「yn」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

MEDICINAL COMPOSITION COMPRISING CARRIER PROPER IN TERMS OF PHARMACEUTICAL PREPARATION AND COMPOUND HAVING STRUCTURE OF (7α,17α)-17-HYDROXY-7-METHYL-19-NOR-17- PREGN-5(10)-EN-20-YN-3-ONE例文帳に追加

調剤上適切なキャリアと構造（７α，１７α）−１７−ヒドロキシ−７−メチル−１９−ノル−１７−プレグン−５（１０）−エン−２０−イン−３−オンを有する化合物とを含む薬用組成物 - 特許庁

A phosphor is added on an AlxByGa1-x-yN semiconductor layer which is injected with electron and positive holes, so that the phosphor emits light.例文帳に追加

本発明は、Ａｌ_xＢ_yＧａ_1-x-yＮ半導体層に蛍光体を添加し、前記Ａｌ_xＢ_yＧａ_1-x-yＮ半導体層に電子と正孔を注入し、前記蛍光体を発光させることを特徴とする発光素子に関する。 - 特許庁

To further process output signals y_1, yN, etc., separated by a frequency range blind sound source separating method to which independent component analysis (ICA) is applied and to suppress noise based upon their reverberation components.例文帳に追加

独立成分分析（ＩＣＡ）を適用する周波数領域ブラインド音源分離法により分離した出力信号ｙ_1 ，…，ｙ_N を更に処理して、その残響成分に基づく雑音を抑圧する。 - 特許庁

In a head sub-field SF1, a voltage LP using row electrodes Y1-Yn as an anode side and using column electrodes D as a cathode side is applied across both side electrodes immediately after an addressing process, and thereby a micro light-emitting process LL which makes micro light-emitting discharge occur between the row electrodes Y1-Yn and column electrodes D in a display cell in the lighting mode is performed.例文帳に追加

先頭のサブフィールドＳＦ１では、アドレス行程の直後に、一方の行電極Ｙ１〜Ｙｎを陽極側とし且つ列電極Ｄを陰極側とした電圧ＬＰを両電極間に印加することにより、点灯モードの状態にある表示セル内の一方の行電極Ｙ１〜Ｙｎ及び列電極Ｄ間で微小発光放電を生起させる微小発光行程ＬＬを実行する。 - 特許庁

To provide a laser device of end surface emitting type comprising a nitride semiconductor (for example, In_xAl_yGa1-x-yN, x≥0, y≥0, x+y≤1) of which a laser oscillation threshold value is small and the productivity is high.例文帳に追加

本発明はレーザ発振閾値が小さく、かつ生産性の高い窒化物半導体（たとえばＩｎ_xＡｌ_yＧａ_1-x-yＮ、ｘ≧０、ｙ≧０、ｘ＋ｙ≦１）からなる端面発光型のレーザ素子を提供することを目的とする。 - 特許庁

A layer containing Al in the nitride semiconductor or containing Al_xGa_yIn_1-x-yN (0≤x, 0≤y, x+y≤1) is employed as the etching stop layer, while etching is effected by etching gas containing at least oxygen and chlorine.例文帳に追加

窒化物半導体においてＡｌを含む層、すなわちＡｌ_xＧａ_yＩｎ__1-x-yＮ（０≦ｘ、０≦ｙ、ｘ＋ｙ≦１）をエッチングストップ層として用い、かつ少なくとも酸素と塩素とを含むエッチングガスによりエッチングを行う。 - 特許庁

Deviation amounts of the positions of receivers 211-21n are measured by compasses 341-34n, and based on the deviation amounts a coordinate calculation circuit 35 calculates coordinates (x1, y1)-(xn, yn) of the receivers 211-21n.例文帳に追加

コンパス３４１〜３４ｎが受波器２１１〜２１ｎの位置の偏移量を計測し、その偏移量に基づき座標算出回路３５が受波器２１１〜２１ｎの座標（ｘ１，ｙ１）〜（ｘｎ，ｙｎ）を算出する。 - 特許庁

The surface of the electron supply layer 110 on the gate electrode side is covered with a cap layer 112 composed of Al_yGa_1-yN (y>x), and the gate electrode 108 is formed on the cap layer 112.例文帳に追加

そして、電子供給層１１０の、ゲート電極の位置する側の表面が、Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙＮ（ただし、ｙ＞ｘ）からなるキャップ層１１２にて覆われてなり、該キャップ層１１２上にゲート電極１０８が形成される。 - 特許庁

The first switching element transmits data currents from the data lines Y1 to Yn in response to first scan signal from the selection signal lines and a capacitor is charged with a voltage corresponding to a data current from the first switching element.例文帳に追加

第１スイッチング素子は選択信号線からの第１走査信号に応答してデータ線Ｙ１〜Ｙｎからのデータ電流を伝達し、キャパシターは第１スイッチング素子からのデータ電流に対応する電圧を充電する。 - 特許庁

Then the exposure start timing is varied and the exposure start timing Tn of exposure time Yn set when D=D' is defined is recorded in the memory as the shutter timing correction value to the time Y3 of a prescribed high speed shutter action.例文帳に追加

そして、露光開始タイミングを変化させていき、Ｄ＝Ｄ´となった露光時間Ｙｎの露光開始タイミングＴｎが、所定の高速シャッタ動作の露光時間Ｙ３に対するシャッタタイミング補正値としてメモリに記録される。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor substrate such as GaN, Al_xGa_1-xN (0<x<1) or In_yGa_1-yN (0<y<1) having a high heat conductivity and to provide a method for manufacturing the compound semiconductor substrate.例文帳に追加

高い熱伝導率を有するＧａＮ、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）、又はＩｎｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１）等の化合物半導体基板及び化合物半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

A p-type InGaAlN layer 2, an InGaAlN active layer 3 and an n-type InGaAlN layer 4, of which composition is expressed by (Al_xGa_1-x)_yIn_1-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1), are formed on a sapphire substrate 1.例文帳に追加

サファイア基板１上に、組成が（Ａｌ_x Ｇａ_1-x ）_y Ｉｎ_1-y Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）で表されるｐ型ＩｎＧａＡｌＮ層２，ＩｎＧａＡｌＮ活性層３及びｎ型ＩｎＧａＡｌＮ層４を形成する。 - 特許庁

A p-type InGaAlN layer 2, an InGaAlN active layer 3 and an n-type InGaAlN layer 4, in which composition is represented by (Al_xGa_1-x)_yIn_1-yN(0≤x≤1 and 0≤y≤1), are formed on a sapphire substrate 1.例文帳に追加

サファイア基板１上に、組成が（Ａｌ_x Ｇａ_1-x ）_y Ｉｎ_1-y Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）で表されるｐ型ＩｎＧａＡｌＮ層２，ＩｎＧａＡｌＮ活性層３及びｎ型ＩｎＧａＡｌＮ層４を形成する。 - 特許庁

An optical power meter outputs the intensity of light having prescribed wavelengths and irradiating a photodetector, and the photodetector is equipped with a semiconductor photodetection region formed of In_xAl_yGa_1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1).例文帳に追加

受光素子に照射された所定の波長の光の強度を出力する光パワーメータであって、前記受光素子がＩｎ_xＡｌ_yＧａ_1-x-yＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）からなる半導体受光領域を備えて構成される。 - 特許庁

To provide an electronic device having the ohmic electrode of Al_xGa_1-xN (0<x≤1)/Al_yGa_1-yN (0<y≤1) heterojunction without the need for an ion implantation process by allowing annealing at a high temperature and in a short period of time in a manufacturing process.例文帳に追加

製造工程において高温で短時間のアニールを可能にすることにより、イオン注入の工程が不要なＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ／Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙＮヘテロ接合のオーミック電極を備える電子デバイスを提供する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor element with less dispersion in characteristics, while especially the characteristics of a formed semiconductor are improved, related to a nitride semiconductor element (InxAlyGa1-x-yN, 0≤x, 0≤y, x+y≤1).例文帳に追加

本発明は窒化物半導体素子（Ｉｎ_xＡｌ_yＧａ_1-x-yＮ、０≦ｘ、０≦ｙ、ｘ＋ｙ≦１）に係わり、特に形成された半導体特性を向上させつつ、特性バラツキの少ない窒化物半導体素子を提供することにある。 - 特許庁

A portion of an AlGaN spacer layer 105 adjacent to the AlGaN electron donor layer 110 is assumed to be an Al_yGa_1-yN layer 105b having the same AlN mixed crystal ratio (y) as that of the AlGaN electron donor layer 110.例文帳に追加

また、ＡｌＧａＮスペーサ層１０５がＡｌＧａＮ電子供給層１１０と隣接する部分は、ＡｌＧａＮ電子供給層１１０と同じＡｌＮ混晶比ｙを有するＡｌ_ｙＧａ_１−ｙＮ層１０５ｂとされる。 - 特許庁

When the number of display screen data (Xn, Yn and Colorn) reported from an application software execution environment exceeds a threshold, these reported display screen data are developed on a RAM and an area updated from the last display screen is recognized by a plotting task.例文帳に追加

描画タスクは、アプリケーションソフト実行環境から通知された表示画面データ（Ｘｎ，Ｙｎ，Ｃｏｌｏｒｎ）の数が閾値を越えると、それた通知された表示画面データをＲＡＭ上に展開して前回の表示画面からの更新領域を認識する。 - 特許庁

An inverter output terminal Vout is extracted from a connecting point between the MP3 and the MN4, a PMOS output terminal YP is extracted from a connecting point between the MP1 and the MN3, and an NMOS output terminal YN is extracted from a connecting point between the MN4 and the MN2.例文帳に追加

ＭＰ３とＭＮ４の接続点からインバーター出力端子Ｖｏｕｔを、ＭＰ１とＭＰ３の接続点からＰＭＯＳ出力端子ＹＰを、ＭＮ４とＭＮ２の接続点からＮＭＯＳ出力端子ＹＮを引き出す。 - 特許庁

A control means 20 reads out from the storage means 21 the inclination angle data θx and θy corresponding to the positional data Xn and Yn outputted from the computational means 19 and outputs the inclination angle data θx and θy.例文帳に追加

制御手段２０は、演算手段１９から出力された前記位置データＸｎ，Ｙｎに対応する傾斜角度データθｘ，θｙを記憶手段２１から読出して、傾斜角度データθｘ，θｙを出力する。 - 特許庁

A pixel circuit 200 is arranged corresponding to crossing of a data line Xm and a scanning line Yn with electric wires, and the pixel circuit 200 includes an element L to be driven, and the driving transistor Tr1 for controlling a current amount supplied thereto.例文帳に追加

データ線Ｘｍと走査線Ｙｎ及び電源線Ｌとの交差に対応して、画素回路２００が配置され、画素回路２００は、被駆動素子Ｌと、これに供給する電流量を制御する駆動トランジスタＴｒ１を含んでいる。 - 特許庁

Pixel circuits 20 are arranged corresponding to the intersections of scanning lines Yn and data lines Xm, respectively corresponding scanning lines are selected and a data signal or a reset control signal is supplied through respectively corresponding data lines.例文帳に追加

画素回路２０は、走査線Ｙｎと各データ線Ｘｍとの交差部に対応して配置され、それぞれ対応する走査線が選択されてデータ信号又はリセット制御信号がそれぞれ対応するデータ線を介して供給される。 - 特許庁

In the semiconductor light-emitting element, a composite buffer layer 12, formed by alternately laminating a plurality of Al_xB_yGa_1-x-yN first layers 12A and a plurality of Al_aB_bGa_i-a-bN second layers 12b upon another is provided on a low-resistance silicon substrate 11.例文帳に追加

低抵抗のシリコンから成る基板１１の上にＡｌ_xＢ_xＧａ_1-x-yＮから成る第１の層１２ａとＡｌ_aＢ_bＧａ_i-a-bＮから成る第２の層１２ｂとを交互に複数積層した複合層構造のバッファ層１２を設ける。 - 特許庁

In the semiconductor light emitting element, a composite laminated buffer layer 12, formed by alternately laminating a plurality of Al_xIn_yGa_1-x-yN first layers 12a and a plurality of Al_aIn_bGa_i-a-bN second layers 12b upon another, is provided on a low-resistance silicon substrate 11.例文帳に追加

低抵抗のシリコンから成る基板１１の上にＡｌ_xＩｎ_xＧａ_1-x-yＮから成る第１の層１２ａとＡｌ_aＩｎ_bＧａ_i-a-bＮから成る第２の層１２ｂとを交互に複数積層した複合層構造のバッファ層１２を設ける。 - 特許庁

A difference Δ1 between the lattice constant d (13) of Al_YGa_1-YN having distortion and a lattice constant d0 (15) inherent to Al_ZGa_1-ZN having no distortion becomes smaller than a difference Δ2 between the lattice constant d0 (15) and the lattice constant d0 (13).例文帳に追加

歪んだＡｌ_ＹＧａ_１−ＹＮの格子定数ｄ（１３）と無歪みのＡｌ_ＺＧａ_１−ＺＮに固有の格子定数ｄ０（１５）との差△１は、格子定数ｄ０（１５）と格子定数ｄ０（１３）との差△２より小さくなる。 - 特許庁

The signal level of the output terminals Y1-Yn of a BLK-Y 11 is compared with the signal level of the input terminals A1-An of a BLK-A 14 and the connection relation between the BLK-Y 11 and a BLK-A 14 is verified.例文帳に追加

ＢＬＫ−Ｙ１１の出力端子Ｙ１〜Ｙｎの信号レベルとＢＬＫ−Ａ１４の入力端子Ａ１〜Ａｎの信号レベルとを比較して、ＢＬＫ−Ｙ１１とＢＬＫ−Ａ１４間の接続関係を検証する。 - 特許庁

An Isoc packet transferred during the Isoc transfer mode and an Asyn packet transferred during the Asyn transfer mode are then stored in the different FIFO 38a, 38n, and inputted/outputted to the different DMAI/F 39a, 39b.例文帳に追加

そして、Isoc転送モードで転送されるIsocパケットとAs yn転送モードで転送されるAsynパケットをそれぞれ別々のＦＩＦＯ３８ａ、３８ｂに格納し、それぞれ別々のＤＭＡＩ／Ｆ３９ａ、３９ｂに入出力するようにした。 - 特許庁

In the case of reading, for example, a memory cell 11-11 in which data "0" is stored, the memory cell 11-11 is selected by making a word line WLn into an "H" level and making an NMOS 12-1 into an on state by a signal Yn at the "H" level.例文帳に追加

例えば、データ“０”が記憶されたメモリセル１１−１１を読み出す場合、ワードラインＷＬｎを“Ｈ”レベルにすると共に、“Ｈ”レベルの信号ＹｎによりＮＭＯＳ１２−１をオン状態にしてメモリセル１１−１１を選択する。 - 特許庁

In contrast, a portion of the AlGaN spacer 105 adjacent to the GaN channel layer 119 is assumed an Al_xGa_1-xN layer 105a (e.g. x≥0.3) having the higher AlN mixed crystal ratio (x) than that of the Al_yGa_1-yN layer 105b.例文帳に追加

他方、ＡｌＧａＮスペーサ層１０５がＧａＮチャネル層１１９と隣接する部分は、Ａｌ_ｙＧａ_１_−ｙＮ層１０５ｂよりもＡｌＮ混晶比ｘが高い、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ層１０５ａ（例えばｘ≧０．３）とされる。 - 特許庁

In the active matrix type display device, additional capacitance Cadd having a structure of a p-type low resistance semiconductor layer/an intrinsic semiconductor layer/an insulating layer between an pixel electrode EP and scanning signal electrodes Y1,..., Yn.例文帳に追加

アクティブマトリクス型表示装置において、画素電極ＥＰと走査信号電極Ｙ１，…，Ｙｎとの間に、ｐ型低抵抗半導体層／真性半導体層／絶縁層の構造を有する付加容量Ｃａｄｄを接続する。 - 特許庁

The driving current corresponding to digital data VAm or analog data current IAm supplied through a data line Xm is supplied to the organic EL element 21 of a pixel circuit 20 disposed in accordance with the intersection of a scanning line Yn and the data line Xm.例文帳に追加

走査線Ｙｎとデータ線Ｘｍとの交差部に対応して設けられた画素回路２０の有機ＥＬ素子２１はデータ線Ｘｍを介して供給されるデジタルデータＶAm又はアナログデータ電流ＩAmに応じた駆動電流が供給される。 - 特許庁

A driving current coresponding to digital data VDGDATAm or analog data voltage VANDATAm is supplied via a data line Xm to an organic EL element 21 in a pixel circuit 20 laid corresponding to the intersection of a scanning line Yn and the data line Xm.例文帳に追加

走査線Ｙｎとデータ線Ｘｍとの交差部に対応して設けられた画素回路２０の有機ＥＬ素子２１はデータ線Ｘｍを介して供給されるデジタルデータＶDGDATAm又はアナログデータ電圧ＶANDATAmに応じた駆動電流が供給される。 - 特許庁

The driving current meeting digital data VAm or analog data current IAm supplied through a data line Xm is supplied to an organic EL element 21 of a pixel circuit 20 disposed in correspondence to the intersection of a scanning line Yn and the data line Xm.例文帳に追加

走査線Ｙｎとデータ線Ｘｍとの交差部に対応して設けられた画素回路２０の有機ＥＬ素子２１はデータ線Ｘｍを介して供給されるデジタルデータＶAm又はアナログデータ電流ＩAmに応じた駆動電流が供給される。 - 特許庁

In a two-dimensional orthogonal coordinate system, when a vector Rn, of which an original point is a start point and Xn,Yn, which are values of a pair of Doppler signals E,E' at an amplitude level, is an end point, rotates in accordance with passage time, the rotating angles ψn are obtained to be integrated.例文帳に追加

二次元直交座標系において原点を始点とし一対のドップラー信号Ｅ，Ｅ’の振幅レベルの値Ｘ_n，Ｙ_nを終点とするベクトルＲ_nが時間の経過に伴って回転するときの回転角φ_nを求めてこれを積算する。 - 特許庁

The GaN semiconductor crystal base material comprises: an Al_xGa_1-xN (0<x≤1) substrate layer grown directly on a crystal substrate via an AlN low-temperature grown buffer layer, and an Al_yGa_1-yN (0≤y<x) layer provided on the substrate layer.例文帳に追加

結晶基板直上に、ＡｌＮ低温成長バッファ層を介してＡｌ_xＧａ_1_-xＮ（０＜ｘ≦１）下地層が成長しており、該下地層上にＡｌ_yＧａ_1-yＮ（０≦ｙ＜ｘ）層が設けられていることを特徴とする、ＧａＮ系半導体結晶基材。 - 特許庁

The current coordinates of the object to be plotted are calculated, that is, when the primary lights are scanned in the X axial direction, Y coordinates corresponding to Xn+η are calculated, and when the primary lights are scanned in the Y axial direction, X coordinates corresponding to the Yn+η are calculated in a step NS405.例文帳に追加

ステップＮＳ４０５では、現在の描画対象の座標、即ちＸ軸方向に走査している場合は、Ｘｎ＋ηに対応するＹ座標、Ｙ軸方向に走査している場合は、Ｙｎ＋ηに対するＸ座標を求める。 - 特許庁

Pixels 2 are arranged corresponding to crossings of scanning lines Y1 to Yn and data lines X1 to Xm and are commonly connected to mutually adjacent power supply lines (L1 and L2, for example) among power supply lines L1 to Ln+1 that are correspondingly provided to the scanning lines Y1 to Tn.例文帳に追加

それぞれの画素２は、走査線Ｙ1〜Ｙnとデータ線Ｘ1〜Ｘmとの各交差に対応して設けられているとともに、走査線Ｙ1〜Ｙnに対応して設けられた電源線Ｌ1〜Ｌn+1のうち、互いに隣接した電源線（例えばＬ1，Ｌ2）に共通接続されている。 - 特許庁

In the Al_xGa_yIn_1-x-yN crystal substrate 12, the area of the main face is 10 cm^2 or larger and the total dislocation density in the region excluding a region having a distance of 5 mm or smaller from the outer circumference 12v is 1×10^2 cm^-2 to 1×10^6 cm^-2.例文帳に追加

主面の面積が１０ｃｍ^2以上であり、外周１２ｖから５ｍｍ以下の距離にある領域を除く領域における総転位密度が１×１０^2ｃｍ^-2以上１×１０^6ｃｍ^-2以下であるＡｌ_xＧａ_yＩｎ_1-x-yＮ結晶基板１２。 - 特許庁

A CCD 103 to capture an infrared fluorescent image of the fundus of the eye is disposed and a CCD 90 to pick up an motion image of the fundus of the eye is disposed besides the CCD 103 to transfer and detect a fixation position (xn and yn) from the quantity of light distribution of the image of the fundus of the eye.例文帳に追加

眼底の赤外蛍光像を撮影するＣＣＤ１０３が設けられ、ＣＣＤ１０３とは別に、眼底の動画を撮影するＣＣＤ９０が設けられ、その眼底画像の光量分布から固視位置（ｘｎ、ｙｎ）が転属して検出される。 - 特許庁

A GaN buffer layer 12, an n-Al_xGa_1-xN layer 13, an n-Al_yGa_1-y layer 14, an In_z-Ga_1-zN layer 15, a p-Al_yGa_1-yN layer 16, and a p-GaN layer 17 are layered on a sapphire substrate 11 in this order.例文帳に追加

サファイア基板１１上に、ＧａＮバッファ層１２、ｎ−Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ層１３、ｎ−Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙＮ層１４、Ｉｎ_ｚＧａ_１−ｚＮ層１５、ｐ−Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙＮ層１６およびｐ−ＧａＮ層１７をこの順に積層する。 - 特許庁

In a decoding system y1 of a first stage, a prediction voice is obtained based on a filter coefficient aq(i), in a decoding system y2,..., yn, after a second stage, a prediction voice of the filter coefficient aq(i) is obtained based on each parameter J2, L2,..., JN, LN.例文帳に追加

１段目の復号化系ｙ１は、パラメータＩ、Ｊ、Ｋ、Ｌ、フィルタ係数ａｑ（ｉ）に基づいて予測音声を求め、２段目以降の復号化系ｙ２、・・・、ｙｎは、各々パラメータＪ２、Ｌ２、・・・、ＪＮ、ＬＮに基づいてフィルタ係数ａｑ（ｉ）予測音声を求める。 - 特許庁

A calculation means provides a tray suction point pitch, based on the input data of a tray suction original point P1 acquired by the CCD camera 1, a final tray suction point (PXn, PYn), and X-direction column number Xn and Y-direction row number Yn of the tray 10.例文帳に追加

演算手段は、ＣＣＤカメラ１で求めたトレイ部品吸着原点Ｐ１と、トレイ部品最終吸着点（ＰＸｎ，ＰＹｎ）と、トレイ１０のＸ方向列数Ｘｎ及びＹ方向列数Ｙｎのデータ入力によりトレイ部品吸着点ピッチを求める。 - 特許庁

The impurity diffusion prevention layer 8 composed of In_yGa_1-yN is provided in the vicinity of the active layer 5 so that p-type impurities present in the p-type clad layer 10, p-type second guide layer 9, etc., can be accumulated in the impurity diffusion prevention layer 8 and are not diffused in the active layer 5.例文帳に追加

活性層５に近接してＩｎ_yＧａ_1-yＮからなる不純物拡散防止層８を設けるため、ｐ型クラッド層１０やｐ型第２ガイド層９などの内部に存在するｐ型不純物を不純物拡散防止層８に蓄積でき、ｐ型不純物が活性層５に拡散しなくなる。 - 特許庁

Since the impurity diffusion prevention layer 8 composed of In_yGa_1-yN is formed in proximity to the active layer 5; p-type impurities existing in the p-type clad layer 10, the p-type second guide layer 9, etc. is accumulated in the impurity diffusion prevention layer 8, thereby preventing the diffusion of the p-type impurities into the active layer 5.例文帳に追加

活性層５に近接してＩｎ_yＧａ_1-yＮからなる不純物拡散防止層８を設けるため、ｐ型クラッド層１０やｐ型第２ガイド層９などの内部に存在するｐ型不純物を不純物拡散防止層８に蓄積でき、ｐ型不純物が活性層５に拡散しなくなる。 - 特許庁

In one embodiment, the strain-balancing layer is made of In_xAl_yGa_1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, x+y≤1) of a quaternary alloy composition, whose lattice-constant is adjusted to apply opposite strains to adjacent layers within the active region.例文帳に追加

一実施形態において、歪平衡層は、四元合金組成であるＩｎ_ｘＡｌ_ｙＧａ_１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）から構成され、その格子定数を調節することによって、相反する歪を活性領域における隣接している層に加える。 - 特許庁