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type 3の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 10428



例文

This multi-synchronous type lifter 3 is constituted by combining two pantograph-type lifters 4, 4 in parallel.例文帳に追加

複数同調型リフター3は2つのパンタグラフ式リフター4,4を並列に組み合わせて構成されている。 - 特許庁

However, reallocation and contraction-type continuing establishments have undergone a transformation, and there has been a clear movement of workers from permanent to other positions (Fig. 3-3-5).例文帳に追加

ところが、入替・縮小型存続事業所では様子が一変し、従業者の正社員から他の地位への置き換わりが明確に現れる(第3-3-5図)。 - 経済産業省

Fig. 3-1-3 shows a breakdown of SMMs by type of organization based on the results of the Census of Manufactures for 2000 and 2008, which included business establishments with 3 or fewer workers. 例文帳に追加

第3-1-3 図は、従業者数3 人以下の事業所も調査対象とした、2000 年及び2008 年の「工業統計表」を用いて、中小製造業の経営組織別企業構成を示したものである。 - 経済産業省

A P-type well 3 is provided at an upper part of an N-type substrate 2, an embedded photodiode 6 and an electric charge detection part 7 are provided in the P-type well 3, and the P-type well 3 at a lower part of the electric charge detection part 7 is completely depleted.例文帳に追加

N型基板2の上部にP型ウエル3が設けられ、P型ウエル3内に埋め込みフォトダイオード6および電荷検出部7が設けられており、電荷検出部7の下方のP型ウエル3は完全に空乏化されている。 - 特許庁

例文

In addition, an n-type diffusion layer 6 is provided on the layer 2, and an n-type diffusion layer 6' is provided in the p-type layer 3'.例文帳に追加

また、n型埋め込み層2の上にはn型拡散層6が、p型埋め込み層3´にはn型拡散層6´が設けられている。 - 特許庁


例文

The layer structure LS1 includes an n-type high concentration carrier layer 3, an n-type light absorbing layer 5, and an n-type cap layer 7.例文帳に追加

層構造体LS1は、n型の高濃度キャリア層3、n型の光吸収層5、及びn型のキャップ層7を含んでいる。 - 特許庁

The laminate structure part 3 is formed by laminating n-type GaN layers 4, 5, a p-type GaN layer 6 and an n-type GaN layer 7.例文帳に追加

積層構造部3は、n型GaN層4,5、p型GaN層6およびn型GaN層7を積層して構成されている。 - 特許庁

A coil 2 is wound on a drum-type core 1, and the drum-type core 1 is set larger in height than a cylindrical core 3 surrounding the drum-type core 1.例文帳に追加

コイル2が巻回されたドラム型コア1の高さを、ドラム型コア1を囲繞する筒状コア3の高さよりも大きくする。 - 特許庁

An N-type semiconductor layer 2 is formed on a surface of a semiconductor substrate 1, and a P-type semiconductor layer 3 is formed on the N-type semiconductor layer.例文帳に追加

半導体基板1の表面にN−型半導体層2を形成し、その上層にP型半導体層3を形成する。 - 特許庁

例文

Expansion type communication path value updating apparatuses 3-02 and 3-05 update a communication path value using a posteriori value, and holds the posteriori value after update.例文帳に追加

拡張型通信路値更新器3-02,3-05は、事後値を用いて通信路値を更新すると共に、更新後の事後値を保持する。 - 特許庁

例文

A gate electrode 9 of an n-channel type MISFET and a p- channel type MISFET is formed at an angle of 45° with respect to a p-type well 3 and an n-type well 4, respectively.例文帳に追加

nチャネル型MISFETもしくはpチャネル型MISFETのゲート電極9を、それぞれp型ウエル3およびn型ウエル4に対し斜め45°に形成する。 - 特許庁

The p-type separation areas 3 and 4 separate the n-type epitaxial growing layer 2 and two or above n-type (n- type) areas 21 and 22 are formed.例文帳に追加

そして、そのエピタキシャル成長層2に表面から前記半導体基板1に達するようにp形(p^+ 形)分離領域3、4が拡散により形成されている。 - 特許庁

A part of P-type type substrate 2 is etched to form a P-type layer 1 comprising an insulation region 3, over which an element formation layer comprising an N-type operation layer 5 is formed.例文帳に追加

P型基板2の一部にエッチングを施して絶縁領域3を備えたP型層1を形成し、その上にN型の動作層5を含む素子形成層を形成する。 - 特許庁

This semiconductor ultraviolet sensor comprises: a P-type silicon substrate 1; a P-type impurity layer 2; an N-type impurity layer 3; a P-type impurity layer 4; and a metal wiring layer 5.例文帳に追加

半導体紫外線センサは、P型シリコン基板1と、P型不純物層2と、N型不純物層3と、P型不純物層4と、金属配線層5とを備えている。 - 特許庁

An N-type diffusion layer 5 and a P-type diffusion layer 7 are formed in the N-type well 3 having a space between each other away from the P-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

P型半導体基板1とは間隔をもってN型ウエル3に互いに間隔をもってN型拡散層5及びP型拡散層7が形成されている。 - 特許庁

The swash plate type compressor 60 has a rotary shaft 3, and this rotary shaft 3 also serves as a low speed side shaft of the wedge roller type transmission A.例文帳に追加

斜板式圧縮機60は、回転軸3を備えており、この回転軸3は、くさびローラ式変速機Aの低速側シャフトを兼ねている。 - 特許庁

The package 1 has a seal type inner package 3 and a cup shape rigid outer container 2 in which the seal type inner package 3 is stored.例文帳に追加

パッケージ1は、密閉式内部パッケージ3と、密閉式内部パッケージ3を収容しているカップ状の剛性外側容器2とを有している。 - 特許庁

As a result, since the semiconductor type light source 3 is directly mounted on the heat sink member 2, the semiconductor type light source 3 has good heat dissipation effect.例文帳に追加

この結果、この発明は、半導体型光源3がヒートシンク部材2に直接載置されるので、半導体型光源3の放熱効果が良い。 - 特許庁

The core 3 includes a Mach-Zehnder type core and is formed within the clad 2.例文帳に追加

コア3は、マッハツェンダー型のコアからなり、クラッド2中に形成される。 - 特許庁

The total thickness of the buffer layer 2 and the n-type clad layer 3 is reduced to make transposition on the surface of the n-type clad layer 3.例文帳に追加

バッファ層2とn型クラッド層3との合計の厚みを薄くすることによってn型クラッド層3の表面に転位を生じさせる。 - 特許庁

The sandal type training device 1 consists of a base part 2 and a strap part 3.例文帳に追加

サンダル形トレーニング用具1は、台部2とストラップ部3とからなる。 - 特許庁

This crawler type traveling device is equipped with a crawler 3 and a sprocket 2 for a crawler.例文帳に追加

履帯式走行装置は、履帯3と、履帯用スプロケット2とを備える。 - 特許庁

The main body 2 is connected with the semicircle bowl type sword 4 through a Ken 3.例文帳に追加

主体2は件3を介して半円碗型の刀4につながる。 - 特許庁

A memory card 1 has a controller 4 and a NAND type flash memory 3.例文帳に追加

メモリカード1は、コントローラ4とNAND型フラッシュメモリ3とを有する。 - 特許庁

A double-gate type thin film transistor 3 is provided on an insulating substrate 2.例文帳に追加

絶縁基板2にダブルゲート型薄膜トランジスタ3が設けられている。 - 特許庁

The motor 1 is provided with a flat type motor body 2 and an output portion 3.例文帳に追加

モータ1は、扁平型のモータ本体2と出力部3を備える。 - 特許庁

Loop type thin pipe heat pipes 3 are provided inside and outside the steam receiver part 2.例文帳に追加

湯気溜部2の内外にループ型細管ヒートパイプ3を配置する。 - 特許庁

The card type memory 3 can freely be attached to/detached from the loading port 23.例文帳に追加

カード型メモリ3は装着口23に着脱自在となっている。 - 特許庁

The light reflection type sensor 3 is provided at the top end part of the arm part 4.例文帳に追加

光反射型センサ3は上記腕部4の先端部に設ける。 - 特許庁

The compression mechanism 2 has the same type as the expansion mechanism 3.例文帳に追加

圧縮機構2の型式が膨張機構3の型式と同じである。 - 特許庁

At the upper portions of groove type frames 3, 3 and groove type frames 3a, 3a, plate-shaped members 5, 5, in which holes 5a are formed at predetermined intervals, are constructed.例文帳に追加

溝型枠3,3,溝型枠3a,3aのそれぞれの上部に、所定の間隔をおいて孔部5a…が形成してある板状部材5,5を掛け渡す。 - 特許庁

His swords belonging to shinto (New swords; a new type of swords made in Keicho era (1596) or later) were well-made, and ranked as ryowazamono (ranked No. 3 in the list of Wazamono (swords determined based on the result of trying out a new blade)). 例文帳に追加

新刀上作にして良業物。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

3. The applicant must have a minimum of 2 years' experience outside Japan in the type of performance in which he/she is to engage. 例文帳に追加

(3) 二年以上の外国における経験を有すること。 - 日本法令外国語訳データベースシステム

The printed layer 3 is printed and formed by urethane solvent type ink.例文帳に追加

印刷層3はウレタン系の溶剤型インクで印刷して形成する。 - 特許庁

A louver, a sheet-type louver or a microprism sheet can be used besides the reflection member 3.例文帳に追加

反射部材3のほか、ルーバ、シート状のルーバ、マイクロプリズムシートがある。 - 特許庁

A packet of prescribed packet type such as a DM3 (data medum 3) packet is used.例文帳に追加

そして、DM3パケットなどの所定のパケットタイプのパケットを用いる。 - 特許庁

The vaporizing type humidifier 3 is mounted on a position where dew condensation water discharged from the cooling coil 2 drops from an upper portion of the vaporization type humidifier 3.例文帳に追加

気化式加湿器3は、冷却コイル2から排出される結露水が、気化式加湿器3の上部から滴下される位置に設置する。 - 特許庁

A screw type dehydrator 3 is provided inside a rotary drum screen 2.例文帳に追加

回転するドラムスクリーン2の内部に、スクリュー式の脱水機3を設ける。 - 特許庁

The tandem-type photosensitive member unit 3 includes four process cartridges 5.例文帳に追加

タンデム型感光体ユニット3は、4つのプロセスカートリッジ5を備えている。 - 特許庁

The insulated gate bipolar transistor includes: an N-type semiconductor layer 3; and a collector part formed on the surface part of the N-type semiconductor layer 3.例文帳に追加

本発明の絶縁ゲートバイポーラトランジスタは、N型半導体層3と、N型半導体層3の表面部に形成されたコレクタ部とを具備する。 - 特許庁

Third, when we expanded our facility, we tried a new type of design.例文帳に追加

第3に 施設拡張の際 我々は新しい内装を試みました - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

Example 37-3. Attributes are set the usual way with xml type 例文帳に追加

例 37-3xmlタイプで通常の方法を用いて総ての属性をで設定する - PEAR

In the semiconductor layer constituting the percutaneous treatment member layer 10, N type or P type or both N type and P type semiconductor powder is mixed in an adhesive or the like, and a P type semiconductor layer 3, an N type semiconductor layer 5 or the semiconductor layer of mixed N type and P type are stacked.例文帳に追加

経皮治療部材層10を構成する半導体層は、接着剤等にN型またはP型または両者混合の半導体パウダーを混入させ、P型半導体層3、N型半導体層5、またはN型とP型とを混合させた半導体層としてこれらを積層する。 - 特許庁

An n-type clad layer 3 consisting of n-type AlGaN, a light emitting layer 4, a p-type clad layer 5 consisting of p-type AlGaN, and a p-type contact layer 6 consisting of p-type GaN, are sequentially laminated on the n-type contact layer 2, so that part of the n-type contact layer 2 is exposed.例文帳に追加

n型コンタクト層2の一部を露出させるように、n型コンタクト層2の上には、n型のAlGaNからなるn型クラッド層3と、発光層4と、p型のAlGaNからなるp型クラッド層5と、p型のGaNからなるp型コンタクト層6とが順次積層されている。 - 特許庁

After positioned so that a tip section 3a of a female type member 3 is brought into contact with a tip section 5a of a male type member 5, and then the tip section 5a of the male type member 5 is inserted into a cavity section 4 of the female type member 3.例文帳に追加

オス型部材5の先端部5aに、メス型部材3の先端部3aが当接されるように位置合わせを行った上で、メス型部材3の空洞部4にオス型部材5の先端部5aを差し入れる。 - 特許庁

Electrodes 5 are formed above and below the (n) type thermoelectric converting elements 3 and (p) type thermoelectric converting elements 4 to connect the (n) type thermoelectric converting elements 3 and (p) type thermoelectric converting elements 4 electrically in series.例文帳に追加

n型熱電変換素子3とp型熱電変換素子4の上下には、夫々電極5が形成され、n型熱電変換素子3とp型熱電変換素子4が電気的に直列に接続されている。 - 特許庁

Electrons are implanted from the side of the n-type silicon oxide film 2 and holes are implanted from the side of the p-type silicon nitride film 3 to emit light on the interface between the n-type silicon oxide film 2 and p-type silicon nitride film 3.例文帳に追加

n型シリコン酸化膜2側から電子を注入し、p型シリコン窒化膜3側から正孔を注入することによって、n型シリコン酸化膜2とp型シリコン窒化膜3との界面で発光する。 - 特許庁

A first n-type conductive area 2 and a second n-type conductive area 3 are formed on a p-type semiconductor substrate 1, and first p-type conductive areas 4, 5, and 6 are formed in the first conductive area 2, and second p-type conductive areas 7, 8, and 9 are formed in the second n-type conductive area 3.例文帳に追加

P型の半導体基板1に第1N型導電領域2、第2N型導電領域3を形成し、第1N型導電領域2内に第1P型導電領域4,5,6、前記第2N型導電領域3内にP型の第2P型導電領域7,8,9を形成する。 - 特許庁

A field-effect transistor is arranged on the photoelectric conversion layer by forming a p-type semiconductor layer 2 on a transparent substrate 1, forming an n-type well 3 on the p-type semiconductor layer 2, forming a p-type well 4 on the n-type well 3, and forming the field-effect transistor on the p-type well 4.例文帳に追加

透明基板1にP型半導体層2を形成し、P型半導体層2にN型ウェル3を形成し、N型ウェル3にP型ウェル4を形成し、P型ウェル4に電界効果型トランジスタを形成することにより、光電変換層上に電界効果型トランジスタを配置する。 - 特許庁

例文

The solid type cable manufacturing method includes a step of impregnating the insulating layer 3 with the insulating oil under pressure.例文帳に追加

絶縁層3に絶縁油を加圧状態にて含浸する工程を備えるソリッドケーブルの製造方法である。 - 特許庁




  
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