「yn」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

The synthetic hydrogel has a complementary nucleic acid base pair, which comprises two kinds of water soluble polymers [X(xn), Y(yn)] wherein a plurality of nucleic acid oligomers (x, y) capable of mutually forming a base pair are bonded in one molecule, as a crosslinking point.例文帳に追加

それぞれ互いに塩基対を形成し得る核酸オリゴマー（ｘ、ｙ）を、それぞれ１分子内に複数個結合している２種類の水溶性高分子（Ｘ(ｘn)、Ｙ(ｙn)）から成る相補的核酸塩基対を架橋点とする合成ハイドロゲルによって上記課題が解決される。 - 特許庁

A tread half part is virtually divided into three parts of crown area Yi of the tire equator side, a shoulder area Yo of the tread end side, and a middle area Yn between them.例文帳に追加

少なくともクラウン領域Ｙｉに配されるブロックＢは、トレッド面２Ｓをなす１００％モジュラス（Ｍ100c）のキャップゴム層Ｇｃと、その内側に設けられる１００％モジュラス（Ｍ100 ｍ）の中間ゴム層Ｇｍと、そのさらに内側に設けられる１００％モジュラス（Ｍ100 ｂ）のべースゴム層Ｇｂとからなる三層ゴムブロック１０からなる。 - 特許庁

Extending over the entire surface of the upper surface of a substrate 11A made of sapphire, which has a projected part 11a having a width of about 10 μm in a side direction on the upper surface, a first semiconductor layer 12A composed of Al_yGa_1-yN and a second semiconductor layer 13 composed of In_xGa_1-xN are sequentially grown by a MOVPE method.例文帳に追加

ＭＯＶＰＥ法を用いて上面に側面方向の幅が１０μｍ程度の凸部１１ａを有するサファイアよりなる基板１１Ａの上面に全面にわたって、Ａｌ_y Ｇａ_1-y Ｎよりなる第１の半導体層１２Ａと、Ｉｎ_x Ｇａ_1-x Ｎよりなる第２の半導体層１３とを順次成長させる。 - 特許庁

Using a variable distribution ratio αn, the amount of order Xn is distributed to the suppliers B and C, and the distributed ordered amount is distributed proportional to the lead times t1 and t2 from the order process An at the same time to calculate planned supply amounts Yn and Zn supplied from the supply processes Bn and Cn.例文帳に追加

変更可能な分配比αｎを用いて各発注量Ｘｎを供給元Ｂ，Ｃに分配し、この分配された発注量を同時刻の発注工程Ａｎからのリードタイムｔ１，ｔ２により比例配分して各供給工程Ｂｎ，Ｃｎの供給計画量Ｙｎ，Ｚｎを計算する。 - 特許庁

To provide a method for growing a high quality gallium nitride semiconductor having composition of InxGayal1-x-yN(0<x≤1, 0≤y≤1) over a long term using a carrier gas having high mixing ratio of nitrogen by reducing contamination of organic metal compound due to nitrogen gas carrier having lower purity than hydrogen.例文帳に追加

高い窒素混合率のキャリアガスによる成長において、水素に比較して純度の悪い窒素キャリアガスによる有機金属化合物の汚染を低減し、高品質のＩｎ_xＧａ_yＡｌ_1-x-yＮ（０＜ｘ≦１、０≦ｙ≦１）よりなる窒化ガリウム系化合物半導体の成長を長期に渡って可能な製造方法の提供を目的とする。 - 特許庁

The nitride semiconductor field-effect transistor has at its gate a channel comprising a double heterostructure which has an Al_xGa_1-xN layer, a GaN layer, and an Al_yGa_1-yN layer laminated in order in a +c direction of crystal orientation and is depleted by setting (x) and (y) in a relation of x≥y.例文帳に追加

結晶方位の＋ｃ方向にＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ層、ＧａＮ層、Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙＮ層の順に積層されており、ｘ≧ｙにすることにより空乏化しているダブルヘテロ構造からなるチャンネルをゲート部に有することを特徴とする窒化物半導体電界効果トランジスタによって解決される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor substrate, which will not have bending caused by thermal stress during cooling and crack generated thereby, after growing a group III nitride compound semiconductor such as AL_xGa_yIn_1-x-yN (wherein 0≤x≤1, 0≤y≤1, and 0≤x+y≤1) on a substrate such as sapphire.例文帳に追加

Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_１−ｘ−ｙＮ（ただし、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）等のIII族窒化物系化合物半導体をサファイア等の基板上に成長させた後、冷却時の熱応力に起因するたわみや、これによって生じる亀裂のない半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

Since the impurity diffusion prevention layer 8 composed of In_yGa_1-yN is formed in proximity to the active layer 5; p-type impurities existing in the p-type clad layer 10, the p-type second guide layer 9, etc. can be accumulated in the impurity diffusion prevention layer 8, thereby preventing the diffusion of the p-type impurities into the active layer 5.例文帳に追加

活性層５に近接してＩｎ_yＧａ_1-yＮからなる不純物拡散防止層８を設けるため、ｐ型クラッド層１０やｐ型第２ガイド層９などの内部に存在するｐ型不純物を不純物拡散防止層８に蓄積でき、ｐ型不純物が活性層５に拡散しなくなる。 - 特許庁

The quality of a signal inputted to a signal synthesizing part 6 as a control algorithm of a switching cotrol section 9 is monitored, and when the signal quality falls below a certain reference, the input of the signal whose quality falls most is disconnected, and a detection device is used to sequentially switch the antennas in an antenna switching part 4, a proper antenna yn is searched.例文帳に追加

切替制御部９の制御アルゴリズムとして、信号合成部６に入力されている信号の品質を監視し、信号品質がある基準以下に低下した場合に、最も品質が低下した信号の入力を切り、その検波装置を用いてアンテナ切替部４でアンテナを順次切替え、適切なアンテナｙｎを探索する。 - 特許庁

The electrooptical device has: a correcting circuit 7 which corrects the display unvenness of a display part 1 due to crosstalk between scanning lines Y1 to Yn and data lines X1 to Xm; and a mode selecting circuit 8 which selects a 1st mode wherein the display unevenness is corrected or a 2nd mode whose correction level is lower than that of the 1st mode by controlling the correcting circuit 7.例文帳に追加

走査線Ｙ１〜Ｙｎとデータ線Ｘ１〜Ｘｍとの間のクロストークに起因した表示部１の表示ムラを補正する補正回路７と、補正回路７を制御することにより、表示ムラの補正を行う第１のモード、または、第１のモードよりも補正のレベルが低い第２のモードを選択するモード選択回路８とを有する。 - 特許庁

This element includes an n type MgxZn1-xO clad layer 5, an InyGa1-yN active layer 11 formed thereupon, a p type MgzZn1-zO clad layer 15 formed thereupon, a 1st electrode 23 which electrically forms a contact for the clad layer 5, and a 2nd electrode 25 which electrically forms a contact for the clad layer 15.例文帳に追加

ｎ型Ｍｇ_xＺｎ_1-xＯクラッド層５と、その上に形成されたＩｎ_yＧａ_1-yＮ活性層１１と、その上に形成されたｐ型Ｍｇ_zＺｎ_1-zＯクラッド層１５と、ｎ型Ｍｇ_xＺｎ_1-xＯクラッド層５に対して電気的にコンタクトを形成する第１の電極２３と、ｐ型Ｍｇ_zＺｎ_1-zＯクラッド層１５に対して電気的にコンタクトを形成する第２の電極２５とを含む。 - 特許庁

Before writing data signals VD1 to VDm to pixels 20 which are connected to scanning lines selected every time a scanning line driving circuit 13 selects one of the scanning lines Y1 to Yn, the voltage supply circuit 16 supplies a control voltage Vp having a polarity opposite to that of the data signals VD1 to VDm to each of the data lines X1 to Xm.例文帳に追加

そして、電圧供給回路１６は、走査線駆動回路１３が走査線Ｙ１〜Ｙｎの１本を選択する毎であってその選択された走査線に接続した画素２０にデータ信号ＶＤ１〜ＶＤｍを書き込む前に、該データ信号ＶＤ１〜ＶＤｍの極性と反転した極性を有する制御電圧Ｖｐを各データ線Ｘ１〜Ｘｍに供給する。 - 特許庁

The group III nitride-based compound semiconductor is AlN, GaN or the like and expressed by general formula: Al_xGa_yIn_1-x-yN (wherein, 0≤x≤1, 0≤y≤1, and 0≤x+y≤1) and is used as a light-emitting element of an LED or the like.例文帳に追加

また、ＡｌＮ、ＧａＮ等一般式Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１, ０≦ｙ≦１, ０≦ｘ＋ｙ≦１）で表されかつＬＥＤの発光素子等として用いられるIII族窒化物系化合物半導体は、サファイア結晶の同一面内における格子定数のバラツキの分布が０．００２Å以内であるサファイア単結晶基板上に積層させて得られることを特徴とする。 - 特許庁

At the time of the normal light observation, the output signals of the CDS circuit 32 are inputted through the selector 35 to an integration circuit 36 for performing integration and turned to light control reference signals <Yn>.例文帳に追加

通常光観察時にはこのＣＤＳ回路３２の出力信号がセレクタ３５を経て積分する積分回路３６に入力され、調光基準信号＜Ｙｎ＞となり、狭帯域光観察モード時には、Ｙ／Ｃ分離等された後、第２マトリクス回路３９から出力される短波長の色信号成分が強調された状態の輝度信号Ｙがセレクタ３５を経て積分回路３６に入力され、調光基準信号＜Ｙｎｂｉ＞となる。 - 特許庁