When a grid exists in the reduced Lab gamut, the Lab value of the grid is magnified to obtain the Lab range by using the magnification factor α and when the grid does not exist in the reduced gamut, the Lab value is magnified to create an ICC profile by the magnification factor α'.例文帳に追加

そしてグリッドが縮小Ｌａｂガマット内の存在する場合は拡大率αにて同グリッドのＬａｂ値を拡大してＬａｂ値域としグリッドが縮小ガマット内に存在しない場合は拡大率α’にて拡大しＩＣＣプロファイルを作成する。 - 特許庁

To provide a camera module that eliminates parallax, attains a high number of pixels and a high magnification with a simple configuration, and can attain low profile of a device such as a camera.例文帳に追加

視差をなくし、簡単な構成で高画素化や高倍率化を達成し、カメラ等の機器の薄型化を達成することを可能としたカメラモジュールを提供する。 - 特許庁

To produce a thermoplastic elastomer foam without generating defects such as profile deformation, an edge cut phenomenon, the insufficiency of foaming magnification or the like during continuous production.例文帳に追加

連続生産を行った場合に発生するプロファイル変形、エッジカット現象、発泡倍率不足等の不良の起こらない、熱可塑性エラストマー発泡体の製造方法を提供すること。 - 特許庁

Using the complementary magnification coefficients α_1k, β_1k (hence A_ak, B_ak and so forth), the profile r (θ) and the rotational deflection quantities x (θ), y (θ) are obtained.例文帳に追加

この補完しあう倍率係数α_１ｋ、β_１ｋ等（結果的にＡ_ａｋ、Ｂ_ａｋ）を用いて形状ｒ（θ）と回転振れ量ｘ（θ）、ｙ（θ）を求める。 - 特許庁

To provide an object distance estimation apparatus which obtains images having different in-focus positions without changing image magnification, does not require to allow a long optical path length, reduces the amount of calculation, and achieves profile reduction and downsizing of an instrument to be mounted.例文帳に追加

像倍率を変えずに合焦位置の異なる画像を得ることができ、光路長を長く取る必要がなく、演算量を低減でき、搭載機器の低背化、小型化を図ることが可能な被写体距離推定装置を提供する。 - 特許庁

To provide a focusing optical system that has satisfactorily corrected various aberrations, represented by chromatic aberration, is compact and low-profile, and has high magnification and a large angle of view at a wide angle.例文帳に追加

色収差を中心とした諸収差が良好に補正された小型・薄型かつ高変倍率で広角端画角が大きい結像光学系を得る。 - 特許庁

To provide excellent image quality for forming a multi-beam scanning optical system by realizing a low-profile and downsizing of an fθ lens so as to suppress fluctuations in a magnification in subscanning direction.例文帳に追加

fθレンズの薄型、小型化を実現し、副走査倍率の変動を抑制することでマルチビーム走査光学系を形成する場合に良好な画質を提供すること。 - 特許庁

Graphic constitution information to be a profile information including interlocking information between a magnified/reduced graphic and the other graphics is stored and the positional information on a size changing end of the graphic selected as a graphic to be magnified/reduced and magnification/reduction ratio information to be the degree of change are obtained.例文帳に追加

拡大、縮小した図形とそれ以外の他図形との連動情報を含むプロファイル情報である図形構成情報をメモリに保存し、拡大、縮小操作対象として選択された図形のサイズ変更端の位置情報、および変更の度合いである拡大・縮小比率情報を入手する。 - 特許庁

This is constituted of the two lenses which are a lens 45 having a positive refractive power and a lens 48 having a negative refractive power for magnification zoom sequentially from the light source side, the lens 45 of a biconcave plastic lens in which a face of the light source side serves as aspheric surface profile, and the lens 48 is a both-concave plastic lens.例文帳に追加

光源側から順に変倍のための正の屈折力を持つレンズ４５、負の屈折力を持つレンズ４８の２枚のレンズにより構成し、レンズ４５は光源側の面が非球面形状となる両凸のプラスチックレンズ、レンズ４８は両凹のプラスチックレンズとする。 - 特許庁

The sheet beam irradiated by the optical system to a stencil mask from above at an angle is condensed on the stencil mask surface and reflected to the opposite side, but when the image of the reflected light is formed on imaging elements or the like with an arbitrary magnification, an optical cutting line image depending on the profile at the irradiated part on the stencil mask surface is obtained.例文帳に追加

ステンシルマスクに対し前記光学系により斜め上方から照射されたシートビームは前記ステンシルマスク表面で集光して反対側へ反射するが、反射光を撮像素子等へ任意の倍率で結像させることで、前記ステンシルマスク表面の照射部位の形状に応じた光切断線画像が得られる。 - 特許庁

When the cross-section through the center of the first electrode pad 25 and the solder bump 23 is seen, the solder bump group has solder bump 23A wherein the stress magnification coefficient K in the notch shape formed by the first electrode pad and the profile of the solder bump 23 on the chip center side is smaller than or equal to that on the chip edge side.例文帳に追加

半田バンプ群は、第１の電極パッド２５と半田バンプ２３の中心を通る断面を見たとき、第１の電極パッド２５と半田バンプ２３の輪郭とで形成される切り欠き形状における応力拡大係数Ｋが、チップセンタ側よりチップエッジ側の方が小さいかまたは等しい半田バンプ２３Ａを有する。 - 特許庁