Otherwise, from 1 to n bytes may be written (i. e.発音を聞く 例文帳に追加

それ以外の場合、1 バイト以上nバイト以下のデータが書き込まれる(つまり「一部分だけ書き込まれる」場合もあり得る)。 - JM

A first zone 106 of an oxide layer formed in the trench adjoins at least part of the N epi-region of the semiconductor device, and a second zone 110 adjoins at least part of the body region.例文帳に追加

トレンチに形成された酸化物層の第１の区域１０６は、半導体デバイスのＮエピ領域の少なくとも一部分に隣接し、第２の区域１１０はボディ領域の少なくとも一部分に隣接する。 - 特許庁

The N-type buffer region 314 is formed in a state of being separated from one part of the P-type collector region 303a so as to cover the one part.例文帳に追加

Ｎ型バッファ領域３１４は、Ｐ型コレクタ領域３０３ａの一部分から離隔した状態でその一部分を覆うように設けられている。 - 特許庁

The MIS device (MOSFET 100) includes: an N epi-region 116 adjacent to at least part of a bottom part of a trench 104 extending in a semiconductor substrate; and a P conduction type body region 112 adjacent to at least part of a sidewall of the trench.例文帳に追加

半導体基板の中に延在するトレンチ１０４の底部の少なくとも一部分に隣接したＮエピ領域１１６と、トレンチの側壁の少なくとも一部分に隣接したＰ導電型のボディ領域１１２とを備える。 - 特許庁

Next, at least a portion of the initial oxide layer (104), overlying the heavily-doped N+ layer, is removed.例文帳に追加

次に、濃くドープされたＮ＋層の上層の初期の酸化物層（１０４）の少なくとも一部分が取除かれる。 - 特許庁

An n-well 103 is formed, as an individual electrode, beneath the LOCOS and an n+ layer 104 is formed at a part on the surface of the n-well in order to decrease the resistance.例文帳に追加

ＬＯＣＯＳの下層には個別電極としてｎウェル１０３が形成されており、ｎウェルの表面の一部分には抵抗を低減するため、ｎ＋層１０４が形成されている。 - 特許庁

When viewed from the upper face side of the N^- type silicon substrate 1, the P-type isolation region 2 is formed to surround N^- region 1a, which is a part of the N^- type silicon substrate 1.例文帳に追加

また、Ｎ^-型シリコン基板１の上面側から眺めた場合、Ｐ型分離領域２は、Ｎ^-型シリコン基板１の一部分であるＮ^-領域１ａを取り囲んで形成されている。 - 特許庁

The reactive maytansinoid derivatives are expressed by the following formula: maytansinoid-S-S-CR_1R_2-(CH_2)_n-CO_2-X.例文帳に追加

次式:メイタンシノイド-S-S-CR_1R_2-(CH_2)_n-CO_2-X〔式中、R_1およびR_2は、それぞれ独立して、H、または、線状もしくは分枝状のアルキルであり、nは1〜5であり、かつXは、活性エステルの一部分である。 - 特許庁

And decided each address is latched to a corresponding NAND flash memory to store the same part of data to be written in the NAND flash memories N-1 to N-n, and the parts are supplied en bloc to the NAND flash memories N-1 to N-n.例文帳に追加

そして、書き込み対象のデータの同一部分をＮＡＮＤフラッシュメモリＮ−１〜Ｎ−ｎに記憶させるため、決定した各アドレスを該当するＮＡＮＤフラッシュメモリにラッチさせ、当該部分を一括してＮＡＮＤフラッシュメモリＮ−１〜Ｎ−ｎに供給する。 - 特許庁

This photodiode includes an N+ silicon substrate, a silicon nitride layer formed on the N+ substrate, re-oxidized nitride layer formed on the silicon nitride layer, N+ polysilicon layer formed at least on a part of the re-oxidized nitride layer.例文帳に追加

このホトダイオードは、Ｎ^+シリコン基板、Ｎ^+シリコン基板上に形成された窒化ケイ素層、窒化ケイ素層上に形成された再酸化窒化物層、および再酸化窒化物層の少なくとも一部分上に形成されたＮ^+ポリシリコン層を含む。 - 特許庁

In a photo diode 40 formation region, the first p-type semiconductor layer 12 constitutes part of an anode region, and the n-type semiconductor layer 14 constitutes a cathode region 42 and a high concentration cathode region 45.例文帳に追加

フォトダイオード４０が形成される領域において、第１のｐ型半導体層１２はアノード領域の一部分を構成し、ｎ型半導体層１４はカソード領域４２及び高濃度カソード領域４５を構成している。 - 特許庁

A cathode tab 41 and an anode tab 42 of each of the laminate type batteries 1 to n are bent along the corresponding terminal holding members 21 to 2n and have a portion bent in the thickness direction of the terminal holding members 21 to 2n.例文帳に追加

ラミネート形電池１〜ｎの正極タブ４１および負極タブ４２は、対応する端子保持部材２１〜２ｎに沿って折り曲げられており、端子保持部材２１〜２ｎの厚み方向に折り曲げられた一部分を有する。 - 特許庁

Each of co-selectors 2020-202M-1 receives part of pixels segmented from an input image signal, e.g. (N-M+1) sets of selected data.例文帳に追加

コセレクタ２０２_0 〜２０２_M-1 の各々に、入力画像信号から切り出された画素の内の一部分、例えばＮ−Ｍ＋１個からなる被選択データが供給される。 - 特許庁

The mask is removed, and then a conducting electrode 2 is formed to contact with the first part 17a of the now-exposed p-n junction 17, and this obtains a light emitting device 1.例文帳に追加

そして、マスクを除去したのち、露出するｐ−ｎ接合部１７の第一部分１７ａと接触するように通電電極２を形成し、発光素子１を得る。 - 特許庁

At least a part of the p well regions 102 connects to a region of the p-type semiconductor substrate 100 where no Deep-n well region 103 is formed.例文帳に追加

Ｐウェル領域１０２の少なくとも一部分は、Ｐ型半導体基板１００におけるＤｅｅｐ−Ｎウェル領域１０３が形成されていない領域と接続している。 - 特許庁

The swimming suit is formed of knitted fabric comprising synthetic fibers and elastic yarns, wherein elongation force of at least part of the lower let part of the knitted fabric elongated at 30% is 2.0-4.5 N in either width or length direction.例文帳に追加

合成繊維と弾性糸とを含む編物からなる水着であって、少なくとも下腿部の一部分の３０％定伸長時伸長力が経緯いずれかの方向で２．０〜４．５Ｎの編物で構成されていることを特徴とする水着。 - 特許庁

A third thin film transistor includes a gate electrode connected to an (N+1)th gate line, a semiconductor layer overlapping with the gate electrode, a source electrode connected to the second sub pixel electrode and partially overlapping with the gate electrode, and a drain electrode facing the source electrode.例文帳に追加

第３薄膜トランジスタは、第ｎ＋１ゲートラインに接続されたゲート電極、ゲート電極と重畳する半導体層、第２サブ画素電極に接続されゲート電極と一部分が重畳するソース電極、及びソース電極と対向するドレイン電極を含む。 - 特許庁

The second electrode 42 of the nth solar cell of the array is connected to the first electrode of the succeeding, (n+1)th cell of the array via a portion 40 of the PV film 38 which has substantially higher conductivity than the remainder of the PV film 38.例文帳に追加

前記アレイの（ｎ）番目の太陽電池セルの第２電極４２は、前記ＰＶ膜３８の残部よりも実質的に高い導電率を有する一部分４０を経て、引き続く（ｎ＋１）番目の太陽電池セルの第１電極に接続されている。 - 特許庁

The recording apparatus receives a designation from the user as to from which time zone of the recording between the N hours ago and the current time should be retained, and a protective attribute setting part 13 sets a protective attribute to a portion on a recording medium corresponding to the received time zone.例文帳に追加

一方、録画装置は、Ｎ時間前から現在時刻までのうち、どの時間帯を保存しておくかの指定をユーザから受け付けて、保護属性設定部１３は、受け付けた時間帯に対応する記録媒体上の一部分に、保護属性を設定する。 - 特許庁

This compound contains an amino acid sequence of 1 to about 5 amino acid residues containing an N-terminal protecting group and a C terminal Asp residue connected to an electric negative eliminable group in which the amino acid sequence is substantially equivalent to a sequence Ala-Tyr-Val- His-Asp, namely at least a part of residue 112-116 of sequence number 3 in the specification.例文帳に追加

Ｎ末端保護基および電気的陰性脱離基に連結されたＣ末端Asp 残基を有する１〜約５個のアミノ酸残基のアミノ酸配列を有し、そのアミノ酸配列が、配列Ala-Tyr-Val-His-Asp 、すなわち配列番号３の残基１１２〜１１６の少なくとも一部分に実質的に相当する化合物。 - 特許庁

The connection body 1 has a space 12a inside a hinge part 12 that is bent for hanging the object N as the hinge part 12 is bent to engage a protruded part 11b on a second part 11 into a through hole 10a in a first part 10.例文帳に追加

連結体１は、ヒンジ部１２を屈曲させて第一部分１０の貫通穴１０ａに第二部分１１の突出部１１ｂをはめ入れた状態において、屈曲されたヒンジ部１２の内方に被吊り下げ対象物Ｎの吊り下げ可能な部分を保持可能な空間１２ａを持つようにしてある。 - 特許庁

The octree is provided with nodes arranged at plural levels, each node stores plural zero-dimensional sets consisting of n elements, the set locally approximates the shape and the shade attributes of a part of the surface of the graphic object and the sets consisting of n elements are provided with sampling resolution of an image space.例文帳に追加

オクトリは、複数のレベルで配列されたノードを有し、各ノードが、複数のゼロ次元のｎ個の要素からなる集合を記憶し、集合は、グラフィックオブジェクトの表面の一部分の形状及び陰属性を局部的に近似させ、ｎ個の要素から成る集合は、画像空間のサンプリング解像度を有する。 - 特許庁

If at least a part of the n-type contact layer located underneath an resonator is left with film thickness δ, since a contact with a negative electrode can be well secured even beneath the resonator, the mutilation of FFP caused by the light leaking from the n-type contact layer can be sufficiently suppressed based on an effective light containment action, and simultaneously, a semiconductor laser is stably oscillated.例文帳に追加

少なくとも共振器の真下に位置するｎ型コンタクト層の一部分をδ程度の膜厚で残しておけば、共振器直下においても負電極とのコンタクトが良好に確保できるので、効果的な光の閉じ込め作用に基づいてｎ型コンタクト層から漏れ出る光に依るＦＦＰの乱れを十分に抑制することができると同時に、半導体レーザが安定して発振する。 - 特許庁

This publication system is provided with a means receiving the literary articles contributed by many and unspecified persons as electronic data via a public server 1 over a network N to store them on the server, a means exhibiting portions of the articles for the customers to browse them via the server, and a means allowing the customers to request the publication of the registered literary articles via the server.例文帳に追加

不特定多数の者から投稿された作品をネットワークＮ上に公開したサーバー１を介して電子データとして受け取ってサーバーに蓄積する手段、各作品の一部分をサーバーを介して需要者が閲覧するために公開する手段、登録された作品の出版をサーバーを介して需要者が依頼する手段を備えた出版システムとする。 - 特許庁

In addition, the organic compound powder is preferably a conductive polymer containing at least one of a p-doped polymer of a first conductivity type in a π-conjugate system, an n-doped polymer of a second conductivity type in a π-conjugate system, and a polymer of a third conductivity type which can extract the exchange of electrons associated with part of monomer units oxidized and reduced.例文帳に追加

また、前記有機化合物粉末は、π共役系のｐ−ｄｏｐｅ型の第一導電性高分子、π共役系のｎ−ｄｏｐｅ型の第二導電性高分子、もしくは、モノマー単位の一部分が酸化還元されることに伴う電子授受を電気エネルギーとして取り出すことが可能な第三導電性高分子、のうち少なくともいずれか一つを含む導電性高分子であることが好ましい。 - 特許庁