「type 3」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

Carrier concentration of the p-type GaAs contact layer 17 is specified to be 1.0×10^19 cm^-3.例文帳に追加

このｐ型ＧａＡｓコンタクト層１７のキャリア濃度は１．０×１０^19ｃｍ^-3に設定されている。 - 特許庁

Fig. 2-1-3 [6] Relationship between the existences of differentiation points with other enterprises and operating profits for the past five years (Tourism Type)例文帳に追加

第2-1-3図〔6〕他社との差別化のポイントの有無と、過去5年間の経常利益の関係（観光型） - 経済産業省

The rocking chair type photovoltaic storage battery includes an n-type photovoltaic storage electrode 1, a p-type photovoltaic storage electrode 2, and electrolyte 3 in contact with the n-type photovoltaic storage electrode 1 and the p-type photovoltaic storage electrode 2.例文帳に追加

ロッキングチェア型光蓄電池には、ｎ型光蓄電極１と、ｐ型光蓄電極２と、ｎ型光蓄電極１及びｐ型光蓄電極２に接する電解質３と、が設けられている。 - 特許庁

A p-type base layer 4 is formed on the surface of an n-type base layer 3 on the side opposite to the p-type emitter layer 1 and the collector electrode 2, and an n-type source layer 5 is formed on the surface of the p-type base layer 4.例文帳に追加

ｎ型ベース層３のｐ型エミッタ層１、コレクタ電極２とは反対側の表面にｐ型ベース層４が形成され、ｐ型ベース層４の表面にｎ型ソース層５が形成されている。 - 特許庁

A pair of p^+-type contact layers 4 is provided on the channel layer 3 at both the sides of a p-type channel region 3a, and an n^+-type contact layer 4 is provided at a lower side of the channel layer 3.例文帳に追加

ｐ型のチャネル領域３ａの両側のチャネル層３上に一対のｐ^+型コンタクト層４が設けられ、チャネル層３の下側にｎ^+型コンタクト層４が設けられている。 - 特許庁

On top of a p-type clad layer 6, a p-type contact layer 7 which is formed of p-type GaN having a carrier density of 5×10^19/cm^3 by Mg doping and has a thickness of about 120 nm is formed.例文帳に追加

ｐ型クラッド層６の上には、Ｍｇドープによるキャリア濃度５×１０^19／ｃｍ^3 のｐ型ＧａＮから成る膜厚約１２０ｎｍのｐ型コンタクト層７が形成されている。 - 特許庁

The F-type connector 26 is capable of being directly connected to the F-type connector 30 of a television set 3 and outputting the electrical signals amplified by the broadband amplifier 25 to the F-type connector 30 of the television set 3.例文帳に追加

Ｆ型コネクタ２６は、テレビセット３のＦ型コネクタ３０に直接接続でき、かつ広域帯アンプ２５が増幅した電気信号をテレビセット３のＦ型コネクタ３０に出力する。 - 特許庁

The photovoltaic device is provided with an n-type layer 3, a photoelectric conversion layer 4 formed on the n-type layer 3, and a p-type layer 5 formed on the photoelectric conversion layer 4.例文帳に追加

この光起電力装置は、ｎ型層３と、ｎ型層３上に形成された光電変換層４と、光電変換層４上に形成されたｐ型層５とを備えている。 - 特許庁

A p-type buried diffusion layer 6 is formed on the substrate 3, and an n-type buried diffusion layer 10 is formed on a p-type buried diffusion layer 7 in the substrate 3 and the epitaxial layer 4.例文帳に追加

基板３にはＰ型の埋込拡散層６が形成され、基板３とエピタキシャル層４には、Ｎ型の埋込拡散層１０がＰ型の埋込拡散層７上に形成されている。 - 特許庁

After the transparent conductive film 2, p-type layer 3, n-type layer 4 and metal electrode 5 are formed, these are irradiated with the microwave to selectively heat the p-type layer 3 in view of enhancing the crystal property thereof.例文帳に追加

透明導電膜２、ｐ層３、ｎ層４及び金属電極５を成膜した後、マイクロ波を照射してｐ層３を選択的に加熱し、その結晶性を高める。 - 特許庁

In this semiconductor device 1, a base layer part of an epitaxial layer 3 forms an N^- type region 4, and a P-type body region 5 in contact with the N^- type region 4 is formed in the epitaxial layer 3.例文帳に追加

半導体装置１では、エピタキシャル層３の基層部がＮ−型領域４をなし、エピタキシャル層３には、Ｎ^-型領域４に接するＰ型のボディ領域５が形成されている。 - 特許庁

An n-type well region 3 and a p-type well region 4 are formed on the surface of a p-type silicon substrate 1, and an element separation insulation film 2 separates between the well regions 3 and 4.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板１の表面にｎ型ウェル領域３，ｐ型ウェル領域４を形成し、このウェル領域３，４間を素子分離絶縁膜２によって分離している。 - 特許庁

In the semiconductor device 1, a base layer portion of an epitaxial layer 3 is formed as an N^- type region 4, and a body region 5 of a P-type contacted with the N^- type region 4 is formed in the epitaxial layer 3.例文帳に追加

半導体装置１では、エピタキシャル層３の基層部がＮ−型領域４をなし、エピタキシャル層３には、Ｎ^−型領域４に接するＰ型のボディ領域５が形成されている。 - 特許庁

The nitride based semiconductor laser element comprises an n-type clad layer 3, an emission layer 5 formed on the n-type clad layer 3, and a p-type clad layer 7 formed on the emission layer 5.例文帳に追加

この窒化物系半導体レーザ素子は、ｎ型クラッド層３と、ｎ型クラッド層３上に形成される発光層５と、発光層５上に形成されるｐ型クラッド層７とを備える。 - 特許庁

In the protective diode, the p-type semiconductor layers 3 are formed on an n-type semiconductor layer 2 formed on the substrate 1, and electrodes 8 are formed on the p-type semiconductor layers 3.例文帳に追加

保護ダイオードは、基板１上に形成されたｎ型半導体層２上にｐ型半導体層３が形成されており、そのｐ型半導体層３上に電極８が形成されている。 - 特許庁

An n-type clad layer 2, an n-type light containment layer 3, an undoped MQW layer 4, a cap layer 5, a p-type light containment layer 6, a p-type clad layer 7 and a p-type contact layer 8 are sequentially grown on an n-type GaN substrate 1, and LD structure is obtained.例文帳に追加

ｎ型ＧａＮ基板１上にｎ型クラッド層２、ｎ型光閉じ込め層３、アンドープMQW層４、キャップ層５、p型光閉じ込め層６、p型クラッド層７、p型コンタクト層８を順次成長させてLD構造を得た。 - 特許庁

The p-type well layer 4 and the n-type diffusion layer 20 have nonoverlapping diffusion regions and the n-type buffer layer 7 has a region touching the n-type active layer 3 directly between the p-type well layer 4 and the n-type diffusion layer 20.例文帳に追加

ｐ型ウエル層４とｎ型拡散層２０とは互いの拡散領域が重ならず、ｐ型ウエル層４とｎ型拡散層２０との間で、ｎ型バッファ層７がｎ^- 型活性層３に直接接触する領域を有する。 - 特許庁

On a sapphire substrate 1, an n-type GaN contact layer 2, an n-type AlInGaN/AlGaN super lattice layer 3, an active layer 4, a p-type AlGaN block layer 8, and a p-type GaN contact layer 5 are formed, and an n-type electrode 7 and a p-type electrode 6 are provided.例文帳に追加

サファイア基板１の上に、ｎ型ＧａＮコンタクト層２、ｎ型のＡｌＩｎＧａＮ／ＡｌＧａＮ超格子層３、活性層４、ｐ型ＡｌＧａＮブロック層８、ｐ型ＧａＮコンタクト層５が積層され、ｎ電極７とｐ電極６が設けられている。 - 特許庁

In this way, the low-density N type embedded drift layer 5 extending from the N+ type drift layer 11 to the bottom of the P type body layer 3 is ensured.例文帳に追加

これによりＮ＋型ドリフト層１１からＰ型ボディ層３底部まで延在する低濃度のＮ型埋め込みドリフト層５を確保する。 - 特許庁

A pair of P+ type gate layers 2a and 2b is formed on the surface of the N type epitaxial layer 6 so as to surround the N+ type source layer 3.例文帳に追加

前記Ｎ型エピタキシャル層６の表面に前記Ｎ＋型ソース層３を取り囲んで１対のＰ＋型ゲート層２ａ、２ｂを形成する。 - 特許庁

An n^+-type region 2a is formed apart from a p-type base region 3 below a contact region 5 in an n-type drift layer 2.例文帳に追加

ｎ型ドリフト層２のうちコンタクト領域５の下方において、ｐ型ベース領域３から離間するようにｎ^+型領域２ａを形成する。 - 特許庁

An IP type acquisition means 1c acquires the IP type of the called terminal 3 corresponding to the message from the IP type storage means 1a.例文帳に追加

ＩＰ種別取得手段１ｃは、メッセージに対応する着端末３のＩＰ種別をＩＰ種別記憶手段１ａから取得する。 - 特許庁

An n^+-type diffusion layer 5 which reaches the n^+-type semiconductor layer 2 is formed at the part of the p-type epitaxial layer 3 around the embedded electrode 4.例文帳に追加

埋め込み電極４の周囲のｐ型エピタキシャル層３の部位に、ｎ^＋半導体層２に達するｎ^＋拡散層５が形成されている。 - 特許庁

The nitride semiconductor element includes a nitride semiconductor laminate structure portion 2 having an n-type layer 3, a p-type layer 4, and an n-type layer 5.例文帳に追加

この窒化物半導体素子は、ｎ型層３、ｐ型層４およびｎ型層５を有する窒化物半導体積層構造部２を備えている。 - 特許庁

An i-type noncrystalline semiconductor film 4 and an n-type noncrystalline semiconductor film 5 are successively formed on the p-type noncrystalline semiconductor film 3 (c).例文帳に追加

ｐ型非晶質半導体膜３上にｉ型非晶質半導体膜４及びｎ型非晶質半導体膜５を順次形成する（ｃ）。 - 特許庁

The semiconductor device 10 has an n-type epitaxial layer 2 and a p type pillar region 3 provided alternately on an n+type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体装置１０は、ｎ＋型半導体基板１上にｎ−エピタキシャル層２とｐ型ピラー領域３とが交互に設けられている。 - 特許庁

A fitting hole 9 to which an engaging projection 5 of the male type joint plate 4 can be fitted is formed in a female type joint plate 7 of a female type joint part 3.例文帳に追加

雌型継手部３の雌型継手板７に、雄型継手板４の係合突起５が嵌合可能な嵌合孔９を形成する。 - 特許庁

The second p-type contact layer 16b has an Mg concentration in a range between 4×10^19/cm^3 and 9×10^19/cm^3, and is 10 to 60 nm in thickness.例文帳に追加

第２ｐ型コンタクト層１６ｂは、Ｍｇ濃度が４×１０^19〜９×１０^19／ｃｍ^3 で、厚さは１０〜６０ｎｍである。 - 特許庁

A measure-type wooden frame 3 encloses the first plate body 1, and the respective lower ends of the large number of through holes 2 are blocked with the bottom wall of the wooden frame 3.例文帳に追加

3は第１の板体1を納める枡形の木枠で、これの底壁によって多数の貫通穴2の各下端が塞がれている。 - 特許庁

A p-type InP buffer layer 2 containing low concentration Zn, and an undoped InP buffer layer 3 with a carrier concentration of 3×10^17 cm^-3 or less, are stacked on a p-type InP substrate 1 containing Zn.例文帳に追加

Znを含むｐ型InP基板１の上に、低濃度のZnを含むｐ型InPバッファ層２、キャリア濃度が３×１０^１７ｃｍ^−３以下となるアンドープInPバッファ層３を積層する。 - 特許庁

A rotary shaft 3 of the swash plate type compressor 60 serves also as a low speed side shaft of the wedge roller type transmission A.例文帳に追加

斜板式圧縮機６０の回転軸３は、くさびローラ式変速機Ａの低速側シャフトを兼ねている。 - 特許庁

A second trench 8 is formed to be in contact with the n^+-type source region 7, and reach the n^--type drift layer 3.例文帳に追加

第２トレンチ８は、ｎ^+型ソース領域７に接し、ｎ^-型ドリフト層３に達するように設けられている。 - 特許庁

The n^+ type semiconductor region NVk is extended to a deeper position than the trench type isolation regions 3.例文帳に追加

このｎ^＋型の半導体領域ＮＶｋは、溝型の分離部３よりも深い位置まで延在されている。 - 特許庁

The flat type shield harness 1 is equipped with a flat type harness 3, an ALS 2, a metal plate 9, and an electric wire 8.例文帳に追加

平型シールドハーネス１は平型ハーネス３とＡＬＳ２と金属板９と電線８とを備えている。 - 特許庁

In the lateral junction type field effect transistor, an n-type epitaxial layer 4 and a gate region 5 are formed successively on a p^--epitaxial layer 3.例文帳に追加

ｐ^-エピタキシャル層３上に、ｎ型エピタキシャル層４とゲート領域５とが順に形成されている。 - 特許庁

A P^---type impurity layer 12 is provided under N^--type impurity layers 2 and 3 which become a drain of the MOSFET.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴのドレインとなるＮ^−型不純物層２、３の下に、Ｐ^−−型不純物層１２を設ける。 - 特許庁

The n-type buffer layer 3 and the n-type guide layer 5 are arranged so as to interpose the quantum cascade active layer 4.例文帳に追加

ｎ型バッファ層３およびｎ型ガイド層５は、量子カスケード活性層４を挟むように配置される。 - 特許庁

In order to feed the fuel to a cylinder 2, a solenoid type injector 6 is provided together with a piezo type injector 3.例文帳に追加

気筒２に燃料を供給するためにピエゾ式インジェクタ３と共にソレノイド式インジェクタ６を設ける。 - 特許庁

The storage part 13 has a region Da for storage by type for storing the alarm information from the sensor 3 by type.例文帳に追加

記憶部１３は、センサ２の発報情報を種類ごとに格納する種類別記憶領域Ｄａを有する。 - 特許庁

Article 19-3 (1) Type 1 energy managers and Type 2 energy managers shall perform their duties in good faith. 例文帳に追加

第十九条の三　エネルギー管理者及びエネルギー管理員は、その職務を誠実に行わなければならない。 - 日本法令外国語訳データベースシステム

The projection type display device comprises an illuminating optical system 1, a reflection type light valve 2, and a projection optical system 3.例文帳に追加

投写型表示装置は、照明光学系１と、反射型ライトバルブ２と、投写光学系３とを備えている。 - 特許庁

Therefore, β type nickel hydroxide contained in the positive electrode 3 can be changed to β type nickel oxyhydroxide.例文帳に追加

これにより、正極３に含有されるβ型水酸化ニッケルをβ型オキシ水酸化ニッケルすることができる。 - 特許庁

A diode 1 has a semiconductor substrate 2, a n^--type semiconductor layer 3 and a p^+-type semiconductor region 4.例文帳に追加

ダイオード１は、半導体基板２と、ｎ^−型半導体層３と、Ｐ^＋型半導体領域４とを備えている。 - 特許庁

The above-ground station employs a variety of platform types (single type and island type) serving three tracks with facilities that allow trains running in opposite directions to pass each other. 例文帳に追加

単式・島式の複合型2面3線のプラットホームを持つ、行違い設備を備えた地上駅である。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Furthermore, a p-electrode 3 is formed on the p-type layer 2a, and an n-electrode 4 is formed on the n-type layer 2b.例文帳に追加

ｐ型層２ａ上にｐ電極３が形成され、ｎ型層２ａ上にｎ電極４が形成される。 - 特許庁