「type 3」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

The p-type silicon nitride film 3 includes a plurality of quantum dots 31 made of p-type Si.例文帳に追加

ｐ型シリコン窒化膜３は、ｐ型Ｓｉからなる複数の量子ドット３１を含む。 - 特許庁

The flat-type shield harness 1 has a flat-type harness 3, ALS 2 and a metal piece 9.例文帳に追加

平型シールドハーネス１は平型ハーネス３とＡＬＳ２と金属片９とを備えている。 - 特許庁

On a P-type semiconductor substrate 1, a multi-layered N-type epitaxial layer 3 etc., is formed.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１上に多層からなるＮ型エピタキシャル層３等を形成する。 - 特許庁

Moreover, the slave terminals B-1 to B-3 are clock type devices.例文帳に追加

また、各子端末Ｂ−１〜Ｂ−３は腕時計型である。 - 特許庁

The reflection type liquid crystal panel 5 is irradiated with a front light 3.例文帳に追加

フロントライト３は、反射型液晶パネル５を照射する。 - 特許庁

Further, the p^+-type isolation layer 11 is in contact with the channel stopper 3.例文帳に追加

また、ｐ^+型分離層１１は、チャネルストッパー３に接する。 - 特許庁

A p-type well 3 is formed on the upper layer of a silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板１上層にｐ型ウェル３を形成する。 - 特許庁

A spring (4) is mounted at handles (3) of the nipper type nail clippers.例文帳に追加

ニッパー式爪切りのハンドル部（３）にバネ（４）を装着する。 - 特許庁

3. Type of Listed Commodity or Listed Commodity Index 例文帳に追加

三　上場商品又は上場商品指数の種類 - 日本法令外国語訳データベースシステム

A machine body 3 is mounted on an endless track type runner 2.例文帳に追加

無限軌道式走行体２上に機体３を設置する。 - 特許庁

(3) Number of Losses by Business Line and Event Type 例文帳に追加

（３）業務区分、損失事象の種類別の損失件数 - 金融庁

IV-3 Appropriateness of Business Operations (Type I Financial Instruments Business) 例文帳に追加

Ⅳ－３ 業務の適切性（第一種金融商品取引業） - 金融庁

Their specifications were the same with those of Roha 1 type and the capacity was 44 persons for the third class seats. 例文帳に追加

ロハ1形と同一仕様で定員は3等が44名。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Its specifications were the same with those of Roha 1 type and the capacity was 48 persons for the third class seats. 例文帳に追加

ロハ1形と同一仕様で定員は3等が48名。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The display device 50 is equipped with a sheet type base member 3.例文帳に追加

表示装置５０は、シート状のベース部材３を備える。 - 特許庁

The transfer part 13 transfers the font type data determined to be transferred for the font type using device 3 by the determination part 12 to each font type using device 3.例文帳に追加

転送部１３は、決定部１２で書体利用装置３ごとに転送すると決定した書体データを各書体利用装置３に対して転送する。 - 特許庁

The projection-type 3-D video display can realize a 3-D video by having the video shift member.例文帳に追加

これにより、投射型の３次元映像ディスプレイ装置は、映像シフト部材を備える。 - 特許庁

Click on the Methods drop-down list to select GET(application/xml).Type 3 in the Max field. 例文帳に追加

メソッドのドロップダウンリストをクリックし、「GET(application/xml)」を選択します。 「最大」フィールドに「3」を入力します。 - NetBeans

The wood type golf club head internally has a hollow section and has a head volume of ≥320 cm^3.例文帳に追加

内部に中空部を有するヘッド体積が３２０cm^3 以上のウッド型ゴルフクラブヘッドである。 - 特許庁

A plurality of the divided contents are edited and registered in a parts library type contents database 3.例文帳に追加

分割されたパーツを複数編纂してパーツライブラリ型のコンテンツデータベース3に登録する。 - 特許庁

Fig. 2-1-14 [3] Awareness of community resources and variations in value added over the past five years (Production Region Technology Type)例文帳に追加

第2-1-14図〔3〕地域資源の認識と、過去5年間の付加価値の変化（産地技術型） - 経済産業省

Fig. 2-1-19 [3] Cause for the creation of new services and/or programs utilizing community resources (Tourism Type)例文帳に追加

第2-1-19図〔3〕地域資源を活用した、新サービス・プログラム創出のきっかけ（観光型） - 経済産業省

The dopant of a p-type clad layer and a p-type active layer is Ge, with its carrier concentration in the range of 8×1017 to 12×1017 cm-3, the thickness of the p-type active layer is set to 0.5 to 1.2 μm, and the oxygen concentration is set less than 3×1016 cm-3.例文帳に追加

ｐ型クラッド層およびｐ型活性層のドーパントをＧｅとし、そのキャリヤ濃度を８×１０^17ｃｍ^-3以上１２×１０^17ｃｍ^-3未満、ｐ型活性層の層厚を０．５μｍ以上１．２μｍ以下で酸素濃度を３×１０^16ｃｍ^-3未満とする。 - 特許庁

A GaN buffer layer 2, an n-type GaN layer 3, an n-type AlGaInN cladding layer 4, a GaN active layer 5, a p-type AlGaInN cladding layer 6, and a p-type GaN layer 7 are sequentially deposited on a sapphire substrate 1 in this order.例文帳に追加

サファイア基板１上にGaNバッファ層２、n-GaN層３、n-AlGaInNクラッド層４、GaN活性層５、p-AlGaInNクラッド層６、p-GaN層７を順次堆積する。 - 特許庁

An n+-type source layer 4 is formed on the surface of the p-type well layer 2, and an n+-type drain layer 6 is formed on the surface of the n-type drift layer 3.例文帳に追加

ｐ型ウエル層２の表面にｎ^+ 型ソース層４が形成され、ｎ型ドリフト層３の表面にｎ^+ 型ドレイン層６が形成される。 - 特許庁

An n-type buffer layer 2, an n^--type drift layer 3, and a p-type base layer 5 are laminated on an n^+-type 4H-SiC substrate 1 in this order.例文帳に追加

ｎ^+型４Ｈ−ＳｉＣ基板１の上に、ｎ型バッファー層２と、ｎ^-型ドリフト層３と、ｐ型ベース層５とが、この順に積層されている。 - 特許庁

The N^--type drift layer 2, the P^+-type layer 3, the N^+-type layer 5, and the N^--type channel layer 8 are formed in self- aligning manner by this manufacture.例文帳に追加

このような製法によれば、Ｎ^-型ドリフト層２、Ｐ^+型層３およびＮ^+型層５とＮ^-型チャネル層８とが自己整合的に形成される。 - 特許庁

The semiconductor device has n-type and p-type polysilicons 2, 3 adjacent to each other and has a silicide layer 4 so formed as to be extended from the n-type polysilicon 2 to the p-type polysilicon 3.例文帳に追加

相互に隣接されたｎ型及びｐ型のポリシリコン２，３と、ｎ型ポリシリコン２上からｐ型ポリシリコン３上に亘って延在するように形成されたシリサイド層４を備える。 - 特許庁

An N type GaN layer 2 and a P type GaN layer 3 are laminated, and these N type GaN layer 2 and P type GaN layer 3 are processed to have a trapezoidal shape thus forming a mesa 4.例文帳に追加

Ｎ型ＧａＮ層２、Ｐ型ＧａＮ層３が積層され、これらＮ型ＧａＮ層２およびＰ型ＧａＮ層３が台状に加工されてメサ部４が形成されている。 - 特許庁

In the p-type base layer 3, an n-type emitter layer 4 is formed and in a region on the surface of the n-type base layer 1, which is different from the p-type base layer 3, a trench groove 8 is formed.例文帳に追加

そして、ｐ型ベース層３内にはｎ型エミッタ層４が形成され、また、ｎ型ベース層１の表面でｐ型ベース層３と異なる領域にはトレンチ溝８が形成されている。 - 特許庁

The wood type golf club head 1 is provided with a face part 3 and has a hollow structure where a head cube ranges 420 to 460 cm^3.例文帳に追加

フェース部３を具え、かつ、ヘッド体積が４２０〜４６０cm^3 の中空構造のウッド型ゴルフクラブヘッド１である。 - 特許庁

Table 5.7 explains the scope and scope 3 category where each type of transportation and distribution activity should be accounted for. 例文帳に追加

表5.7 は、どの種類の輸送・流通活動がスコープ3 とスコープ3 のカテゴリ1に計上されるべきかを示している。 - 経済産業省

On a sapphire substrate 1, an undoped GaN buffer layer 2, n-type GaN layer 3, and p-type GaN layer 4 are formed in order, part of the region from the p-type GaN layer 4 to n-type GaN layer 3 is removed, and the n-type GaN layer 3 is exposed.例文帳に追加

サファイア基板１上にアンドープのＧａＮバッファ層２、ｎ型ＧａＮ層３およびｐ型ＧａＮ層４を順に形成し、ｐ型ＧａＮ層４からｎ型ＧａＮ層３までの一部領域を除去し、ｎ型ＧａＮ層３を露出させる。 - 特許庁

As MIC's Labor Force Survey publishes data on the population in each type of employment broken down by age group, it is possible to analyze the population changes shown in Fig. 3-3-29 focusing on age (Fig. 3-3- 30).例文帳に追加

総務省「労働力調査」では、従業上の地位ごとの人口を年齢階級別に公表している為、第3-3-29図で見た人口の推移を年齢に着目して分解することが可能である（第3-3-30図）。 - 経済産業省

A p-type buried layer 3' is provided in an n-type buried layer 2 provided on a p-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ｐ型の半導体基板１に設けられたｎ型埋め込み層２には、ｐ型埋め込み層３´が設けられている。 - 特許庁

A first n type conductive area 2 and a second n type conductive area 3 are formed on a p type semiconductor substrate 100.例文帳に追加

Ｐ型の半導体基板１００に第１Ｎ型導電領域２、第２Ｎ型導電領域３を形成する。 - 特許庁

Thus areas of the p-type active layers 2a between the p-type electrode 3 and the n-type electrodes 4 become light- emitting regions 6.例文帳に追加

ｐ電極３とｎ電極４との間におけるｐ型活性層２ａの領域が発光領域６になる。 - 特許庁

Subsequently, the surface side of the N-type substrate 10 is planarized (FIG.2(d)) to make the P type epitaxial layer 12 be a P type layer 3.例文帳に追加

この後、Ｎ型基板１０の表面側を平坦化し（図２（ｄ））、Ｐ型エピタキシャル層１２をＰ型層３とする。 - 特許庁

For the photocatalyst 3, the one of mixture between an anatase type and a rutile type of TiO2 (titanium oxide) and different in crystal type is used.例文帳に追加

光触媒３は、ＴｉＯ_2（酸化チタン）で結晶型の異なるアナターゼ型とルチル型の混合のものを用いている。 - 特許庁

An N-type diffusion layer 9 and a P-type diffusion layer 11 are formed away from the N-type well 3 and having a space between each other on the P-type semiconductor substrate 1 at a position surrounded by the N-type well 3.例文帳に追加

Ｎ型拡散層３で囲まれた位置のＰ型半導体基板１に、Ｎ型拡散層３とは間隔をもって、かつ互いに間隔をもって、Ｎ型拡散層９及びＰ型拡散層１１が形成されている。 - 特許庁

Two boundary lines between the n-type polycrystalline Si 5a and p-type polycrystalline Si 5b are on the n-type CCD channel area 3 adjacent to the boundary between the n-type CCD channel area 3 and p+-type channel stop area 4.例文帳に追加

ｎ型多結晶Ｓｉ５ａとｐ型多結晶Ｓｉ５ｂとの境界線は２個所ともｎＣＣＤチャネル領域３とｐ^+型チャネル阻止領域４との境界近傍のｎ型ＣＣＤチャネル領域３上にある。 - 特許庁

The nitride semiconductor laminated structure section 2 is provided with an n-type layer 3, a p-type GaN layer 4 laminated and formed on the n-type layer 3, and an n^+type GaN layer 5 laminated and formed on the p-type GaN layer 4.例文帳に追加

窒化物半導体積層構造部２は、ｎ型層３と、ｎ型層３上に積層形成されたｐ型ＧａＮ層４と、ｐ型ＧａＮ層４上に積層形成されたｎ^＋型ＧａＮ層５とを備えている。 - 特許庁

Thus, the n type buffer layer 3 is spatially separated from an SJ structure 4, and the concentration of the n type impurity at a connection part 14 between the n type buffer layer 3 and the n type pillar region 5 is made lower than the concentration of the n type impurity in the n type buffer layer 3 and the n type pillar region 5.例文帳に追加

これにより、ｎ型バッファー層３とＳＪ構造４とが空間的に分離され、ｎ型バッファー層３とｎ型ピラー領域５との間の接続部１４におけるｎ型不純物の濃度が、ｎ型バッファー層３及びｎ型ピラー領域５におけるｎ型不純物の濃度よりも低くなる。 - 特許庁

An extended drain region 2 formed of n-type impurity and a source region 3, formed of n-type impurity in a concentration of about 3×10^15 to 1×10^16cm^-3 having the depth of about 3 to 5 μm, are formed on a p-type silicon substrate 1.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板１に、約３〜５μｍ程度の深さを有する約３×１０^15〜１×１０^16ｃｍ^-3の濃度のｎ型不純物からなる延長ドレイン領域２及び、ｎ型不純物からなるソース領域３を形成する。 - 特許庁

The assembled plug type connector 2 is then coupled to a base connector 3.例文帳に追加

組み立てられたプラグ型コネクタ２をベースコネクタ３に連結する。 - 特許庁