「step on」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

In Step 510, on the basis of data on a past stationary object group, the position of an estimated stationary object group SOp is found.例文帳に追加

ステップ510では、過去の静止物群のデータに基づき、推定静止物群ＳＯｐの位置を求める。 - 特許庁

Then she heard his step on the stair away down on the first flight, and she turned white for just a moment. 例文帳に追加

やがて、ジムがはじめの階段を上ってくる足音が聞こえると、デラは一瞬顔が青ざめました。 - O. Henry『賢者の贈り物』

A ridge filter element 32 of the ridge filter 24 is equipped with each step-shaped structure on both a surface on the beam upstream side and on a surface on the beam downstream side.例文帳に追加

リッジフィルタ２４のリッジフィルタ要素３２は、ビームの上流側の面とビーム下流側の面において、共に階段状の構造を備える。 - 特許庁

Subsequently, an allowable limit β is calculated based on gear ratio (step 103).例文帳に追加

次いで、変速比に基づいて許容限界βが算出される（ステップ１０３）。 - 特許庁

In case of Xr<Xf, the humidifier 5 is put in an ON state (step S107).例文帳に追加

Ｘｒ＜Ｘｆのときは、加湿器５はＯＮ状態となる（ステップＳ１０７）。 - 特許庁

Next, a comparison determination process on a set value and the remaining time is executed (step S8).例文帳に追加

次に、設定値と残時間との比較判定処理を実行する（ステップＳ８）。 - 特許庁

The step part 2 is driven by a motor 4a provided on a driving mechanism part 4.例文帳に追加

また、ステップ部２は駆動機構部４に設けたモータ４ａにより駆動される。 - 特許庁

Then, a resist film is formed on the metal film to be subjected to patterning (step 50b).例文帳に追加

その後、金属膜の上にレジスト膜を形成してパターニングする（ステップ５０ｂ）。 - 特許庁

To suppress a step bunching from occurring on a surface of a silicon carbide semiconductor layer.例文帳に追加

炭化珪素の半導体層の表面に発生するステップバンチングを抑制する。 - 特許庁

Then, a step absorption layer 14 is formed on the upper surface of the green sheet 13.例文帳に追加

続いて、グリーンシート１３の上面に段差吸収層１４を形成する。 - 特許庁

Conductive paste is arranged on the first main surface of a semiconductor device (step S1).例文帳に追加

半導体素子の第１の主面に導電性ペーストを配置する（ステップＳ１）。 - 特許庁

When the hash value is not matched, the result is displayed on a monitor (step S3).例文帳に追加

ハッシュ値が一致しない場合には、モニタにその旨表示される（ステップＳ３）。 - 特許庁

At this time, information on the deviation amount Δ_i+1 is included in the transmission data (step 26).例文帳に追加

このとき、送信データにずらし量Δ_i+1 の情報を含ませる（ステップ２６）。 - 特許庁

Holes 6 are provided on a top surface of a projecting step part 8 of the planar body 3.例文帳に追加

穴６は、板状体３の凸段部８の頂面に設けられている。 - 特許庁

Further, an instruction device having a two-step switch is provided on the body case.例文帳に追加

さらに、二段式スイッチを有する指示装置は本体ケース上に設けられる。 - 特許庁

An insulating layer 2 is formed on the surface of a substrate 1 where a step part is formed.例文帳に追加

段差部が形成された基板１の表面に絶縁層２を形成する。 - 特許庁

The removal method of the metallic lithium on a support body includes a plasma application step.例文帳に追加

支持体上の金属リチウムの除去方法は、プラズマ応用ステップを備える。 - 特許庁

Position information on other vehicles is acquired from the provided information in a step 2.例文帳に追加

ステップＳ２では、提供情報から他車両の位置情報を獲得する。 - 特許庁

Furthermore, food C remaining on each tableware B is extracted (a step 3).例文帳に追加

さらに、各食器B上に残っている食物Cがそれぞれ抽出される（step３）。 - 特許庁

Data of a broadcast program recorded on a hard disk 13 is reproduced (Step #15).例文帳に追加

ハードディスク１３に記録されている放送番組のデータを再生する（ステップ＃１５）。 - 特許庁

The obtained frame image data is subsequently recorded on the memory card 17 (step S22).例文帳に追加

その後、得られたフレーム画像データがメモリカード１７に記録される（ステップＳ２２）。 - 特許庁

A cover photo PR is formed on a semiconductor wafer 10 (resist formation step).例文帳に追加

半導体ウエハ１０上にカバーフォトＰＲを形成する（レジスト形成工程）。 - 特許庁

A step part 3a is disposed on a surface forming a barrier rib 2 of a discharge electrode 3.例文帳に追加

放電電極３の隔壁２を形成する面に段部３ａを設ける。 - 特許庁

The second valve element 40 is capable of abutting on a step 451 of the transmission rod 45.例文帳に追加

第２弁体４０は、伝達ロッド４５の段差４５１に当接可能である。 - 特許庁

An image of this frame (n-th frame) is displayed on a display (step S7).例文帳に追加

そして、当該フレーム（第ｎフレーム）の画像をディスプレイに表示する（ステップＳ７）。 - 特許庁

Then, an angle is set based on the angle step determined by calculation (S15).例文帳に追加

次に、計算により求めた角度ステップに基づいて角度を設定する（Ｓ１５）。 - 特許庁

A picture of the FAX mode is then displayed on a display operation unit 20 (step SA4).例文帳に追加

次に、表示操作部２０にＦＡＸモードの画面を表示する（ステップＳＡ４）。 - 特許庁

A signal multiplexing part 17 multiplexes the step value on an overhead part of a main signal.例文帳に追加

信号多重部１７はステップ値を主信号のオーバヘッド部分に多重する。 - 特許庁

The display image to be displayed on a display 3 is calculated in the following step 150.例文帳に追加

続くステップ１５０では、ディスプレイ３に表示する表示画像を算出する。 - 特許庁

A horizontal step part 6 receives the bottom surface 7 of the corner support member 1 mounted on it.例文帳に追加

水平段部６は、上のコーナー支持部材１の底面７を載せ受ける。 - 特許庁

In the conversion step, a leg joint target angle is calculated based on the gait data.例文帳に追加

変換ステップは、歩容データに基づいて脚関節目標角を算出する。 - 特許庁

An engaging hole 62 or an engaging channel is formed on the step face 60.例文帳に追加

段差面６０には、係合穴６２または係合溝２６２が形成してある。 - 特許庁

After an insulating layer 108 is formed on a substrate 100, and is subjected to an ion-implantation step.例文帳に追加

基板上に絶縁層を形成した後、イオン注入ステップを実施する。 - 特許庁

The film thickness of the silicon wafer 10 is measured on the way of such a polishing step.例文帳に追加

このような、研磨工程の途上で、シリコンウェーハ１０の膜厚を測定する。 - 特許庁

In the next insulating paper placement step, the insulating paper 4 is placed on a stator core 2.例文帳に追加

次いで、絶縁紙配置工程として、ステータコア２に絶縁紙４を配置する。 - 特許庁

A control section acquires a standard value based on the light receiving signal (step S8).例文帳に追加

そして、制御部は、受光信号に基づく基準値を取得する（ステップＳ８）。 - 特許庁

A film of resist 71 is formed on one surface of a substrate 1 first (step S1).例文帳に追加

まず、基板１の一方の面にレジスト７１の膜を形成する（ステップＳ１）。 - 特許庁

The trailing magnetic pole step may be formed on the exposed portion of the write pole.例文帳に追加

書き込み磁極の露出部分に磁極トレイリングステップを形成してもよい。 - 特許庁

In the semiconductor laser, a step difference portion 11 lower than an upper surface 10A is formed on a substrate 10.例文帳に追加

基板１０に、上面１０Ａよりも低い段差部１１を形成する。 - 特許庁

A dummy lattice 8 is disposed on the outer surface side of the step part 3 of the decorative end rail 2.例文帳に追加

化粧幕板２の段部３の外面側にダミー格子８を配設する。 - 特許庁

The step suppresses the generation of twin crystal generated on a M-plane just surface.例文帳に追加

このステップがＭ面ジャスト面上に発生する双晶の発生を抑制する。 - 特許庁

Then the resin burr on which the recess is formed is punched by a punch (step S4).例文帳に追加

そして、凹部が形成した樹脂バリを打ち抜きパンチで打ち抜く（ステップＳ４）。 - 特許庁

In an insulation processing step, an insulating coating 3 is formed on the cathode electrode 2b.例文帳に追加

絶縁処理工程では、陰極電極２ｂに絶縁被膜３を形成する。 - 特許庁

In this step, a silicon core 54 is formed on the surface of the silicon-based nanowire.例文帳に追加

この工程で、シリコン系ナノワイヤーの表面にはシリコン核54が形成される。 - 特許庁

A device manufacturing method includes a step of adjusting the non-target portion on the substrate.例文帳に追加

デバイス製造方法は、基板の非ターゲット部分を調節する段階を含む。 - 特許庁