivity and manufacturing yield, and a signal measuring system using the same signal converting device.例文帳に追加
信号電荷検出手段として、容量が小さく、電荷−電圧変換効率の高いＦＤ領域からなるフローティングディフュージョン増幅器を備え、固体撮像素子などとして構成されるに好適な信号変換装置、及び生産性および製造歩留まりに優れたその製造方法、並びにその信号変換装置を用いた信号計測システムを提供すること。 - 特許庁
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