「substrate layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(52ページ目) - Weblio英語例文検索

A semiconductor memory device comprises: a substrate; a wiring layer; a memory layer; a circuit layer; and first and second contact wiring.例文帳に追加

実施形態によれば、基板、配線層、メモリ層、回路層及び第１、第２コンタクト配線を含む半導体記憶装置が提供される。 - 特許庁

A current diffusion layer D, a P-type gallium nitride layer P, and an N-type gallium nitride layer N are etched at the same time until a substrate B is exposed.例文帳に追加

基板Ｂが露出するまで電流拡散層Ｄ、ｐ型窒化ガリウム層Ｐ、及びｎ型窒化ガリウム層Ｎを一度にエッチングする。 - 特許庁

The semiconductor wafer 20 is produced by successively forming a first titanium layer 24, aluminum layer 26, and second titanium layer 28 on a base substrate 22.例文帳に追加

半導体ウェーハ２０は、ベース基板２２上に第１チタン層２４、アルミ層２６、第２チタン層２８を順次成膜したものである。 - 特許庁

The image forming member for electrophotography or electrostatic copying comprises a support substrate, an undercoat layer, a charge generating layer and a charge transport layer.例文帳に追加

支持基材と、下引層と、電荷発生層と、電荷輸送層とを含む電子写真又は静電複写用画像形成部材である。 - 特許庁

A semiconductor device is provided with an active layer (activate layer) 105 comprising a first semiconductor layer that is formed on a sapphire substrate 101.例文帳に追加

半導体装置は、サファイア基板１０１上に形成された第１の半導体層よりなる能動層（活性層）１０５を備えている。 - 特許庁

The layer 8 contains an aluminum silicon alloy layer 6 and an aluminum layer 5 formed on the surface of the substrate 1.例文帳に追加

アルミニウム電極層８はシリコン半導体基板１の表面の上に形成されたアルミニウムシリコン合金層６とアルミニウム層５とを含む。 - 特許庁

The optical recording medium comprises a recording layer 2, a light reflecting layer 3 and a protective layer 4 sequentially provided in this order on a light transmittance substrate 1.例文帳に追加

本発明の光記録媒体は光透過性基板１上に、記録層２、光反射層３、保護層４をこの順に備える。 - 特許庁

After that, the transfer sheet 20 is transferred to the card substrate 10 so as to allow the white layer 4 to come into contact with the concealing layer 3, and then the release layer 7 is peeled off.例文帳に追加

次に、白色層4と隠蔽層3とが接するようにカード基材10に転写シート20を転写し、剥離層7を剥離する。 - 特許庁

The magnetic recording medium 100 is provided with a dielectric material layer 12, an information recording layer 13 and a heat controlling layer 14 on a substrate 11.例文帳に追加

磁気記録媒体１００は、基板１１上に、誘電体層１２、情報記録層１３及び熱制御層１４を備える。 - 特許庁

The layer 7 is manufactured by an RF or DC spatter method on the substrate, and the layer 3 is continuously manufactured on the layer 7 by the DC spatter method.例文帳に追加

基板上に層７をＲＦ又はＤＣスパッタ法で製膜後、該層７上に連続してＤＣスパッタ法で層３を製膜する。 - 特許庁

The shoe press belt 1 includes: an inner peripheral layer 11; substrate layer 12; outer peripheral layer 13; and a pair of reinforcing resin layers 14.例文帳に追加

シュープレス用ベルト１は、内周層１１、基体層１２、外周層１３および一対の補強用樹脂層１４を備えている。 - 特許庁

The first substrate and a second substrate to be a film-formed substrate are arranged in opposition, light is irradiated on the light-absorbing layer to heat it, and a film is formed on the second substrate.例文帳に追加

この第１の基板と被成膜基板となる第２の基板とを対向して配置し、光吸収層に光の照射を行って加熱し、第２の基板に成膜を行う。 - 特許庁

Moreover, after the substrate 1 is laminated on a support substrate 6, the substrate 1 is made partially to separate from the substrate 6 at the place of the layer 5 through a heat treatment.例文帳に追加

さらに、半導体基板１を支持基板６に貼り合わせたのち、熱処理により、注入欠陥層５のところで半導体基板を支持基板から部分的に剥離させる。 - 特許庁

The element includes a supporting substrate 13, an oscillating substrate 11 formed of a Z plate of non-linear optical crystal, and an adhesive layer 12 for adhesively bonding the supporting substrate and the oscillating substrate.例文帳に追加

本素子は、支持基板１３、非線形光学結晶のＺ板からなる発振基板１１、および支持基板と発振基板とを接合する接着層１２を備える。 - 特許庁

Moreover, the display portion is formed using a substrate which is a light-transmitting substrate such as a glass substrate provided with a single crystal semiconductor layer separated from a single crystal semiconductor substrate.例文帳に追加

また、表示部は、ガラス基板等の透光性の基板に、単結晶半導体基板から分割された単結晶半導体層を設けた基板で作製される。 - 特許庁

The liquid crystal device has a counter substrate consisting of a quartz substrate, a TFT array substrate 10 consisting of a quartz substrate, and a liquid crystal layer held between the substrates.例文帳に追加

液晶装置は、石英基板からなる対向基板と、石英基板からなるＴＦＴアレイ基板１０と、両基板間に挟持された液晶層とを備える。 - 特許庁

The second liquid crystal shutter includes: a third substrate part; a fourth substrate part; and a second intermediate part which is provided between the third substrate part and fourth substrate part, and includes a second liquid crystal layer.例文帳に追加

第２液晶シャッタは、第３基板部と、第４基板部と、第３基板部と第４基板部との間に設けられ、第２液晶層を含む第２中間部と、を含む。 - 特許庁

The first liquid crystal shutter includes: a first substrate part; a second substrate part; and a first intermediate part which is provided between the first substrate part and second substrate part, and includes a first liquid crystal layer.例文帳に追加

第１液晶シャッタは、第１基板部と、第２基板部と、第１基板部と第２基板部との間に設けられ、第１液晶層を含む第１中間部と、を含む。 - 特許庁

To provide a composite substrate forming a nitride semiconductor layer of high quality on a support substrate, an epitaxial substrate, a semiconductor device, and to provide a method of manufacturing the composite substrate.例文帳に追加

支持基板上に高品質の窒化物半導体層が形成された複合基板、エピタキシャル基板、半導体デバイス及び複合基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

A donor substrate 01 on which a transferring layer is formed and a transferred substrate are opposed each other and a transfer is carried out a plurality of times from one sheet of the donor substrate 01 to the transferred substrate.例文帳に追加

転写層が形成されたドナー基板０１と被転写基板とを対向させ、１枚のドナー基板０１から複数枚の被転写基板へ複数回転写を行う。 - 特許庁

This organic EL element is composed by stacking, on a substrate 1, a positive electrode layer 2, a hole injection layer 3, a hole transport layer 4, a luminescent part 5, an electron transport layer 6, an electron injection layer 7, and a negative electrode layer 8.例文帳に追加

本発明による有機ＥＬ素子は、基板１上に、陽極層２、正孔注入層３、正孔輸送層４、発光部５、電子輸送層６、電子注入層７、陰極層８が積層されている。 - 特許庁

In this semiconductor laser diode(LD) 1, an n-type clad layer 3, an optical guide layer 4, an active layer 5, an optical guide layer 6, a p-type clad layer 7, and a contact layer 8 are sequentially formed on an n-type GaAs substrate 2.例文帳に追加

半導体レーザダイオード(ＬＤ)１は、ｎ型ＧａＡｓ基板２上に、ｎ型クラッド層３、光ガイド層４、活性層５、光ガイド層６、ｐ型クラッド層７、及びコンタクト層８が順次形成され構成されている。 - 特許庁

The element includes a transparent substrate 1 on which a translucent reflection film 2, transparent electrode film 3, hole injection layer 4, hole transporting layer 5, light emitting layer 6, electron transporting layer 7, electron injection layer 8, and an electrode layer 9 are laminated.例文帳に追加

透明基板１上に半透明反射膜２、透明電極層３、正孔注入層４、正孔輸送層５、発光層６、電子輸送層７、電子注入層８、電極層９が積層されている。 - 特許庁

A buffer layer 102, a channel layer 103, an electron supply layer 104, a barrier layer 105, and a cap layer 106 are successively laminated on a substrate 101; and a gate electrode 108 is formed on the cap layer 106.例文帳に追加

基板１０１上に、バッファ層１０２、チャネル層１０３、電子供給層１０４、バリア層１０５およびキャップ層１０６が順に積層され、キャップ層１０６上にゲート電極１０８が形成される。 - 特許庁

The manufacturing method comprises the steps of forming a conductive layer on a substrate, forming a light-transmitting layer on the conductive layer, delivering a femtosecond laser onto the light-transmitting layer, and selectively removing the conductive layer and the light-transmitting layer.例文帳に追加

基板上に導電層を形成し、該導電層上に光透過層を形成し、該光透過層上からフェムト秒レーザを照射して、該導電層及び該光透過層を選択的に除去する工程を有する。 - 特許庁

A GaAs buffer layer 12, a channel layer 13, a spacer layer 14, an electron supply layer 15 and a barrier layer 16 for constituting an active layer of a HEMT are laminated sequentially, for example, on a semi-insulating GaAs substrate 11.例文帳に追加

例えば半絶縁性ＧａＡｓ基板１１上に、ＨＥＭＴの能動層を構成するＧａＡｓバッファ層１２、チャネル層１３、スペーサ層１４、電子供給層１５、障壁層１６が順に積層されている。 - 特許庁

A semiconductor light-emitting function layer 20, formed on an Si substrate 11, has a laminate structure comprising an n-type GaN layer (first semiconductor layer) 21, an MQW layer 22, and a p-type GaN layer (second semiconductor layer) 23.例文帳に追加

半導体発光機能層２０は、Ｓｉ基板１１上に形成され、ｎ型ＧａＮ層（第１の半導体層）２１、ＭＱＷ層２２、ｐ型ＧａＮ層（第２の半導体層）２３からなる積層構造をもつ。 - 特許庁

In the optical element having a reflection multilayer film comprising alternate layers of a Mo layer 12 and an Si layer 14 on a substrate 11, a B_4C layer 13 which is a diffusion prevention layer is provided between the Mo layer 12 and the Si layer 14.例文帳に追加

基板１１にＭｏ層１２とＳｉ層１４の交互層からなる反射多層膜を有する光学素子において、Ｍｏ層１２とＳｉ層１４の層間に拡散防止層であるＢ_４Ｃ層１３を設ける。 - 特許庁

The perpendicular magnetic recording medium 10 has an adhesive layer 2, a soft magnetic layer 3, an intermediate layer 4, a Ru intermediate layer 5, a granular magnetic recording layer 6, a Co alloy cap layer 7 and a DLC protective film 8 on a non-magnetic substrate 1.例文帳に追加

垂直磁気記録媒体１０は、非磁性基板１の上に密着層２、軟磁性層３、中間層４、Ｒｕ中間層５、グラニュラー磁気記録層６、Ｃｏ合金キャップ層７、ＤＬＣ保護膜８を有する。 - 特許庁

The color filter 1 includes a transparent electrode layer 13 covering the substrate 3, red layer 5, green layer 7, blue layer 9 and spacer 11, and an insulating black matrix layer 15 in a predetermined position on the transparent electrode layer 13.例文帳に追加

カラーフィルタ１は、基板３、赤色層５、緑色層７、青色層９、スペーサー１１を覆う透明電極層１３を有し、透明電極層１３上の所定の箇所に絶縁性のブラックマトリクス層１５を有する。 - 特許庁

A Zn layer is formed by substitution plating on the surface of an Al substrate, and an Ni layer, or an Ni layer and an Sn layer, or the Ni layer and a Cu layer are plated thereon to form a material for a terminal.例文帳に追加

Ａｌ基板表面に置換めっきによりＺｎ層を形成させ、その上にＮｉ層、またはＮｉ層とＳｎ層、もしくはＮｉ層とＣｕ層をめっきにより形成させて端子用材料とする。 - 特許庁

The n-cladding layer 3 is formed on a semiconductor substrate 2, the active layer 4 is formed on the n-cladding layer 3, the p-cladding layer 5 is formed on the active layer 4, and the mesa structures 7 to 9 are formed on a portion of the p-cladding layer 5.例文帳に追加

ｎ−クラッド層３は半導体基板２上に、活性層４はｎ−クラッド層３上に、ｐ−クラッド層５は活性層４上に、メサ構造７−９はｐ−クラッド層５の一部上に形成される。 - 特許庁

A process comprises making layers in order of positive electrode layer, protecting film, luminescent layer formed of organic substance and negative electrode layer on the substrate, and the protecting film which is in the pixels area on the positive electrode layer is removed before the luminescent layer is formed in layer.例文帳に追加

基板上に陽極層と、保護膜と、有機物からなる発光層と、陰極層を順次積層する工程を備え、陽極層上の画素領域にある保護膜を、発光層の積層前に除去すること。 - 特許庁

The film substrate 2 is constituted of an antenna film layer 21, an adhesive layer 22, a core film layer 23, an adhesive layer 24, and a release paper layer 25 and the electric wire 4 is stuck and fixed on the adhesive layer 22 at the bottom part of the recessed groove 3.例文帳に追加

フィルム基材２は、アンテナフィルム層２１、接着層２２、コアフィルム層２３、接着層２４、剥離紙層２５より構成され、電線４は凹溝３底部の接着層２２に付着して固定されている。 - 特許庁

The spin valve thin film element MR1 consists of an antiferromagnetic layer 122, fixed magnetic layer 123, nonmagnetic electrically conductive layer 124 and free magnetic layer 125, and is formed between a lower gap layer 129 on the substrate and an upper gap layer 127.例文帳に追加

また、このスピンバルブ型薄膜素子を備え、再生シールド間隔を厚くすることなく、前記スピンバルブ型薄膜素子と上部シールド層および下部シールド層との絶縁が確保しやすい薄膜磁気ヘッドを提供する。 - 特許庁

A ferroelectric body capacitor 1 is composed of an Si substrate 100, an SiO2 layer 200, an IrO2 layer 10, a Ti layer 20, a Pt layer 30, a PZT(lead zirconate titanate) layer 35, and an IrO2 layer 40.例文帳に追加

強誘電体キャパシタ１は，Ｓｉ基板１００，ＳｉＯ_２層２００，ＩｒＯ_２層１０，Ｔｉ層２０，Ｐｔ層３０，ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）層３５，およびＩｒＯ_２層４０から成るものである。 - 特許庁

The photoconductor includes a substrate; a ground plane layer; an undercoat layer over the ground plane layer; a charge generating layer; and at least one charge transport layer, wherein the undercoat layer contains an aminosilane and a crosslinked acrylic resin.例文帳に追加

基板と、グラウンドプレーン層と、該グラウンドプレーン層上の下引き層と、電荷発生層と、少なくとも１つの電荷輸送層と、を含み、前記下引き層が、アミノシランおよび架橋アクリル樹脂を含む、光導電体。 - 特許庁

Thereby, the protective layer 17 protects the electrode layer and the adhesion layer from the alkaline solution, so that there can be prevented such a phenomenon that the electrode layer and the adhesion layer are corroded by the alkaline solution and the semiconductor layer 21 is peeled off from the support substrate.例文帳に追加

これにより、保護膜１７がアルカリ性溶液から電極層や接着層を保護するため、これらがアルカリ性溶液により浸食されて半導体層２１が支持基板から剥がれる現象を防止できる。 - 特許庁

A 1st protective layer 2, a crystallization accelerating layer 3, a 1st recording layer 4 comprising a Ge-Sb-Te alloy, a 2nd recording layer 5, a 2nd protective layer 6 and a reflection layer 7 are successively formed on a substrate 1 by sputtering.例文帳に追加

基板１の上に、第一保護層２、結晶化促進層３、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金からなる第一記録層４、第二記録層５、第二保護層６、および反射層７を順次スパッタリング法で成膜する。 - 特許庁

The carrier member includes a base substrate 100 having a rigid substrate 110; and a release layer 300 laminated on an outermost layer of the base substrate 100 so that there are provided a first surface in contact with the base substrate 100 and second surface extended to the outside of the base substrate 100.例文帳に追加

リジッド基板１１０を含むベース基板１００、及びベース基板１００と接する第１面とベース基板１００の外側に向かう第２面を持つようにベース基板１００の最外層に積層された離型層３００を含む。 - 特許庁

The semiconductor device 1 has a multilayer film structure composed of: a semiconductor substrate 1; a buffer layer 2 formed on the semiconductor substrate; the electron traveling layer 3 formed on the buffer layer; a spacer layer 4 formed on the electron traveling layer; an electron supply layer 5 formed on the spacer layer; a barrier layer 6 formed on the electron supply layer; and a cap layer 7 formed on the barrier layer.例文帳に追加

半導体基板１と、この半導体基板上に形成されたバッファ層２と、このバッファ層上に形成された電子走行層３と、この電子走行層上に形成されたスペーサ層４と、このスペーサ層上に形成された電子供給層５と、この電子供給層上に形成されたバリア層６と、このバリア層上に形成されたキャップ層７とからなる多層膜構造を備えている。 - 特許庁

To provide an insulating substrate in which a solder layer interposed between the substrate and a mounted component hardly cracks and in which an insulating layer laminated upon a base substrate has a low thermal resistance.例文帳に追加

絶縁基板と実装部品との間に介在されるはんだ層にクラックが発生し難く、しかもその表面に積層された絶縁層の熱抵抗が小さい絶縁基板を提供する。 - 特許庁

To provide a nitride based LED which is realized by making effective use of a surface of a high defect density part formed in an epitaxial layer corresponding to the stripe core of a substrate, the epitaxial layer being formed on a GaN substrate which is the stripe core substrate.例文帳に追加

ストライプコア基板であるＧａＮ基板上に形成したエピタキシャル層中には、基板のストライプコアに対応してエピタキシャル層中に高欠陥密度部が形成される。 - 特許庁

A process which grows a nitride semiconductor layer on a heterogeneous substrate; after that, a process which sticks a supporting substrate to the nitride semiconductor layer; and after that, a process which removes a heterogeneous substrate are provided.例文帳に追加

異種基板上に窒化物半導体層を成長させる工程と、その後、窒化物半導体層に支持基板を貼り合わせる工程と、その後、異種基板を除去する工程とを備える。 - 特許庁

A glass substrate 30 is formed with a minimum substrate thickness T1 and a compensation glass layer 39 composed of a glass paste layer is formed on the light take-out surface 30b of the glass substrate 30.例文帳に追加

ガラス基板３０の厚みを最小基板厚さＴ１で形成し、そのガラス基板３０の光取出し面３０ｂにガラスペースト層からなる補償ガラス層３９を形成した。 - 特許庁