そでがうら３ちょうめの英語

そして、平面的に見た場合に、画素電極６のスリット６ａのエッジ６ｂと、調整層９によって形成される透明基板３側の段差部１０とが互いに重ならないように構成されている。例文帳に追加

In a plan view, the liquid crystal device is configured in such a manner that edges 6b of the slits 6a of the pixel electrode 6 do not overlap a step part 10 formed of the adjusting layer 9 close to the transparent substrate 3. - 特許庁

受信信号レベルが低下したときには、表示装置３に表示する画像又はカメラ４で生成する画像の解像度を下げることにより、テレビ電話装置自身の構成要素である表示装置３、カメラ４、ＣＰＵ２が発生する高調波による雑音を低減する。例文帳に追加

When a reception signal level is lowered, the resolution of an image which is displayed on a display device 3 or generated by a camera 4 is lowered, so that noise due to harmonics generated by the display device 3, the camera 4, and a CPU 2 which are components of a videophone device itself is suppressed. - 特許庁

この電気化学表示装置は、ガラス基板２の所定面２ａ上に形成された画素電極６と、ガラス基板２および３の間に配置されているとともに、光変調物質が含有されている電解質層１とを備えている。例文帳に追加

The electrochemical display device includes pixel electrodes 6 formed on a predetermined surface 2a of a glass substrate 2, and an electrolyte layer 1 disposed between glass substrates 2 and 3 and containing an optical modulating material. - 特許庁

(3) 次の場合，すなわち， (a) 革新特許を求めて，第79B条に定められている分割出願がされ，かつ (b) 分割出願に関して提出された完全明細書を公衆の閲覧に供する旨を公報に公告する場合は，局長は，分割出願の基礎である原出願に関して提出された完全明細書を公衆の閲覧に供する旨も，公報に公告しなければならない。例文帳に追加

(3) If: (a) a divisional application provided for in section 79B is made for an innovation patent; and (b) a notice is published in the Official Journal that the complete specification filed in respect of the divisional application is open to public inspection; the Commissioner must also publish in the Official Journal a notice that the complete specification filed in respect of the original application on which the divisional application is based is open to public inspection.発音を聞く  - 特許庁

測定対象溶液中で測定対象分子を酸化又は還元反応により検出する電気化学測定用の炭素電極は、ｓｐ^２結合とｓｐ^３結合からなる微結晶ドメインから構成されていることを特徴とする。例文帳に追加

This electrochemical measuring carbon electrode for detecting a molecule to be measured in a measuring target solution by oxidation-reduction reaction is constituted of a fine crystal domain comprising a sp^2 bond and a sp^3 bond. - 特許庁

画素電極３を有する素子基板１を備えた電気光学装置において、前記画素電極３は凹凸を有する高導電性金属からなり、前記高導電性金属の表面には透明導電体層５が配置されてなり、前記透明導電体層は１００〜５００オングストロームの膜厚を有することを特徴とする。例文帳に追加

The electrooptical device provided with a element substrate 1 having a pixel electrode 3, is characterized in that the pixel electrode 3 is made of a highly electrically conductive metal with ruggedness; a transparent electrically conductive layer 5 is arranged on the surface of the highly electrically conductive metal; and the transparent electrically conductive layer has a 100-500 Å thickness. - 特許庁

酸素及び窒素でドーピングされる間にチョクラルスキー法を使って引き上げられるシリコン単結晶の製造方法において、前記単結晶が引き上げられる間に６．５×１０^１７原子／ｃｍ^３未満の濃度の酸素、及び５×１０^１３原子／ｃｍ^３超の濃度の窒素でドーピングされることを特徴とする前記製造方法。例文帳に追加

In the process for producing a silicon single crystal in which the crystal is pulled by using a Czochralski method while being doped with oxygen and nitrogen, the single crystal is doped with oxygen at a concentration of less than 6.5×10^17 atoms/cm^3 and with nitrogen at a concentration of more than 5×10^13 atoms/cm^3while the single crystal is pulled. - 特許庁

本発明の反射防止膜は、光ピックアップ装置の構成要素である収差補正素子に設けられ、６５８ｎｍ及び７８０ｎｍでの光ビームの反射率が３％以下である反射防止膜であって、波長が４０５ｎｍでの光ビームの反射率が７〜２０％である。例文帳に追加

The antireflection film is disposed in the aberration correcting element as a component of the optical pickup device, wherein the reflectances of the light beam at 658 nm and 780 nm are 3% or lower and the reflectance of light beam at a wavelength 405 nm is 7 to 20%. - 特許庁