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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > solid-state amplifierに関連した英語例文

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solid-state amplifierの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 114



例文

To provide a solid-state image pickup device in small circuit scale improved in an S/N without any offset error even when an amplifier has offset dispersion.例文帳に追加

S/N比が優れ、増幅器がオフセットばらつきを有していてもオフセット誤差を生じることなく、回路規模が小さい固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

The solid-state image pickup element includes a photoelectric conversion element, a transfer switch, a pixel including an amplifying transistor and a pixel selection switch, an amplifier and a switch control part.例文帳に追加

固体撮像素子は、光電変換素子、転送スイッチ、増幅トランジスタおよび画素選択スイッチを含む画素と、増幅器と、スイッチ制御部とを有している。 - 特許庁

To suppress an electric charge from being leaked out by lowering a power supply voltage of an output amplifier in a CCD solid-state imaging device which adopts a longitudinal over flow drain.例文帳に追加

縦型オーバーフロードレインを採用するCCD固体撮像素子において、出力アンプの電源電圧の低下による電荷の漏れ出しを抑制する。 - 特許庁

In the solid-state image pickup device, a voltage follower configuration is adopted for amplifier transistors(TRs) 103, 113 amplifying an output of a diode 101 being a photoelectric conversion section.例文帳に追加

固体撮像装置は、光電変換部を成すダイオード101の出力を増幅する増幅トランジスタ103、113をボルテージフォロアとして構成する。 - 特許庁

例文

The solid-state imaging apparatus is provided with a detection diode 2 for detecting transfer charge and a switched capacitor amplifier 4 for making the detected diode 2 to be on an input side.例文帳に追加

この固体撮像装置は、転送電荷を検出する検出ダイオード2と、この検出ダイオード2を入力側とするスイッチトキャパシタアンプ4とを備える。 - 特許庁


例文

To provide a solid-state image sensing device with a high-gain source- follower-type amplifier where a power supply voltage VDD with a higher potential than a substrate voltage Vs is supplied.例文帳に追加

基板電圧Vsに比して高電位の電源電圧VDDが供給される高利得のソースフォロア型アンプを備える固体撮像素子を提供する。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging apparatus that stabilizes a drain voltage of a MOS transistor(TR) being a load of an amplifier element for amplifying optical signal charges from a photo diode.例文帳に追加

フォトダイオードからの光信号電荷を増幅する増幅素子の負荷となるMOSトランジスタのドレイン電圧を一定にする固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

To obtain an exciting method and a semiconductor laser-excited solid state amplifier using a semiconductor laser as an excitation light source capable of providing an excitation density distribution which brings the heat evolution distribution into a uniform state in the sectional plane of a solid state laser rod and causing no double-focus phenomenon.例文帳に追加

この発明は、励起光源として半導体レーザを使用し、固体レーザロッド断面内での発熱分布が均一になるような励起密度分布として、複焦点現象が発生することのない励起光源による励起方法および半導体レーザ励起固体レーザ増幅装置を得る。 - 特許庁

To provide a zigzag slab solid-state laser amplifier which can easily and effectively compensate thermal lens effects, even when excitation intensity is high and a lens for compensation is unusable and a method for compensating thermal lens effect of zigzag slab solid-state laser.例文帳に追加

励起強度が高く補償用レンズの使用が不可能な場合等であっても、熱レンズ効果を容易にかつ効率的に補償することが可能なジグザグスラブ固体レーザ増幅器、及びジグザグスラブ固体レーザの熱レンズ効果補償方法を提供する。 - 特許庁

例文

In the amplifying method of a solid state laser, the energy stored in the amplifier is effectively extracted by making the laser light pass through the amplifier many times without spacial unevenness, and the distortion of the laser light caused by heating can be corrected by only one amplifier.例文帳に追加

本発明の固体レーザーの増幅法は、レーザー光を多数回且つ空間的にむらなく増幅器をパスさせることにより増幅器に蓄積されているエネルギーを効率よく抽出でき、又1台の増幅器のみで発熱によるレーザー光の歪みを補正できる。 - 特許庁

例文

A controller 160 controls excitation light, which excites a solid-state laser medium of the solid-state laser amplifier 158, so as to apply the excitation light to the solid-state laser medium in synchronization with the laser light, and also controls the intensity of the excitation light in accordance with the repetition frequency of the laser light so that the power of the excitation light per unit time becomes a predetermined value.例文帳に追加

制御部160は、固体レーザ増幅器158の固体レーザ媒質を励起する励起光をレーザ光に同期して固体レーザ媒質に照射するように制御するとともに、励起光の単位時間あたりのパワーが所定の値になるように、レーザ光の繰返し周波数に応じて励起光の強度を制御する。 - 特許庁

The amplification type solid-state imaging apparatus is provided with photoelectric conversion sections 10 each comprising a photo diode 1 and a transfer transistor 2; and switched capacitor amplifier sections 20 each provided to k-sets of the photoelectric conversion sections 10.例文帳に追加

フォトダイオード1と転送トランジスタ2からなる光電変換転送部10と、k個の光電変換転送部10毎にスイッチトキャパシタアンプ部20を備える。 - 特許庁

Each pixel 20 of a solid-state imaging element has a photodiode 51, a floating diffusion 54, a transfer transistor 55, a pixel amplifier 58, a reset transistor 59 and a selection transistor 60.例文帳に追加

固体撮像素子の各画素20は、フォトダイオード51、フローティングディフュージョン54、転送トランジスタ55、画素アンプ58、リセットトランジスタ59及び選択トランジスタ60を有する。 - 特許庁

In the assembly of a solid-state laser system and the maintenance of the laser system, the tilt of the mirrors 30 is adjusted only in the surroundings of the axes 2 conforming each mirror 30 with the positions of the oscillator 10 and each amplifier 20 within this plane.例文帳に追加

組立て時やメンテナンス時には、各ミラー30をこの平面内での発振器10と各アンプ20の位置に合わせて軸2の回りでのみ傾き調整する。 - 特許庁

In the zigzag slab solid-state amplifier 11, a hot channel 25 is arranged along both end faces of a laser medium 21, which are oriented in parallel with a plane containing a zigzag propagation path.例文帳に追加

ジグザグスラブ固体レーザ増幅器11では、レーザ媒質21のジグザグ伝搬路を含む面と平行な両端面上に沿って、熱水路25が配置されている。 - 特許庁

Electric signal charges of a plurality of photo diodes 1 in the amplification type solid-state imaging apparatus are summed at an input side of a switched capacitor amplifier section 20 via a transfer transistor 2.例文帳に追加

この増幅型固体撮像装置では、複数のフォトダイオード1の信号電荷が、転送トランジスタ2を介して、スイッチトキャパシタアンプ部20の入力側にて加算される。 - 特許庁

The solid-state imaging device is provided with: a plurality of pixels each having a photoelectric conversion element; and an amplifier circuit which amplifies and outputs signals of the plurality of pixels.例文帳に追加

各々が光電変換素子を有する複数の画素と、複数の画素の信号を増幅して出力する増幅回路とを備える固体撮像装置が提供される。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging element and method of manufacturing the same in which charge detection sensitivity variation caused by stray capacitance in an amplifier region can be prevented.例文帳に追加

アンプ領域の浮遊容量に起因する電荷検出感度のばらつきを防止できる固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an infrared solid state imaging device with high in temperature detection sensitivity and small in temperature detection sensitivity fluctuation, in the infrared solid state imaging device which includes a grounded source amplifier circuit containing a field effect transistor, with arranging the field effect transistors which are a heat sensitive body in an array configuration.例文帳に追加

感熱体である電界効果トランジスタをアレイ状に配置し、電界効果トランジスタを含むソース接地増幅回路を備えた赤外線固体撮像装置において、温度検出感度が高く、かつ温度検出感度のばらつきを小さくした赤外線固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

A differential amplifier (AMP) has a first input terminal (inverted input terminal) being set with the voltage of a noise signal of a solid state image sensor (PC1), and a second input terminal (noninverted input terminal) being set with a temporary data signal superposed with the noise signal of the solid state image sensor.例文帳に追加

差動増幅器(AMP)は、固体撮像素子(PC1)の雑音信号の電圧が第1入力端子(反転入力端子)に設定されるとともに、固体撮像素子の雑音信号が重畳された仮データ信号の電圧が第2入力端子(非反転入力端子)に設定される。 - 特許庁

A different gate bias voltage of load transistors(TRs) TL1, TL2, TL3 of a source follower circuit being a component of an output amplifier of a CCD image sensor 30 is selected depending on an operating state of the solid-stage imaging device.例文帳に追加

CCDイメージセンサ30の出力アンプ46を構成するソースフォロワ回路の負荷トランジスタT_L1,T_L2,T_L3のゲートバイアス電圧を固体撮像素子の動作状態に応じて切り換える。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging apparatus, capable of reducing horizontal line phenomenons during high luminance incidence, even when image signals are amplified to a high magnification in a multi-pixel image sensor or an output amplifier.例文帳に追加

多画素のイメージセンサや、出力アンプなどで画像信号を高い倍率で増幅しても、高輝度入射時の横筋現象を軽減できる固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

The solid-state imaging device includes a pixel array where the pixels for performing photoelectric conversion are arranged in a matrix form, and a column amplifier 7 for amplifying image signal that has been output from each pixel.例文帳に追加

固体撮像装置は、光電変換を行う画素が行列状に配置されてなる画素アレイと、各画素から出力された画像信号を増幅するカラムアンプ部7とを備えている。 - 特許庁

The bridge circuit 15a can be used together with a traveling-wave tube amplifier and a solid-state power amplifier both of which which operate in an S, C, X, Ku, K, Ka, Q, V, or W frequency band or another desired RF frequency band.例文帳に追加

線形化ブリッジ回路は、S、C、X、Ku、K、Ka、Q、V、又はWの周波数帯域、或いは他の所望のRF周波数帯域において動作する進行波管増幅器及び固体素子電力増幅器と共に用いられてもよい。 - 特許庁

In a solid state image pickup device 70, a plurality of amplifier circuits arranged in parallel at an upper end side of a pixel region 20 provided at a center part are arranged symmetrically with a plurality of amplifier circuits arranged in parallel at a lower end side of the pixel region 20.例文帳に追加

固体撮像装置70では、中央部に設けられる画素領域20の上端側に並列配置される複数の増幅回路が、画素領域20の下端側に並列配置される複数の増幅回路に対して対称配置される。 - 特許庁

To provide a solid-state image pickup device that can select the most suitable pixel configuration in accordance with the intended use, while in the prior art different pixel configurations must be selected in accordance with the intended use since a dynamic range is too small for APS with a linear amplifier, and contrast is so bad for APS with a log amplifier as to have a problem with image quality.例文帳に追加

リニアアンプを用いたAPSでは、ダイナミックレンジが足りず、ログアンプを用いたAPSでは、コントラストが悪く、画質に問題があるため、従来では、使用目的に応じて画素部を別々の構成としなければならない。 - 特許庁

The broadband linearizer provides independent and flexible phase control that can be connected to various kinds of power amplifiers such as a traveling wave tube amplifier and a solid- state power amplifier having various gain and phase performances.例文帳に追加

広帯域リニアライザは、さまざまな利得および位相性能を有する進行波管増幅器やソリッドステート電力増幅器等の、様々な種類の電力増幅器と接続させることができる、独立した柔軟な位相制御を提供する。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging unit capable of obtaining a pixel signal with excellent linearity without narrowing a dynamic range of a circuit for processing signals outputted from pixels even when the threshold voltage Vth of an amplifier transistor is varied due to variations in an output voltage (source voltage) caused by a substrate bias effect of each amplifier transistor of each pixel and to provide the drive method of the solid-state imaging unit.例文帳に追加

画素から出力される信号を直接A−D変換回路に入力すると、画素の増幅トランジスタの基板バイアス効果により、出力電圧(ソース電圧)の変動によって増幅トランジスタの閾値電圧Vthも変動し、結果として、A−D変換回路に入力される画素信号のダイナミックレンジが狭くなり、且つ、リニアリティが悪くなってしまう。 - 特許庁

A solid-state imaging element 1 includes: the pixels which perform photoelectric conversion of incident light; and an amplifier circuit AP having an operational amplifier OP1, in which the signals from pixels or the signals according to them are input, which selectively performs a switched capacitor amplifier operation and a voltage follower operation according to a control signal, and which is shared by both operations.例文帳に追加

固体撮像素子1は、入射光を光電変換する画素と、前記画素からの信号又はこれに応じた信号が入力され、制御信号に応じてスイッチトキャパシタアンプ動作及びボルテージフォロワ動作を選択的に行い、両動作に共用される演算増幅器OP1を有する増幅回路APと、を備える。 - 特許庁

To correct a change in a digital value obtained by converting a signal voltage corresponding to a signal charge from a solid-state detector into a digital value, the change being caused by a fluctuation in the temperature of an integrating amplifier and an AD converter for converting the signal voltage into the digital value.例文帳に追加

固体検出器からの信号電荷に応じた信号電圧をデジタル値に変換する積分増幅器とAD変換器の温度変動による前記デジタル値の変化を補正する。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging apparatus capable of canceling a false signal in a vertical light-and-dark boundary while suppressing power consumption and noise caused by the dispersion in characteristics of a column amplifier.例文帳に追加

消費電力とカラムアンプの特性のばらつきに起因するノイズとを抑えながら、垂直方向の明暗境界における偽信号を解消することができる固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

To improve the sensitivity of a level shift transistor in an output buffer amplifier at the output section in a solid-state imaging device by shifting its Vth toward the side of enhancement without deteriorating the sensitivity.例文帳に追加

固体撮像素子における出力部の出力バッファ増幅器におけるレベルシフトトランジスタを、感度低下を来たすことなく、そのVthをよりエンハンスメント側にシフトし、感度の向上を図る。 - 特許庁

The solid state imaging device has such a layout as a photodiode array of 2 horizontal pixels and 4×n vertical pixels (n is a positive integer) sharing at least a reset transistor and an amplifier transistor is one common unit.例文帳に追加

画素トランジスタのうち、少なくともリセットトランジスタ及び増幅トランジスタを共有する横2画素、縦4×n画素(nは正の整数)のフォトダイオード配列を1共有単位としたレイアウトを有する。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging device that can reduce occurrence of a fixed pattern noise by avoiding a potential of a read line at pixel reset from being affected by process dispersion in a component such as a threshold value of an amplifier transistor(TR).例文帳に追加

画素リセット時の読み出し線の電位が、増幅用トランジスタのしきい値等のプロセスばらつきに影響されることなく、固定パターンノイズの発生を低減させることができる固体撮像素子を得ること。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging apparatus which is capable of suppressing the occurrence of RTS noise to improve S/N characteristics even in the case of the reduction in size of an amplifier transistor isolated by STI, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

STIによって分離された増幅トランジスタが微細化された場合でも、RTSノイズの発生を抑制し、S/N特性を向上させることができる固体撮像装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging element capable of improving transfer speed of electric charge from a horizontal charge transfer path to an output amplifier stably with a good yield in dark exposure environments, that is, with low illumination.例文帳に追加

暗い撮影環境、すなわち低照度時においても、安定して、歩留まりよく、水平電荷転送路から出力アンプへの電荷の転送速度の向上をはかることのできる固体撮像素子を提供する。 - 特許庁

A gain variable amplifier 5 applies the correction gain depending on the correction gain signal to video signals of second and succeeding frames from the solid-state image sensor section 1 to correct the video signals so that the flicker components in the video signals are canceled together.例文帳に追加

利得可変増幅器5は、固体撮像素子部1からの第2フレーム以降の映像信号に対し、補正用利得信号で決まる補正ゲインをかけることにより、フリッカ成分が相殺されるよう補正する。 - 特許庁

An optical amplifier 17 comprises a solid-state laser medium 31, excited light sources 32a and 32b, light absorbers 33c and 33d, heating light sources 34ac, 34ad, 34bc, and 34bd, rectifier objects 35c and 35d, a medium housing 36, and a controller 37.例文帳に追加

光増幅器17は、固体レーザ媒質31、励起光源32a,32b、光吸収体33c.33d、加熱用光源34ac,34ad,34bc,34bd、整流体35c,35d、媒質収納部36および制御部37を備える。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging device which is capable of amplifying a signal in a column closest to a pixel during low illuminance and has a column amplifier having the smaller number of components and the smaller number of wires between the components.例文帳に追加

低照度時に画素に最も近いコラム部において信号を増幅することができ、構成素子数及び当該構成素子間の配線数の少ないコラムアンプを備える固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging element furnished with a source- follower amplifier capable of having a high gain without a failure caused by punch-through, wherein the imaging element employs a VOD (vertical overflow drain) structure or a substrate shuttering structure.例文帳に追加

VOD構造や基板シャッターを適用した固体撮像素子において、パンチスルーによる不良が発生することなく高いゲインを得ることができるソースフォロア型アンプを備えた固体撮像素子を提供する。 - 特許庁

To provide image data having a wide dynamic range as a whole, by preventing the decline of the upper limit value of a dynamic range due to the arrangement of an amplifier to an ADC preceding stage while increasing sensitivity in a low illuminance area by the amplifier in the ADC preceding stage, in a solid-state imaging apparatus utilizing the technique of a plurality of exposures.例文帳に追加

複数露光の技術を利用した固体撮像装置において、ADC前段での増幅器により低照度領域での感度を増加させつつ、ADC前段への増幅器の配置に起因したダイナミックレンジの上限値の低下を防止し、全体として広いダイナミックレンジを持った画像データを得る。 - 特許庁

The solid-state imaging apparatus 1 comprises a column amplifier 101, a clamp capacitor 102, a sample/hold transistor 103, a sample/hold capacitor 104, a transistor 105, a transistor 106, a control terminal 107, a reference power source 108, and a vertical signal line 109.例文帳に追加

固体撮像装置1はカラムアンプ101、クランプキャパシタ102、サンプルホールドトランジスタ103、サンプルホールドキャパシタ104、トランジスタ105、トランジスタ106、制御端子107、基準電源108及び垂直信号線109を備えている。 - 特許庁

To provide an amplifier type of solid-state image pickup device which has an OB region where there is little light leakage with incidence of a high- brightness light, and prevent the rise of signals in and around an image region which is caused by the fals charge.例文帳に追加

高輝度光入射時の光もれの少ないOB領域をもった増幅型固体撮像装置を提供し、また、イメージ領域周辺で発生する偽の電荷によるイメージ領域周辺の信号の持ち上がりを防止する。 - 特許庁

The solid-state imaging device includes a plurality of pixels which are arranged in a matrix, a plurality of vertical signal lines VL which are wired for each column and connected to pixels in one column in common, and the column amplifier 5 which comprises a plurality of amplifiers AP.例文帳に追加

固体撮像装置は、行列状に配置された複数の画素と、列ごとに配線され、各々が1列の画素に共通に接続された複数の垂直信号線VLと、複数のアンプAPで構成されるカラムアンプ5とを備えている。 - 特許庁

A preamplifier section (column region section) 61 of a solid-state imaging device 10 is provided with a pixel signal control section 200 wherein a pixel signal detection section 210 independently detects the level of each pixel signal at the output side of pixel signal amplifier sections 230 and independently sets a gain to each of the pixel signal amplifier sections 230 in accordance with the level of the signal.例文帳に追加

固体撮像素子10のプリアンプ部(カラム領域部)61に、垂直信号線158ごとに、画素信号検出部210にて各画素信号の大きさを画素信号増幅部230の出力側で独立に検出し、この信号の大きさに応じて独立に画素信号増幅部230に対してゲインを設定する画素信号制御部200を設ける。 - 特許庁

The solid-state imaging device is provided with a LOG image sensor 11, an operational amplifier 12 which adjusts a dynamic range of an output signal of the sensor 11, an AD converter 13 for performing AD conversion of an output signal from the amplifier 12, a frame memory 15 which holds calibration data and an image processing unit 14 which generates image data and outputs it to a monitor.例文帳に追加

LOGイメージセンサ11と、該センサ11の出力信号のダイナミックレンジを調整するオペアンプ12と、該アンプ12からの出力信号をAD変換するためのADコンバータ13と、キャリブレーションデータを保持するフレームメモリ15と、画像データを生成してモニタに出力する画像処理器14とを備えた固体撮像装置。 - 特許庁

An optical amplifier module principal part 10A is composed by storing a heat sink 130, a solid-state laser medium 151, transparent members 152, 153, indium foil 154, 155, and a heat insulating member 156 inside a vacuum container 121 having windows 122, 123.例文帳に追加

光増幅モジュール要部10Aは、ウィンドウ122,123を有する真空容器121の内部に、ヒートシンク130、固体レーザ媒質151、透明部材152、透明部材153、インジウム箔154、インジウム箔155および断熱部材156を収納したものである。 - 特許庁

To easily perform the adjusting process of an output amplifier gain level and also control deterioration of image quality in order to satisfy the requirements for multiple pixels and high frame rate, in the solid-state imaging device of a total pixel read system having multi-channel output system.例文帳に追加

多チャンネル出力方式を有する全画素読み出し方式の固体撮像素子において、多画素化及び高フレームレート化の要求に対応するために、出力アンプのゲインレベルの調整を容易に行えるようにすると共に、画質劣化を抑制する。 - 特許庁

To easily perform the adjusting process of an output amplifier gain level and also control deterioration of image quality in order to satisfy the requirements for multiple pixels and high frame rate, in the solid-state imaging device of a total pixel read system having multi-channel output system.例文帳に追加

多チャンネル出力方式を有する全画素読み出し方式の固体撮像素子において、多画素化及び高フレームレート化の要求に対応するために、出力アンプゲインレベルの調整処理を容易に行えるようにすると共に、画質劣化を抑制する。 - 特許庁

例文

The solid-state image pickup device is provided with a LOG sensor 11 generating an output signal which changes logarithmically in accordance with an incident ray volume, an operand amplifier 13 adjusting a dynamic range of the output signal from the sensor 11, an AD converter 14 which AD-converts an output signal from the operand amplifier 13, an image processor 15, a memory 16 and a calibration signal generator 17.例文帳に追加

入射光量に応じて対数的に変化する出力信号を発生するLOGセンサ11と、センサ11の出力信号のダイナミックレンジを調整するオペアンプ13と、オペアンプ13からの出力信号をAD変換するためのADコンバータ14と、画像処理器15と、メモリ16と、キャリブレーション信号発生器17とを備えた固体撮像装置。 - 特許庁




  
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