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乏少だの英語
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「乏少だ」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 44件
少年時代の経験で彼は貧乏がどういうものか知った。例文帳に追加
His boyhood experiences taught him what it was like to be poor.発音を聞く - Tanaka Corpus
少年時代の経験で彼は貧乏がどういうものか知った。例文帳に追加
His boyhood experiences taught him what it was like to be poor. - Tatoeba例文
また、かつて江戸の小石川で、年中貧乏暮しをしていた旗本が年越しの日、これまでずっと貧乏だったが特に悪いことも無かったのは貧乏神の加護によるものだとし、酒や米などを供えて貧乏神を祀り、多少は貧窮を免れて福を分けてもらうよう言った。例文帳に追加
Additionally, a hatamoto (direct retainers of the bakufu, which is a form of Japanese feudal government headed by a shogun) who lived in Koishikawa of Edo, always poor, worshipped the Binbo-gami, offering sake and rice, thinking although he was poor all this time, it was the divine protection by the Binbo-gami that prevented especially bad things from happening, and asked for some relief from poverty and a share of good fortune.発音を聞く - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
太平洋より種族数が少なく固有種も乏しいことから、日本海の形成時代はあまり古くないといわれている。例文帳に追加
Due to the fact that there are smaller numbers of breeds and fewer indigenous species comparing to that found in the Pacific Ocean, it is said that the formation of the Sea of Japan occurred not too long ago.発音を聞く - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
ＩｎＧａＡｓＮの層からなるｐｉｎ構造は１．０ｅＶと１．０５ｅＶとの間のバンドギャップを有し、空乏領域幅が少なくとも５００ｎｍである。例文帳に追加
A pin structure comprised of the InGaAsN layer has a bandgap of 1.0 eV to 1.05 eV, and the depletion region width is at least 500 nm. - 特許庁
空乏領域４０３のドーパント濃度は、その最大点４０４からウェル領域１０２の下に延在する両部分４０５及び４０６でより減少する。例文帳に追加
The depletion region 403 is more reduced in dopant concentration at parts 405 and 406 which extend under the well region 102 starting from the point 404. - 特許庁
これにより、読み出しトランジスタＴｔｘと読み出し選択トランジスタＴｔｙのゲート領域の下層を負電位に制御し、その空乏化を抑制し、リーク電流の減少を図る。例文帳に追加
Thus, the lower layer of the gate regions of the read and read selection transistors Ttx, Tty is controlled to take a negative potential, thereby restraining them from being depleted and hence reducing the leak current. - 特許庁
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「乏少だ」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 44件
裁断・刻まれたタバコ葉は少しの衝動、微風にも散乱散飛にあほはれ、更につまみ取り出し後の安定性に乏しく多種多様の使用に用いることが不適当である。例文帳に追加
To solve the problems wherein a cut/chopped tobacco leaf is scattered and dispersed even by little impact or breeze, and is poor in stability after being taken out by summing up, and it is unsuitable to be used in various kinds of uses. - 特許庁
皆さんは、皮膚がんになる危険性が大いにあり、体を弱りきらせ、食料の乏しい、動植物の減少した未来の世界を私たちにつくるつもりですか。例文帳に追加
Are you creating for us a future world where there is a greater danger of skin cancer, weakened bodies, less food and fewer plants and animals?発音を聞く - Tanaka Corpus
皆さんは、皮膚がんになる危険性が大いにあり、体を弱りきらせ、食料の乏しい、動植物の減少した未来の世界を私たちにつくるつもりですか。例文帳に追加
Are you creating for us a future world where there is a greater danger of skin cancer, weakened bodies, less food and fewer plants and animals? - Tatoeba例文
第一の負誘電率媒質102と第二の負誘電率媒質101の少なくとも一方には、利得媒質103との間の境界部に形成される空乏領域を変化させるための電界を印加する電界印加手段122B、121が設けられている。例文帳に追加
At least one of these has electric field applying devices 122B and 121 for applying electric fields to change a depletion region formed at the boundary between the gain medium 103. - 特許庁
"荒木家老の者共さし寄りて村重を諫めて云く、つらつら城中の形勢を見るに、毛利家の援兵も今は頼み少なく、徒らに月日を送り給う故、兵糧甚だ乏しく成り候。例文帳に追加
"Araki's senior retainers gathered together and tried to convince Murashige that, judging from the situations in the castle, hope for obtaining reinforcement troops from the Mori clan became unbelievable and, since Murashige had wasted time in vain, provisions ran low.発音を聞く - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
該複合材料は、少なくとも、基板上に形成された第一重合体層と、該第一重合体層の上の第二重合体層とを含み、ここで、ホウ素含有化合物なしでは、該第一重合体層および該第二重合体層は、層間接着性が乏しい。例文帳に追加
The composite includes at least a first polymeric layer formed on a substrate and a second polymeric layer over the first polymeric layer. - 特許庁
光伝導層（２）の膜厚は、光伝導層の複数の電極（３）の間の少なくとも一部分において空乏層（６）が膜厚方向全体に達する様に調整されている。例文帳に追加
The film thickness of the photoconductive layer (2) is adjusted so that the depletion layer (6) reaches the entirety in the film thickness direction, at least at a portion among the plurality of electrodes (3) in the photoconductive layer. - 特許庁
短チャネル効果を抑制すると共に、Ｖ_ｔｈ値を制御することができる部分空乏型ＳＯＩ−ＭＯＳＦＥＴを、1チップ内に少なくとも１個含んだ半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a semiconductor device containing at least one partially-depleted SOI-MOSFET capable of suppressing short channel effects and also controlling a V_th value in one chip, and to provide a method of manufacturing the semiconductor device. - 特許庁
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