| 意味 | 例文 |
type 3の部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 10428件
On Platform 2 and 3, 'Menza,' a noodle shop, and 'Second pochette,' a conventional type kiosk, are located. 例文帳に追加
2・3番ホームにうどん屋「麺座」と、従来型の売店「セカンド・ポシェット」がある。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
Impurity density setting regions in both of the N-type clad layer 4 and the P-type clad layer 2 are set to be the regions having a width of 3 μm or less from the interface between a P-type active layer 3 and the N-type clad layer 4/the P-type clad layer 2.例文帳に追加
また、不純物密度の設定領域を、N型クラッド層4、P型クラッド層2共にP型活性層3との界面から3μm以内の幅の領域とする。 - 特許庁
Structure in which the N type layers 2 and the P type layers 3 are repeatedly arranged by further making a region sandwiched between the P type layers 3 in the N-type substrate 10 be the N type layer 2.例文帳に追加
また、N型基板10のうち各P型層3に挟まれた領域をN型層2とすることで、当該N型層2とP型層3とが繰り返し配置された構造を形成する。 - 特許庁
A p-type base layer 3 is formed over the surface of the n-type base layer l.例文帳に追加
n型ベース層1の表面内にはp型ベース層3が形成される。 - 特許庁
An n-type impurity region 3 is located under the p-type well region 2.例文帳に追加
n型不純物領域3はp型ウエル領域2の下に位置している。 - 特許庁
An N type epitaxial layer 3 is formed on a P type silicon substrate 1.例文帳に追加
P−型シリコン基板1上にN−型エピタキシャル層3が形成されている。 - 特許庁
Next, a type P+ type up-diffusing layer 2b that is coupled with the type P+ type embedded contact layer 5 in the P- type epitaxial layer 3 from the P+ type embedded layer 2 is formed.例文帳に追加
次にP+型埋め込み層2からP−型エピタキシャル層3内のP+型埋め込みコンタクト層5に連結するP+型這い上がり層2bを形成する。 - 特許庁
COMPETITION TYPE 3-D VIDEO GAME APPARATUS AND CONTROLLER FOR IT例文帳に追加
対戦式3Dビデオゲーム装置及びそのコントローラ - 特許庁
A gate electrode 11 is electrically connected with the p-type upper epitaxial layer 5 through the p-type lower epitaxial layer 3 and a p^+-type area 6.例文帳に追加
ソース領域7およびドレイン領域9は、n型エピタキシャル層4に接続されている。 - 特許庁
An n type buffer layer 3 is formed on an n^+ type substrate 2, and an n^- type buffer layer is formed on this.例文帳に追加
n^+型基板2上にn型バッファー層3を形成し、その上にn^−型バッファー層を形成する。 - 特許庁
A P-type region 4 and an N-type region 5a are formed in a P-type well 2, a P-type region 7a and an N-type region 8 are formed in an N-type well 3, and an N-type region 6 is formed straddling both the wells 2 and 3.例文帳に追加
P型ウェル2内にはP型領域4,N型領域5aが、N型ウェル3内にはP型領域7a,N型領域8がそれぞれ形成され、両ウェル2及び3にまたがってN型領域6が形成されている。 - 特許庁
In an element isolation structure for semiconductor device, an n--type silicon layer 2, an n+-type silicon layer 3, and another n--type silicon layer 4 are formed on a p+-type silicon substrate 1.例文帳に追加
p^+ 型シリコン基板1の上に、n^- 型シリコン層2、n^+ 型シリコン層3、n^- 型シリコン層4が形成されている。 - 特許庁
(3) This electromagnetic relay is a plunger type one.例文帳に追加
(3)電磁継電器がプランジャ式の電磁継電器である。 - 特許庁
On the surface of well 3, a p-type diffusion layer 6 as well as a source 4 and a drain 5 of the n-type diffusion layer are formed.例文帳に追加
ウエル3の表面には、p型の拡散層6と、n型の拡散層のソース4及びドレイン5とが形成されている。 - 特許庁
When the non-contact type data carrier 3 is removed, it is removed through self-restoration by heating the non-contact type data carrier 3 up to the temperature that exceeds Tg again.例文帳に追加
取り外すときには、再度Tgを超える温度まで加熱し、自己復帰させることにより取り外す。 - 特許庁
Subsection 3 Incorporation-type Company Split by Which a Membership Company is Incorporated 例文帳に追加
第三款 持分会社を設立する新設分割 - 日本法令外国語訳データベースシステム
POWER SUPPLY CIRCUIT OF 3-LEVEL NEUTRAL POINT CLAMPING TYPE INVERTER例文帳に追加
3レベル中性点クランプ形インバータの電源回路 - 特許庁
To provide a method for distinguishing whether a person is infected with a parainfluenza virus type 1 and/or type 3, or not.例文帳に追加
パラインフルエンザウイルス1型および/または3型に感染しているか否かを判別する方法を提供すること。 - 特許庁
The ozone gas is pressurized in the water-seal-type pressurizing apparatus 3.例文帳に追加
そのオゾンガスを水シール式の加圧装置3で加圧する。 - 特許庁
The motor is of a type which is constituted by combining a plurality of element cores 3, 3..., in an annular shape.例文帳に追加
複数の要素コア3、3・・・を環状に組み合わせるタイプのモータである。 - 特許庁
A plurality of sheath type thermocouples 3, 3, etc., are housed inside the protection tube 2.例文帳に追加
複数のシース形熱電対3、3…は保護管2内に収納されている。 - 特許庁
The coherence of the entire community is cited as the problem in the "Tourism Type" (Fig. 2-1-25 [3]).例文帳に追加
「観光型」では、地域全体のまとまりが問題とされている(第2-1-25図〔3〕)。 - 経済産業省
A plurality of trenches 17 that penetrate the p-type base layer 3 and reach the midway of the n-type base layer 1 are formed within the p-type base layer 3 and n-type base layer 1.例文帳に追加
p型ベース層3及びn型ベース層1内には、p型ベース層3を貫通し、n型ベース層1の途中まで達する深さの複数のトレンチ17が形成される。 - 特許庁
The p-type silicon nitride film 3 is formed in contact with the n-type silicon oxide film 2, and the n-type silicon oxide film 2 and p-type silicon nitride film 3 form a p-n junction.例文帳に追加
p型シリコン窒化膜3は、n型シリコン酸化膜2に接して形成され、n型シリコン酸化膜2およびp型シリコン窒化膜3は、p−n接合を形成する。 - 特許庁
The IGBT selectively forms an n^+-type extended region (9) in a p^+-type collector region (1), and forms a p-type base region (3) and a diode together with an n-type base region (2).例文帳に追加
IGBTは、N+型延長領域(9)をP+型コレクタ領域(1)内に選択的に形成して、N型ベース領域(2)と共にP型ベース領域(3)とダイオードを形成する。 - 特許庁
The first pin 3 includes a first type pin 3a and a second type pin 3b.例文帳に追加
第1のピン3は、第1種ピン3aおよび第2種ピン3bを含んでいる。 - 特許庁
Replacing the gun shell type LED 3, a chip type LED 6 and a lens 7 may be used.例文帳に追加
砲弾型LED3に代えて、チップ型LED6とレンズ7を用いてもよい。 - 特許庁
A belt 3 of an endless type (of an elongated oval type) is arranged in the grooves 2.例文帳に追加
そして、この溝2内にはエンドレスタイプ(長楕円状)のベルト3が設けられている。 - 特許庁
The light-emitting element includes an n-type silicon oxide film 2 and a p-type silicon nitride film 3.例文帳に追加
発光素子は、n型シリコン酸化膜2と、p型シリコン窒化膜3とを備える。 - 特許庁
A plurality of p-type diffusion layers 3 are formed on the surface layer of an n^--type epitaxial layer 2.例文帳に追加
n^-型エピ層2の表層部に複数のp型拡散層3を形成する。 - 特許庁
An n+-type layer 4 is formed to fill up the recessed part of the p-type layer 3.例文帳に追加
さらにp型層3の凹部内を埋め込むようにn^+型層4を成膜する。 - 特許庁
The layers 3-6 have p^+ type regions 3a-6a and n type regions 3b-6b.例文帳に追加
層3〜6はp^+型領域3a〜6aとn型領域3b〜6bとを有する。 - 特許庁
An N+ type source layer 3 is formed on a surface of the N type epitaxial layer 6.例文帳に追加
前記N型エピタキシャル層6の表面にN+型ソース層3を形成する。 - 特許庁
The p-type GaN layer 12 is doped with p-type impurities, i.e., Mg (magnesium) and O (oxygen), by about 1×10^20 cm^-3 and 3×10^19 cm^-3, respectively.例文帳に追加
ここで、p型GaN層12は、p型不純物のMg(マグネシウム)とO(酸素)が、それぞれ、Mgは1×10^20cm^-3程度、O(酸素)は3×10^19cm^-3程度ドーピングされている。 - 特許庁
The element is provided with a p-type semiconductor substrate 1, a p-type well layer 3 formed above the substrate, an n-type photoelectric conversion layer formed within a p-type well layer 3 as a light receiving portion 4, and a floating n-type accumulation layer 2 between the p-type semiconductor substrate and the p-type well layer 3.例文帳に追加
p型半導体基板1とその上部に形成されたp型ウエル層3と、p型ウエル層3内に受光部4として形成されたn型光電変換層を有し、p型半導体基板1とp型ウエル層3との間にフローテイングN型蓄積層2を有している。 - 特許庁
The tube type camera 1 has a tube type casing body 3 and a plurality of substrates 5, 7 stacked and stored in the tube type casing body 3 and connected with each other.例文帳に追加
筒型カメラ1は、筒型筐体3と、筒型筐体3に重ねて収容され、互いに連結される複数の基板5、7を有する。 - 特許庁
A P+ type layer 3 is the P+ type diffusion layer formed by ion-implanting P-type impurities from a main surface of the semiconductor layer 3.例文帳に追加
P+型層4は、半導体層3の主表面からP型の不純物をイオン注入することで形成したP+型の拡散層である。 - 特許庁
The n-type layer 3 is provided with an n^+type GaN layer 6, an n^-type GaN layer 7, and an n^-type AlGaN layer 8, and the n^-type AlGaN layer 8 is formed at a portion contacting the p-type GaN layer 4 in the n-type layer 3.例文帳に追加
n型層3は、n^+型GaN層6と、n^−型GaN層7と、n^−型AlGaN層8とを備えており、n型層3において、p型GaN層4に接する部分にn^−型AlGaN層8が形成されている。 - 特許庁
A first n-type conductive region 2 and a second n-type conductive region 3 are formed on a p-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加
P型の半導体基板1に第1N型導電領域2、第2N型導電領域3を形成する。 - 特許庁
In this manufacturing method, an undoped GaN buffer layer 3, an n-type GaN layer 3 and a p-type GaN layer 4 are formed in sequence on a saphire substrate 1, and a part between the p-type GaN layer 4 and the n-type GaN layer 3 is removed to expose the n-type GaN layer 3.例文帳に追加
サファイア基板1上にアンドープのGaNバッファ層2、n型GaN層3およびp型GaN層4を順に形成し、p型GaN層4からn型GaN層3までの一部領域を除去し、n型GaN層3を露出させる。 - 特許庁
The plate type heat exchanger (9) includes first type indentations (2, 14) and second type indentations (3, 15), wherein the number of the first type indentations (2, 14) and that of the second type indentations (3, 15) are different from each other.例文帳に追加
プレート式熱交換器(9)は、第1の種類の圧痕(2、14)および第2の種類の圧痕(3、15)を備え、第1の種類の圧痕(2、14)および第2の種類の圧痕(3、15)の数は異なる。 - 特許庁
A semiconductor device 10 comprises a p-type semiconductor substrate 1, an n-type drift region 3 provided in the p-type semiconductor substrate 1, and a p-type body region 4 provided in the n-type drift region 3.例文帳に追加
半導体装置10は、p型半導体基板1、p型半導体基板1内に設けられたn型ドリフト領域3、及びn型ドリフト領域3内に設けられたp型ボディ領域4を含む。 - 特許庁
A channel replacement function in a network 1 generates cells of an ATM type 1 on which the CPS packets a', b', y', z' or the like are multiplexed and AAL type 1 units 3-5, 3-6 properly receive the cells.例文帳に追加
ネットワーク1内でのチャネル入れ替え機能によって、CPSパケットa', b', y', z'等が多重されたATMタイプ1のセルが生成され、AALタイプ1装置3-5、3-6に適宜入力される。 - 特許庁
An n-type clad layer 2, n-type waveguide layer 3, n-type carrier block layer 4, an active layer 5, p-type carrier block layer 6, and p-type waveguide layer 7 are successively layered on an n type substrate 1.例文帳に追加
n型基板1上に、n型クラッド層2、n型導波層3、n型キャリアブロック層4、活性層5、p型キャリアブロック層6、p型導波層7が順次積層されている。 - 特許庁
It is a free-standing, multi-level, tower-type keep consisting of 3 tiers and 3 stories which, among the existing castle towers, is situated furthest northeastern. 例文帳に追加
天守独立式層塔型3重3階の天守で、現在の現存天守の中では日本最北・最東端の地にある。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
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| ※この記事は「日本法令外国語訳データベースシステム」の2010年9月現在の情報を転載しております。 |
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